JPH0462194B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0462194B2 JPH0462194B2 JP3987083A JP3987083A JPH0462194B2 JP H0462194 B2 JPH0462194 B2 JP H0462194B2 JP 3987083 A JP3987083 A JP 3987083A JP 3987083 A JP3987083 A JP 3987083A JP H0462194 B2 JPH0462194 B2 JP H0462194B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- layer
- optical waveguide
- optical
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 14
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 8
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 8
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光集積回路の素子間あるいは要素間
を高効率で接続する接続導波路に関するものであ
る。
を高効率で接続する接続導波路に関するものであ
る。
光集積回路を構成するためには各素子間を効率
よく接続させる接続導波路が必要である。また従
来１つの単体であつた光半導体素子（例えば半導
体レーザ）を光集積回路上に実現するためには、
各要素（例えば光増幅要素や帰還要素）を効率よ
く接続させる接続導波路が必要である。
よく接続させる接続導波路が必要である。また従
来１つの単体であつた光半導体素子（例えば半導
体レーザ）を光集積回路上に実現するためには、
各要素（例えば光増幅要素や帰還要素）を効率よ
く接続させる接続導波路が必要である。
従来、この種の接続導波路としては伝搬する光
のエネルギーよりも広い禁止帯幅を有する一層の
半導体層が用いられていた。その一例として、エ
レクトロニクスレターズ（Electronics Letters）
1981年12月10日第17巻２号第945頁〜第947頁に記
載されたY.ABEらの報告がある。この従来例の
問題点は、接続導波路の結合効率を上げようとす
ると、接続導波路と基板の境界を被接続導波路と
基板との境界より下げた適切な位置に形成する必
要があることであつた。このため、接続導波路の
製作条件、特に基板のエツチング条件とその膜厚
制御が厳しく、実用性に乏しかつた。実用的な観
点からいうと基板のエツチングは行なわずに、接
続導波路、基板間の境界と、被接続導波路基板間
の境界とを一致させることが望ましいが、実際に
は高効率な結合が困難である。
のエネルギーよりも広い禁止帯幅を有する一層の
半導体層が用いられていた。その一例として、エ
レクトロニクスレターズ（Electronics Letters）
1981年12月10日第17巻２号第945頁〜第947頁に記
載されたY.ABEらの報告がある。この従来例の
問題点は、接続導波路の結合効率を上げようとす
ると、接続導波路と基板の境界を被接続導波路と
基板との境界より下げた適切な位置に形成する必
要があることであつた。このため、接続導波路の
製作条件、特に基板のエツチング条件とその膜厚
制御が厳しく、実用性に乏しかつた。実用的な観
点からいうと基板のエツチングは行なわずに、接
続導波路、基板間の境界と、被接続導波路基板間
の境界とを一致させることが望ましいが、実際に
は高効率な結合が困難である。
本発明の目的は上記の欠点を除去すべく、作製
が容易で光集積回路の素子間あるいは要素間を高
効率接続させるのに適した接続導波路を提供する
ものである。
が容易で光集積回路の素子間あるいは要素間を高
効率接続させるのに適した接続導波路を提供する
ものである。
すなわち、本発明は、基板上に順次形成された
光導波路および第１クラツド層を含む被接続導波
路中を伝搬する光エネルギーより広い禁止帯幅を
有し、該基板上に該光導波路と底面を共有するが
如く順次形成され互いに禁止帯幅の異なる少なく
とも２種の接続光導波層および第２クラツド層を
設け、 該被接続導波路を伝搬する光の強度ピーク位置
が、該接続光導波層を伝搬する光の強度ピーク位
置とほぼ一致するように、該接続光導波層の禁止
帯幅と層厚が設定されていることを特徴とする光
集積回路用接続導波路である。なお、ここでいう
基板とは所要の半導体層をエピタキシヤル成長さ
せるためのものであり、基板の格子欠陥等をのが
れるために基板と同一組成の結晶を成長させた成
長結晶層付基板も含むものとする。例えば、
InGaAsP結晶等を成長させるためのInP基板の上
にInPを成長させたものも含む。
光導波路および第１クラツド層を含む被接続導波
路中を伝搬する光エネルギーより広い禁止帯幅を
有し、該基板上に該光導波路と底面を共有するが
如く順次形成され互いに禁止帯幅の異なる少なく
とも２種の接続光導波層および第２クラツド層を
設け、 該被接続導波路を伝搬する光の強度ピーク位置
が、該接続光導波層を伝搬する光の強度ピーク位
置とほぼ一致するように、該接続光導波層の禁止
帯幅と層厚が設定されていることを特徴とする光
集積回路用接続導波路である。なお、ここでいう
基板とは所要の半導体層をエピタキシヤル成長さ
せるためのものであり、基板の格子欠陥等をのが
れるために基板と同一組成の結晶を成長させた成
長結晶層付基板も含むものとする。例えば、
InGaAsP結晶等を成長させるためのInP基板の上
にInPを成長させたものも含む。
本発明においては、接続光導波層の禁止帯幅を
被接続導波路中を伝搬する光エネルギーより広く
しているので、光の吸収による損失がきわめて少
ない。また、接続光導波路中の接続光導波層の数
を２つ以上とし互いの禁止帯幅を変えているの
で、その禁止帯幅と厚みを最適にすることによ
り、被接続導波路の光導波路と底面を共有するが
如く形成しても、両者の電界分布を実質的に一致
させることができ極めて高効率な結合が可能とな
る。また、これによつて接続導波路を形成するた
めに必要な被接続導波路をエツチング等で取りさ
る場合の工程が容易になる。例えばInP基板上に
成長させたInGaAsP結晶層を取りさる場合には、
InPに対するエツチング速度の遅い硫酸系エツチ
ヤントを用いればよい。以上の理由から本発明の
光集積回路用接続導波路は、作製が容易で光集積
回路の素子間あるいは要素間の高効率接続が可能
である。
被接続導波路中を伝搬する光エネルギーより広く
しているので、光の吸収による損失がきわめて少
ない。また、接続光導波路中の接続光導波層の数
を２つ以上とし互いの禁止帯幅を変えているの
で、その禁止帯幅と厚みを最適にすることによ
り、被接続導波路の光導波路と底面を共有するが
如く形成しても、両者の電界分布を実質的に一致
させることができ極めて高効率な結合が可能とな
る。また、これによつて接続導波路を形成するた
めに必要な被接続導波路をエツチング等で取りさ
る場合の工程が容易になる。例えばInP基板上に
成長させたInGaAsP結晶層を取りさる場合には、
InPに対するエツチング速度の遅い硫酸系エツチ
ヤントを用いればよい。以上の理由から本発明の
光集積回路用接続導波路は、作製が容易で光集積
回路の素子間あるいは要素間の高効率接続が可能
である。
次に本発明を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の横断面図、第
２図ａ，ｂはそれぞれ被接続導波路および接続導
波路の屈折率分布を示す図である。
２図ａ，ｂはそれぞれ被接続導波路および接続導
波路の屈折率分布を示す図である。
第１の実施例は1.5μｍ帯分布ブラツグ反射型半
導体レーザである。（100）面方位のｎ−InP基板
１０の左側部分に活性層１１、メルトバツク防止
層１２、第１のクラツド層１３、キヤツプ層１７
が成長されている。ｎ−InP基板１０の右側部分
に第１の光導波層１４、第２の光導波層１５、第
２のクラツド層１６、キヤツプ層１７が成長され
ている。活性層１１はIn0.59、Ga0.41、P0.10組成で
禁止帯幅0.80eV、屈折率3.54であり、メルトバツ
ク防止層１２はIn0.69、Ga0.31、As0.68、P0.32組成
で禁止帯幅0.91eV、禁止帯幅波長1.35μｍ、屈折
率3.41である。第１の光導波層１４はIn0.64、
Ga0.36、As0.80、P0.20組成で禁止帯幅0.85eV、禁
止帯幅波長1.46μｍ、屈折率3.46である。第２の
光導波層１５はメルトバツク防止層１２と同一の
組成、同一の禁止帯幅を有している。メルトバツ
ク防止層１２はＰ形、第１、第２の光導波層１
４，１５はノンドープ形である。第１、第２のク
ラツド層１３，１６はＰ−InP、キヤツプ層１７
はP+−In0.78、Ga0.22、As0.48、P0.52である。第１
の光導波層１４とｎ−InP基板１０との境界の一
部分には周期約2400Åの凹凸周期構造３０が形成
されており、接続光導波路２を伝搬する波長
1.55μｍの光に対し、１次の分布ブラツグ反射器
を構成している。キヤツプ層１７の一部分には
SiO2膜２０が形成され、さらにキヤツプ層１７
及びSiO2膜２０の上に第１の電極２１が形成さ
れている。基板１０の下側には第２の電極２２が
形成されている。第１の電極２１はTi／Pt／Au
電極であり、第２の電極２２はAu−Ge−Ni／
Au電極である。第１の電極２１から第２の電極
２２へ電流を注入すると活性層１１が励起され、
接続導波路２に設けられた分布プラツグ反射器に
より帰還が生じて1.55μｍのレーザ発振が生じる。
導体レーザである。（100）面方位のｎ−InP基板
１０の左側部分に活性層１１、メルトバツク防止
層１２、第１のクラツド層１３、キヤツプ層１７
が成長されている。ｎ−InP基板１０の右側部分
に第１の光導波層１４、第２の光導波層１５、第
２のクラツド層１６、キヤツプ層１７が成長され
ている。活性層１１はIn0.59、Ga0.41、P0.10組成で
禁止帯幅0.80eV、屈折率3.54であり、メルトバツ
ク防止層１２はIn0.69、Ga0.31、As0.68、P0.32組成
で禁止帯幅0.91eV、禁止帯幅波長1.35μｍ、屈折
率3.41である。第１の光導波層１４はIn0.64、
Ga0.36、As0.80、P0.20組成で禁止帯幅0.85eV、禁
止帯幅波長1.46μｍ、屈折率3.46である。第２の
光導波層１５はメルトバツク防止層１２と同一の
組成、同一の禁止帯幅を有している。メルトバツ
ク防止層１２はＰ形、第１、第２の光導波層１
４，１５はノンドープ形である。第１、第２のク
ラツド層１３，１６はＰ−InP、キヤツプ層１７
はP+−In0.78、Ga0.22、As0.48、P0.52である。第１
の光導波層１４とｎ−InP基板１０との境界の一
部分には周期約2400Åの凹凸周期構造３０が形成
されており、接続光導波路２を伝搬する波長
1.55μｍの光に対し、１次の分布ブラツグ反射器
を構成している。キヤツプ層１７の一部分には
SiO2膜２０が形成され、さらにキヤツプ層１７
及びSiO2膜２０の上に第１の電極２１が形成さ
れている。基板１０の下側には第２の電極２２が
形成されている。第１の電極２１はTi／Pt／Au
電極であり、第２の電極２２はAu−Ge−Ni／
Au電極である。第１の電極２１から第２の電極
２２へ電流を注入すると活性層１１が励起され、
接続導波路２に設けられた分布プラツグ反射器に
より帰還が生じて1.55μｍのレーザ発振が生じる。
第１の実施例においては光増幅要素である被接
続導波路１の活性層１１の膜厚が0.1μｍ、メルト
バツク防止層１２の膜厚が0.1μｍであり、一方接
続導波路２の第１の光導波層１４の膜厚が0.12μ
ｍ、第２の光導波層１５の膜厚が0.08μｍである。
この構成において、被接続導波路では活性層１１
とメルトバツク防止層１２が光導波路であり、接
続導波路では光導波層１４と１５が光導波路とな
つており、本実施例では、被接続導波路１と接続
導波路２の結合効率は98％に達した。もし、接続
導波路２の構成膜を１種とし、その底面を活性層
とそろえる場合には最大でも80％程度の結合しか
実現されない。したがつて本発明の構成により分
布ブラツグ反射器の反射率が50％以上向上したこ
とになる。第１の実施例においては、接続導波路
２の形成の先だち、ｎ−InP基板１０の上全面に
活性層１１、メトルバツク防止層１２、第１のク
ラツド層１３を成長させたあと、エツチングマス
クを用いたエツチングにより一部分ｎ−InP基板
１０に達するまでエツチングを行ないその表面を
露出させた。このエツチングはInPに対してエツ
チング速度の遅い硫酸系エツチヤント（3H2SO4
±1H2O2＋1H2O）を用いることにより容易に制
御できる。
続導波路１の活性層１１の膜厚が0.1μｍ、メルト
バツク防止層１２の膜厚が0.1μｍであり、一方接
続導波路２の第１の光導波層１４の膜厚が0.12μ
ｍ、第２の光導波層１５の膜厚が0.08μｍである。
この構成において、被接続導波路では活性層１１
とメルトバツク防止層１２が光導波路であり、接
続導波路では光導波層１４と１５が光導波路とな
つており、本実施例では、被接続導波路１と接続
導波路２の結合効率は98％に達した。もし、接続
導波路２の構成膜を１種とし、その底面を活性層
とそろえる場合には最大でも80％程度の結合しか
実現されない。したがつて本発明の構成により分
布ブラツグ反射器の反射率が50％以上向上したこ
とになる。第１の実施例においては、接続導波路
２の形成の先だち、ｎ−InP基板１０の上全面に
活性層１１、メトルバツク防止層１２、第１のク
ラツド層１３を成長させたあと、エツチングマス
クを用いたエツチングにより一部分ｎ−InP基板
１０に達するまでエツチングを行ないその表面を
露出させた。このエツチングはInPに対してエツ
チング速度の遅い硫酸系エツチヤント（3H2SO4
±1H2O2＋1H2O）を用いることにより容易に制
御できる。
第３図は本発明の第２の実施例の横断面図、第
４図ａ，ｂは被接続導波路および接続導波路の屈
折率分布を示す図である。
４図ａ，ｂは被接続導波路および接続導波路の屈
折率分布を示す図である。
第２の実施例は1.3μｍ帯分布帰還型半導体レー
ザと図には示されていない周波数弁別素子を接続
する接続導波路である。（100）面方位のｎ−InP
基板１０の左側部分に周期約3900Åの凹凸の周期
構造30Aが形成されている。その製作はｎ−InP
基板１０に厚くフオトレジストを塗布した後、フ
オトマスク露光法を用いて周期構造３０Ａを形成
する部のみを取り除いてポストベークで硬化さ
せ、次いで薄くフオトレジストを塗布した後、
He−Cd+レーザの二光束干渉法と化学エツチン
グにより部分的に周期構造３０Ａを形成する方法
によつた。ｎ−InP基板１０の周期構造３０Ａの
上には、第１の光導波層１２Ａ、活性層１１Ａ、
第１のクラツド１３、キヤツプ層１７が成長され
ている。第１の光導波層１２Ａは、ｎ−In0.76、
Ga0.22、As0.46、P0.52組成で禁止帯幅1.03eV、禁
止帯幅波長1.20μｍ、屈折率3.41である。活性層
はIn0.72、Ga0.28、As0.61、P0.39組成で禁止帯幅
0.95eV、禁止帯幅波長1.30μｍ、屈折率3.56であ
る。第１クラツド層13はＰ−InPであり、キヤツ
プ層17はP+−In0.78、Ga0.22、As0.46、P0.52組成で
ある。キヤツプ層１７の一部には第１電極２１が
リフトオフ法により形成されている。ｎ−InP基
板１０の周期構造３０Ａの形成されていない部分
には第２の光導波路１５Ａ、第３の光導波路１４
Ａ、第２のクラツド層１６が成長されている。第
２の光導路１５Ａは第１の光導波路１２Ａと同一
の組成、同一の禁止帯幅、同一の屈折率を有す
る。第３の光導波路１４ＡはノンドープIn0.74、
Ga0.26、As0.57、P0.43組成で禁止帯幅0.97eV、禁
止帯幅波長1.27μｍ、屈折率3.47である。第２の
クラツド層はノンドープInPである。ｎ−InP基
板の下側には第２の電極２２が形成されている。
ｎ−InP基板１０、第１の光導波層１２Ａ、活性
層１１Ａ、第１のクラツド層１３からなる被接続
導波路１Ａは、活性層１１Ａが第１の電極２１か
ら第２の電極２２へ流れる電流により励起され、
周期構造１０で光の分布帰還が生じるので分布帰
還型半導体レーザとして機能する。大部分の発振
光は劈開面３から取り出されるが、一部分の発振
光は反対側の境界面４に達する。ｎ−InP基板１
０、第３の光導波路層１５Ａ、第２の光導波路層
１４Ａ、第２のクラツド層１６からなる接続導波
路２Ａは境界面４に達した発振光を効率よく結合
させる。第２の実施例において、第１の光導波層
１１Ａ、光活性層１２Ａ、第３の光導波層、第２
の光導波層の膜厚はそれぞれ0.08μｍ、0.08μｍ、
0.06μｍ、0.12μｍであつた。被接続導波路１Ａと
接続導波路２Ａの間の結合効率は約96％であつ
た。
ザと図には示されていない周波数弁別素子を接続
する接続導波路である。（100）面方位のｎ−InP
基板１０の左側部分に周期約3900Åの凹凸の周期
構造30Aが形成されている。その製作はｎ−InP
基板１０に厚くフオトレジストを塗布した後、フ
オトマスク露光法を用いて周期構造３０Ａを形成
する部のみを取り除いてポストベークで硬化さ
せ、次いで薄くフオトレジストを塗布した後、
He−Cd+レーザの二光束干渉法と化学エツチン
グにより部分的に周期構造３０Ａを形成する方法
によつた。ｎ−InP基板１０の周期構造３０Ａの
上には、第１の光導波層１２Ａ、活性層１１Ａ、
第１のクラツド１３、キヤツプ層１７が成長され
ている。第１の光導波層１２Ａは、ｎ−In0.76、
Ga0.22、As0.46、P0.52組成で禁止帯幅1.03eV、禁
止帯幅波長1.20μｍ、屈折率3.41である。活性層
はIn0.72、Ga0.28、As0.61、P0.39組成で禁止帯幅
0.95eV、禁止帯幅波長1.30μｍ、屈折率3.56であ
る。第１クラツド層13はＰ−InPであり、キヤツ
プ層17はP+−In0.78、Ga0.22、As0.46、P0.52組成で
ある。キヤツプ層１７の一部には第１電極２１が
リフトオフ法により形成されている。ｎ−InP基
板１０の周期構造３０Ａの形成されていない部分
には第２の光導波路１５Ａ、第３の光導波路１４
Ａ、第２のクラツド層１６が成長されている。第
２の光導路１５Ａは第１の光導波路１２Ａと同一
の組成、同一の禁止帯幅、同一の屈折率を有す
る。第３の光導波路１４ＡはノンドープIn0.74、
Ga0.26、As0.57、P0.43組成で禁止帯幅0.97eV、禁
止帯幅波長1.27μｍ、屈折率3.47である。第２の
クラツド層はノンドープInPである。ｎ−InP基
板の下側には第２の電極２２が形成されている。
ｎ−InP基板１０、第１の光導波層１２Ａ、活性
層１１Ａ、第１のクラツド層１３からなる被接続
導波路１Ａは、活性層１１Ａが第１の電極２１か
ら第２の電極２２へ流れる電流により励起され、
周期構造１０で光の分布帰還が生じるので分布帰
還型半導体レーザとして機能する。大部分の発振
光は劈開面３から取り出されるが、一部分の発振
光は反対側の境界面４に達する。ｎ−InP基板１
０、第３の光導波路層１５Ａ、第２の光導波路層
１４Ａ、第２のクラツド層１６からなる接続導波
路２Ａは境界面４に達した発振光を効率よく結合
させる。第２の実施例において、第１の光導波層
１１Ａ、光活性層１２Ａ、第３の光導波層、第２
の光導波層の膜厚はそれぞれ0.08μｍ、0.08μｍ、
0.06μｍ、0.12μｍであつた。被接続導波路１Ａと
接続導波路２Ａの間の結合効率は約96％であつ
た。
本発明の実施形態は、実施例の他に種々変形が
可能である。接続導波路の膜厚や禁止帯幅波長や
屈折率は実施例以外のものであつてもよい。また
接続導波路中に含まれる光導波層の層数は３以上
であつてもよい。また本発明にかかる光集積回路
用接続導波路は第１、第２実施例以外の種々の光
素子間あるいは要素間の結合に使用できることは
いうまでもない。その場合には最良の結合効率が
得られるように複数の光導波層の膜厚や屈折率を
設定することが望ましい。
可能である。接続導波路の膜厚や禁止帯幅波長や
屈折率は実施例以外のものであつてもよい。また
接続導波路中に含まれる光導波層の層数は３以上
であつてもよい。また本発明にかかる光集積回路
用接続導波路は第１、第２実施例以外の種々の光
素子間あるいは要素間の結合に使用できることは
いうまでもない。その場合には最良の結合効率が
得られるように複数の光導波層の膜厚や屈折率を
設定することが望ましい。
第１図は本発明の第１の実施例の横断面図、第
２図ａ，ｂはそれぞれ第１の実施例の被接続導波
路及び接続導波路の屈折率分布図、第３図は本発
明の第２の実施例の横断面図、第４図ａ，ｂはそ
れぞれ第２の実施例の被接続導波路及び接続導波
路の屈折率分布図である。１０……ｎ−InP基
板、１１，１１Ａ……活性層、１２……メルトバ
ツク防止層、１２Ａ……光導波層、１３，１６…
…クラツド層、１４，１４Ａ，１５，１５Ａ……
光導波層、１７……キヤツプ層、１，１Ａ……被
接続導波路、２，２Ａ……接続導波路。
２図ａ，ｂはそれぞれ第１の実施例の被接続導波
路及び接続導波路の屈折率分布図、第３図は本発
明の第２の実施例の横断面図、第４図ａ，ｂはそ
れぞれ第２の実施例の被接続導波路及び接続導波
路の屈折率分布図である。１０……ｎ−InP基
板、１１，１１Ａ……活性層、１２……メルトバ
ツク防止層、１２Ａ……光導波層、１３，１６…
…クラツド層、１４，１４Ａ，１５，１５Ａ……
光導波層、１７……キヤツプ層、１，１Ａ……被
接続導波路、２，２Ａ……接続導波路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に順次形成された光導波路および第１
クラツド層を含む被接続導波路中を伝搬する光エ
ネルギーより広い禁止帯幅を有し、該基板上に該
光導波路と底面を共有するが如く順次形成され互
いに禁止帯幅の異なる少なくとも２種の接続光導
波層および第２クラツド層を設け、 該被接続導波路を伝搬する光の強度ピーク位置
が、該接続光導波層を伝搬する光の強度ピーク位
置とほぼ一致するように、該接続光導波層の禁止
帯幅と層厚が設定されていることを特徴とする光
集積回路用接続導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3987083A JPS59165485A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 光集積回路用接続導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3987083A JPS59165485A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 光集積回路用接続導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165485A JPS59165485A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH0462194B2 true JPH0462194B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=12565007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3987083A Granted JPS59165485A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 光集積回路用接続導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11503279A (ja) * | 1995-03-31 | 1999-03-23 | ザ ウィタカー コーポレーション | インライン双方向光リンク |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0779180B2 (ja) * | 1986-03-24 | 1995-08-23 | 株式会社フジクラ | 分布反射型半導体レ−ザ |
| JPS62221181A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujikura Ltd | 分布反射型半導体レ−ザ |
| KR100596380B1 (ko) * | 2002-12-13 | 2006-07-03 | 한국전자통신연구원 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 |
-
1983
- 1983-03-10 JP JP3987083A patent/JPS59165485A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11503279A (ja) * | 1995-03-31 | 1999-03-23 | ザ ウィタカー コーポレーション | インライン双方向光リンク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165485A (ja) | 1984-09-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1098235A (ja) | 無再成長分布帰還リッジ型半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH04243216A (ja) | 光導波路の製造方法ならびに光集積素子及びその製造方法 | |
| US4782035A (en) | Method of forming a waveguide for a DFB laser using photo-assisted epitaxy | |
| US4589117A (en) | Butt-jointed built-in semiconductor laser | |
| JPH0462194B2 (ja) | ||
| JPH05251812A (ja) | 量子井戸構造光変調器付き分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0837341A (ja) | 半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| JPS60132380A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| JPS60127776A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2002223032A (ja) | 光素子及びその製造方法 | |
| JP3275993B2 (ja) | 半導体光素子接合部の製造方法 | |
| JPS62141507A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPS61202487A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JP2894285B2 (ja) | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP4453937B2 (ja) | 光集積素子及びその製造方法 | |
| JP2830108B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0642583B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS60152086A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2001345512A (ja) | 分布帰還型レーザダイオード | |
| JPS63305582A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60165780A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS62266889A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS62259489A (ja) | 半導体レ−ザ装置及び光増幅装置 | |
| JPH04356001A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH04369269A (ja) | 光集積回路の製造方法 |