JPH0459990A - 電気Al―Ti合金めっき浴およびその浴によるめっき方法 - Google Patents
電気Al―Ti合金めっき浴およびその浴によるめっき方法Info
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、常温もしくは比較的低温でめっきできる電気
Al−Ti合金めっ!浴およびその浴によるめっ外方法
に関する (従来技術) Al−Ti合金は、耐食性、耐熱性に優れ、しかも、軽
量であるので、航空機部品のめっきなどに適している。
Al−Ti合金めっ!浴およびその浴によるめっ外方法
に関する (従来技術) Al−Ti合金は、耐食性、耐熱性に優れ、しかも、軽
量であるので、航空機部品のめっきなどに適している。
このAI Ti合金めっトは、Ti含有量が低い場合
溶融Al−Ti合金めっき浴を用いてめっきできるが、
Ti含有量が高いと、浴温を高くしても浴の粘性が高い
ため、良好な外観の製品が得られない8一方、Ti含有
量の高いAl−Ti合金をめっきできる方法として、L
iCl −K Cl系溶融塩浴にNasAlFi、Kz
TiFsなどのAlイオン源、Tiイオン源を添加した
電気めっき裕を用いる方法が研究報告されている。この
方法によれば、浴温450℃以上、電流密度1〜26^
/dm”で電解すれば、Ti含有量が25%までのAl
−Ti合金をめっきすることができるとされているが、
実際に工業的に実施しで安定したAl−Ti合金をめっ
きできるとの報告はなく、まだ研究段階に止どまってい
るようである。
溶融Al−Ti合金めっき浴を用いてめっきできるが、
Ti含有量が高いと、浴温を高くしても浴の粘性が高い
ため、良好な外観の製品が得られない8一方、Ti含有
量の高いAl−Ti合金をめっきできる方法として、L
iCl −K Cl系溶融塩浴にNasAlFi、Kz
TiFsなどのAlイオン源、Tiイオン源を添加した
電気めっき裕を用いる方法が研究報告されている。この
方法によれば、浴温450℃以上、電流密度1〜26^
/dm”で電解すれば、Ti含有量が25%までのAl
−Ti合金をめっきすることができるとされているが、
実際に工業的に実施しで安定したAl−Ti合金をめっ
きできるとの報告はなく、まだ研究段階に止どまってい
るようである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、上記研究報告の方法で工業的にAl−
Ti合金めっきが可能であるとしても、浴温を450℃
以上にしなければならな1.)ので、取り扱い操作が難
しく、被めつ部材に熱歪を生じさせる。
Ti合金めっきが可能であるとしても、浴温を450℃
以上にしなければならな1.)ので、取り扱い操作が難
しく、被めつ部材に熱歪を生じさせる。
また、めっき浴は、腐食性が強いので、しかも、高温に
しなければならないので、めつき槽や付帯部材の材質が
問題になる。
しなければならないので、めつき槽や付帯部材の材質が
問題になる。
本発明は、このようなことから、常温もしくは比較的低
温で電気めっき可能な電気Al−Ti合金めつき浴およ
びその浴によるめっき方法を提供するものである。
温で電気めっき可能な電気Al−Ti合金めつき浴およ
びその浴によるめっき方法を提供するものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、電気Al−Ti合金めつ!裕として次の
ようなめっき裕を開発した。
ようなめっき裕を開発した。
(1)下記(A)、(B)および(C)成分を含有する
電気^I Ti合金めっき浴。
電気^I Ti合金めっき浴。
(A)アルミニウムハロゲン化物 33〜67モル%
(B)チタンハロゲン化物またはフルオロチタン酸のア
ルカリ金属塩のうちの1種または2種 0.01〜83
モル% (C)アルキルピリジニウムノ10デン化物またはアル
キルイミダゾリウムハロゲン化物(但し、いずれの化合
物ともアルキル基の炭素数は1〜12) 33〜67
モル% (2)上記(1)のめつt&浴に芳香族有機溶媒を添加
した電気Al−Ti合金めっき浴 (3)前記(1)のめっき浴に窒素原子を有する芳香族
化合物を添加した電気Al−Ti合金めつき浴そして、
これらのめっき裕による電気めっき方法として、浴温2
5〜180℃、電流密度0.01〜100^/d−2で
直流またはパルス電流によりめっきする方法を開発した
。
ルカリ金属塩のうちの1種または2種 0.01〜83
モル% (C)アルキルピリジニウムノ10デン化物またはアル
キルイミダゾリウムハロゲン化物(但し、いずれの化合
物ともアルキル基の炭素数は1〜12) 33〜67
モル% (2)上記(1)のめつt&浴に芳香族有機溶媒を添加
した電気Al−Ti合金めっき浴 (3)前記(1)のめっき浴に窒素原子を有する芳香族
化合物を添加した電気Al−Ti合金めつき浴そして、
これらのめっき裕による電気めっき方法として、浴温2
5〜180℃、電流密度0.01〜100^/d−2で
直流またはパルス電流によりめっきする方法を開発した
。
本発明のめっき俗の前記3成分は、いずれも固体である
が、混合すると溶融し、常温でも液体の溶融塩浴となり
、電気めっき法によQTi含有量が0.1〜80%のA
l−Ti合金をめっきすることができる。
が、混合すると溶融し、常温でも液体の溶融塩浴となり
、電気めっき法によQTi含有量が0.1〜80%のA
l−Ti合金をめっきすることができる。
本発明のめっき裕では、アルミニウムハロゲン化物を3
3〜67モル%含有させる。この化合物の含有量が33
モル%未満になると、アルキルピリジニウムイオンやア
ルキルピリジニウムイオンが多くなり、それがめつき層
に付着し、67モル%を越えると、めっき浴の融点が高
くなり、好ましくない、このアルミニウムハロゲン化物
は、一般式^IXツ(Xはハロゲン原子でF、CI、B
r、■など)で示されるものである。
3〜67モル%含有させる。この化合物の含有量が33
モル%未満になると、アルキルピリジニウムイオンやア
ルキルピリジニウムイオンが多くなり、それがめつき層
に付着し、67モル%を越えると、めっき浴の融点が高
くなり、好ましくない、このアルミニウムハロゲン化物
は、一般式^IXツ(Xはハロゲン原子でF、CI、B
r、■など)で示されるものである。
本発明では、上記アルミニラムノ)ロゲン化物とともに
、チタンハロゲン化物またはフルオロチタン酸のアルカ
リ金属塩を0.01〜83モル%含有させる。これらの
化合物は、含有量が0’、01モル%未満であると、T
;イオンが不足し、電解条件によってはTiが電析しな
い場合が生じる。一方、83モル%を越えると、めっき
裕の融点が高くなり、好ましくない、これらのチタン化
合物は、混合使用することも可能である。
、チタンハロゲン化物またはフルオロチタン酸のアルカ
リ金属塩を0.01〜83モル%含有させる。これらの
化合物は、含有量が0’、01モル%未満であると、T
;イオンが不足し、電解条件によってはTiが電析しな
い場合が生じる。一方、83モル%を越えると、めっき
裕の融点が高くなり、好ましくない、これらのチタン化
合物は、混合使用することも可能である。
ここで、チタンハロゲン化物は、一般式TiXn(Xは
ハロゲン原子でFSCl、13r、 Iなど、nは2
〜4)で示される原子価が■価、■価、■価のチタンの
ハロゲン化物であり、また、フルオロチタン酸のアルカ
リ金属塩は、一般式M zTi F a(Mはアルカリ
金属でLi、Ha、 K、 Rbなど)である。
ハロゲン原子でFSCl、13r、 Iなど、nは2
〜4)で示される原子価が■価、■価、■価のチタンの
ハロゲン化物であり、また、フルオロチタン酸のアルカ
リ金属塩は、一般式M zTi F a(Mはアルカリ
金属でLi、Ha、 K、 Rbなど)である。
本発明では、前記アルミニウムハロゲン化物およびチタ
ン化合物とともに、アルキルピリジニウムハロゲン化物
またはアルキルイミダゾリウムハロゲン化物を33〜6
7モル%含有させる。これらの化合物は、含有量が33
モル%未満になると、めっ!俗の融点が高くなり、67
モル%を越えると、アルキルビリジニウムイオンやアル
キルイミグゾリウムイオンが多くなり、それがめつき層
に付着し、好ましくない、なお、ビリノン環やイミダゾ
ール環に導入したアルキル基の炭素数が13以上のもの
を使用すると、常温で液体になりにくく、粘性も高くな
るので、1〜12のものを使用する。
ン化合物とともに、アルキルピリジニウムハロゲン化物
またはアルキルイミダゾリウムハロゲン化物を33〜6
7モル%含有させる。これらの化合物は、含有量が33
モル%未満になると、めっ!俗の融点が高くなり、67
モル%を越えると、アルキルビリジニウムイオンやアル
キルイミグゾリウムイオンが多くなり、それがめつき層
に付着し、好ましくない、なお、ビリノン環やイミダゾ
ール環に導入したアルキル基の炭素数が13以上のもの
を使用すると、常温で液体になりにくく、粘性も高くな
るので、1〜12のものを使用する。
アルキルピリジニウムハロゲン化物は、モノアルキル置
換体、ジアルキル置換体、トリアルキル置換体が好まし
く、これらの1種または2種以上の混合物であってもよ
い、また、ハロゲン原子としては、77素、塩素、臭素
、ヨウ素でもよい。
換体、ジアルキル置換体、トリアルキル置換体が好まし
く、これらの1種または2種以上の混合物であってもよ
い、また、ハロゲン原子としては、77素、塩素、臭素
、ヨウ素でもよい。
このような化合物を具体的に示せば、プチルビリノニウ
ムハロゲン化物、1,2−ジメチルピリジニウムハロゲ
ン化物、1−エチル−2−メチルピリジニウムハロゲン
化物、1−n−ブチル−2−メチルピリジニウムハロゲ
ン化物、1−インブチル−2−メチルピリジニウムハロ
ゲン化物、1−n−オクチル−2−メチルピリジニウム
ハロゲン化物、1−ベンジル−2−メチルピリジニウム
ハロゲン化物、l−エチル−3−メチルピリジニウムハ
ロゲン化物、1−シクロへキンルー3−メチルピリジニ
ウムハロゲン化物、1−エチル−2−二チルピリノニウ
ムハロゲン化物、1−ブチル−2−二チルピリシニウム
ハロゲン化物、1−工fルー4−メチルピリジニウムハ
ロゲン化物、1−エチル−2,4−ジメチルピリジニウ
ムハロゲン化物、1−エチル−2,6−ジメチルピリジ
ニウムハロゲン化物、1−n−ブチル−2,4−ジメチ
ルピリジニウムハロゲン化物などを挙げることがでおる
。
ムハロゲン化物、1,2−ジメチルピリジニウムハロゲ
ン化物、1−エチル−2−メチルピリジニウムハロゲン
化物、1−n−ブチル−2−メチルピリジニウムハロゲ
ン化物、1−インブチル−2−メチルピリジニウムハロ
ゲン化物、1−n−オクチル−2−メチルピリジニウム
ハロゲン化物、1−ベンジル−2−メチルピリジニウム
ハロゲン化物、l−エチル−3−メチルピリジニウムハ
ロゲン化物、1−シクロへキンルー3−メチルピリジニ
ウムハロゲン化物、1−エチル−2−二チルピリノニウ
ムハロゲン化物、1−ブチル−2−二チルピリシニウム
ハロゲン化物、1−工fルー4−メチルピリジニウムハ
ロゲン化物、1−エチル−2,4−ジメチルピリジニウ
ムハロゲン化物、1−エチル−2,6−ジメチルピリジ
ニウムハロゲン化物、1−n−ブチル−2,4−ジメチ
ルピリジニウムハロゲン化物などを挙げることがでおる
。
また、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物は、1−ア
ルキル、1,3−ジアルキル、1,2.3−トリアルキ
ルイミグゾリウムハロゲン化物が好ましく、ハロゲン原
子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素でもよい。これらは
単独でも2種以上を混合使用してもよい。これらの化合
物を具体的に示せば、1−メチルイミダゾリウムブロマ
イド、1−エチルイミダゾリウムハロゲン化物、1−ブ
チルイミダゾリウムハロゲン化物、1,3−ジメチルイ
ミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−エチルイ
ミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−n−ブチ
ルイミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−ペン
シルイミダゾリ7ムハt75’ン化物、1−メチル−3
−エチルベンソイミグゾリウムハロゲン化物、1.2.
3−)ジメチルイミダゾリウムハロゲン化物、1.2−
ジメチル−3−エチルイミダゾリウムハロゲン化物、1
,2−ツメチル−3−ブチルイミダゾリウムハロゲン化
物などを挙げることができる。
ルキル、1,3−ジアルキル、1,2.3−トリアルキ
ルイミグゾリウムハロゲン化物が好ましく、ハロゲン原
子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素でもよい。これらは
単独でも2種以上を混合使用してもよい。これらの化合
物を具体的に示せば、1−メチルイミダゾリウムブロマ
イド、1−エチルイミダゾリウムハロゲン化物、1−ブ
チルイミダゾリウムハロゲン化物、1,3−ジメチルイ
ミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−エチルイ
ミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−n−ブチ
ルイミダゾリウムハロゲン化物、1−メチル−3−ペン
シルイミダゾリ7ムハt75’ン化物、1−メチル−3
−エチルベンソイミグゾリウムハロゲン化物、1.2.
3−)ジメチルイミダゾリウムハロゲン化物、1.2−
ジメチル−3−エチルイミダゾリウムハロゲン化物、1
,2−ツメチル−3−ブチルイミダゾリウムハロゲン化
物などを挙げることができる。
このアルキルピリジニウムハロゲン化物の場合、アミ7
基が導入されたものでもよい6例えば、1−メチル−4
−ツメチル7ミノビリノニウムハロゲン化物、1−エチ
ル−4−ツメチルアミノピリジニウムハロゲン化物、1
−エチル−4−(N−エチル、N−メチル)アミ/ピリ
ジニウムハロゲン化物、1−二チルー4−7ミノビリジ
ニウムハロゲン化物、1−n−ブチル−4−ツメチルア
ミノピリジニウムハロゲン化物、1−ベンツルー4−ジ
メチルアミノピリジニウムハロゲン化物、1−n−オク
チル−4−ツメチルアミノピリジニウムハロゲン化物、
1−エチル−4−ピペリジノビリジニウムハロゲン化物
、1−エチル−4−ピロリツノピリジニウムハロゲン化
物などが挙げられる。
基が導入されたものでもよい6例えば、1−メチル−4
−ツメチル7ミノビリノニウムハロゲン化物、1−エチ
ル−4−ツメチルアミノピリジニウムハロゲン化物、1
−エチル−4−(N−エチル、N−メチル)アミ/ピリ
ジニウムハロゲン化物、1−二チルー4−7ミノビリジ
ニウムハロゲン化物、1−n−ブチル−4−ツメチルア
ミノピリジニウムハロゲン化物、1−ベンツルー4−ジ
メチルアミノピリジニウムハロゲン化物、1−n−オク
チル−4−ツメチルアミノピリジニウムハロゲン化物、
1−エチル−4−ピペリジノビリジニウムハロゲン化物
、1−エチル−4−ピロリツノピリジニウムハロゲン化
物などが挙げられる。
アルキルイミダゾリウムハロゲン化物は、縮合環を形成
していてもよい。この縮合複素環化合物の代表的なもの
は、ジアルキルベンズイミダゾリウムハロゲン化物で、
具体例としては、1.3−ジメチルベンズイミグゾリウ
ムクロライド、1−メチル−3−エチルベンズイミダゾ
リウムブロマイドなどを挙げることができる。
していてもよい。この縮合複素環化合物の代表的なもの
は、ジアルキルベンズイミダゾリウムハロゲン化物で、
具体例としては、1.3−ジメチルベンズイミグゾリウ
ムクロライド、1−メチル−3−エチルベンズイミダゾ
リウムブロマイドなどを挙げることができる。
以上挙げた化合物のうち、好ましい組み合わせは、^I
CI、−TiCln−ブチルピリジニウムクロライド系
またはAlc13−TiC1n 1−エチル−3−メ
チルイミダゾリウムブロマイド基(nはいずれも2〜4
)であるが、後者の組成のめり!俗の方が導電率が高く
、粘性も低いので、特に好ましい。
CI、−TiCln−ブチルピリジニウムクロライド系
またはAlc13−TiC1n 1−エチル−3−メ
チルイミダゾリウムブロマイド基(nはいずれも2〜4
)であるが、後者の組成のめり!俗の方が導電率が高く
、粘性も低いので、特に好ましい。
本発明のめっき浴は、芳香族系有機溶媒を添加して、め
っき液の粘性を低下させると、導電率が向上し、めっき
電流密度を増大させることができ、かつ、めっき層をも
平滑化できる。この有機溶媒の添加は、めっき俗の総量
に対して、5Vo1%未満であると、添加効果が認めら
れず、80Vo1%を越えると、めっき液との均一混合
が困難になり、分離するので、5〜80Vo1%にする
のが好ましい。
っき液の粘性を低下させると、導電率が向上し、めっき
電流密度を増大させることができ、かつ、めっき層をも
平滑化できる。この有機溶媒の添加は、めっき俗の総量
に対して、5Vo1%未満であると、添加効果が認めら
れず、80Vo1%を越えると、めっき液との均一混合
が困難になり、分離するので、5〜80Vo1%にする
のが好ましい。
また、本発明のめっき浴に窒素を有する芳香族化合物を
添加すると、厚めつきの際にめっき層がデンドライト状
になるのを抑制できる。この添加剤を添加すると、30
μ船以上の厚めつきにしても、表面は光沢を呈し、電流
密度を広範囲に変動させても平滑なめっき層になり、ま
た、均一電着性も向上する。
添加すると、厚めつきの際にめっき層がデンドライト状
になるのを抑制できる。この添加剤を添加すると、30
μ船以上の厚めつきにしても、表面は光沢を呈し、電流
密度を広範囲に変動させても平滑なめっき層になり、ま
た、均一電着性も向上する。
この芳香族化合物には、環内に窒素原子を2個以上有す
る不飽和複素環化合物、アミノ基を有する芳香族化合物
などが挙げられるが、これらの化合物は、単環化合物、
縮合理化合物であってもよい。環内に窒素原子を2個以
上有する不飽和複素環化合物としては、ピリミジンやバ
ルビッル酸などのノアジン、ナフチリジン、7エナジン
、7エナントロリン、ピリダジン、ピラジンなどが、ま
た、アミ7基を有する芳香族化合物としては、ノフェニ
ルアミン、アミノピリミジンのようなアミノジアジンな
どを挙げることができ、これらは2種以上併用すること
も可能である。
る不飽和複素環化合物、アミノ基を有する芳香族化合物
などが挙げられるが、これらの化合物は、単環化合物、
縮合理化合物であってもよい。環内に窒素原子を2個以
上有する不飽和複素環化合物としては、ピリミジンやバ
ルビッル酸などのノアジン、ナフチリジン、7エナジン
、7エナントロリン、ピリダジン、ピラジンなどが、ま
た、アミ7基を有する芳香族化合物としては、ノフェニ
ルアミン、アミノピリミジンのようなアミノジアジンな
どを挙げることができ、これらは2種以上併用すること
も可能である。
窒素原子を有する芳香族化合物の添加量は、めっき浴に
対して、通常0.001〜1モル%である。
対して、通常0.001〜1モル%である。
添加量が0.001モル%より少ないと添加効果がなく
、1モル%より多くなると高電流密度でめっきした場合
、めっき焼けが発生する。
、1モル%より多くなると高電流密度でめっきした場合
、めっき焼けが発生する。
本発明のめっき浴を用いてのめっきは、乾燥無酸素雰囲
気中で、直流もしくはパルス電流で浴温25〜180℃
、電流密度0.01〜100^/dII12で行うと、
電流効率がよく、均一にめっきできる。
気中で、直流もしくはパルス電流で浴温25〜180℃
、電流密度0.01〜100^/dII12で行うと、
電流効率がよく、均一にめっきできる。
浴温が25℃より低いと、めっき液の粘性が高く、電流
密度が極端に小さくなり、180℃より高くすると、有
機物成分の分解が心配される。この浴温は、100℃以
上にしなくても、常温〜60℃で十分めっき可能である
。電流は、パルス電流を使用すると、めっ外層が緻密に
なる。めっき浴は、超音波攪拌、ジェット噴流攪拌など
を施すと、電流密度を高くすることができる。
密度が極端に小さくなり、180℃より高くすると、有
機物成分の分解が心配される。この浴温は、100℃以
上にしなくても、常温〜60℃で十分めっき可能である
。電流は、パルス電流を使用すると、めっ外層が緻密に
なる。めっき浴は、超音波攪拌、ジェット噴流攪拌など
を施すと、電流密度を高くすることができる。
(実施例)
tJ41表に示すm成の電気Al−Ti合金めっき浴を
調製し、このめっき浴を用いて板厚が0.5鎗加の冷延
鋼板にAl−Ti合金を電気めっ外した。めっきは、冷
延鋼板を常法により溶剤蒸気洗浄、アルカリ脱脂お上り
酸洗を施した後、乾燥して、直ちに予め不活性雰囲気に
保っておいためっき浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、アル
ミニウム板(純度99゜99%、板厚1 am)を陽極
にし、直流で電解した。
調製し、このめっき浴を用いて板厚が0.5鎗加の冷延
鋼板にAl−Ti合金を電気めっ外した。めっきは、冷
延鋼板を常法により溶剤蒸気洗浄、アルカリ脱脂お上り
酸洗を施した後、乾燥して、直ちに予め不活性雰囲気に
保っておいためっき浴に浸漬し、冷延鋼板を陰極、アル
ミニウム板(純度99゜99%、板厚1 am)を陽極
にし、直流で電解した。
第2表に得られたAl−Ti合金めっき板の性能を示す
。
。
第
表
(発明の効果)
以上のように、本発明のめっき浴は、浴温25〜180
℃で電気めっきできるので、取り扱い操作は容易で、被
めっき材に熱歪を生じさせるようなことがなく、また、
めっき槽や付帯部材の材質を問題にする必要がない。
℃で電気めっきできるので、取り扱い操作は容易で、被
めっき材に熱歪を生じさせるようなことがなく、また、
めっき槽や付帯部材の材質を問題にする必要がない。
Claims (6)
- (1)下記(A)、(B)および(C)成分を含有する
電気Al−Ti合金めっき浴。 (A)アルミニウムハロゲン化物33〜67モル% (B)チタンハロゲン化物、フルオロチタン酸のアルカ
リ金属塩のうちの1種または2種0.01〜83モル% (C)アルキルピリジニウムハロゲン化物またはアルキ
ルイミダゾリウムハロゲン化物(但し、いずれの化合物
ともアルキル基の炭素数は1〜12)33〜67モル% - (2)アルキルピリジニウムハロゲン化物がモノアルキ
ル、ジアルキル、トリアルキルピリジニウムハロゲン化
物のうちの1種または2槽以上の混合物であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電気Al−Ti
合金めっき浴。 - (3)アルキルイミダゾリウムハロゲン化物が1−アル
キル、1,3−ジアルキル、トリアルキルイミダゾリウ
ムハロゲン化物のうちの1種または2種以上の混合物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の電
気Al−Ti合金めっき浴。 - (4)第1項のめっき浴に芳香族有機溶媒を添加したこ
とを特徴とする電気Al−Ti合金めっき浴。 - (5)第1項のめっき浴に窒素原子を有する芳香族化合
物を添加したことを特徴とする電気Al−Ti合金めっ
き浴。 - (6)第1〜5項に記載のめっき浴を用いて、浴温25
〜180℃、電流密度0.01〜100A/dm^2で
直流またはパルス電流によりめっきすることを特徴とす
る電気Al−Ti合金めっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17146990A JPH0459990A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電気Al―Ti合金めっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17146990A JPH0459990A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電気Al―Ti合金めっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0459990A true JPH0459990A (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15923688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17146990A Pending JPH0459990A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 電気Al―Ti合金めっき浴およびその浴によるめっき方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0459990A (ja) |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP17146990A patent/JPH0459990A/ja active Pending
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