JPH0456133A - Ｌｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離方法および装置 - Google Patents
Ｌｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離方法および装置Info
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- JPH0456133A JPH0456133A JP16277890A JP16277890A JPH0456133A JP H0456133 A JPH0456133 A JP H0456133A JP 16277890 A JP16277890 A JP 16277890A JP 16277890 A JP16277890 A JP 16277890A JP H0456133 A JPH0456133 A JP H0456133A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ＬＯＣＯＳ法における窒化膜の剥離方法およ
び装置に関する。
び装置に関する。
〈従来の技術〉
従来、ＬＳＩの製造において、ＬＯＧＯ３（Ｌ。
ｃａｌ ０ｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ５ｉｌｉｃｏｎ）
という手法が用いられる。これは、窒化膜をマスクにし
てＳｉ基板表面に厚い酸化膜（ＬＯＧＯ３酸化膜）を作
成し、この酸化膜を素子分離に使用するものである。
という手法が用いられる。これは、窒化膜をマスクにし
てＳｉ基板表面に厚い酸化膜（ＬＯＧＯ３酸化膜）を作
成し、この酸化膜を素子分離に使用するものである。
このマスクに使用する窒化膜は、減圧ＣＶＤ装置を用い
て気体の反応により生成されたＳｉＮ膜を基板上に堆積
させて得られるもので、レジストでパターンを付けたｆ
ＲＳで１６０〜１８０℃に加熱した燐酸液にＳｉ基板を
浸漬されることにより、その不要な部分の除去（これを
窒化膜剥離という）が行われる。
て気体の反応により生成されたＳｉＮ膜を基板上に堆積
させて得られるもので、レジストでパターンを付けたｆ
ＲＳで１６０〜１８０℃に加熱した燐酸液にＳｉ基板を
浸漬されることにより、その不要な部分の除去（これを
窒化膜剥離という）が行われる。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、この窒化膜の剥＃（エツチング）に使用され
る燐酸液には、通常使用前には約１４％の水分を含んで
いるが、１６０〜１８０°Ｃに加熱して使用する間に水
分が蒸発して失われるため、徐々に水分濃度が低下する
。一方、窒化膜のエツチング速度は第６図に示すように
、水分濃度が減少するにつれて著しく遅くなる。そのた
め、浸漬時間が一定であってもエツチングされる窒化膜
の厚みが変化してしまうという問題があった。
る燐酸液には、通常使用前には約１４％の水分を含んで
いるが、１６０〜１８０°Ｃに加熱して使用する間に水
分が蒸発して失われるため、徐々に水分濃度が低下する
。一方、窒化膜のエツチング速度は第６図に示すように
、水分濃度が減少するにつれて著しく遅くなる。そのた
め、浸漬時間が一定であってもエツチングされる窒化膜
の厚みが変化してしまうという問題があった。
このような問題を解決するために、第７図に示すように
、液槽１内の燐酸液２の液面上方から純水供給管３を介
して超純水を供給する方法を用いる場合があるが、燐酸
液２の突沸の危険がある上に水分濃度を一定にする十分
な効果を得ることが困難であった。
、液槽１内の燐酸液２の液面上方から純水供給管３を介
して超純水を供給する方法を用いる場合があるが、燐酸
液２の突沸の危険がある上に水分濃度を一定にする十分
な効果を得ることが困難であった。
また、例えば特開昭５７−９４５７４号公報に開示され
ているように、燐酸液を循環させて循環途中で水を添加
する方法も提案されているが、この方法では装置が複雑
になる上に、水を添加するパイプ内で水痕気の泡が発生
する危険性がある。
ているように、燐酸液を循環させて循環途中で水を添加
する方法も提案されているが、この方法では装置が複雑
になる上に、水を添加するパイプ内で水痕気の泡が発生
する危険性がある。
本発明は、上記のような従来例の有する課題を解決した
ＬＯＣＯＳ法における窒化膜の剥離方法および装置を提
供することを目的とする。
ＬＯＣＯＳ法における窒化膜の剥離方法および装置を提
供することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、ＬＯＣＯＳ法を用いてＳｉ基板表面に厚い酸
化膜を形成する際に、レジストパターンを付けた状態で
加熱した燐酸液に浸漬して窒化膜の不要部を剥離する方
法において、前記燐酸液面の上方を高湿度の雰囲気で被
うことを特徴とするＬｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離
方法である。
化膜を形成する際に、レジストパターンを付けた状態で
加熱した燐酸液に浸漬して窒化膜の不要部を剥離する方
法において、前記燐酸液面の上方を高湿度の雰囲気で被
うことを特徴とするＬｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離
方法である。
なお、前記高湿度の雰囲気としては、超純水を霧化した
ものを用いてもよく、あるいは予め高めに加湿した気体
を用いるようにしてもよい。
ものを用いてもよく、あるいは予め高めに加湿した気体
を用いるようにしてもよい。
また本発明は、液槽内に充填した燐酸液によってＳｉ基
板表面の窒化膜の不要部を剥離する装置であって、高１
！度の気体あるいは水滴を含む気体を噴射する噴射装置
を前記燐酸液面の上方に配設したことを特徴とするＬＯ
ＣＯＳ法における窒化膜の剥離装置である。
板表面の窒化膜の不要部を剥離する装置であって、高１
！度の気体あるいは水滴を含む気体を噴射する噴射装置
を前記燐酸液面の上方に配設したことを特徴とするＬＯ
ＣＯＳ法における窒化膜の剥離装置である。
〈作 用〉
本発明の方法および装置によれば、燐１ｌＩＷ１．面の
上方を超純水を霧化したあるいは気体を高めに加湿した
雰囲気で被うようにしたので、燐＃液面と大気とを遮断
することができ、したがって燐酸液中の水分の蒸発を抑
制することができる。
上方を超純水を霧化したあるいは気体を高めに加湿した
雰囲気で被うようにしたので、燐＃液面と大気とを遮断
することができ、したがって燐酸液中の水分の蒸発を抑
制することができる。
〈実施例〉
以下に、本発明の実施例について、図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明方法に係る実施例を示す平面図であり、
第２図はそのＡ−Ａ矢視断面図である。
第２図はそのＡ−Ａ矢視断面図である。
図に示すように、液槽Ｉ内の燐酸液２の液面上方でかつ
その内側面に沿って気体環状管４と純水環状管５とが設
けられ、気体供給管６と純水供給管７とから例えば空気
や窒素ガスなどの気体と超純水がそれぞれ供給される。
その内側面に沿って気体環状管４と純水環状管５とが設
けられ、気体供給管６と純水供給管７とから例えば空気
や窒素ガスなどの気体と超純水がそれぞれ供給される。
一方、純水環状管５には噴霧ノズル８が所定の間隔で取
付けられる。この噴霧ノズル８は、その断面を第３図に
拡大して示すように、気体環状管４に設けられた気体ノ
ズル９が同心円状に挿入されて構成され、気体ノズル９
から噴射される気体の噴射力によって純水環状管５内の
超純水が霧吹きの原理で霧状に噴射される。
付けられる。この噴霧ノズル８は、その断面を第３図に
拡大して示すように、気体環状管４に設けられた気体ノ
ズル９が同心円状に挿入されて構成され、気体ノズル９
から噴射される気体の噴射力によって純水環状管５内の
超純水が霧吹きの原理で霧状に噴射される。
このようにして、液槽１でＳｉ基板の窒化膜をエツチン
グするときは、燐酸液２の液面上方を超純水を霧化した
雰囲気で被うようにしたので、燐酸液２が加熱されても
その水分濃度は変化することはない。
グするときは、燐酸液２の液面上方を超純水を霧化した
雰囲気で被うようにしたので、燐酸液２が加熱されても
その水分濃度は変化することはない。
なお、液槽１内における気体環状管４と純水環状管５と
の位置関係は、上記実施例のように並列配置に限るもの
ではなく、例えば第４図（ａ）に示すように上下関係の
配！＆してもよく、あるいは第４図し）に示すように同
心円状に一体化した構成としてもよい。
の位置関係は、上記実施例のように並列配置に限るもの
ではなく、例えば第４図（ａ）に示すように上下関係の
配！＆してもよく、あるいは第４図し）に示すように同
心円状に一体化した構成としてもよい。
また、上記実施例において超純水を気体の噴射力によっ
て霧化するとして説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、予め高めに加湿した気体を用いるよう
にすれば、第５図に示すように、気体ノズル９Ａを有す
る気体環状管４Ａとしてコンパクトに構成することがで
きる。
て霧化するとして説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、予め高めに加湿した気体を用いるよう
にすれば、第５図に示すように、気体ノズル９Ａを有す
る気体環状管４Ａとしてコンパクトに構成することがで
きる。
前出第１図に示した本発明の剥離装置を用いて窒化膜の
剥離を行ったところ、１バッチ６０分の処理を３バツチ
連続して処理した場合、３バツチ目のエツチング速度は
１バツチ目に比べ１０％程度低下するのみであり、３バ
ツチの処理が可蛯であった。これに対し、水分を添加し
ない従来例では、２バツチ目のエツチング速度が１バツ
チ目に比べ約４０％も低下するため、２バツチも連続処
理することができない、このため、突沸の危険が生じな
いように１１０°Ｃ程度まで温度を下げて水を添加した
後、ふたたび加熱して２バツチ目を処理する必要があっ
た。
剥離を行ったところ、１バッチ６０分の処理を３バツチ
連続して処理した場合、３バツチ目のエツチング速度は
１バツチ目に比べ１０％程度低下するのみであり、３バ
ツチの処理が可蛯であった。これに対し、水分を添加し
ない従来例では、２バツチ目のエツチング速度が１バツ
チ目に比べ約４０％も低下するため、２バツチも連続処
理することができない、このため、突沸の危険が生じな
いように１１０°Ｃ程度まで温度を下げて水を添加した
後、ふたたび加熱して２バツチ目を処理する必要があっ
た。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明の方法および装置によれば
、燐酸液面の上方を超純水を霧化したあるいは気体を高
めに加湿した雰囲気で被うようにしたので、燐酸液中の
水分濃度の減少を抑制することができ、これによって所
定の浸漬時間で窒化膜の厚みを一欅にエツチングするこ
とができ、Ｓｉ基板の品質向上に寄与する。
、燐酸液面の上方を超純水を霧化したあるいは気体を高
めに加湿した雰囲気で被うようにしたので、燐酸液中の
水分濃度の減少を抑制することができ、これによって所
定の浸漬時間で窒化膜の厚みを一欅にエツチングするこ
とができ、Ｓｉ基板の品質向上に寄与する。
第１図は本発明方法に係る実施例を示す平面図、第２図
は第１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は第１図のＢ部を
拡大して示す断面図、第４図（ａ）、β）は気体環状管
と純水環状管の位置関係の別の例を示す側断面図、第５
図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６図は燐酸液
濃度と窒化膜のエツチング速度との関係の一例を示す特
性図、第７図は従来例を示す斜視図である。 １・・・液槽、 ２・・・燐酸液。 ４．４Ａ・・・気体環状管。 ５・・・純水環状管、 ６，６Ａ・・・気体供給
管７・・・純水供給管。 ８・・・噴霧ノズル（噴霧装置）。 ９．９Ａ・・・気体ノズル。 特許出願人 川崎製鉄株式会社 第１図 嬉３図 宵２図 （σ） （ｂ） 第５図 箒 図 Ｈ３ＰＯ４′ｅ４度（％） 菓 下 図
は第１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は第１図のＢ部を
拡大して示す断面図、第４図（ａ）、β）は気体環状管
と純水環状管の位置関係の別の例を示す側断面図、第５
図は本発明の他の実施例を示す平面図、第６図は燐酸液
濃度と窒化膜のエツチング速度との関係の一例を示す特
性図、第７図は従来例を示す斜視図である。 １・・・液槽、 ２・・・燐酸液。 ４．４Ａ・・・気体環状管。 ５・・・純水環状管、 ６，６Ａ・・・気体供給
管７・・・純水供給管。 ８・・・噴霧ノズル（噴霧装置）。 ９．９Ａ・・・気体ノズル。 特許出願人 川崎製鉄株式会社 第１図 嬉３図 宵２図 （σ） （ｂ） 第５図 箒 図 Ｈ３ＰＯ４′ｅ４度（％） 菓 下 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＬＯＣＯＳ法を用いてＳｉ基板表面に厚い酸化膜を
形成する際に、レジストパターンを付けた状態で加熱し
た燐酸液に浸漬して窒化膜の不要部を剥離する方法にお
いて、前記燐酸液面の上方を高湿度の雰囲気で被うこと
を特徴とするＬＯＣＯＳ法における窒化膜の剥離方法。 ２、前記高湿度の雰囲気は超純水を霧化してなることを
特徴とする請求項１記載のＬＯＣＯＳ法における窒化膜
の剥離方法。 ３、前記高湿度の雰囲気に予め高めに加湿した気体を用
いることを特徴とする請求項１記載のＬＯＣＯＳ法にお
ける窒化膜の剥離方法。 ４、液槽内に充填した燐酸液によってＳｉ基板表面の窒
化膜の不要部を剥離する装置であって、高湿度の気体あ
るいは水滴を含む気体を噴射する噴射装置を前記燐酸液
面の上方に配設したことを特徴とするＬＯＣＯＳ法にお
ける窒化膜の剥離装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16277890A JPH0456133A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Ｌｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16277890A JPH0456133A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Ｌｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456133A true JPH0456133A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15761038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16277890A Pending JPH0456133A (ja) | 1990-06-22 | 1990-06-22 | Ｌｏｃｏｓ法における窒化膜の剥離方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140103071A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| JP2014157934A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1990
- 1990-06-22 JP JP16277890A patent/JPH0456133A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140103071A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| JP2014157934A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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