JPS62266889A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS62266889A JPS62266889A JP61111265A JP11126586A JPS62266889A JP S62266889 A JPS62266889 A JP S62266889A JP 61111265 A JP61111265 A JP 61111265A JP 11126586 A JP11126586 A JP 11126586A JP S62266889 A JPS62266889 A JP S62266889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- substrate
- ingaasp
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 abstract 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 abstract 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、半導体発光装置の回折格子を、半導体基板
等に接してこれと異なる半導体材料からなり平行線状を
なす突起を設け、この突起を介して基板等を被覆し何れ
とも異なる半導体材料からなる導波層の被着面で形成す
ることにより、半４体発光装置の闇値電流、効率、発振
モード等の特性を改善するものである。
等に接してこれと異なる半導体材料からなり平行線状を
なす突起を設け、この突起を介して基板等を被覆し何れ
とも異なる半導体材料からなる導波層の被着面で形成す
ることにより、半４体発光装置の闇値電流、効率、発振
モード等の特性を改善するものである。
本発明は半導体発光装置、特に光を選択的に帰還する回
折格子を備える半導体発光装置の改善に関する。
折格子を備える半導体発光装置の改善に関する。
分布帰還形（ＤＦＢ）及び分布反射形（ＤＢＲ）レーザ
は、光感波路の界面に設けた回折格子により光の帰還が
選択的に行われるために発振波長制御に適しているが、
良好な回折格子パターンは容易に得難くその改善が要望
されている。
は、光感波路の界面に設けた回折格子により光の帰還が
選択的に行われるために発振波長制御に適しているが、
良好な回折格子パターンは容易に得難くその改善が要望
されている。
ＤＦＩ３レーザは例えば第２図の模式側断面図に示す如
き構造を有する。
き構造を有する。
同図において、２１はｎ型インジウムｔＡ（ＩｎＰ）
基板、２７は回折格子、２３は厚さ０．２−程度のｎ型
インジウムガリウム砒素、ｔ４（ｌｎＧａＡｓＰ）導波
層、２４は厚さＯ，１５μｍ程度の１ｎＧａＡｓＰ活性
層、２５はｐ型ＩｎＰクラッド層、２６ばｐ型１ｎＧａ
ＡｓＰキ＋ ツブ層、２８はｐ側電極、２９はｎ側電極
である。
基板、２７は回折格子、２３は厚さ０．２−程度のｎ型
インジウムガリウム砒素、ｔ４（ｌｎＧａＡｓＰ）導波
層、２４は厚さＯ，１５μｍ程度の１ｎＧａＡｓＰ活性
層、２５はｐ型ＩｎＰクラッド層、２６ばｐ型１ｎＧａ
ＡｓＰキ＋ ツブ層、２８はｐ側電極、２９はｎ側電極
である。
このＤＦＢレーザの発振波長が例えば１．３μｍ帯域と
なる回折格子２７のコルゲーションピッチΔは、２次回
折光を利用するとき約０．４１ｒｒｎ、 １次回折光を
利用するとき約０．２−となる。この様にピッチ八が小
さく露光マスクの形成が困難な周期的パターンの露光方
法としては２光束干渉法が一般に行われている。この方
法では、例えば波長３２５ｎｍのヘリウム−カドミウム
（Ｈｅ−Ｃｄ）レーザ光を２方向に分割してレジスト膜
上に照射し、この２光束相互間の光路長差による縞状の
干渉パターンを形成するが、干渉パターンのコントラス
トを高めことが困難で現像後のレジスト膜が縞状に分離
する有効な膜厚が制限される。
なる回折格子２７のコルゲーションピッチΔは、２次回
折光を利用するとき約０．４１ｒｒｎ、 １次回折光を
利用するとき約０．２−となる。この様にピッチ八が小
さく露光マスクの形成が困難な周期的パターンの露光方
法としては２光束干渉法が一般に行われている。この方
法では、例えば波長３２５ｎｍのヘリウム−カドミウム
（Ｈｅ−Ｃｄ）レーザ光を２方向に分割してレジスト膜
上に照射し、この２光束相互間の光路長差による縞状の
干渉パターンを形成するが、干渉パターンのコントラス
トを高めことが困難で現像後のレジスト膜が縞状に分離
する有効な膜厚が制限される。
この様なレジストマスクを用い例えば臭素（Ｂｒ）／ｆ
：酸（Ｈ３ＰＯｔ）系溶液によってＩｎＰ基板２１をエ
ツチングするが、例えば基板欠陥などによるエツチング
速度の差、エツチング溶液の廻りこみによるアンダーエ
ツチング等によりコルゲーションの乱れがしばしば発生
して、所要の回折格子を再現性良く安定に実現すること
が困難である。
：酸（Ｈ３ＰＯｔ）系溶液によってＩｎＰ基板２１をエ
ツチングするが、例えば基板欠陥などによるエツチング
速度の差、エツチング溶液の廻りこみによるアンダーエ
ツチング等によりコルゲーションの乱れがしばしば発生
して、所要の回折格子を再現性良く安定に実現すること
が困難である。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上説明した様に、従来のＤＦＢレーザではその回折格
子のコルゲーション形成に問題があり、闇値電流、効率
、発振モード等の基本的特性のばらつきが大きく製造歩
留まりも低下しており、この問題の解決が強く要望され
ている。
子のコルゲーション形成に問題があり、闇値電流、効率
、発振モード等の基本的特性のばらつきが大きく製造歩
留まりも低下しており、この問題の解決が強く要望され
ている。
前記問題点は、第１の半導体材料からなる基板又は半導
体層に接して、第２の半導体材料からなり平行線状をな
す突起が配設され、第３の半導体材料からなり該突起を
介して該基板又は半導体層を被覆する導波層の該被着面
における回折により光の選択的（ｉ還を行う本発明によ
る半導体発光装置により解決される。
体層に接して、第２の半導体材料からなり平行線状をな
す突起が配設され、第３の半導体材料からなり該突起を
介して該基板又は半導体層を被覆する導波層の該被着面
における回折により光の選択的（ｉ還を行う本発明によ
る半導体発光装置により解決される。
本発明による半導体発光装置は、半轟体基板成いは半導
体層に接してこれと異なる半導体材料からなり平行線状
をなす突起を備え、この突起を介して基板を被覆し何れ
とも異なる半導体材料からなる導波層の被着面を回折格
子として光の選択的帰還を行う。
体層に接してこれと異なる半導体材料からなり平行線状
をなす突起を備え、この突起を介して基板を被覆し何れ
とも異なる半導体材料からなる導波層の被着面を回折格
子として光の選択的帰還を行う。
本半導体発光装置の前記平行線状をなす突起は、半導体
材料が異なる半導体基板等を停止層として選択的にエツ
チング処理を行うことにより、従来のコルゲーションよ
り良好なパターンを再現性良く実現することが可能であ
り、闇値電流、効率、発振モード等の特性の安定性が向
上する。
材料が異なる半導体基板等を停止層として選択的にエツ
チング処理を行うことにより、従来のコルゲーションよ
り良好なパターンを再現性良く実現することが可能であ
り、闇値電流、効率、発振モード等の特性の安定性が向
上する。
以下本発明を実施例により具体的に説明する。
第１図ｔａ＋乃至（Ｃ）は本発明の実施例を示す工程順
模式側断面図である。
模式側断面図である。
第１図（ａｌ参照： ｎ型１ｎＰ基板１の（１００）面
上に、液相エピタキシャル成長方法（ＬＰＥ法）等によ
り例えば下記の如きＩｎＧａＡｓＰ層２を成長する。
上に、液相エピタキシャル成長方法（ＬＰＥ法）等によ
り例えば下記の如きＩｎＧａＡｓＰ層２を成長する。
ただしＩｎＧａＡｓＰ層の組成はルミネッセンスビーク
波長λ９で示す。
波長λ９で示す。
半導体層 組成 不純物 厚さｃｍヲ
ｎ ２ ｆ ｎＧａＡｓＰ （１、１μｍ）ノン
ドープ ０．０５このｎ型のＩｎＧａＡｓＰ層２上に塗
布したポジ型ホトレジストを２光束干渉法により露光し
、現像してレジストマスク１１を形成する。なおこのパ
ターンは例えばピッチΔ＝ ０．１９５戸としている。
ｎ ２ ｆ ｎＧａＡｓＰ （１、１μｍ）ノン
ドープ ０．０５このｎ型のＩｎＧａＡｓＰ層２上に塗
布したポジ型ホトレジストを２光束干渉法により露光し
、現像してレジストマスク１１を形成する。なおこのパ
ターンは例えばピッチΔ＝ ０．１９５戸としている。
第１図（ｂ）参照： 例えば弗酸（ＨＦ）硝酸（ＨＮＯ
３）混合溶液を用いてＩｎＧａＡｓＰ層２をＩｎＰ基板
１に対して選択的にエツチングする。このエツチング処
理は深さ方向にはＩｎＧａＡｓＰ何２の厚さ０．０５μ
ｍで停止しその横方向には次第に進行するが、エツチン
グ時間により各エツチング幅を例えば深さ方向の約２倍
の％Ａに制御することができる。
３）混合溶液を用いてＩｎＧａＡｓＰ層２をＩｎＰ基板
１に対して選択的にエツチングする。このエツチング処
理は深さ方向にはＩｎＧａＡｓＰ何２の厚さ０．０５μ
ｍで停止しその横方向には次第に進行するが、エツチン
グ時間により各エツチング幅を例えば深さ方向の約２倍
の％Ａに制御することができる。
この結果、λ９ ＝ １ 、１ ａｍのＩｎＧａＡｓＰ
からなる突起加が平行線状に形成される。
からなる突起加が平行線状に形成される。
第１図（Ｃ）参照： レジストマスク１１を除去し、例
えば下記の如き各半導体層３〜６をＬＰＥ法等により成
長する。
えば下記の如き各半導体層３〜６をＬＰＥ法等により成
長する。
半導体層 組成 不純物 厚さくＪｌｌ
−” − ６キヤ”／ブ層１ｎＧａＡｓＰ（１，３μｍ） ｐ−
１ｘｌＯ” ０．１５５クラッド層 １ｎＰ
ｐ−ｌＸｌ０Ｉｌ１０．４０４活性層 ＩｎＧａ
ＡｓＰ（１，３／！ｍ）ノンドープ ０，１５３導波層
１ｎＧａＡｓＰ（１，２ｔＩｒｎ） ｎ−１ｘ
ｔｏ” ０．３０このＬＰＥ成長では従来知られてい
る保護板を使用し、溶解温度６００℃に６０分間保持し
、成長開始温度は５８５°Ｃとしている。
−” − ６キヤ”／ブ層１ｎＧａＡｓＰ（１，３μｍ） ｐ−
１ｘｌＯ” ０．１５５クラッド層 １ｎＰ
ｐ−ｌＸｌ０Ｉｌ１０．４０４活性層 ＩｎＧａ
ＡｓＰ（１，３／！ｍ）ノンドープ ０，１５３導波層
１ｎＧａＡｓＰ（１，２ｔＩｒｎ） ｎ−１ｘ
ｔｏ” ０．３０このＬＰＥ成長では従来知られてい
る保護板を使用し、溶解温度６００℃に６０分間保持し
、成長開始温度は５８５°Ｃとしている。
この半導体基体を切断し電子顕微鏡を用いてｎ型１ｎＧ
ａＡｓＰ導波層３のコルゲーシゴンを観察、測定し、本
発明による形状改善の効果がｂＭ ｔｐされている。
ａＡｓＰ導波層３のコルゲーシゴンを観察、測定し、本
発明による形状改善の効果がｂＭ ｔｐされている。
この半導体基体を活性層の幅約２−にメサエッチングし
、ｐ型１ｎＰ層、ｎ型１ｎＰ層を埋め込み成長して、ｎ
側電極８、ｎ側電極９を配設し、チップ分割、端面処理
等を行ってＤＦＢレーザ素子が完成する。
、ｐ型１ｎＰ層、ｎ型１ｎＰ層を埋め込み成長して、ｎ
側電極８、ｎ側電極９を配設し、チップ分割、端面処理
等を行ってＤＦＢレーザ素子が完成する。
このＤＦＢレーザは闇値電流約１５ｍＡの良好な単一波
長発振が得られ、標準動作状態の発光効率約０゜３ｍＷ
／ｍＡで、相当する前記第２図に示した従来例では例え
ば闇値電流約２０ｍＡ、標準動作状態の発光効率約０．
２ｍＷ／ｍＡ程度であるのに比較して顕著な特性向上が
実証されている。
長発振が得られ、標準動作状態の発光効率約０゜３ｍＷ
／ｍＡで、相当する前記第２図に示した従来例では例え
ば闇値電流約２０ｍＡ、標準動作状態の発光効率約０．
２ｍＷ／ｍＡ程度であるのに比較して顕著な特性向上が
実証されている。
１ｉｉｉ記実施例は１ｎＧａＡｓＰ層２を直接基板１上
に成長しているが、バッファ層乃至クラフト層としてｎ
型１ｎＰ層を介在してもよい。
に成長しているが、バッファ層乃至クラフト層としてｎ
型１ｎＰ層を介在してもよい。
更に以上の説明はＤＦＢレーザを対象としているが、回
折格子がキャリアを注入する電流の経路外に設けられる
ＤＢＲレーザに対しても同様に適用することが可能であ
り、またＩｎＧａＡｓＰ１ ＩｎＰ系以外の半導体基体
に適用して同様の効果を得ることができる。
折格子がキャリアを注入する電流の経路外に設けられる
ＤＢＲレーザに対しても同様に適用することが可能であ
り、またＩｎＧａＡｓＰ１ ＩｎＰ系以外の半導体基体
に適用して同様の効果を得ることができる。
以上説明した如く本発明によれば、容易に再現性良＜１
）ＦＢ及び１）ＢＲレーザの回折格子の帰還率を高めて
、闇値電流、発光効率等の特性向上が実現され、光通信
システム等の進展に大きい効果が得られる。
）ＦＢ及び１）ＢＲレーザの回折格子の帰還率を高めて
、闇値電流、発光効率等の特性向上が実現され、光通信
システム等の進展に大きい効果が得られる。
第１図は本発明の実施例の工程順模式側断面図、第２図
は従来例の模式側断面図である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＧａＡｓＰ層、 ２Ａは平行線状をなす突起、 ３はｎ型１ｎＧａＡｓＰ ｉ波層、 ４はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５はｐ型１ｎＰクラッド層、 ６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、 ８はｎ側電極、 ９はｎ側電極、 １１はレジストマスクを示す。 ＜ｂ） （Ｃジ キあｅ’＋りｉ１０′）Ｘ、ｊ項÷）Ｉ■ＯＪ享紐室寸
イ則由〒ｔｉｃコ牟 １ 喝
は従来例の模式側断面図である。 図において、 １はｎ型１ｎＰ基板、 ２はｎ型１ｎＧａＡｓＰ層、 ２Ａは平行線状をなす突起、 ３はｎ型１ｎＧａＡｓＰ ｉ波層、 ４はＩｎＧａＡｓＰ活性層、 ５はｐ型１ｎＰクラッド層、 ６はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、 ８はｎ側電極、 ９はｎ側電極、 １１はレジストマスクを示す。 ＜ｂ） （Ｃジ キあｅ’＋りｉ１０′）Ｘ、ｊ項÷）Ｉ■ＯＪ享紐室寸
イ則由〒ｔｉｃコ牟 １ 喝
Claims (1)
- 第１の半導体材料からなる基板又は半導体層に接して、
第２の半導体材料からなり平行線状をなす突起が配設さ
れ、第３の半導体材料からなり該突起を介して該基板又
は半導体層を被覆する導波層の該被着面における回折に
より光の選択的帰還を行うことを特徴とする半導体発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111265A JPS62266889A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61111265A JPS62266889A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62266889A true JPS62266889A (ja) | 1987-11-19 |
Family
ID=14556817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61111265A Pending JPS62266889A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62266889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5033816A (en) * | 1987-12-18 | 1991-07-23 | Thomson-Csf | Method for making a diffraction lattice on a semiconductor material |
-
1986
- 1986-05-15 JP JP61111265A patent/JPS62266889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5033816A (en) * | 1987-12-18 | 1991-07-23 | Thomson-Csf | Method for making a diffraction lattice on a semiconductor material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008113041A (ja) | 導波管 | |
| US4782035A (en) | Method of forming a waveguide for a DFB laser using photo-assisted epitaxy | |
| JPH04100291A (ja) | 半導体装置の製造方法および、光半導体装置の製造方法 | |
| JPH01214089A (ja) | 半導体材料に回折格子を形成する方法及び該方法によって製造された回折格子を備えた光電デバイス | |
| US4791647A (en) | Semiconductor laser | |
| JPS62266889A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0642583B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2003069134A (ja) | 半導体光デバイス及びその作製方法 | |
| JPS6317356B2 (ja) | ||
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPH0936496A (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
| JP2004128372A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ素子 | |
| JPH0316288A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2771276B2 (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法 | |
| JPH037153B2 (ja) | ||
| JPH02252284A (ja) | 半導体レーザアレイ | |
| JPS624386A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS6057990A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS60216595A (ja) | 単一波長半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPS63305582A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6369287A (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH084178B2 (ja) | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS62296486A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPS6320037B2 (ja) | ||
| JPH04276680A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |