JPS60127776A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS60127776A JPS60127776A JP58235120A JP23512083A JPS60127776A JP S60127776 A JPS60127776 A JP S60127776A JP 58235120 A JP58235120 A JP 58235120A JP 23512083 A JP23512083 A JP 23512083A JP S60127776 A JPS60127776 A JP S60127776A
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- JP
- Japan
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- corrugation
- type
- photoresist
- coated
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06233—Controlling other output parameters than intensity or frequency
- H01S5/06243—Controlling other output parameters than intensity or frequency controlling the position or direction of the emitted beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、信号光とモニタ光とを取り出すのに好適な構
造をもつ分布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄ
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザと呼ばれる半導体発
光装置に関する。
造をもつ分布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄ
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザと呼ばれる半導体発
光装置に関する。
従来技術と問題点
一般に、発振波長が１．５〜１，６〔μｍ〕である半導
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることがら、多くの開発がなされて
いる。
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることがら、多くの開発がなされて
いる。
通常のこの種の半導体レーザ、即ち、ファプリ・ペロー
型半導体レーザを高速で変調すると波長を単一に維持す
ることができず、多波長になってしまう。
型半導体レーザを高速で変調すると波長を単一に維持す
ることができず、多波長になってしまう。
そのような信号光を光ファイバに入射して伝送すると、
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変°わるので、波
形が崩れてしまう。
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変°わるので、波
形が崩れてしまう。
その結果、このような信号は受信側では大きな雑音を伴
うものとなるので実用にならない。
うものとなるので実用にならない。
そこで、近年、ＤＦＢ型半導体レーザが開発され、好結
果を得ている。
果を得ている。
ＤＦＢ型半導体レーザは、活性層そのもの或いはその近
傍に回折格子を形成し、その回折格子の中を光が往復し
て共振するようになっている。
傍に回折格子を形成し、その回折格子の中を光が往復し
て共振するようになっている。
このＤＦＢ型半導体レーザでは、数百Ｍビット／秒の高
速で変調しても単一波長の発振を維持することができる
。
速で変調しても単一波長の発振を維持することができる
。
ところで、このようなりＦＢ型半導体レーザに於いても
、信号光とモニタ光を取り出したい旨の要求が在る。
、信号光とモニタ光を取り出したい旨の要求が在る。
従来のファブリ・ペロー型半導体レーザでは、両端面を
臂開成いはエツチングに依り垂直の鏡面にしであるので
、一方の端面から信号光を、他方の端面からモニタ光を
取り出すことが可能であった。
臂開成いはエツチングに依り垂直の鏡面にしであるので
、一方の端面から信号光を、他方の端面からモニタ光を
取り出すことが可能であった。
然しなから、ＤＦＢ型半導体レーザでは、ファブリ・ベ
ロー・モードの発振を抑制する為、片方の端面での反射
率を０に近くする必要がある。
ロー・モードの発振を抑制する為、片方の端面での反射
率を０に近くする必要がある。
そこで、例えば、片方の端面を傾斜させる（前者）或い
は片方の端面近傍に非励起領域を形成する（後者）こと
等が行われているが、前者では、モニタ光の出射方向が
一定せず、後者ではモニタ光の取り出しは不可能である
。
は片方の端面近傍に非励起領域を形成する（後者）こと
等が行われているが、前者では、モニタ光の出射方向が
一定せず、後者ではモニタ光の取り出しは不可能である
。
発明の目的
本発明は、ＤＦＢ型半導体レーザに於いて、発振特性に
悪影響を与えることなく、モニタ光の取り出しを容易に
行うことができる構造のものを提供しようとする。
悪影響を与えることなく、モニタ光の取り出しを容易に
行うことができる構造のものを提供しようとする。
発明の構成
本発明は、ＤＦＢ型半導体レーザに於いて、発振に寄与
する導波方向に進む発光成分と、それ以外の発光成分の
割合は、回折格子を形成する為のコルゲーション（周期
的凹凸）の次数に依って変化する旨の知見を基にしてな
されたものである。
する導波方向に進む発光成分と、それ以外の発光成分の
割合は、回折格子を形成する為のコルゲーション（周期
的凹凸）の次数に依って変化する旨の知見を基にしてな
されたものである。
さて、ＤＦＢ型半導体レーザに於けるコルゲーションの
ピッチＡと発振波長λ。との間には次のような関係が必
要とされていることは良く知られ２ｎ１゜ この式（１）に見られるｎ ｏｆｆは有効屈折率、ｍば
整数であって、ｍ＝１のとき二次コルゲーション、ｍ＝
２のとき二次コルゲーション、以下、その整数倍になる
につれて三次コルゲーション・・・・となる。
ピッチＡと発振波長λ。との間には次のような関係が必
要とされていることは良く知られ２ｎ１゜ この式（１）に見られるｎ ｏｆｆは有効屈折率、ｍば
整数であって、ｍ＝１のとき二次コルゲーション、ｍ＝
２のとき二次コルゲーション、以下、その整数倍になる
につれて三次コルゲーション・・・・となる。
第１図はコルゲーションの次数に依って発光成分の割合
が変化することを解説する為の説明図であり、（ａ）は
ｍ＝１である二次コルゲーションの場合、（ｂ）はｍ＝
２である二次コルゲーションの場合、（Ｃ）はｍ＝３で
ある三次コルゲーションの場合、（ｄ）はｍ＝４である
四次コルゲーションの場合をそれぞれ示している。
が変化することを解説する為の説明図であり、（ａ）は
ｍ＝１である二次コルゲーションの場合、（ｂ）はｍ＝
２である二次コルゲーションの場合、（Ｃ）はｍ＝３で
ある三次コルゲーションの場合、（ｄ）はｍ＝４である
四次コルゲーションの場合をそれぞれ示している。
図から判るように、−次コルゲーションの場合が発振に
関しては最も効率が良（、高次のコルゲーションになる
につれて導波方向以外への発光成分が増加する。
関しては最も効率が良（、高次のコルゲーションになる
につれて導波方向以外への発光成分が増加する。
そこで、本発明の半導体発光装置では、光導波領域の導
波方向に沿って形成された低次数の周期的凹凸及びその
低次数の周期的凹凸に連なって形成された高次数の周期
的凹凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成
された光の取り出し部分とを有してなる構成を採ること
により、発振特性の劣化、例えば闇値電流の増加などを
発生することなく、モニタ光を効率良く取り出すことが
可能である。
波方向に沿って形成された低次数の周期的凹凸及びその
低次数の周期的凹凸に連なって形成された高次数の周期
的凹凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成
された光の取り出し部分とを有してなる構成を採ること
により、発振特性の劣化、例えば闇値電流の増加などを
発生することなく、モニタ光を効率良く取り出すことが
可能である。
発明の実施例
第２図は本発明一実施例の要部斜面図、第３図は第２図
に見られる線Ａ−Ａに於ける要部切断側面図である。
に見られる線Ａ−Ａに於ける要部切断側面図である。
図に於いて、１はｎ型１ｎＰ基板、２は光導波領域の導
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は二次コ
ルゲーション領域、４は二次コルゲーション領域、５は
λｇ （自然放出光のピーク波長）−〜１．３〔μｍ〕
であるｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波層、６はλ９−〜１．５
５ （μｍ〕であるＩｎＧａＡｓＰ活性層、７はｐ型１
ｎＰクラッド層、８はλ９．＝ 〜１． ３ Ｃμｍ）
であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９はｐ型１ｎ
Ｐ埋め込み層、１０はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１１はｎ
側電極、１２はｎ側電極１１に於ける開口（モニタ光の
取り出し部分）、１３はｎ側電極、１４は信号光、１５
はモニタ光をそれぞれ示している。
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は二次コ
ルゲーション領域、４は二次コルゲーション領域、５は
λｇ （自然放出光のピーク波長）−〜１．３〔μｍ〕
であるｎ型ＩｎＧａＡｓＰ導波層、６はλ９−〜１．５
５ （μｍ〕であるＩｎＧａＡｓＰ活性層、７はｐ型１
ｎＰクラッド層、８はλ９．＝ 〜１． ３ Ｃμｍ）
であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、９はｐ型１ｎ
Ｐ埋め込み層、１０はｎ型ＩｎＰ埋め込み層、１１はｎ
側電極、１２はｎ側電極１１に於ける開口（モニタ光の
取り出し部分）、１３はｎ側電極、１４は信号光、１５
はモニタ光をそれぞれ示している。
この実施例に於いて、モニタ光１５は二次コルゲーショ
ン領域４を三次或いは四次のコルゲーション領域にすれ
ば更に多くの量を取り出すことが可能であるが、通常は
、実施例通り、−次コルゲーションと二次コルゲーショ
ンとの組合せで充分である。
ン領域４を三次或いは四次のコルゲーション領域にすれ
ば更に多くの量を取り出すことが可能であるが、通常は
、実施例通り、−次コルゲーションと二次コルゲーショ
ンとの組合せで充分である。
以下、この実施例を作製する場合について説明する。
先ず、ｎ型！ｎＰ基板ｌを用意し、その上にフォト・レ
ジスト、例えばＡＺ−１３５０（アゾプレート・シブレ
イ社製：米国）を塗布する。
ジスト、例えばＡＺ−１３５０（アゾプレート・シブレ
イ社製：米国）を塗布する。
次ぎに、ピンチ７００〔μｍ〕で幅２００ 〔μｍ〕の
フォト・レジスト膜が残留するパターンを形成する。こ
の１ピッチ分の７００ 〔μｍ〕の内５００ 〔μｍ〕
の部分が一次コルゲーション領域３に相当する部分とな
り、残りの前記幅２００〔μｒｎ）のフォト・レジスト
ｎｕに覆われた部分が二次コルゲーション領域４に相当
する部分となる。
フォト・レジスト膜が残留するパターンを形成する。こ
の１ピッチ分の７００ 〔μｍ〕の内５００ 〔μｍ〕
の部分が一次コルゲーション領域３に相当する部分とな
り、残りの前記幅２００〔μｒｎ）のフォト・レジスト
ｎｕに覆われた部分が二次コルゲーション領域４に相当
する部分となる。
次ぎに、再びＡＺ−１３５０を厚さ例えば〜１０００
〔人〕程度に塗布する。
〔人〕程度に塗布する。
次ぎに、温度約８０Ｃ℃）、時間３０〔分〕のブリ・ベ
ーキングを行ってから２光束干渉露光法を適用し、前記
幅２００ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜のパターンに
平行にピッチΔ１−〜２４００ 〔人〕で露光を行い、
それを現像して前記５００ 〔μｍ〕の一次コルゲーシ
ョン領域３に相当する部分にフォト・レジスト膜のコル
ゲーションを形成する。
ーキングを行ってから２光束干渉露光法を適用し、前記
幅２００ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜のパターンに
平行にピッチΔ１−〜２４００ 〔人〕で露光を行い、
それを現像して前記５００ 〔μｍ〕の一次コルゲーシ
ョン領域３に相当する部分にフォト・レジスト膜のコル
ゲーションを形成する。
次ぎに、温度約１２０ 〔℃〕、時間３０（分〕のアフ
タ・ベーキングを行ってから、そのコルゲーション・パ
ターンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、２Ｓ
、ＢＷ＋１（３ＰＯ４＋ｌ ５Ｈ２Ｏ混合液（ＳＢＷ：
臭素（Ｂｒ）の飽和水溶液）を用いてｎ型１ｎＰ基板１
を３０Ｃ秒〕開に互りエソヂンクヲ行い深さ１０００
Ｃ入〕の一次コルゲーションを形成する。
タ・ベーキングを行ってから、そのコルゲーション・パ
ターンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、２Ｓ
、ＢＷ＋１（３ＰＯ４＋ｌ ５Ｈ２Ｏ混合液（ＳＢＷ：
臭素（Ｂｒ）の飽和水溶液）を用いてｎ型１ｎＰ基板１
を３０Ｃ秒〕開に互りエソヂンクヲ行い深さ１０００
Ｃ入〕の一次コルゲーションを形成する。
次ぎに、フォト・レジスト膜を剥離し、洗滌した後、ま
た、ＡＺ−１３５０を塗布する。
た、ＡＺ−１３５０を塗布する。
次ぎに、さきに形成した一次コルゲーションが存在する
５００ 〔μｍ〕の部分を覆い、残り２゜０ 〔μｍ〕
の部分が露出するフォト・レジスト１模のパターンを形
成する。
５００ 〔μｍ〕の部分を覆い、残り２゜０ 〔μｍ〕
の部分が露出するフォト・レジスト１模のパターンを形
成する。
次ぎに、前記同様、更にＡＺ−１３５０を厚さ〜１００
０ （人〕程度に塗布してから温度約８０〔℃〕、時間
３０〔分〕程度のブリ・ベーキングを行う。
０ （人〕程度に塗布してから温度約８０〔℃〕、時間
３０〔分〕程度のブリ・ベーキングを行う。
次ぎに、２光束干渉露光法を適用し、前記５００〔μｍ
〕の部分に形成した一次コルゲーションと平行にピッチ
Ａ２−〜４８００ （人） （Ａｚ ＝、２Ａ＋）で露
光を行い、それを現像して前記２００（メ！ｍ）の二次
コルゲーション領域４に相当する部分にフォト・レジス
ト膜のコルゲーションを形成する。
〕の部分に形成した一次コルゲーションと平行にピッチ
Ａ２−〜４８００ （人） （Ａｚ ＝、２Ａ＋）で露
光を行い、それを現像して前記２００（メ！ｍ）の二次
コルゲーション領域４に相当する部分にフォト・レジス
ト膜のコルゲーションを形成する。
次ぎに、前記同様、温度約１２０（”ｃ）、時間３０〔
分〕のチック・ベーキングを行ってから、そのコルゲー
ション・パターンを有するフォト・レジスト膜をマスク
とし、前記同様のエソヂング液を用いてｒｌ型１ｎＰ基
板を３０〔秒〕間に亙りエツチングして深さ１０００
（人〕の二次コルゲーションを形成する。
分〕のチック・ベーキングを行ってから、そのコルゲー
ション・パターンを有するフォト・レジスト膜をマスク
とし、前記同様のエソヂング液を用いてｒｌ型１ｎＰ基
板を３０〔秒〕間に亙りエツチングして深さ１０００
（人〕の二次コルゲーションを形成する。
次ぎに、フォト・レジスト膜を剥離し、表面処理を施し
°ζから、液相エピタキシャル成長法を適用することに
依り、ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層５、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層６、ｐ型１ｎＧａＡｓＰクラッド層７、ｐ型１ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐコンタクト層８を順に成長させる
。
°ζから、液相エピタキシャル成長法を適用することに
依り、ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層５、ＩｎＧａＡｓＰ活
性層６、ｐ型１ｎＧａＡｓＰクラッド層７、ｐ型１ ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐコンタクト層８を順に成長させる
。
次き゛に、化学的気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏ
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用して二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜を形成する。
ｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用して二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜を形成する。
次ぎに、フォト・リソグラフィ技術を適用してＳ ｉ
Ｏ２ｌｌＱのパターニングを行い、ストライブ幅−５
〔μｍ〕の保護膜となし、該保護膜をマスクとしてｎ型
ＪｎＰ基板１に達するメザ・エツチングを行う。
Ｏ２ｌｌＱのパターニングを行い、ストライブ幅−５
〔μｍ〕の保護膜となし、該保護膜をマスクとしてｎ型
ＪｎＰ基板１に達するメザ・エツチングを行う。
次ぎに、再び液相エピタキシャル成長法を適用すること
に依って、ｎ型１ｎＰ埋め込み層９、ｎ型１ｎＰ埋め込
み層１０を成長させる。
に依って、ｎ型１ｎＰ埋め込み層９、ｎ型１ｎＰ埋め込
み層１０を成長させる。
次ぎに、５ｉ０２膜からなる保護膜を除去した後、電子
ビーム蒸着法を適用してチタン（′Ｉ’ ｉ ）、白金
（Ｐｔ）を蒸着する。
ビーム蒸着法を適用してチタン（′Ｉ’ ｉ ）、白金
（Ｐｔ）を蒸着する。
次ぎに、ストライプ状になっている二次フルゲーション
領域４に対向する表面に例えば１００×２０ 〔μｍ〕
の面積を持つフォト・レジスト （例えばＡＺ−１３５
０）膜を形成する。
領域４に対向する表面に例えば１００×２０ 〔μｍ〕
の面積を持つフォト・レジスト （例えばＡＺ−１３５
０）膜を形成する。
次ぎに、鍍金法を適用することに依り、厚さ例えば〜５
〔μｍ〕程度の金（Ａｕ）膜を形成し、Ｔｉ−Ｐｔ／
Ａｕでｎ側電極１１を形成する。
〔μｍ〕程度の金（Ａｕ）膜を形成し、Ｔｉ−Ｐｔ／
Ａｕでｎ側電極１１を形成する。
前記Ａｔｉ ｉｆｆ金した際のマスクとなったフォト・
レジスト膜を除去し、ｎ側電極１１の最上層であるＡｕ
膜をマスクとしてＰｔ−Ｔｉの選択エツチングを行い開
口１２を形成し、更には、光吸収が生じないようにｐ型
１ｎＧａＡｓＰコンタクト層８も選択的に除去する。尚
、要すれば、ｐ型ＩｎＰクラッド層７も選択的に除去す
ることも可能であり、また、ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタ
クト層８の選択的エツチングを行う前に、化学的エツチ
ング法を適用して片端面を傾斜させる為のエツチングを
行うと良い。
レジスト膜を除去し、ｎ側電極１１の最上層であるＡｕ
膜をマスクとしてＰｔ−Ｔｉの選択エツチングを行い開
口１２を形成し、更には、光吸収が生じないようにｐ型
１ｎＧａＡｓＰコンタクト層８も選択的に除去する。尚
、要すれば、ｐ型ＩｎＰクラッド層７も選択的に除去す
ることも可能であり、また、ｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタ
クト層８の選択的エツチングを行う前に、化学的エツチ
ング法を適用して片端面を傾斜させる為のエツチングを
行うと良い。
次ぎに、ｎ型１ｎＰ基板１の厚さが１０ｆＩ（μｒｎ）
程度になるように研摩し、研摩面にＡ’ｕ・ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）／ニッケル（Ｎ ｉ ） ヲＮ着シてｎ側電
極１３とする。
程度になるように研摩し、研摩面にＡ’ｕ・ゲルマニウ
ム（Ｇｅ）／ニッケル（Ｎ ｉ ） ヲＮ着シてｎ側電
極１３とする。
この後、襞間して個々に分離し、ＤＦＢ半導体レーザが
完成される。
完成される。
このようにして作製した半導体発光装置に信号光取り出
し用及びモニタ光取り出し用の光ファイバを結合するこ
とは容易である。
し用及びモニタ光取り出し用の光ファイバを結合するこ
とは容易である。
発明の効果
本発明の半導体発光装置では、光４波領域の導波方向に
沿って形成された低次数の周期的凹凸及びその低次数の
周期的凹凸に連なって形成された高次数の周期的凹凸と
、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成された光
の取り出し部分とを有してなる構造になっているので、
従来の半導体発光装置と同様に信号光を取り出すことが
可能であると共にその半導体発光装置の上方にモニタ光
を取り出すことができる。そして、そのような構造にし
ても、半導体発光装置本来の発振特性には悪影響を及ぼ
すことがない。
沿って形成された低次数の周期的凹凸及びその低次数の
周期的凹凸に連なって形成された高次数の周期的凹凸と
、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成された光
の取り出し部分とを有してなる構造になっているので、
従来の半導体発光装置と同様に信号光を取り出すことが
可能であると共にその半導体発光装置の上方にモニタ光
を取り出すことができる。そして、そのような構造にし
ても、半導体発光装置本来の発振特性には悪影響を及ぼ
すことがない。
第１図はコルゲーションの次数と発光成分との関係を示
す説明図、第２図は本発明−実施例の要部斜面図、第３
図は第２図に見られる線Ａ−Ａで切断した要部切断側面
図である。 図に於いて、１はｎ型１ｎＰ基板、２は光轟波領域の導
波方向に沿って形成られたコルゲーション、３は一次コ
ルゲーション領域、４は二次コルゲーション領域、５は
ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層、６は１ｎＧａＡｓＰ活性層
、７はｐ型クラッド層、８はｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、９はｐ型ＩｎＰ埋め込み層、１Ｏはｎ型１ｎＰ
埋め込み層、１１ばｎ側電極、１２は開口、１３はｎ側
電極、１４は信号光、１５はモニタ光である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
す説明図、第２図は本発明−実施例の要部斜面図、第３
図は第２図に見られる線Ａ−Ａで切断した要部切断側面
図である。 図に於いて、１はｎ型１ｎＰ基板、２は光轟波領域の導
波方向に沿って形成られたコルゲーション、３は一次コ
ルゲーション領域、４は二次コルゲーション領域、５は
ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層、６は１ｎＧａＡｓＰ活性層
、７はｐ型クラッド層、８はｐ型１ｎＧａＡｓＰコンタ
クト層、９はｐ型ＩｎＰ埋め込み層、１Ｏはｎ型１ｎＰ
埋め込み層、１１ばｎ側電極、１２は開口、１３はｎ側
電極、１４は信号光、１５はモニタ光である。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図 （ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ）
Claims (1)
- 光導波領域の導波方向に沿って形成された低次数の周期
的凹凸及びその低次数の周期的凹凸に連なって形成され
た高次数の周期的凹凸と、該高次数の周期的凹凸に対向
する表面に形成された光の取り出し部分とを有してなる
ことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235120A JPS60127776A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235120A JPS60127776A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127776A true JPS60127776A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=16981346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235120A Pending JPS60127776A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127776A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022040468A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | Apple Inc. | Integrated edge-generated vertical emission laser |
| US11500154B1 (en) | 2019-10-18 | 2022-11-15 | Apple Inc. | Asymmetric optical power splitting system and method |
| US11713999B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-08-01 | Apple Inc. | Connected epitaxial optical sensing system comprising a trench deeper than a waveguide of a light source electrically isolates the light source and a detector |
| US11815719B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Apple Inc. | Wavelength agile multiplexing |
| US12042255B2 (en) | 2019-09-06 | 2024-07-23 | Apple Inc. | Devices having matter differentiation detectors |
| US12066702B1 (en) | 2018-09-25 | 2024-08-20 | Apple Inc. | Systems and methods for distinguishing between a user and an object |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58235120A patent/JPS60127776A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11713999B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-08-01 | Apple Inc. | Connected epitaxial optical sensing system comprising a trench deeper than a waveguide of a light source electrically isolates the light source and a detector |
| US12066702B1 (en) | 2018-09-25 | 2024-08-20 | Apple Inc. | Systems and methods for distinguishing between a user and an object |
| US12042255B2 (en) | 2019-09-06 | 2024-07-23 | Apple Inc. | Devices having matter differentiation detectors |
| US11500154B1 (en) | 2019-10-18 | 2022-11-15 | Apple Inc. | Asymmetric optical power splitting system and method |
| WO2022040468A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | Apple Inc. | Integrated edge-generated vertical emission laser |
| US11815719B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-11-14 | Apple Inc. | Wavelength agile multiplexing |
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