JPH0461267A - インダクタンス素子 - Google Patents
インダクタンス素子Info
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- JPH0461267A JPH0461267A JP17145590A JP17145590A JPH0461267A JP H0461267 A JPH0461267 A JP H0461267A JP 17145590 A JP17145590 A JP 17145590A JP 17145590 A JP17145590 A JP 17145590A JP H0461267 A JPH0461267 A JP H0461267A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体集積回路装置構成用の゛ｒ絶縁竹生導
体基根十に形成され
体基根十に形成され
従来、第１０図及び第１１図に丞遵ように、半導体集積
回路装置構成用の半絶縁性半導体基板１の主面１ａトに
、例えばスパイラル状に線状に延長している導電性層２
と、一端を導電性層２の両端部にそれぞれ連結して延歿
しでいる配線Ｗｊ３Ａ及び３Ｂとが形成され、そして、
この場合、導電性層２が、主面１ａ上に、半導体集積回
路装置３Ａ及び３Ｂを橋架している、という構成を有す
るインダクタンス素子が提案されている。
回路装置構成用の半絶縁性半導体基板１の主面１ａトに
、例えばスパイラル状に線状に延長している導電性層２
と、一端を導電性層２の両端部にそれぞれ連結して延歿
しでいる配線Ｗｊ３Ａ及び３Ｂとが形成され、そして、
この場合、導電性層２が、主面１ａ上に、半導体集積回
路装置３Ａ及び３Ｂを橋架している、という構成を有す
るインダクタンス素子が提案されている。
【発明が解決しようと（る課題］
第１０図及び第１１図に示プ従来のインダクタンス素子
の場合、大きなインダクタンス値を得るとり−れば、導
電性層２の長さを増せばよい。 しかしながら、このようにすれば、インダクタンス素、
子が、半絶縁性半導体基板ゴ１に大きな面積を占める。 このため、第１０図及び第１１図に示づ従来のインダク
タンス素子の場合、大ぎなインダクタンス値を有すると
き、インダクタンス素子が、半絶縁性半導体基板１土に
大きな面積を占める。 以上のことから、第１０図及び第１１図に小す従来のイ
ンダクタンス素子の場合、そのインダクタンス素子を形
成している半絶縁性半導体基板１を用いて構成される半
導体集積回路装置が、大型化する、という欠点を有して
いた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規なインダ
クタンス素子を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明によるインダクタンス素子は、第１０図及び第１
１図で上述した従来のインダクタンス素子の場合と同様
に、半導体集ＩＩＶ１回路装置構成用の半絶縁性￥導体
草根上に、線状に足ｆｉｚ Ｌ−（いる導電＠層と、一
端を］配溝電性屑の第１及び第２の端部にそれぞれ連結
しでいる第１及び第２の配線層とが形成されている構成
を４Ｊする。 しかしながら、本発明によるインダクタンス素子は、こ
のような構成を有するインダクタンス素子において、上
記半絶縁性￥導体基板に、上記第１の主面と対向してい
る第２のｔ面側Ｃおいて１磁性体が、上記導電性層に対
向して配されている。
の場合、大きなインダクタンス値を得るとり−れば、導
電性層２の長さを増せばよい。 しかしながら、このようにすれば、インダクタンス素、
子が、半絶縁性半導体基板ゴ１に大きな面積を占める。 このため、第１０図及び第１１図に示づ従来のインダク
タンス素子の場合、大ぎなインダクタンス値を有すると
き、インダクタンス素子が、半絶縁性半導体基板１土に
大きな面積を占める。 以上のことから、第１０図及び第１１図に小す従来のイ
ンダクタンス素子の場合、そのインダクタンス素子を形
成している半絶縁性半導体基板１を用いて構成される半
導体集積回路装置が、大型化する、という欠点を有して
いた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規なインダ
クタンス素子を提案せんとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明によるインダクタンス素子は、第１０図及び第１
１図で上述した従来のインダクタンス素子の場合と同様
に、半導体集ＩＩＶ１回路装置構成用の半絶縁性￥導体
草根上に、線状に足ｆｉｚ Ｌ−（いる導電＠層と、一
端を］配溝電性屑の第１及び第２の端部にそれぞれ連結
しでいる第１及び第２の配線層とが形成されている構成
を４Ｊする。 しかしながら、本発明によるインダクタンス素子は、こ
のような構成を有するインダクタンス素子において、上
記半絶縁性￥導体基板に、上記第１の主面と対向してい
る第２のｔ面側Ｃおいて１磁性体が、上記導電性層に対
向して配されている。
本発明によるインダクタンス素子によれば、磁性体をｈ
するので、インダクタンス素子を、半絶縁性半導体基板
上に大きな面積を占めさせなくても、インダクタンス素
子が大きなインダクタンス値を呈し、一方、磁性体が、
インダクタンス素子の導電性層と上下方向に重なって配
されているので、インダクタンス素子が大きなインダク
タンス値を有していても、そのインダクタンス素子を形
成している半絶縁性！Ｆ導体基板を用いて構成される半
導体集積回路装置を、第１０図及び第１１図で上述した
従来のインダクタンス素子を形成している半絶縁性半導
体基板を用いて構成される半導体集積回路装置に比し、
格段的に小型化することができる。
するので、インダクタンス素子を、半絶縁性半導体基板
上に大きな面積を占めさせなくても、インダクタンス素
子が大きなインダクタンス値を呈し、一方、磁性体が、
インダクタンス素子の導電性層と上下方向に重なって配
されているので、インダクタンス素子が大きなインダク
タンス値を有していても、そのインダクタンス素子を形
成している半絶縁性！Ｆ導体基板を用いて構成される半
導体集積回路装置を、第１０図及び第１１図で上述した
従来のインダクタンス素子を形成している半絶縁性半導
体基板を用いて構成される半導体集積回路装置に比し、
格段的に小型化することができる。
【実施例１１
次に、第１図及び第２図を伴って本発明によるインダク
タンス素子の第１の実施例を述べよう。 第１図及び第２図において、第１０図及び第１１図との
対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第１図及び第２図に示す本発明によるインダクタンス素
子は、第１０図及び第１１図で上述した従来のインダク
タンス素子において、その半絶縁性半導体基板１の主面
１ａと対向している他の主面１ｂ上に、フェライトなど
でなり且つ片状、層状などの形状を有する磁性体４が、
固定して配されていることを除いて、第１０１図及び第
１１図で上述した従来のインダクタンス素子と同様の構
成をｈづる。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第１の実施例によれば、詳細説明は省略するが、イ
ンダクタンス素子のＩＩ電性１２と対向している磁性体
４をｈするので、インダクタンス素子を、半絶縁性半導
体基＆１上に大きな面積を占めさせなくてす、インダク
タンス素子が大きなインダクタンス値を♀することは明
らかであり、一方、磁性体４が、インダクタンス素子の
導電性層２と上−ト方向に重なって配されているので、
インダクタンス素子が大きなインダクタンス値を有して
いても、そのインダクタンス素子を形成している半絶縁
性半導体基板１を用いて構成される半導体集積回路装置
を、第１０図及び第１１図で上述した従来のインダクタ
ンス素子を形成している半絶縁性半導体基板１を用いて
構成される半導体集積回路装置に比し、格段的に小型化
することができる。 【実施例２】 次に、第２図及び第４図を伴つ（本発明によるインダク
タンス素ｆの第２の実施例を述べよう４３ 第ご３図及び第４図に１ｌｌｊいで、第１図及び第２図
どの対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第３図及び第４図に小す本発明によるインダクタンス素
ｆは、第１図及び第２図（゛上述した本発明によるイン
ダクタンス素′ｆｋ”おいて、Ｙ絶縁性半導体基板１に
、１−面１ｂ側から凹所５が形成され、そして、その凹
所５内に磁性体４が、固定して配されでいることを除い
て、第１図及び第２図で・上述した本発明によるインダ
クタンス素子と同様の構成を有する。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第２の実施例によれば、Ｆ述した事項を除いて、第
１図及び第２図′Ｃ″１述した本発明によるインダクタ
ンス素子と同様の構成を有し、ぞして、磁性体４が凹所
５〕内に配されていることによって、磁性体４が、イン
ダクタンス素ｆの導電性層２と第１図及び第２図て・１
述１．た本発明によるインダクタンス素子の場合に比し
近接しているの支゛、インダクタンス索ｆｋ、導電性層
２が半絶縁性半導体基板１↓−に占める同じ面積に、第
１図及び第２図ぐｌ述ｔ、 ／’、：本発明によるイン
ダクタンス素子の場合に比し大きなインダクタンス値を
有せしめるξとができる。 このため、第３図及び第４図に小す本発明によるインダ
クタンス素子によれば、詳細説明は省略づるが、第１図
及び第２図で１−述した本発明にＪ、る、インダクタン
ス素子の場合と同様の優れた作用・効果がより効果的に
得られる。 【実施例３］ 次に、第５図及び第６図を伴って本発明による、インダ
クタンス素子の第３の実施例を述べよう。 第５図及び第６図において、第１図及び第２図どの対応
部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第５図及び第６図に小づ“本発明によるインダクタンス
素子は、第１図及び第２図Ｃ］述し！、］本発明による
インダクタンス素子におい（、゛ｒ絶縁性半導体基板１
に、イの主面１ａ側にａ３いて、導電性層２及び配線１
１Ｊ３Ａが配されるｆＰ６及び７Ａが形成され、ぞしで
ぞれら溝（３及び７Ａ内に導電性層２が、固定して配さ
れていることを除いて、第１図及び第２図で１−述した
本発明によるインダクタンス素子と同様の構成を右−す
る。 このような構成を有づる本発明によるインダクタンス素
子の第３の実施例によれば、上述した事項を除いて、第
１図及び第２図で上述した本発明によるインダクタンス
素子と同様の構成を有し、そして、インダクタンス素子
の導電性層２が満６に配されていることによって、第３
図及び第４図で上述した本発明によるインダクタンス素
子の場合と同様に、磁性体４が、インダクタンス素子の
導電性Ｍ２と第１図及び第２図でＦ述した本発明による
インダクタンス素子の場合に比し近接しＣいるのて′、
詳細説明は省略するが、第３図及び第４図で・上述した
本発明−二よるインダクタンス素子の場合と同様の優れ
た作用・効果が得られる。 【実施例４） 次に、第７図及び第８図を伴つ℃゛本発明によるインダ
クタンス素子の第４の実施例を述べよう。 第７図及び第８図において、第３図及び第４図との対応
部分には同一符号を付し詳細説明を省略遵る。 第７図及び第８図に示す本発明によるインダクタンス素
子は、第３図及び第４図て゛上述した本発明によるイン
ダクタンス素子において、インダクタンス素子の導電性
Ｗ２及び配線１１Ｗ３Ａが、第５図及び第６図で、［述
した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様に、
半絶縁性半導体基板１に、その主面１ａ側において形成
されている溝６及び７Ａ内に配されていることを除いて
、第３図及び第４図で上述した本発明によるインダクタ
ンス素子と同様の構成を右づる。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第４の実施例によれば、上述した事項を除いて、第
３図及び第４図で１−述した本発明によるインダクタン
ス素子と同様の構成を有し、そして、磁性体４が凹所５
内に配されているとともにインダクタンス素子の導電性
層２が溝６内に配されているので、詳細説明は省略する
が、第３図及び第４図で上述した本発明によるインダク
タンス素子の場合と同様の優れた作用・効果がより効果
的に得られる。 なお、上述においては、インダクタンス素子がいわゆる
スパイラル形である場合に本発明を適用した場合である
が、インダクタンス素子がリング形、ミアンダリン形で
ある場合にも本発明を適用することができ、また、第９
図に示すように、半絶縁性半導体基板１の側方及び上方
にも、磁性体４と同様の磁性体４′及び４“をそれぞれ
配した構成とすることもでき、その他、本発明の精神を
脱づることなしに、神々の変型、変更をなし得るであろ
う。
タンス素子の第１の実施例を述べよう。 第１図及び第２図において、第１０図及び第１１図との
対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第１図及び第２図に示す本発明によるインダクタンス素
子は、第１０図及び第１１図で上述した従来のインダク
タンス素子において、その半絶縁性半導体基板１の主面
１ａと対向している他の主面１ｂ上に、フェライトなど
でなり且つ片状、層状などの形状を有する磁性体４が、
固定して配されていることを除いて、第１０１図及び第
１１図で上述した従来のインダクタンス素子と同様の構
成をｈづる。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第１の実施例によれば、詳細説明は省略するが、イ
ンダクタンス素子のＩＩ電性１２と対向している磁性体
４をｈするので、インダクタンス素子を、半絶縁性半導
体基＆１上に大きな面積を占めさせなくてす、インダク
タンス素子が大きなインダクタンス値を♀することは明
らかであり、一方、磁性体４が、インダクタンス素子の
導電性層２と上−ト方向に重なって配されているので、
インダクタンス素子が大きなインダクタンス値を有して
いても、そのインダクタンス素子を形成している半絶縁
性半導体基板１を用いて構成される半導体集積回路装置
を、第１０図及び第１１図で上述した従来のインダクタ
ンス素子を形成している半絶縁性半導体基板１を用いて
構成される半導体集積回路装置に比し、格段的に小型化
することができる。 【実施例２】 次に、第２図及び第４図を伴つ（本発明によるインダク
タンス素ｆの第２の実施例を述べよう４３ 第ご３図及び第４図に１ｌｌｊいで、第１図及び第２図
どの対応部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第３図及び第４図に小す本発明によるインダクタンス素
ｆは、第１図及び第２図（゛上述した本発明によるイン
ダクタンス素′ｆｋ”おいて、Ｙ絶縁性半導体基板１に
、１−面１ｂ側から凹所５が形成され、そして、その凹
所５内に磁性体４が、固定して配されでいることを除い
て、第１図及び第２図で・上述した本発明によるインダ
クタンス素子と同様の構成を有する。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第２の実施例によれば、Ｆ述した事項を除いて、第
１図及び第２図′Ｃ″１述した本発明によるインダクタ
ンス素子と同様の構成を有し、ぞして、磁性体４が凹所
５〕内に配されていることによって、磁性体４が、イン
ダクタンス素ｆの導電性層２と第１図及び第２図て・１
述１．た本発明によるインダクタンス素子の場合に比し
近接しているの支゛、インダクタンス索ｆｋ、導電性層
２が半絶縁性半導体基板１↓−に占める同じ面積に、第
１図及び第２図ぐｌ述ｔ、 ／’、：本発明によるイン
ダクタンス素子の場合に比し大きなインダクタンス値を
有せしめるξとができる。 このため、第３図及び第４図に小す本発明によるインダ
クタンス素子によれば、詳細説明は省略づるが、第１図
及び第２図で１−述した本発明にＪ、る、インダクタン
ス素子の場合と同様の優れた作用・効果がより効果的に
得られる。 【実施例３］ 次に、第５図及び第６図を伴って本発明による、インダ
クタンス素子の第３の実施例を述べよう。 第５図及び第６図において、第１図及び第２図どの対応
部分には同一符号を付し詳細説明を省略する。 第５図及び第６図に小づ“本発明によるインダクタンス
素子は、第１図及び第２図Ｃ］述し！、］本発明による
インダクタンス素子におい（、゛ｒ絶縁性半導体基板１
に、イの主面１ａ側にａ３いて、導電性層２及び配線１
１Ｊ３Ａが配されるｆＰ６及び７Ａが形成され、ぞしで
ぞれら溝（３及び７Ａ内に導電性層２が、固定して配さ
れていることを除いて、第１図及び第２図で１−述した
本発明によるインダクタンス素子と同様の構成を右−す
る。 このような構成を有づる本発明によるインダクタンス素
子の第３の実施例によれば、上述した事項を除いて、第
１図及び第２図で上述した本発明によるインダクタンス
素子と同様の構成を有し、そして、インダクタンス素子
の導電性層２が満６に配されていることによって、第３
図及び第４図で上述した本発明によるインダクタンス素
子の場合と同様に、磁性体４が、インダクタンス素子の
導電性Ｍ２と第１図及び第２図でＦ述した本発明による
インダクタンス素子の場合に比し近接しＣいるのて′、
詳細説明は省略するが、第３図及び第４図で・上述した
本発明−二よるインダクタンス素子の場合と同様の優れ
た作用・効果が得られる。 【実施例４） 次に、第７図及び第８図を伴つ℃゛本発明によるインダ
クタンス素子の第４の実施例を述べよう。 第７図及び第８図において、第３図及び第４図との対応
部分には同一符号を付し詳細説明を省略遵る。 第７図及び第８図に示す本発明によるインダクタンス素
子は、第３図及び第４図て゛上述した本発明によるイン
ダクタンス素子において、インダクタンス素子の導電性
Ｗ２及び配線１１Ｗ３Ａが、第５図及び第６図で、［述
した本発明によるインダクタンス素子の場合と同様に、
半絶縁性半導体基板１に、その主面１ａ側において形成
されている溝６及び７Ａ内に配されていることを除いて
、第３図及び第４図で上述した本発明によるインダクタ
ンス素子と同様の構成を右づる。 このような構成を有する本発明によるインダクタンス素
子の第４の実施例によれば、上述した事項を除いて、第
３図及び第４図で１−述した本発明によるインダクタン
ス素子と同様の構成を有し、そして、磁性体４が凹所５
内に配されているとともにインダクタンス素子の導電性
層２が溝６内に配されているので、詳細説明は省略する
が、第３図及び第４図で上述した本発明によるインダク
タンス素子の場合と同様の優れた作用・効果がより効果
的に得られる。 なお、上述においては、インダクタンス素子がいわゆる
スパイラル形である場合に本発明を適用した場合である
が、インダクタンス素子がリング形、ミアンダリン形で
ある場合にも本発明を適用することができ、また、第９
図に示すように、半絶縁性半導体基板１の側方及び上方
にも、磁性体４と同様の磁性体４′及び４“をそれぞれ
配した構成とすることもでき、その他、本発明の精神を
脱づることなしに、神々の変型、変更をなし得るであろ
う。
第１図及び第２図は、本発明によるインダクタンス素子
の第１の実施例を示す路線的平面図及びその２−２線Ｆ
の断面図である。 第３図及び第４図は、本発明によるインダクタンス素子
の第２の実施例を示寸路線的平面図及びその４−４線上
の断面図ぐある。 第５図及び第６図は、本発明によるインダクタンス素子
の第３の実施例を示す路線的ψ−面図及びイの６−６線
上の断面図である。 第７図及び第８図は、本発明によるインダクタンス素子
の第４の実施例を示す路線的平面図及びその８−８線上
の断面図である。 第９図は、本発明によるインダクタンス素子の第５の実
施例を示す路線的断面図である。 第１０図及び第１１図は、従来のインダクタンス素子を
示す路線的平面図及びぞのｉ ｉ 、１線上の断面図で
ある。 １・・・・・・・・・・・・・・・半絶縁性半導体基板
１ａ、１ｂ・・・主面 ２・・・・・・・・・・・・・・・′５ＮｆＩＩ層３△
、３Ｂ・・・配ＩＩ層 ４．４’ ４’″ ・・・・・・・・・・・・・・・磁性体５・・・・・・
・・・・・・・・・凹所６．７Ａ・・・・・・溝
の第１の実施例を示す路線的平面図及びその２−２線Ｆ
の断面図である。 第３図及び第４図は、本発明によるインダクタンス素子
の第２の実施例を示寸路線的平面図及びその４−４線上
の断面図ぐある。 第５図及び第６図は、本発明によるインダクタンス素子
の第３の実施例を示す路線的ψ−面図及びイの６−６線
上の断面図である。 第７図及び第８図は、本発明によるインダクタンス素子
の第４の実施例を示す路線的平面図及びその８−８線上
の断面図である。 第９図は、本発明によるインダクタンス素子の第５の実
施例を示す路線的断面図である。 第１０図及び第１１図は、従来のインダクタンス素子を
示す路線的平面図及びぞのｉ ｉ 、１線上の断面図で
ある。 １・・・・・・・・・・・・・・・半絶縁性半導体基板
１ａ、１ｂ・・・主面 ２・・・・・・・・・・・・・・・′５ＮｆＩＩ層３△
、３Ｂ・・・配ＩＩ層 ４．４’ ４’″ ・・・・・・・・・・・・・・・磁性体５・・・・・・
・・・・・・・・・凹所６．７Ａ・・・・・・溝
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体集積回路装置構成用の半絶縁性半導体基板の第１
の主面側に、線状に延長している導電性層と、一端を上
記導電性層の第１及び第２の端部にそれぞれ連結して延
長している第１及び第２の配線層とが形成されているイ
ンダクタンス素子において、 上記半絶縁性半導体基板に、上記第１の主面と対向して
いる第２の主面側において、磁性体が、上記導電性層と
対向して配されていることを特徴とするインダクタンス
素子。 【請求項２】 【請求項１】記載のインダクタンス素子において、 上記半絶縁性半導体基板に、その上記第２の主面側から
、凹所が形成され、 上記磁性体が、上記凹所内に配されていることを特徴と
するインダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17145590A JPH0461267A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17145590A JPH0461267A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0461267A true JPH0461267A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15923426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17145590A Pending JPH0461267A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0461267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013535107A (ja) * | 2010-06-16 | 2013-09-09 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | 誘導性構造 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP17145590A patent/JPH0461267A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013535107A (ja) * | 2010-06-16 | 2013-09-09 | ナショナル セミコンダクター コーポレーション | 誘導性構造 |
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