JPH0461013B2 - - Google Patents

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JPH0461013B2
JPH0461013B2 JP60007330A JP733085A JPH0461013B2 JP H0461013 B2 JPH0461013 B2 JP H0461013B2 JP 60007330 A JP60007330 A JP 60007330A JP 733085 A JP733085 A JP 733085A JP H0461013 B2 JPH0461013 B2 JP H0461013B2
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JP
Japan
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group
polymer
formula
substituted
carbon atoms
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JP60007330A
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JPS60226890A (ja
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Seifuaasu Deiitomaa
Etsuchi Waizuman Geirii
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Massachusetts Institute of Technology
Original Assignee
Massachusetts Institute of Technology
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Publication date
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Publication of JPH0461013B2 publication Critical patent/JPH0461013B2/ja
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    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C08G77/62Nitrogen atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、Si3N4/SiCセラミツクス製造に有
用な有機シラザン重合体およびそれから製造した
成形品、およびこのような有機シラザン重合体を
製造し、これを熱分解してセラミツク材料とする
方法に関する。 窒化珪素、炭化珪素およびこれらの混合物はセ
ラミツク材料として注目されている。これらは、
高い熱ならびに酸化安定性を有し、もし最大理論
密度を達成することができるならば大気圧で製造
し得る最も固い物質の中に入る。その他の有利な
特性としては、低電気伝導度、低い熱膨張率、優
れた耐熱衝撃性および耐クリープ性、高温での高
い強度および耐蝕性がある。 窒化珪素および窒化珪素/炭化珪素材料におけ
る経済的重要性は高い。窒化珪素の製造にはこれ
まで三つの主経路があつた: (1) 気体状窒素の元素状珪素との高温反応(「窒
化」); (2) 比較的高温でのアンモニアのクロルシラン
(SiCl4,HSiCl3,H2SiCl2)との気相反応;お
よび (3) 溶液中でのアンモニアのSiCl4またはHSiCl3
との反応とそれに続く塩化アンモニウム除去後
の不溶性のアンモノリシス生成物の熱分解。 最近では、セイフアース(Seyferth)外、J.
Amer・CeramSoc66,C−13ページからC
−14ページ(1983)には、適当な溶媒中でのアン
モニアのH2SiCl2との反応による可溶性シラザン
重合体の形成が記載されている。この重合体は、
窒素雰囲気中で熱分解させてSi3N4を生成させる
ことができる。 上のセイフアース(Seyferth)外によつて記載
されたようなプレセラミツク重合体物質には今日
大きな関心が持たれており、個のものの熱分解に
よりSi3N4,SiCまたはSi3N4/SiC物質が得られ
る。このような重合体に対する用途には特に次の
ものがある: 1 複雑な形のものを形成し、続いて熱分解して
同じ形のセラミツク材料を得る; 2 紡糸して連続した繊維とし、次いでこれを熱
分解してセラミツク繊維を得る; 3 炭素またはセラミツク繊維用のマトリツクス
材料として、またはセラミツク粉末用結合剤と
して(次に熱分解してセラミツク体を形成する
ため); 4 酸化を受け得る材料(熱分解グラフアイトの
ような)上の耐酸化被膜(重合体被覆を行なつ
た後、このものを熱分解して耐性のセラミツク
被膜を得ることができる); 5 反応焼結させた窒化珪素から得たセラミツク
体のような有孔セラミツク体の、重合体自体
(液体の場合)またはこの重合体の溶液による
浸透とそれに続く熱分解によりセラミツクを形
成させ、その結果そのセラミツク体の強度、耐
酸化性等を増す;および 6 エレクトロニクス用のセラミツク材料の薄膜
の形成。 例えば、ペン(Penn)外、J. ApplPolymer
Sci・27,第3751−61ページ(1982)にはポリカ
ーボシラザン先駆体からの炭化珪素−窒化珪素繊
維の製造が記載されている。トリス(N−メチル
アミノ)メチルシラン単量体は、乾燥石油エーテ
ル中でのモノメチルアミンとメチルトリクロルシ
ランとの反応によつて形成され、ポリカーボシラ
ザン樹脂は、この単量体を、520℃ガラスのラー
シツヒリング上を通すことにより形成された。こ
の脆性重合体は塩化メチレンおよびクロロホルム
などに可溶性であつた。この生成物を紡糸して、
繊維とし、空気中で架橋し、次に熱分解してセラ
ミツク繊維を得ている。 その他の、炭化珪素および窒化珪素セラミツク
形成用重合体先駆体は、米国特許第3108985号;
3853567号;3892583号;4310651号および4312970
号;に記載されている。これらの直鎖状または架
橋重合体およびセラミツク材料製造法は一般に1
またはそれ以上の点で不十分であることがわかつ
た。 容易に得ることができしかも比較的安価な出発
物質から高収率で形成され;液体であるかまたは
もし固体であるならば有機溶媒に可溶性であり;
室温で長時間安定であり;大気水分による加水分
解に対して比較的安定であり;しかも熱分解によ
る高収率のセラミツク材料を与えることができ
る。Si3N4/SiCセラミツク材料用の重合体先駆
体を得ることはたいへん望ましいことであろう。 上記の望ましい性質の多くは本発明のプレセラ
ミツク重合体によつて与えられる。 本発明は構造単位:R1SiHNH,R1SiHNR2
よびR1 2Si2N2よりなり、 式:(R1SiHNH)a(R1SiHNR2b(R1 2Si2N2
c 〔式中、a+b+=1であり、aとbは同時
にゼロにならず、R1 2Si2N2は必ず存在するもの
とし、R1は水素、炭素原子1ないし約6個を有
する低級アルキル基、炭素原子1ないし約6個を
有する低級アルコキシ基、置換または非置換ビニ
ル基、置換または非置換アリル基、炭素原子6な
いし約10個を有する置換または非置換低級アリー
ル基、トリ(低級)アルキル−またはジ(低級)
アルキルシリル基またはジ(低級)アルキルアミ
ノ基であり、R2は水素、メチル基又はアルカリ
金属もしくは1/2当量のアルカリ土類金属である〕 によつて表わされる有機シラザン重合体を提供す
るものであり、その実施態様のひとつとして式: の反復単位を有し、式: 〔式中:R1は水素、1から約6個までの炭素
原子を有する低級アルキル基、1から約6個まで
の炭素原子を有する低級アルコキシ基、置換また
は非置換のビニル基、置換または非置換アリル
基、6から約10個までの炭素原子を有する置換ま
たは非置換低級アリール基、トリ(低級)アルキ
ル−またはジ(低級)アルキルシリル基またはジ
(低級)アルキルアミノ基であり;そして nは1より大きい整数であり; 上記反復単位は直鎖状構造又は前記式()の
Si2N2橋とともに環状構造を形成できる〕 を有するSi2N2橋によつてお互いに結合している
複数の構造単位を含む有機シラザン重合体を提供
する。 これらの重合体は新規なはしご様または平面配
列構造を形成し、これらは普通の有機溶媒に可溶
性であり、室温で安定であつて、しかも約550℃
まで熱的に安定である。本発明のはしご様または
平面配列重合体は、珪素に隣接するNH官能基を
脱プロトン化することのできる塩基性触媒の存在
における、環状および/または直鎖状の残基の反
応によつて高収率で形成される。このような重合
体を熱分解すると、窒化珪素−炭化珪素物質を高
収率で生成させることができる。 これらの重合体は、窒化珪素または窒化珪素−
炭化珪素の種々の造形品(繊維、フイラメント、
フレーク、粉末、フイルム、被膜、およびこれに
類するもの、ならびに、マツト、織布、スラブ、
スリーブ、構造用複合材料、などのような他の製
品、を含む)を製造するのに有用である。このよ
うな造形品は、その化学組成のために、また、高
温まで耐酸化性である材料となる。この材料の良
好な物性とすばらしい機械的強度のため、これら
は繊維、フイラメントおよびフレークの形で、プ
ラスチツク、ガラス、セラミツク材料および金属
の強化剤としてたいへん適している。類似の被膜
は高温での腐蝕および酸化に対して保護されるべ
き装置の部品の内張りに適しており、一方このよ
うなセラミツク材料のフオームは、耐熱性および
耐蝕性絶縁材料およびフイルター材料または触媒
担体として非常に有利に使用することができる。
これらの混合物の管、るつぼ、れんがまたはこれ
に類するものは、その良好な耐薬品性のために高
温材料として使用するのに適している。 本発明の重合体は、SiO2,SiC,Si3N4,B2
O3,B4C,BN,Al2O3,Al4C3,AlN,TiO2
TiC,TiN,ZrO2,ZrC、等のようなセラミツク
粉末用の結合剤として、そしてSiC,SiO2,Si3
N4,BN、グラフアイト、Al2O3,B4C、などの
ようなセラミツク繊維または上記のリストからの
粉末および繊維の種々の混合物、用の母材として
特に有用である。 こうして、本発明の重合体は、下記の基本構
造; によつて表すことができる。式中、R1は、上に
定義した通りの置換基であり、xおよびyは各々
別個に0または正の整数であり、そしてmは1よ
り大きい整数であつて、xおよびyはその重合体
中の各先駆体残基について同一であるかまたは異
なつていてよい。さらに、式のSi2N2橋は、こ
のような直線状のはしご様重合体を下に示したよ
うな(構造)結合したはしごの平面配列に結び
つけることができる。 式中、xおよびmは上に定義した通りであり、
y′およびm′はyおよびmについて上に定義したの
と同じ意味を有する。 すべての塩基性基が、例えば沃化メチルで反応
停止(quench)させられいるときは、これらの
重合体の構造成分は(R1SiHNH)a(R1
SiHNR2bおよび(R1 2SiN2cと表わすことができ
る。ここでa,bおよびcは各型の構造単位のモ
ル分率である(a+b+c=1でa=b=cのと
きはなく、かつc≠0)、この各特定重合体調製
品の構造は、プロトンNMR分光法(有機基の水
素原子のシグナル、N−CH3,Si−hおよびN−
Hプロトンシグナルの積分)および/またはC,
H,NおよびSiに対する燃焼分析によつて得ら
れ、これはその重合体の官能構造を明らかにする
のに役立つ。求電子性反応停止(quenching)試
薬で処理する前には、溶液中に存在する重合体種
は(R1SiHNH)a,(R1SiHNR2b,(R1 2Si2N2c
(KH−触媒を用いる反応の場合にはM=Kであ
り;さらに一般的には、Mは使用する塩基性触媒
によつて、アルカリ金属または1/2当量のアルカ
リ土類金属、などである)であろう。 本発明の実施に有用なR1SiHCl2アンモノリシ
ス生成物(R1,xおよびyが上に定義した通り
である式Vの環状先駆体、およびzが1より大き
い整数である式のおそらく直鎖状先駆体)は、 溶液中で無水アンモニアを式(ここでR1
上に定義した通りであり、Xはハロゲン原子また
は他の電気的に陰性の原子または基であつてこの
原子または基は無水アンモニアまたはアミドイオ
ンとの反応によりNH2で置き換えることができ
る)、 の珪素化合物と反応させることによつて製造する
ことができる。好ましくは、Xは塩素または臭素
である。 適当なR1基としては、水素、メチル基、エチ
ル基、n−プロピル基、イソプロピル基などのよ
うな炭素原子1ないし約6個を有する直鎖および
分枝鎖状低級アルキル基;ビニル基、アリル基、
ベンジル基、メトキシ基、エトキシ基、n−プロ
ポキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基な
どのような低級アルコキシ基;ジメチル−、ジエ
チル−、メチルエチル、ジイソプロピル−アミノ
基などのようなジ(低級)アルキルアミノ基;ト
リメチル−、ジメチル−、トリエチル−シリル基
などのようなトリ−およびジ−(低級)アルキル
−シリル基;フエニル基、トリル基、キシリル基
などのような炭素原子6ないし約10個を含有する
低級アリール基およびN,N−ジメチルアミノフ
エニル基、トリメチルシリルフエニル基などのよ
うに置換された上記の基;がある。低級アルキル
またはアリール基がR1基上の置換基として使用
されるときは、これらは上のリストから選択され
る。このようなCH3SiHCl2および他のR1SiHCl2
のアンモノリシス反応は、エス・デイー・ブルワ
ー(S.D.Brewer)およびシー・ピー・ヘイバー
(P.Haber),AmerSoc.1948,70,3888
−91;ケイ・エイ・アンドリアノフ(K.A.
Amdrianov)外,DoklAkadNauk SSSR
1967,176,85;および英国特許第881178号に記
載されており、これらの報告内容は参照により本
明細書に含まれる。式の反復単位を有する。環
状種およびおそらくはいくつかの直鎖状の種
(各々および)の混合物が得られる。一般に、
先駆体残基はnが約3から約12までである種
〔R1SiHNH〕o、から成つている。 このアンモノリシス生成物混合物は脱プロトン
化触媒を用いた溶液中での反応により重合され、
本発明のはしご様重合体または平面配列重合体が
得られる。典型的には、重合体あたりの先駆体残
基の数は、3から約10までの範囲である。実際に
は、重合体中の平均先駆体残基数は7から9まで
の範囲にあつた。 NH官能基を脱プロトン化することのできる塩
基はどれでも触媒として使用することができる。
適当な塩基性触媒剤には、水素化カリウム、水素
化ナトリウムなどのようなアルカリおよびアルカ
リ土類金属水素化物;KB(Sec−C4H93H,LiB
(C2H53H,LiAl(OC4H93Hなどのような複合
金属水素化物;カリウム、ナトリウムまたはリチ
ウムアルコキシドのようなアルカリ金属アルコキ
シド;無水アルカリ金属アルコキシド;〔(CH33
Si〕2NM(ここでMはアルカリ金属または1/2当量
のカルシウム、バリウム、ストロンチウムなどの
ようなアルカリ土類金属である)のようなアルカ
リ金属シリルアミド;アルカリ金属(単独または
ナスタレンのような電子親和性の高い多核芳香族
炭化水素と組み合わせて)またはこれに類するも
の;がある。 この反応は触媒反応であるので、少量の塩基性
触媒(〔R1SiHNH〕反復単位を基準にして0.1−
10モルパーセント)が必要とされるだけである。
このように少量を使用するとき、一般に最終的な
セラミツク収率は比較的高い。しかしながら、こ
れより少量の塩基性触媒を使用することができ
(実施例13を参照)、事実、さらに多い量を使用す
ると、次の、適当な求電子試薬との反応により重
合体の変性を行なうのに有用であり得る。 脱プロトン化/重合工程に使用することができ
る溶媒には、ジアルキルエーテル(特にジエチル
エーテル)、テトラヒドロフラン(THF)、テト
ラヒドロピラン、1,4−ジオキサン、およびこ
れに類するもののような環状エーテル、およびグ
リコールエーテル、のようなエーテル類;ペンタ
ン、ヘキサンおよびこれに類するもののような脂
肪族炭化水素;およびベンゼン、トルエン、キシ
レンおよびこれに類するもののような芳香族炭化
水素;が含まれる。 脱プロトン/重合工程は、一般に周囲温度で実
施されるが、さらに高い温度(25℃ないし200°)、
例えばテトラヒドロフラン溶液中還流温度(66
℃)、またはさらに低い温度(例えばテトラヒド
ロフラン溶液中0℃)で実施することができる。 実際にはこの反応の完了時の重合反応混合物
を、塩基性触媒種(重合体構造中に存在している
ものを含む)を分解するために、シリルアミド官
能基と反応することができる求電子化合物で処理
するのが好ましい。こうした求電子化合物には、
有機ハロゲン化物(例えば沃化メチルおよびエチ
ルのような低級アルキルハロゲン化物;ハロゲン
化アリルおよびベンジル、ハロゲン化アシルおよ
びイミドイル)、無水プロトン酸および有機酸、
アルコール、およびトリ−およびジ−有機クロル
シラン〔(CH33SiCl,(CH32HSiCl,(C2H53
SiCl,C6H5(CH32SiCl、およびこれに類するも
ののようなもの〕がある。また、溶液中の架橋重
合体種を目的とするときは多官能価求電子物質を
使用することができる。この中には、有機ジハロ
シラン(例えばCH3SiHCl2および(CH32
SiCl2)、トリハロシラン(例えばHSiCl3,CH3
SiCl3)、テトラハロシラン(例えばSiCl4)、トリ
ハロゲン化ホウ素、ハロゲン化シアヌル、B−ト
リクロルボラジン、有機ジハロゲン化物(二塩基
酸の酸ハロゲン化物のようなもの)などがある。 式およびの重合体は、出発物質および反応
条件によつて、種々の形、例えば有機−可溶性粉
末、ろう様固体または粘稠なろう様物質(実施例
4−14の表を参照)、で得ることができる。 理論によつて縛られることは望まないけれど
も、塩基により触媒作用される重合反応には、先
駆体分子中に隣接するSi−Hおよび
【式】が少なくとも2単位存 在することが必要であると考えられる。強塩基を
用いたN−H官能基の脱プロトン化により1つの
アミド官能基と2水素(H2)が発生する: 次に2つのこのような単位が結合して4員の
Si2N2環が形成され、金属水素化物が再生され
る: この環形成反応の機構はまだ知られていない、
この反応は有機金属経路によるかまたはSi=N
−中間体を経て進行するであろう。しかしなが
ら、環形成過程でアルカリ金属水素化物が発生す
るので、重合を開始させるために触媒量の塩基だ
けが必要とされる。アルカリ金属水素化物は強塩
基であり、このため重合を続けさせるであろう。
それ故に、重合を開始させるためにこの系にどん
な塩基性触媒を加えても、重合の進行につれて有
効な触媒はまもなく金属水素化物になるであろ
う。従つて追加の先駆体がはしご様の鎖に加えら
れる。 R1SiHCl2アンモノリシス生成物がすべて消費
されたとき塩基性部位(すなわちシリルアミド部
位)がまだ残つており、「リビングポリマー」、す
なわち先駆体とさらに反応しうる重合体が得られ
ることに注目すべきである。また、これらの反応
性部位が、例えばCH3Iとの反応によつて不活性
化されたとき、まだ【式】単位を含んで いる重合体が残留していることも注目されるべき
である。これらの単位は比較的高温で熱的にひき
起こされる架橋工程のための手段を与え、さらに
高いセラミツク収率を達成するのに役立つ。 本発明は下記の実施例によつてさらに具体的に
説明されるであろう。 環状先駆体の製造 A メチルジクロルシランのアンモノリシス 1 ジエチルエーテル中 1リツトルの三ツ首フラスコに頭上機械かくは
ん機、水銀噴出装置に導く冷(−78℃)凝縮器お
よび蓋をとりつけ、これを強い窒素流下で火炎で
乾燥させた(以下「標準反応装置」という)。ジ
エチルエーテル(350ml、ナトリウムベンゾフエ
ノンから蒸留したもの)およびCH3SiHCl2(金属
マグネシウムから蒸留)32.1g(0.279モル)をこ
のフラスコに加え、0℃に冷却した。過剰の気体
状アンモニア〔マテソン(Matheson)、KOHペ
レツトのカラムを通すことによつて乾燥させた〕
を、かくはんしながら、シリンジの針を通して
2.0ml気体/秒の速度で4時間この溶液に加えた。
全体で1.18モルのNH3を加えた。 この反応混合物を室温まであたためて、反応混
合物をさらに4時間かくはんしたが、その際変化
しなかつたアンモニアが逃げられるように冷凝縮
器を空気凝縮器で置き変えた。反応混合物の濾過
(ドライボツクス中)(350mlの中度−ガラスロー
ト)により、沈澱した塩化アンモニウムを除去し
た。この後者を75mlづつのエーテル4部で洗浄し
た。合わせた濾液をコールドラツプ内へトラツプ
−トウ−トラツプ(trap−to−trap)蒸留し(室
温/0.03mmHg)、ジエチルエーテルを除去した。
残留物である(CH3SiHNH)xは、透明な流動性
の液体であつた(11.63g,70%収率)。 分析 CH5NSiとしての計算値:C,20.31; H,8.52;N,23.68 実測値:C,20.27;H,8.42; N,23.641 H NMR(270MHz,CDCl3):δ0.17(巾広,〜
3H,SiCH3),4.37(巾広,〜0.13H,SiH),4.63
(巾広,〜0.70H,SiH),4.81(巾広,〜0.17H,
SiH),0.17−1.1(巾広,〜1H,NH)。 IR(薄膜,cm-1);3380(m),2960(m),2900
(w),2120(s,νSiH),1405(w),1253(s,S
i
−CH3),1175(br,s),792(sh),765(sh),723
(sh),608(w)。 他の同様の反応では85%までの収率の(CH3
SiHNH)xが得られた。いくつかの製造例の分子
量測定値(ベンゼン中の凝固点降下法)は、280
−320g/モル(=4.7−5.4)の範囲であつた。
種々のカラム温度を用いた液体生成物のガスクロ
マトグラフイー(GC)分析は成功しなかつた。
短絡蒸留(80℃,10-4mmHg)を行なつて、はつ
きりした沸点をもたない透明な液体分画を25重量
%収率で、そして不揮発性の液体残留物を75重量
%収率で得た。すべての分画は非常によく似た1
HNMRおよびIRスペクトルを有していた。これ
らの生成物は、室温で全く安定であるように思わ
れた。 2 ベンゼン中 前記1の方法を用いて、乾燥ベンゼン500ml中
のCH3SiHCl233.15g(0.278モル)を0℃で、過剰
の気体状アンモニアで処理した。1のように処理
を続けると、透明でやや粘稠な液体の(CH3
SiHNH)x,13.4g(78%収率)が残つた。 分析 CH5NSiとしての 計算値:C,20.31;H,8.52;N,
23.68 実測値:C,20.51;H,8.26;N,
23.481 H NMR(270MHz,CDCl3/CHCl3):δ0.17(巾
広,〜3H,SiCH3),0.7−1.1(巾広,〜1H,N
−H),4.37(巾広,〜0.26H,SiH),4.63(巾広,
〜0.44H,SiH),4.81(巾広,δ0.3H,SiH)。 B エチルジクロルシランのアンモノリシス ジエチルエーテル250ml中のC2H5SiHCl215.8g
(0.123モル)および過剰の気体状アンモニアの0
℃での反応に、事実上同じ方法を用いた。上記の
ように処理して、透明な流動性の油、(C2H5
SiHNH)xを8.1g(90%)得た。 分析 C2H7NSiとしての 計算値:C,32.83;H,9.64;N,
19.14% 実測値:C,32.86;H,9.60;N,
19.02% 分子量:301(=4.1)(ベンゼン中の強固低降下
法)。1 H NMR(270MHz,CDCl3/CHCl3:0.6(巾広
m,〜2H,SiCH2),9.0(巾広 m,〜3H,
CH3),0.5−1.0(巾広,〜1H,NH),4.55(巾広
s,0.55H,SiH),4.73(s,0.45H,SiH), IR(薄膜,cm-1);3380(m),2950(s),2930
(sh),2870(m),2121(s,ν(SiH)),1460
(w),1455(w),1410(w),1230(w),1205−
1125(br,s),1010(m),965(s),930(vs),
900−790(br,s)。 この生成物のガスクロマトグラフイー(GC)
分析は、ほぼ等量の2つの揮発性化合物が存在す
ることを示した。この2つのうちの低沸点のもの
を集めて再注入したとき、同様の1:1混合物が
観察され、GC中に分解が起こつていることが示
された。 C イソプロピルジクロルシランのアンモノリシ
ス 0℃での、ジエチルエーテル25ml中の(CH32
CHSiHCl2 14.3g(0.10モル)および過剰の気体
状アンモニアの反応に事実上同じ方法を使用し
た。上記のように処理すると、透明な流動性の
油、〔(CH32CHSiHNH〕x,が8.24g(95%)得ら
れた。 分析 C3H9NSiとしての 計算値:C,41.32;H,10.40;N,
16.06% 実測値:C,41.01;H,10.34;N,
16.01%1 H NMR(250MHz,CDCl3/CHCl3):0.4−0.7
(br,〜1H,NH),0.68−0.79(m,1H,
SiCH),0.93−0.98(m,6H,CH3C),4.37−
4.42(m,0.43H,SiH),4.58(s,0.57,SiH), IR(薄膜,cm-1);3400(m),2950(s),2900
(m),2875(m),2875(s),2120(s),1462
(m),1385(w),1365(w),1240(m),1200−
1110(br,s),1070(m),1000(s),940(s)

820(s),740(w),710(sh)。 粗製の反応混合物(11.123gのアリコート)を、
0.05mmHgで短絡蒸留した。揮発性の生成物を40
−120℃から蒸留して、留出物である透明なやや
粘稠な油を9.583g(86%)得た。この留出物をGC
分析(2′,15%SE−30,150−300℃,10°/分)
すると、環状の三量体(65%)および四量体(19
%)と認定される2つの成分があることが示され
た。 〔(CH32CHSiHNH〕3,n20D 2.4763, 分析 C9H27N3Si3としての 計算値:C,41.32;H,10.40;N,
16.06% 実測値:C,41.22;H,10.29;N,
15.98% 質量スペクトル:m/z=261でM+1 H NMR(250MHz,CDCl3/CHCl3):δ0.4−0.7
(br,〜1H,NH),0.68−0.79(m,1H,Me2
CH),0.93−0.98(m,6H,CH3C),4.58(s,
1H,SiH),〔(CH32CHSiHNH〕4,n20D1.4770、 分析 C12H36N4Si4としての 計算値:C,41.32;H,10.40;N,
16.06% 実測値:C,41.06;H,10.28;N,
15.73% 質量スペクトル:m/z=347でM+−H、1 H NMR(250MHz,CDCl3/CHCl3):δ0.4−0.7
(br,〜1H,NH),0.68−0.79(m,1H,Me2
CH),0.93−0.98(m,6H,CH3C),4.37−4.42
(m,1H,SiH)。 D フエニルジクロルシランのアンモノリシス 0℃での、ジエチルエーテル250mm中の、C6H5
SiHCl2 13.3g(75.3ミリモル)および過剰の気体
状アンモニアの反応に、同じ方法を使用した。上
記のように処理して、非常に粘稠な油、(C6H5
SiHNH)x,を8.55g(94%)得た。 分析 C6H7NSiとしての 計算値:C,59.45;H,5.82;N,
11.56% 実測値:C,59.13;H,5.92;N,
11.97% 分子量:435(=3.6)(ベンゼン中での凝固点降
下法)。1 H NMR(CDCl3,TMS):δ0.2−1.5(巾広,
1H,NH)4.6−5.3(巾広,5.31で鋭いシグナルを
有している、1H,Si−H),7.0−7.8(m,5H,6
H5)IR(薄膜,cm-1);3360(s),3070(s),
3050(s),3010(m),2130(vs),1965(w),19
65
(w),1890(w),1825(w),1655(w),1590
(m),1590(m),1570(w),1540(w),1485
(w),1430(vs),1380(w),1305(w),1265
(w),1220−1130(広巾,vs),1110(vs),1065
(m),1025(m),1000(m),980−900(広巾,
vs),900−790(広巾,vs),735(s),700(s)。 重合反応のための一般法 ガラス栓、空気を通さないゴム栓、気付送込管
が頂にある還流冷却器および磁気かくはん棒をと
りつけた、100mlの三ツ口フラスコにドライボツ
クス中で予め測定した量の触媒を装入した。この
フラスコをドライボツクスからとり出して、窒素
管路および油噴出装置に連接した。予め測定した
溶媒(60ml)をこのフラスコにカニユーレで注入
した。かくはんを開始した後、窒素を満たしたシ
リンジを用いて、約5分の間に(CH3SiHNH)x
(製造剤A.1に従つて製造した)をゆつくり加え
た。すべての場合に、反応混合物を、それ以上の
気体(H2)の発生が観察されなくなるまで
(THF中のKH触媒を用いると、ほぼ15分)室温
でかくはんした後さらに15−30分かくはんした。
一般に、非極性溶媒中では反応ははるかに遅く、
このため必要とされるかくはん時間はさらに長か
つた。ナトリウムアミド,NaNH2、はさらには
るかにゆつくり反応するので、室温で15分かくは
んした後、反応混合物を30分間還流温度に加熱し
た。(その他の特定条件は第1表に書き入れてあ
る)。 続いてこの反応混合物をCH3で処理し(すべ
ての陰イオン性、塩基性中心を「不活性化する」
ために)、溶媒を減圧でのトラツプ−トウ−トラ
ツプ(trap−to−trap)蒸留によつて除去した。
残留物を30mlのヘキサンで抽出し、残留する白色
固体(アルカリ金属沃素化物)を遠心分離によつ
て除去した。残留物を30mlのヘキサンで抽出し、
残留する白色固体(アルカリ金属沃素化物)を遠
心分離によつて除去した。透明な上澄み層を、火
炎で乾燥させた50mlの丸底フラスコ内にカニユー
レで注入し、ヘキサンを減圧で除去すると、生成
物の重合体が残つた。 生成された重合体はすべて、その1H NMR
スペクトルにおいてδ0.0−0.5(SiCH3),0.6−1.4
(NH),2.4−2.6〔NCH3−CH3反応停止
(quench)から〕および4.6−5.0(SiH)の領域
に、少なくとも4つの巾広共鳴を示した。上で論
議した重合機構を仮定すれば、反応度は(反応
性)SiHに対する(非反応性)SiCH3の比によ
り、次の式: %反応=(1−(SiH)/(SiCH3)/3)×100 によつて決定することができる。ここで(SiH)
=Si−H共鳴の面積そして(SiCH3)=Si−CH3
共鳴の面積である。セラミツクの収量は、窒素流
下の熱重量分析(TGA)により、白金ボート中
の試料を5℃/分で室温から970℃まで加熱する
ことによつて決定された。すべての場合に、黒い
セラミツク体が生成された。ほとんどの場合に、
減量は550℃付近で始まり900℃付近で完了した。
(CH3SiHNH)xから誘導された重合体を用いた
TGA/GC試験により、放出された揮発性物質は
H2およびCH4であることが示された。 実施例1: KHで触媒作用された(CH3SiHNH)xの重合 500mlの三ツ口フラスコに、ガラス栓、空気を
通さないゴム栓、気体送込管および磁気かくはん
棒をとりつけ、ドライボツマス中で、水素化カリ
ウム、KH,0.40g(10.0ミリモル,CH3SiHNHを
基準にして3.9モル%)を装入した。このフラス
コをドライボツクスからとり出し、窒素管路およ
び油噴出装置に連接した。テトラヒドロフラン
(300ml)をこのフラスコ内にカニユーレで注入
し、混合物をかくはんしてKHを分散させた。次
に窒素を満たしたシリンジを用いて、かくはんし
たKHスラリーに15分かけて、15.271g(0.258モ
ル)の(CH3SiHNH)x(〜4.9)(製造例A.1に
従つて製造した)をゆつくり加えた。この添加の
間に大量の気体が発生したが、発熱は見られなか
つた。室温で90分かくはんした後、気体の発生が
止まり、透明で均質な溶媒が残つた。沃化メチル
(2.28g,16.1ミリモル)を加えると、ただちにKI
の白色沈澱が生じた。この反応混合物を、さらに
30分間かくはんした。次に大部分のTHF溶媒を
減圧で除去し、残留する白色スラリーに80mlのヘ
キサンを加えた。この混合物を遠心分離し、上澄
み液を白色固体から分離した。この溶液をトラツ
プ−トウ−トラツプ(trap−to−trap)蒸留する
と、15.1g(99重量%)の白色粉末が残つた。この
粉末は、ヘキサン、ベンゼン、THFおよびその
他の有機溶媒に可溶性であつた。ベンゼン中の凝
固点降下法によるその分子量は、1180であつた。
その構造(プロトンNMRおよび分析による)
は、(CH3SiHNH)0.39(CH3SiHNCH30.04
(CH3SiN)0.57であつた。 分析 C1.04H3.94NSiとしての 計算値:C,21.22;H,6.72;N,
23.98;Si,48.08% 実測値:C,21.71;H,6.87;N,
23.50;Si,47.26%1 H NMR(90MHz,CDCl3/CHCl3):δ0.0−0.5
(巾広,3H,SiCH3),0.6−1.4(巾広,0.43H,
NH),2.4−2.6(巾広,0.08H,NCH3),4.6−5.0
(巾広,0.43H,SiH), IR(KBrペレツト、cm-1);3390(巾広,m),
2950(m),2900(sh),2810(sh),2110(巾広,
s),1260(s),1200−1091(巾広,m),1070−
800(巾広,vs),740(sh)。 実施例2: KHを触媒とする(CH3SiHNH)xの重合: 2部に分けた触媒の添加 2つの標準三ツ口フラスコの各々に、0.04g
(1.0ミリモル)のKHを装入し、第一のフラスコ
には60mlのTHFを装入した。(CH3SiHNH)x
1.784g(30.2ミリモル)(A.1によつて製造した)
を、第一フラスコに加えて、反応を45分間進行さ
せた(この時点で透明な溶液が存在し、気体の発
生が止まつた)。次にこの溶液を、カニユーレで
KHをより多く含有している第二のフラスコに注
入した。非常にわずかな反応(気体の発生によ
る)が観察されただけであつたが、KHは結局消
失した。CH3を添加した後、標準的な処理を行
なうと、凝固点降下法による分子量が1240である
白色粉末が得られた。1 H NMRによればこのものは、組成 (CH3SiHNH)0.38(CH3SiHNCH30.04(CH3
SiN)0.58を有していた。TGAは81%収率の黒色
セラミツク体を生成した。 実施例3: KH−触媒を用いる(CH3SiHNH)xの重合: 2部に分けた(CH3SiHNH)xの添加 標準反応装置に、KH0.04g(1.0ミリモル)およ
びTHF60mlを装入した。第一の(CH3SiHNH)x
(0.728g,12.3ミリモル)(A.1によつて製造した)
を加えて、気体の発生が止み、透明な溶液が得ら
れるまで、45分間KHと反応させた。次に15.5ミ
リモル(0.915g)の(CH3SiHNH)x(A.1によつ
て製造した)を加えると非常に活発な反応が起こ
り、触媒種がまだ存在していることを示した。室
温で30分かくはんした後、CH3を加えた。標準
処理を行なうと、凝固点降下法による分子量1490
の白色固体が1.739g(100%)残留した。プロトン
NMRは構造 (CH3SiHNH)0.45(CH3SiHNCH30.03(CH3
SiN)0.52を示した。TGAによれば82%のセラミ
ツク収率が得られた。 実施例 4−14 指示された触媒(かつこ内にモル%で示した
量)および指示された溶媒を覗き、実施例1に概
略を述べたものと同じ一般法を用いて、下表に示
したようなさらに別のプレセラミツク重合体なら
びにそれから熱分解されたセラミツク材料を生成
させた。 【表】 実施例 15 標準的な100mlの反応装置に、THF69mlおよび
KH0.04g(1.0ミリモル、4.3%)を装入した。次
いで、シリンジで、(C2H5SiHNH)x(粗製の反
応混合物、1.705g、23.3ミリモル(製造例Bによ
る)を加えた。激しい反応(おびただしい気体の
発生)が始まつた。この混合物を室温で45分間か
くはんしてから、窒素下で1時間加熱して還流さ
せた。次に沃化メチル(0.46g、3.2ミリモル)を
加えて、混合物を室温で30分間かくはんした。減
圧でTHFを除去した後、ヘキサンを加え、遠心
分離によりKIを沈降させた。有機層を分離し、
減圧で蒸発させると、構造 (C2H5SiHNH)0.39(C2H5SiHNCH30.02(C2H5
SiN)0.59で、凝固点降下法による分子量950の白
色のろう様固体が1.699g残留した。 分析 C5.02H5.86N1.0Si1.0としての 計算値:C,33.58;H,8.17;N,
19.38 実測値:C,33.51;H,8.38;N,
18.131 H NMR(90MHz,CDCl3/CHCl3):δ0.2−1.1
(巾広,m,〜5H,SiCH2CH3+NH,2.3−2.7
(巾広,0.12H,NCH3),4.6−4.9(巾広,0.41H,
SiH)、 IR(KBrペレツト、cm-1);3390(m),2950(s),
2910(sh),2875(s),2120(s),1455(m),14
10
(w),1230(s),1215−1075(巾広,s),1060−
750(巾広,vs),735−580(巾広,s)、 TGA(5°/分で25°→1000℃)によつて、重合体は
24%収率で黒色セラミツク固体に変わつた。 実施例 16 〔(CH32CHSiHNH〕xの重合 THF60ml中での、〔(CH32CHSiHNH〕x(製
造例Cからの粗製反応混合物)2.037g(23.4ミリ
モル)の、KH0.04g(1.0ミリモル、4.3%)との
反応に同じ方法を用いた。この反応は室温では遠
いので、反応混合物を24時間加熱して還流させた
(窒素下)。上記の実施例15のように処理すると、
2.004g(100%)の非常に粘稠なろう様生成物が残
留した。 〔(CH32CHSiHNH〕0.37〔(CH32
CHSiHNCH30.04〔(CH32CHSiN〕0.59、凝固点
降下法による分子量680。 分析 C3.04H7.90NSiとしての 計算値:C,42.18;H,9.20;N,
16.18% 実測値:C,42.34;H,9.34;N,
15.16%1 H NMR(90MHz,CDCl3/CHCl3):0.8−1.2
(巾広,〜7.4H,(CH32CH+NH)2.4−2.7(巾
広,0.12H,NCH3),4.1−4.9(巾広,0.41H,
SiH)。 IR(KBrペレツト、cm-1);3400(m),2940(巾
広,s),2860(s),2100(s),1460(s),1380
(m),1362(w),1240(m),1200−1080(巾広,
vs),1050−790(巾広,vs),660(m)。 TGA(5°/分で25°→1000℃)によれば、黒色セラ
ミツク固体が、18%収率で生成された。 実施例17:〔(C6H5SiHNH〕xの重合 THF69ml中での〔C6H5SiHNH〕x(製造例D
による)1.884g(15.5ミリモル)の、KH0.04g(1.0
ミリモル、6.5%)との反応に、同じ方法を使用
した。室温で2時間反応させた後、0.2mlのCH3
を加えて上記のように処理した。白色粉末
(2.006g,100%)が得られた; (C6H5SiHNH)0.32(C6H5SiHNCH30.06(C6H5
SiN)0.62,凝固点降下法による分子量740。 分析 C6.06H5.88NSiとしての 計算値:C,60.25;H,4.91;N,
11.59% 実測値:C,59.66;H,5.62;N,
12.25%1 H NMR(CDCl3,TMS):δ1.3−2.4(巾広,
0.4H,H,NHおよびNCH3),4.8−5.6(巾広,
0.38H,SiH),6.8−8.3(巾広,5H,C6H5)、 IR(KBrペレツト、cm-1);3370(m),3090(sh),
3070(m),3050(m),3005(m),2130(s),19
60
(w),1895(w),1820(w),1660(w),1590
(m),1507(w),1540(w)1490(m),1430(s
),
1310(w),1270(m),1220−1110(巾広,vs),
1120(vs),1070(m),1035(m),1010−900(巾
広,vs),890−780(巾広,vs),740(s),705
(s)、 TGA(10°/分で25→1000℃)では、重合体は、
65%収率で黒色セラミツク固体に変わつた。 実施例18: (CH3SiHNH)xの分別およびKHを触媒とし
て用いる揮発性および不揮発性画分の重合 標準的なCH3SiHCl2+NH3反応混合物(製造
A.1による)の12.083gのアリコートを、80−100
℃/10-3mmHgでの蒸留によつてその揮発性成分
と不揮発性成分とに分離した。これにより、1
NMRおよびIRで(CH3SiHNH)x(MW=225,
X=3.8)であると認められた留出物5.757g(48
%)と、1H NMRおよびIRで(CH3SiHNH)x
(MW=490,=8.3)と認められた不揮発性重
合体6.294g(52%)が生成された。上に概略を示
した標準法を用いて、この2つの画分を別々に、
室温でTHF中の〜3.5%KHを使つて重合させた。
両方の反応ともに、定量的収率で白色粉末が生成
された。揮発性画分から誘導された重合体は、1
NMRにより構造(CH3SiHNH)0.37(CH3
SiHNCH30.03(CH3SiN)0.60と指定され、分子
量840を有し、TGAにより80%収率の黒色セラミ
ツクを生成した。不揮発性画分から誘導された重
合体は、1H NMRによつて構造 (CH3SiHNH)0.41(CH3SiHNCH30.02(CH3
SiN)0.57と指定され、分子量1800を有し、TGA
により81%収率で黒色セラミツクを生成した。 本発明のポリメチルシラザンは、不活性雰囲気
下で加熱すると粘稠な溶融体相のみを与え、流動
性の重合体溶融体は得られない。この挙動は、こ
の重合体が室温でどんな形にでも造形されること
ができ、次に簡単に熱分解されその間にこの重合
体が所望の形を保持している間に均一に焼結(稠
密化)すると考えられるため、造形されたセラミ
ツク製品の製造に望ましいものである。酸化によ
る「硬化」段階は必要でなく、稠密化は大気圧で
起こつて適当に密な、空間率の低いセラミツク製
品が生成される。 実施例19: 窒素下、1420℃でのポリメチルシラザンの熱分
解 この実験には、リンデ(Linde)管炉(54233
型、1500℃まで)およびリンデ(Linde)制御器
(59545型、500−1500℃)を使用した。パイレツ
クス ジヨイントに融着させたムライト炉管を、
炭素試料ボートを入れるのに使用した。この試料
のとなりに内部熱電対(Pt/Pt,10%Rh)を置
き、ゆるやかな(〜60ml/分)窒素流下で熱分解
を実施した。重合体(大規模な(CH3SiHNH)x
のKH−解媒による反応からの試料;実施例1)
を、ドライボツクス内のボートに移してから、密
封容器に移し、すばやく炉管に移して窒素で15分
間フラツシユした。次にこの試料を急速に加熱し
て500℃とし、次に8時間かけてゆつくり加熱し
て1420℃とした。このものを、2時間この温度に
保ち、続いて一夜かけてゆつくり室温まで冷却し
た。このセラミツク生成物は、色は黒くて多くの
泡を有する単一物体であつた。粉末X−線回析
(Niフイルターを用いたCuKα)は、α−Si3N4
対する極く小さい巾広のピークのみを示した。
SEM分析は、認識できる微小構造をたない非晶
構造を示した。このセラミツクの全体としての外
観は、熱分解が明らかに、重合体が溶融した後に
起こつたことを示していた。:すなわち、液体の
泡が破裂した大きな孔やクレータがたくさんあつ
た。 熱分解は最高温度1420℃までで実施した。なぜ
ならば1450℃より上ではSi3N4のCとの反応が熱
力学的に有利になるからである。 熱分解を、最高温度1500℃でアルゴン下で実施
すると、淡緑色のセラミツク体が得られた。この
ものの粉末X−線回析図形は、β−SiCと、少量
のα−Si3N4とが結晶性生成物として存在してい
ることを示した。 揮発性の熱分解生成物は、TGA/GCにより、
H2とCH4とであることが決定され、そのため、
セラミツク生成物の生成は方程式: 2(CH3SiHNH)(CH3SiN)→Si3N4+SiC+C
+2CH4+4H2 (1) (セラミツク収率=83%) によつて与えることができる。このようなセラミ
ツク生成物を分析すると:12.87%C,26.07%
N,59.52%Si,1.54%O(差による)、であつた。
この分析は、上記の熱分解方程式および、方程式
1の4Siを基準にしたセラミツク構造、0.88Si3N4
+1.27SiC+0.75C+0.09SiO2と矛盾しない。 実施例20:セラミツク繊維の製造 窒素を満たしたドライボツクス内で、ろう様繊
維固体が生ずるように数グラムのポリメチルシラ
ザン(実施例5に従つて製造)に数滴のトルエン
を添加した。重合体/トルエンを含有する小ビン
に栓をして、ドライボツクスから取り出した。ほ
ぼ1−2フイートの長さの繊維を、浸漬させたガ
ラスロツドで引いてろうのような固体として、す
ぐに石英管炉内に置き、N2でフラツシユした。
次に重合体繊維を、10°/分で1000℃(45分間保
持した)までで熱分解することによつてセラミツ
ク繊維に変えた。これによつて、収縮するがそれ
以外にはその形を保持する柔軟な黒色セラミツク
繊維が生成された。 実施例21:セラミツク体の製造 ドライボツクス内で、1/2インチの円筒形ダイ
にメチルシラザン重合体(実施例5による)
1.00gを充填した。この重合体をカーバー
(Carver)成形機中で10000ポンド(50000psi)ま
で圧力をかけた。固体の白色ペレツトを取り出し
て、すばやく石英管炉に入れ、10°/分で500℃ま
で加熱した。温度を一夜(11時間)、500℃に保持
して、さらに稠密化してから、10°/分で1000℃
まで増加させた(2時間保持した)。こうして生
じたペレツト(0.80g)は均一に〜25%収縮し、
開放空間率12%をともなう密度2.09g/c.c.を有し
ていた。 実施例22:SiC粉末複合材料の製造 ドライボツクス内で、200mlの丸底フラスコ中
で、0.30gの微細SiC粉末および0.70gのメチルシ
ラザン重合体(実施例5による)を混合した。乾
燥ヘキサン(50ml)をこのフラスコ内にカニユー
レで注入し、粉末を超音波振動により分散させ
た。トラツプ−トウ−トラツプ(trap−to−
trap)蒸留によつて溶媒を除去し、得られる黒色
粉末を上記のようにダイ加圧し、熱分解した。黒
色の円筒が形成されたが、このものは予め熱分解
させた試料から16%収縮した。アルキメデス
(Archimedes)密度は、10.5%の開放空間率を伴
ない、1.74g/c.c.であつた。重合体を、使用する
SiC粉末の25重量%ほどの少量で使用して(例え
ば、0.20gのシラザン重合体および0.80SiC粉末)、
同様な物体を形成させることができた。 本発明を、その好ましい具体化に関連させて詳
しく記載した。しかしながら、当技術分野に習熟
した人々は、この発表を考慮して、本発明の精神
と範囲内で変形や改良を行なうことができること
は認められるであろう。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 構造単位:R1SiHNH,R1SiHNR2およびR1
    Si2N2よりなり、式: (R1SiHNH)a(R1SiHNR2b(R1 2Si2N2c 〔式中、a+b+=1であり、aとbは同時
    にゼロにならず、R1 2Si2N2は必ず存在するもの
    とし、R1は水素、炭素原子1ないし約6個を有
    する低級アルキル基、炭素原子1ないし約6個を
    有する低級アルコキシ基、置換または非置換ビニ
    ル基、置換または非置換アリル基、炭素原子6な
    いし約10個を有する置換または非置換低級アリー
    ル基、トリ(低級)アルキル−またはジ(低級)
    アルキルシリル基またはジ(低級)アルキルアミ
    ノ基であり、R2は水素、メチル基又はアルカリ
    金属もしくは1/2当量のアルカリ土類金属である〕 によつて表わされる有機シラザン重合体。 2 R1が、水素、メチル基、エチル基、n−プ
    ロピル基、イソプロピル基、ビニル基、アリル
    基、ベンジル基、フエニル基およびトリル基より
    成る群から選択される、特許請求の範囲第1項に
    記載の重合体。 3 R1がメチル基である、特許請求の範囲第1
    項に記載の重合体。 4 R2がメチル基である、特許請求の範囲第1
    項に記載の重合体。 5 R2がアルカリ金属又は1/2当量のアルカリ土
    類金属である特許請求の範囲第1項に記載の重合
    体。 6 R2がカリウム、ナトリウムまたはリチウム
    である、特許請求の範囲第1項に記載の重合体。 7 式: の反復単位を有し、式: 〔式中:R1は水素、1から約6個までの炭素
    原子を有する低級アルキル基、1から約6個まで
    の炭素原子を有する低級アルコキシ基、置換また
    は非置換のビニル基、置換または非置換アリル
    基、6から約10個までの炭素原子を有する置換ま
    たは非置換低級アリール基、トリ(低級)アルキ
    ル−またはジ(低級)アルキルシリル基またはジ
    (低級)アルキルアミノ基であり;そして nは1より大きい整数であり; 上記反復単位は直鎖状構造又は前記式()の
    Si2N2橋とともに環状構造を形成できる〕 を有するSi2N2橋によつてお互いに結合している
    複数の構造単位を含む特許請求の範囲第1項記載
    の有機シラザン重合体。 8 R1が、水素、メチル基、エチル基、n−プ
    ロピル基、イソプロピル基、ビニル基、アリル
    基、ベンジル基、フエニル基およびトリル基より
    成る群から選択される、特許請求の範囲第7項に
    記載の有機シラザン重合体。 9 nが3から約12までの範囲内にある、特許請
    求の範囲第7項に記載の有機シラザン重合体。 10 nが3から約10までの範囲内にある、特許
    請求の範囲第7項に記載の有機シラザン重合体。 11 nの平均が3から約5までである、特許請
    求の範囲第7項に記載の有機シラザン重合体。 12 nの平均が約7から約9までである、特許
    請求の範囲第7項に記載の有機シラザン重合体。 13 式:【式】の反復単位及び 式:【式】を有するSi2N2橋を含む 式: 〔式中:R1は水素、1から約6個までの炭素
    原子を有する低級アルキル基、1から約6個まで
    の炭素原子を有する低級アルコキシ基、置換また
    は非置換のビニル基、置換または非置換アリル
    基、6ないし約10個の炭素原子を有する置換また
    は非置換低級アリール基、トリ(低級)アルキル
    −またはジ(低級)アルキルシリル基またはジ
    (低級)アルキルアミノ基であり;そして xおよびyは各々別個に0または正の整数であ
    り、 mは1より大きい整数であり;そしてxおよび
    yは、重合体鎖中の直鎖状構造又はSi2N2橋とと
    もに形成する各環状構造について同一であるかま
    たは異なつていることができる〕 を有する特許請求の範囲第1項記載の有機シラザ
    ン重合体。 14 R1が、水素、メチル基、エチル基、プロ
    ピル基、イソプロピル基、ベンジル基、フエニル
    基およびトリル基より成る群から選択される、特
    許請求の範囲第13項に記載の重合体。 15 各環状構造についてxとyとの合計が3か
    ら約10までである、特許請求の範囲第13項に記
    載の重合体。 16 mが3から約12までの範囲内にある、特許
    請求の範囲第13項に記載の重合体。 17 mが約3から約5までの範囲内にある、特
    許請求の範囲第13項に記載の重合体。 18 mが約7から約9までの範囲内にある、特
    許請求の範囲第13項に記載の重合体。 19 R1がメチル基である、特許請求の範囲第
    13項に記載の重合体。 20 式: (式中、nは1より大きい整数である) で表わされる環状モノマーを反応させて得られ
    る、 式: 〔式中、R1はメチル〕 で表わされる反復単位が、直鎖状構造又は 式: 〔式中、R1はメチル〕 で表わされるSi2N2橋とともに環状構造を形成
    し、そして前記反復単位の数は直鎖状構造又は環
    状構造について同一であるか又は異なつているこ
    とができる特許請求の範囲第1項記載の有機シラ
    ザン重合体。 21 nが3から約10までである、特許請求の範
    囲第20項に記載の重合体。 22 環状構造の数が3ないし約12である、特許
    請求の範囲第20項に記載の重合体。
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