JPH0461851U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0461851U JPH0461851U JP10422590U JP10422590U JPH0461851U JP H0461851 U JPH0461851 U JP H0461851U JP 10422590 U JP10422590 U JP 10422590U JP 10422590 U JP10422590 U JP 10422590U JP H0461851 U JPH0461851 U JP H0461851U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- section
- trajectory
- detection
- ion
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の構成図、第２図は
本考案の一実施例の断面図、第３図は本考案の一
実施例の各部分でのイオンビームの位置の検出方
法を説明するための構成図、第４図は従来のイオ
ン注入装置の構成図である。 １……発生部、２……分析部、３……加速部、
４……収束部、５……走査部、６……注入部、７
……検出部、８……演算部、９……表示部、１０
……検出板、１１……ウエーハ、１２……検出子
、１３……電子、１４……イオンビームの軌跡、
１５……検出ライン、１６……電流計、１７……
測定部、１８……判定部。
本考案の一実施例の断面図、第３図は本考案の一
実施例の各部分でのイオンビームの位置の検出方
法を説明するための構成図、第４図は従来のイオ
ン注入装置の構成図である。 １……発生部、２……分析部、３……加速部、
４……収束部、５……走査部、６……注入部、７
……検出部、８……演算部、９……表示部、１０
……検出板、１１……ウエーハ、１２……検出子
、１３……電子、１４……イオンビームの軌跡、
１５……検出ライン、１６……電流計、１７……
測定部、１８……判定部。
Claims (1)
- 半導体装置の製造に使用するイオン注入装置に
おけるイオンビームの発生部から注入部に至るま
でのイオンビームの通過する各部分に、イオンビ
ームの軌跡を検出する検出部と、各検出部からの
検出信号を演算する演算部と、演算されたイオン
ビームの軌跡を表示する表示部とを有する事を特
徴とするイオンビーム軌跡検出機能付イオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10422590U JPH0461851U (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10422590U JPH0461851U (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461851U true JPH0461851U (ja) | 1992-05-27 |
Family
ID=31849429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10422590U Pending JPH0461851U (ja) | 1990-10-03 | 1990-10-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461851U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041402A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sharp Corp | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法 |
| JP2016501082A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-18 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 複数の導体を有する電気センサを介して電子ビームを監視するためのデバイス |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP10422590U patent/JPH0461851U/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006041402A (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-09 | Sharp Corp | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法 |
| JP4587733B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-11-24 | シャープ株式会社 | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法および機能素子の製造方法 |
| JP2016501082A (ja) * | 2012-12-03 | 2016-01-18 | テトラ・ラヴァル・ホールディングス・アンド・ファイナンス・ソシエテ・アノニムＴｅｔｒａ Ｌａｖａｌ Ｈｏｌｄｉｎｇｓ ＆ Ｆｉｎａｎｃｅ Ｓ．Ａ． | 複数の導体を有する電気センサを介して電子ビームを監視するためのデバイス |
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