JPH0466176A - 高分子体の水切り乾燥方法 - Google Patents
高分子体の水切り乾燥方法Info
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- JPH0466176A JPH0466176A JP17710190A JP17710190A JPH0466176A JP H0466176 A JPH0466176 A JP H0466176A JP 17710190 A JP17710190 A JP 17710190A JP 17710190 A JP17710190 A JP 17710190A JP H0466176 A JPH0466176 A JP H0466176A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高分子体の水切シ乾燥方法に関する。
従来、高分子体を水槽から引上げて水切りを行う方法に
特公昭６２−５５２５３があるが、・用いる高分子体は
、水（水温２０℃）との接触角が４５°以上でなければ
良好な水切シ状態が得られないと記載されている。しか
し該接触角が４５゜以上では、低速で引上げても該高分
子体の不特定の箇所に水滴が残り、該水滴が原因である
異物の残留が多くなるという致命的な欠点を有していた
他方、高分子体以外の被乾燥物を対象とするが水槽から
引上げて水切りを行なう方法が、特開昭６１−２７０５
９９．同６０−２２３１５０．同６５−６７７５５で提
案されているが、いずれも、被乾燥物の水との接触角で
表わされる表面改質が行なわれていないため、上記特公
昭６２−５５２３６同様、高分子体に適用した場合に異
物の残留が多（なるという欠点を有していた。
特公昭６２−５５２５３があるが、・用いる高分子体は
、水（水温２０℃）との接触角が４５°以上でなければ
良好な水切シ状態が得られないと記載されている。しか
し該接触角が４５゜以上では、低速で引上げても該高分
子体の不特定の箇所に水滴が残り、該水滴が原因である
異物の残留が多くなるという致命的な欠点を有していた
他方、高分子体以外の被乾燥物を対象とするが水槽から
引上げて水切りを行なう方法が、特開昭６１−２７０５
９９．同６０−２２３１５０．同６５−６７７５５で提
案されているが、いずれも、被乾燥物の水との接触角で
表わされる表面改質が行なわれていないため、上記特公
昭６２−５５２３６同様、高分子体に適用した場合に異
物の残留が多（なるという欠点を有していた。
従来技術では前述の如く、じみが残るという水切り乾燥
方法として致命的な問題点を有する。
方法として致命的な問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、高分子体にじみの発生をさせる
ことのない高い乾燥品質を付与する水切り乾燥方法を提
供することである。
の目的とするところは、高分子体にじみの発生をさせる
ことのない高い乾燥品質を付与する水切り乾燥方法を提
供することである。
本発明の高分子体の水切り乾燥方法は、該高分子体の水
（水温２０℃）との接触角を４５°未満に調整した後、
水槽内に浸漬し、該高分子体な引上げるか或いは水槽内
水面を引下げて水切りを行い、更に該高分子体の余熱或
いは熱風加温により乾燥を行う事を特徴とする。
（水温２０℃）との接触角を４５°未満に調整した後、
水槽内に浸漬し、該高分子体な引上げるか或いは水槽内
水面を引下げて水切りを行い、更に該高分子体の余熱或
いは熱風加温により乾燥を行う事を特徴とする。
又、接触角を４５°未満に調整するために、該高分子体
を少な（ともアルカリ性の水溶液を含む液体に接触させ
る事、そして／或いは少なくとも酸化剤を含む溶液に接
触させる事、そして／或いは、少なくともオゾン或いは
オゾンと紫外線に曝露させる事を特徴とする。
を少な（ともアルカリ性の水溶液を含む液体に接触させ
る事、そして／或いは少なくとも酸化剤を含む溶液に接
触させる事、そして／或いは、少なくともオゾン或いは
オゾンと紫外線に曝露させる事を特徴とする。
本発明によれば、水切り前の高分子体の水（水温２０℃
）との接触角は４５°未満でなければならない。
）との接触角は４５°未満でなければならない。
該接触角が大きい程、該高分子体自体の表面張力が小さ
い状態であり、該高分子体に触れる水は該高分子体にぬ
れに（（、該高分子体の引上げ或いは水槽内水面の引下
げにより、水槽最上面上の該高分子体表面に残る水は水
滴になりやすい。
い状態であり、該高分子体に触れる水は該高分子体にぬ
れに（（、該高分子体の引上げ或いは水槽内水面の引下
げにより、水槽最上面上の該高分子体表面に残る水は水
滴になりやすい。
従来、水切りは、上記の水滴が重力により下方に落下す
る事により達成されると考えられていたが、幾多の実験
により確認したところ、水滴の全ては重力で落下せず、
該高分子体表面に孤立する上記水滴の孤立は高分子体の
表面張力が小さい程多発することから、本発明では、該
表面張力の増大化を図った後、水切り乾燥を行う。該表
面張力の増大化の結果としての水との接触角が４５゜未
満、更に望ましくは４０°以下で水は高分子体表面に均
一にぬれ、水滴の発生が皆無となる。
る事により達成されると考えられていたが、幾多の実験
により確認したところ、水滴の全ては重力で落下せず、
該高分子体表面に孤立する上記水滴の孤立は高分子体の
表面張力が小さい程多発することから、本発明では、該
表面張力の増大化を図った後、水切り乾燥を行う。該表
面張力の増大化の結果としての水との接触角が４５゜未
満、更に望ましくは４０°以下で水は高分子体表面に均
一にぬれ、水滴の発生が皆無となる。
高分子体表面に残る水の量が極めて少な（なる事により
、水腹に含まれる異物の総量も少なくなることから、水
切り乾燥後の高分子体表面には残留する異物が少ない事
になる。
、水腹に含まれる異物の総量も少なくなることから、水
切り乾燥後の高分子体表面には残留する異物が少ない事
になる。
高分子体の表面張力を増大させる方法は種々ある。エス
テル基含有の高分子体はアルカリ性の水溶液を含む溶液
に接触させ加水分解を行５事により極性基を形成する。
テル基含有の高分子体はアルカリ性の水溶液を含む溶液
に接触させ加水分解を行５事により極性基を形成する。
又クロム酸混液や過酸化水素水等の酸化剤を含む溶液に
接触させ酸化を行う事により極性基に形成する。或いは
オゾンや矛シンと紫外線に曝露させることにより、極性
基を形成する。
接触させ酸化を行う事により極性基に形成する。或いは
オゾンや矛シンと紫外線に曝露させることにより、極性
基を形成する。
その他、プラズマ処理、コロナ放電処理、イオン打込み
等、高分子体の表面張力の増大が図れ、いずれの方法に
よっても同様の効果が得られる。
等、高分子体の表面張力の増大が図れ、いずれの方法に
よっても同様の効果が得られる。
０Ｒ５９製プラスチツクレンズを、下記条件で処理した
後、水洗し、更に純水（比抵抗５ＭΩ以上、液中パーテ
ィクル０．２μｍ以上の粒子１個／ｄ以下、液温４０℃
）に１分間浸漬後、５ Ｗｎ ／ Ｓｅｅで等速で引上
げた。
後、水洗し、更に純水（比抵抗５ＭΩ以上、液中パーテ
ィクル０．２μｍ以上の粒子１個／ｄ以下、液温４０℃
）に１分間浸漬後、５ Ｗｎ ／ Ｓｅｅで等速で引上
げた。
水切り乾燥品質は目視検査とレーザー光散乱法による表
面異物欠陥装置（日立デコー、ＨＬＤ５００Ｂ）を用い
０．２μｍ以上の塵埃粒子数の測定を行った。結果を以
下に示す。又水との接触角を接触角計にて求めた。
面異物欠陥装置（日立デコー、ＨＬＤ５００Ｂ）を用い
０．２μｍ以上の塵埃粒子数の測定を行った。結果を以
下に示す。又水との接触角を接触角計にて求めた。
※１ｕｖ／オゾン処理。
装置： ＤＫＥＰ ＵＶ ＰＨ０ＴＯＰＲＯＣＫＳ
ＳＯＲ（発売元、三井物産電子販売） ※２減圧下グロー放電処理 装置ニドライエツチング装置ＤＥＭ−４５１（メーカー
二日本アネルパ林式会社） 真空度 ０．２ｔｏｒｒ（エアー導入）印加電圧 ２
００Ｗ 次に実施例５のＵＶ／オゾン処理の処理時間を変更ｔな
がら処理し、その他は上述と同様に水切り乾燥を行った
。結果を以下に示す。
ＳＯＲ（発売元、三井物産電子販売） ※２減圧下グロー放電処理 装置ニドライエツチング装置ＤＥＭ−４５１（メーカー
二日本アネルパ林式会社） 真空度 ０．２ｔｏｒｒ（エアー導入）印加電圧 ２
００Ｗ 次に実施例５のＵＶ／オゾン処理の処理時間を変更ｔな
がら処理し、その他は上述と同様に水切り乾燥を行った
。結果を以下に示す。
第 ２
表
第 ３
表
次に各種高分子体のシー）（１０５１角、シート厚２０
０μＳ〜１ｍｌまで）を用い、実施例３と同様のＵｖ／
オゾン処理を行った後、純水（比抵抗５ＭΩ以上、液中
パーティクルα２μ菖以上の粒子数１８１／−以下、液
温４０℃）Ｋ１分間浸漬＊５■／ｓｌｃで等速で引上げ
た。水切り乾燥後の品質及び接触角は上述と同様に行っ
た。結果を以下に示す。
０μＳ〜１ｍｌまで）を用い、実施例３と同様のＵｖ／
オゾン処理を行った後、純水（比抵抗５ＭΩ以上、液中
パーティクルα２μ菖以上の粒子数１８１／−以下、液
温４０℃）Ｋ１分間浸漬＊５■／ｓｌｃで等速で引上げ
た。水切り乾燥後の品質及び接触角は上述と同様に行っ
た。結果を以下に示す。
尚、実施例１１〜１９に於けるＵＶ／オゾン処理を行な
わず水切り乾燥を比較例として行ったが、全て高分子体
表面の一部にシミが発生した。
わず水切り乾燥を比較例として行ったが、全て高分子体
表面の一部にシミが発生した。
本発明は上述の如（、種々の高分子体の水切り乾燥に於
いて、シミの発生を皆無にし、高分子体表面に残留する
異物数を極めて低い水準におさえることを可能にした。
いて、シミの発生を皆無にし、高分子体表面に残留する
異物数を極めて低い水準におさえることを可能にした。
以上
Claims (4)
- （１）高分子体を水槽内に浸漬した後、該高分子体を引
上げるか或いは水槽内水面を引下げて水切りを行い、更
に該高分子体の余熱或いは熱風加温により乾燥を行う方
法に於いて、水切り前に該高分子体の水（水温２０℃）
との接触角を４５°未満に調整した事を特徴とする高分
子体の水切り乾燥方法。 - （２）高分子体の水（水温２０℃）との接触角を４５°
未満に調整するために、高分子体を少なくともアルカリ
性の水溶液を含む溶液に接触させる事を特徴とする請求
項１記載の高分子体の水切り乾燥方法。 - （３）高分子体を少なくとも酸化剤を含む溶液に接触さ
せる事を特徴とする請求項２記載の高分子体の水切り乾
燥方法。 - （４）高分子体を少なくともオゾン或いはオゾンと紫外
線に曝露させた事を特徴とする請求項２記載の高分子体
の水切り乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17710190A JPH0466176A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 高分子体の水切り乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17710190A JPH0466176A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 高分子体の水切り乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466176A true JPH0466176A (ja) | 1992-03-02 |
Family
ID=16025165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17710190A Pending JPH0466176A (ja) | 1990-07-04 | 1990-07-04 | 高分子体の水切り乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0466176A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
-
1990
- 1990-07-04 JP JP17710190A patent/JPH0466176A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100413606C (zh) * | 1996-03-27 | 2008-08-27 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 清洁溶液的制造方法及其清洁方法 |
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