JPH0458407A - 同軸ケーブル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高周波信号の伝送に用いられる同軸ケーブル
に関し、特に信号の伝送速度の高速化と、多数の同軸ケ
ーブルを微小間隔をあけて配置する高密度化を促進でき
るようにした内導体、外導体の構造の改善に関する。

〔従来の技術〕

高周波信号を伝送する場合、単純な２本の往復電線では
放射エネルギが大きくなるため、従来がら同軸ケーブル
が使用されている。この同軸ケーブルとしては、内部導
体を絶縁層で被覆し、これを外部導体で覆い、さらに外
装材で被覆する構造のものが一般的である。このような
同軸ケーブルの内部導体には、伸線加工により製造され
たＣｕ線が一般に採用されている。

ところで上記同軸ケーブルの用途として、ＩＣ。

ＬＣＤ等の電子回路部品の機能検査を行うテスターと、
検査用高周波信号を発止させる信号発生源とを接続する
用途がある。このような検査装置では、検査速度をより
向上させるために検査用高周波信号をより高周波化する
必要があり、またＩＣ等の高集積化に対応できるように
同軸ケーブルのより高密度化が要請される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記高密度化に対応するには、同軸ケーブルの極細化が
必要であり、そのためには例えば上記内部導体の素線径
をより細くする必要がある。しかしながら上記従来の同
軸ケーブルの場合、内部導体を構成するＣｕ線を極細化
すると、その表面粗度が低下し、高周波信号が表面に集
中して流れるいわゆる表皮効果により、信号波形に乱れ
が生じ易い、この波形の乱れはノイズとなって検査機能
を阻害する。この問題は検査用信号が高周波化するほど
顕著になる。そのため上記従来の同軸ケーブルでは、検
査速度の高速化及び高密度化の両方に対応するのは困難
である。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためになされた
もので、検査速度の高速化及び高密度化に対応できる同
軸ケーブルを提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、線径１２０．１１ｍ以下、強度１００　ｋｇ
／　ｍ”以上の金属極細線の表面を塑性加工による加工
歪を有する貴金属めっき層で被覆してなる内部導体と、
該貴金属めっき層の表面を被覆する絶縁体製の絶縁層と
、該絶縁層の表面を覆う金属製の外部導体とを備えたこ
とを特徴とする同軸ケーブルである。

以下、本発明において上記各構成を採用した理由につい
て説明する。

■、内内導体用金属線細線して線径１２０μ園以下、強
度１００　ｋｇ／　ｆｉ”以上のものを採用したのは、
上述の高密度化に対応するためであり、例えば低炭素二
相組織鋼線、ピアノ線、あるいはステンレス１１＆１等
が採用できる。この金属極細線として例えばＣｕ線を採
用した場合は、上述のように表面粗度が低下して信号波
形に乱れが生し易く、かつその引張強度が低い点からそ
の極細化に限界があった０本発明では、上述の線径１強
度のものを採用して高密度化に対応するとともに、信号
波形の乱れに対しては後述の貴金属めっき層により対応
するようにした。

■、金属極細線の表面に、加工歪を有する貴金属めっき
層を形成したのは、信号波形の乱れを防止し、信号のよ
り高周波化を実現するためであり、この貴金属めっき層
としては、例えばＡｕ、Ａｇ、ｐｔ等が採用できる。

上記貴金属めっき層を形成したのは、金属極細線の表面
粗度を小さくして上述の表皮効果により該めっき層部分
を流れる高周波信号の波形の乱れを防止するためである
。しかしながら単にめっきしただけの状態では、上記表
面粗度を十分に小さくできない、これに対して上記貴金
属めっき層に加工歪を付与すれば表面粗度が大幅に改善
されることが判明した。この理由は以下のとおりである
。

即ち、めっき処理しただけのめっき層は、無数のピンホ
ールを有するポーラス状になっており、そのためポーラ
ス内にめっき処理工程時に発生する水素が吸蔵され、あ
るいは空気が残留することとなり、この水素等が表面粗
度に悪影響を与える。

これに対して、本発明のように加工歪を付与すると、上
記ピンホール等が潰されて無くなり、また加工歪付与時
の加工熱によって吸蔵されていた水素等が放出され、こ
れにより水素等を含まない緻密なめっき層が得られ、そ
の結果表面粗度を改善できる。

なお上記貴金属めっき層の加工歪は、例えば金属極細線
の製造工程において、線材を冷間伸線する前に予め貴金
属めっき処理を施し、これを伸線加工、即ち塑性加工す
ることによって付与できる。

また、上記貴金属めっき層と金属極細線との間に下地と
してＮｉ　めっき層を形成するのが好ましい。

このＮｉめっき層によって、金属極細線と貴金属めっき
層のとの密着性が改善される。

■、上記絶縁材としては例えばテフロン等の樹脂材が、
外部導体としてはＡｕ、Ｃｕ等がそれぞれ採用できる。

なおこの外部導体は、必ずしも絶縁層の外表面全体を覆
う必要はなく、例えば網目状に形成してもよい。

〔作用〕

本発明に係る同軸ケーブルによれば、内導体として１２
０μ−以下、１００　Ｔｕ／　ｗｍ”以上の金属極細線
に加工歪を有する貴金属めっき層を形成した構造のもの
を採用したので、内導体を極細化した分だけケーブル自
体の直径が小さくなり、高密度化に対応できる。

このように内導体を極細化した場合、従来の同軸ケーブ
ルでは、内導体の表面性状が悪化して信号波形の乱れが
生じ昌くなり、信号の高周波化に支障が生じる問題があ
ったが、本発明では上記金属極細線の表面を加工歪を有
する貴金属めっき層で覆ったので、表面性状が改善され
、信号波形の乱れを防止でき、信号の高周波化に対応で
きる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図について説明する。

第１図ないし第３図は本発明の一実施例による同軸ケー
ブルを示す図であり、第１図は同軸ケーブルの縦断面図
、第２図はその横断面図、第３図は該同軸ケーブルを利
用した検査装置の概略構成図である。

図において、１は検査装置本体であるプローブカード、
２は該プローブカード１による検査動作を制御する検査
制御装置、３は上記プローブカード１と検査制御装置２
とを接続する同軸ケーブルである。

上記検査制御装置２は、検査用高周波信号を発生する信
号発生ｆｉ２ａと、信号の送受タイミングの制御及び被
検査体であるＩＣチップ４の機能判断を行うＣＰＵ２　
ｂ等を備えている。また上記プローブカード１は、開口
６ａを存する円盤状の基板６と、上記開口６ａの周囲に
その先端が位置するように放射状に配置固定されたプロ
ーブピン５とから構成されており、該各プローブビン５
は、その先端が上記開口６ａ内に配置されたＩＣチップ
４の外部端子４ａに当接するように位置決めされている
。また上記プローブピン５の後端部は上記基板６上にパ
ターン形成された外部導出用ストリップライン７で基板
６の外周部に導出されている。そしてこの各ストリップ
ライン７はコネクタ８を介して上記同軸ケーブル３に接
続されている。

上記同軸ケーブル３は、金属極細線９の表面に下地とし
てＮｉめっき層１０を形成し、さらにこのめっき層１０
をＡｇめっき層１１で被覆してなる内導体１２と、該内
導体１２の表面を被覆する絶縁層１３と、該絶縁層１３
の外表面を被覆する外導体１４と、さらにこの外導体１
４の外表面を被覆する外装層１５とから構成されている
。

上記金属極細＆Ｉ９は、線径１２０μ−以下の低炭素二
相組織ｔａｗＡからなるものである。この低炭素−相組
１ｕｕａは、重量％テＣ：　０．００１〜０．００５％
、Ｓｉ：３．０％以下、Ｍｎ：５．０％以下、残部Ｆｅ
及び不可避的不純物からなる線径３．０〜６．０　ｍの
線材を一次熱処理、及び−次冷間伸線、二次熱処理。

及び二次冷間伸、線により線径１５〜１２０　μ−に強
加工して製造されたものである。これは上記強加工によ
り生じた加工歪がセル方向に繊維状に配列された繊維状
微細金属組織を形成しており、かつ上記加工セルの大き
さ、繊維間隔がそれぞれ５〜１００人、５０〜１０００
人であり、さらに引張強力が３００〜６００　ｋｇ／鶴
寞である。

上記Ｎｉめっき層１０は主として貴金属めっき層１１の
密着性を改善するために設けられたものであり、これら
のめっき層１０．１１は上記冷間伸線加工した際の塑性
加工による加工歪を有している。即ち、上記両めっき層
１０．１１は、伸線加工の前工程において線材にめっき
処理により例えば４μ■程度づつ形成し、これを−次、
二次冷間伸線することにより、例えば１μｍ程度の厚さ
に引き延ばしてなるものである。これによりめっき処理
時に生じたピンホールが上記伸線加工時に潰されて欠陥
のない良好なめっき層となっている。

また上記絶縁層１３は例えばテフロン等の絶縁性樹脂か
らなり、上記外部導体１４はＣｕ、Ａｇ等のめっき層で
構成されている。なお、この外部導体１４は、例えばＣ
ｕ　シートを綱状の編んでなるもの、あるいはＣｏパイ
プで構成することもできる。さらにまた、上記外装層１
５は例えば上記絶縁層１３と同一の樹脂で構成すること
ができる。

次に本実施例の作用効果について説明する。

本実施例の検査装置では、ＣＰＵ２　ｂからの制御信号
に応じた周波数を有する検査用高周波が発生され、この
高周波信号が同軸ケーブル３からプローブカード１のス
トリップライン７、プローブピン５を介してＩＣチップ
４に供給され、該チップ４の機能検査が行われる。この
場合、上記高周波信号は同軸ケーブル３においては内湯
体１２の表皮部分を流れる。従って内導体の外表面部分
は、表面粗度の極めて小さい平滑な表面であることが要
請される。仮にこの外表面部分の平滑度が低い場合は、
検査用信号が高周波になるほどその波形に乱れが生じ、
そのため検査の高速化に対応することができない０本実
施例の内湯体１２の外表面は、加工歪を有する貴金属め
っき層１１で構成されており、該めっき層１１はピンホ
ール等の無い緻密で平滑度の高い層になっており、従っ
て信号の周波数が高くなっても波形の乱れを防止でき、
上述の高速化の要請に応えることができる。

また上述のように貴金属めっき層１１が加工歪を有して
いることから、該めっき層１１と樹脂との密着性が向上
し、この点から絶縁層１３の厚さを長さ方向に均一化で
き、その結果同軸ケーブル自体のインピーダンスが長さ
方向に一定となり、伝送特性が向上する。

さらにまた本実施例では、内部導体１２を構成する金属
極細線９として、引張強度の極めて大きい低炭素二相組
織銅線を採用したので、必要な強度を確保しなから線径
１５〜１２０μｍへの極細化が容易であり、従って同軸
ケーブル３全体の外径も小さくでき、高密度化に対応で
きる。また上記金属極細線９は靭性が高いので、高い柔
軟性が得られ、上記プローブカード１と検査装置２との
接続が容易である。

なお、上記実施例では金属極細線の表面に下地としてＮ
ｉめっき層を形成したが、本発明の同軸ケーブルではこ
のＮｉめっき層は必ずしも必要ないものであり、要は金
属極細線の表面を加工歪を有する貴金属めっき層で被覆
すればよい。

〔発明の効果〕

以上のように本発明に係る同軸ケーブルによれば、内導
体の芯線として、直径１２０μ−以下、弓張強度１００
　ｋｇ／　ｍ”以上の金属極細線を採用するとともに、
該金属極細線の表面を加工歪を有する貴金属めっき層で
被覆したので、上記芯線を極細化しながら高周波信号の
伝送する表皮部分の表面粗度を小さくして信号波形の乱
れを防止でき、高密度化を図りながら高速化を促進でき
る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を説明するため
の図であり、第１図は該実施例同軸ケーブルの断面側面
図、第２図はその断面正面図、第３図は該実施例同軸ケ
ーブルを使用したｒｃチップ検査装置の概略構成図であ
る。 図において、３は同軸ケーブル、９は金属極細線、１１
は貴金属めっき層、１２は内部導体、１３は絶縁層、１
４は外部導体である。 第１図 第２図 特許出願人　株式会社神戸製鋼所 代理人　　　　弁理士　下布　努 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）線径１２０μｍ以下、強度１００ｋｇ／ｍｍ＾２
   以上の金属極細線の表面を塑性加工による加工歪を有す
   る貴金属めっき層で被覆してなる内部導体と、該貴金属
   めっき層の表面を被覆する絶縁体製の絶縁層と、該絶縁
   層の表面を覆う金属製の外部導体とを備えたことを特徴
   とする同軸ケーブル。