JPH0456043A - 陰極線管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、カラー受像管などの陰極線管に係り、特に
ターゲット上の電子ビームのスポット径を小さくするこ
とにより画像品位を向上させる陰極線管に関する。

（従来の技術） 一般にカラー受像管は、パネルおよびこのパネルに一体
に接合されたファンネルからなる外囲器を有し、そのパ
ネル内側に装着されたシャドウマスクに対向して、パネ
ル内面に青、緑、赤に発光する３色蛍光体層からなる蛍
光体スクリーン（ターゲット）が形成され、ファンネル
のネック内に配設された電子銃から放出される電子ビー
ムをファンネルの外側に装着された偏向ヨークの発生す
る水平、垂直偏向磁界により偏向し、シャドウマスクを
介して上記蛍光体スクリーンを水平、垂直走査すること
により、この蛍光体スクリーン上にカラー画像を表示す
る構造に形成されている。

特にこのようなカラー受像管において、蛍光体スクリー
ンの３色蛍光体層を垂直方向に長いストライブ状とする
とともに、電子銃を同一水平面上を通るセンタービーム
および一対のサイドビームからなる一列配置の３電子ビ
ームを放出するインライン型電子銃としたものがある。

その電子銃の一例を第８図に示す。この電子銃（１）は
、同一水平面上に一列配置された３個のカソード（Ｋ）
（図面には１個のみ図示）と、このカソード（ＩＫ）上
に順次隣接して配置された第１乃至第６グリッド（ＣＩ
）〜（Ｇ６）とを有し、そのカソード（ＩＫ）とこれに
順次隣接する第１および第２グリッド（Ｇｌ）、（Ｇ２
）とにより、カソード（Ｋ）からの電子放射を制御しか
つ放射された電子を加速して電子ビーム（２）を形成す
る電子ビーム形成部（ＧＥ）が形成され、この電子ビー
ム形成部（ＧＥ）から放出される電子ビーム（２）　　
（３電子ビーム）を第３乃至第６グリッド（Ｇ３）〜（
Ｇ６）からなる主電子レンズ部（ＭＬ）により加速しか
つ最終的に蛍光体スクリーン（３）に集束、集中する構
造に形成されている。

このような電子銃（１）を有するカラー受像管において
、蛍光体スクリーン（３）上に描かれる画像品位を良好
にするためには、電子銃（＋）から放出される電子ビー
ムの蛍光体スクリーン（３）上のビームスポット（ＳＰ
）径を小さくすることが必要である。

この蛍光体スクリーン上のビームスポット径ヲ小さくす
る一手段として、ブリフォーカスレンズにより生ずる物
点、つまり仮想クロスオーバを小さくする方法がある。

すなわち、上記第８図の電子銃（１）では、カソード（
ＩＫ）から放射される電子は、第１および第２グリッド
（Ｇｌ）、（Ｇ２）によりカソード近傍に形成されるカ
ソードレンズ（にＬ）により、第２グリ・ソド（Ｇ２）
近傍において、電子銃（１）の中心軸（Ｚ軸）と交差し
てクロスオーバ（ＣＯ）を形成する。その後発散しなが
ら進み、第２および第３グリッド（Ｇ２）　、　（Ｇ３
）により形成されるブリフォーカスレンズ（ＰＬ）によ
り予備集束されて第３グリッド（Ｇ３）に入射する。こ
のブリフォーカスレンズ（ＰＬ）により予備集束される
電子ビーム（２）は、カソード（１Ｋ）方向に破線で延
長して示すように中心軸と交差し、クロスオーバ（ＣＯ
）よりカソード（Ｋ）側に物点としての仮想クロスオー
バ（ＶＣＯ）を形成する。さらに、第３グリッド（Ｇ３
）に入射した電子ビーム（２）は、この第３グリッド（
Ｇ３）から第６グリッド（Ｇ８）までの間に形成される
主電子レンズ部（ＭＬ）を構成する主電子レンズ（ＬＥ
Ｎ）により最終的に蛍光体スクリーン（３）上に集束さ
れる。

したがって、上記蛍光体スクリーン（３）上に得られる
ビームスポット（ｓｐ）は、物点としての仮想クロスオ
ーバ（ＶＣＯ）像を主電子レンズ（ＬＥＮ）により蛍光
体スクリーン（３）上に像点として結像させたものとみ
なすことができる。このことから、ブリフォーカスレン
ズ（ＰＬ）により形成される物点が小さいものほど、蛍
光体スクリーン（３）上のビームスポット（ＳＰ）径は
小さくなり、画像品位を向上させることができる。

しかしながら、蛍光体スクリーン（３）上のビームスポ
ット（ｓｐ）径を劣化させる要因として、ブルーミング
現象がある。すなわち、ビーム電流値が小さい低電流域
で最適に集束される電子ビーム（２）は、ビーム電流値
が大きい高電流域では、最適集束からずれてビームスポ
ット（ｓｐ）が径大となる。

このブルーミング現象をカソードの動作領域の変化とい
う観点から説明すると、第９図（ａ）に示すように、カ
ットオフ状態は、接地されている第１グリッド（Ｇｌ）
の電位Ｅｅｌに対して、カソード電位ＥＫを適当な高電
位に設定することにより、カソード電位よりもわずかに
高い等電位線（６）が、第１グリッド（Ｇｌ）の開孔（
５）を通ってカソード（ＩＫ）側に浸透し、第１グリッ
ド（Ｇｌ）と対向する酸化バリウム（Ｂａ　Ｏ）などか
らなるカソード（ＩＫ）の電子放射層（７）に達する寸
前の状態となり、電子放射層（７）から電子が放射され
ても、その電子は、第１グリッド（Ｇｌ）の開孔（５）
を通過することはなく、したがって、電子ビームは発生
しない。

また、同（ｂ）に示すように、このときは、電子放射層
（７）に動作領域は形成されない。

この状態からカソード電位ＥＫを下げていくと、第１０
図（ａ）および（ｂ）に示すように、等電位線（６）は
、第１グリッド（ＣＩ）の開孔（５）からさらにカソー
ド（ＩＫ）側に浸透して、電子放射層（７）の中央部に
達し、動作領域（８Ｌ）が形成される。この動作領域（
８Ｌ）から放射される電子は、カソードレンズにより集
束されて電子ビーム（２）となり、第２グリッド（Ｇ２
）近傍に（ＣＯＬ）として示すクロスオーバを形成する
。その後、この電子ビーム（２）は、第２グリッド（Ｇ
２）の開孔（９）を通過し、第２および第３グリッド（
Ｇ２）、（Ｇ３）により形成されるブリフォーカスレン
ズにより発散が抑制されて第３グリッド（Ｇ３）に入射
するとともに、クロスオーバ（ＣＯＬ）よりもカソード
（ＩＫ）側１．：　（ＶＣＯＬ）として示す仮想クロス
オーバを形成する。

この場合は、ビーム電流値の小さい低電流域をなし、電
子放射層（７）の動作領域（８Ｌ）は中央部のみである
ため、この動作領域（８Ｌ）からの電子ビーム（２）の
軌道は、動作領域（８Ｌ）の中央部と周辺部とで大きく
相違することはない。そのため、仮想クロスオーバ（Ｖ
ＣＯＬ）を小さく抑えることができ、蛍光体スクリーン
上のビームスポットを径小にすることができる。

この状態からさらにカソード電位ＥＫを下げていくと、
第１１図（ａ）および（ｂ）に示すように、等電位線（
６）は、第１グリッド（Ｇｌ）の開孔（５）からさらに
太き（カソード（ｌＫ）側に浸透して、電子放射層（７
）の周辺部まで達し、上記動作領域（８Ｌ）よりも広い
動作領域（８Ｈ）が形成される。この動作領域（８１１
）から放射される電子も、カソードレンズにより集束さ
れて電子ビーム（２）となり、第２グリッド（Ｇ２）近
傍に（ＣＯＨ）として示すクロスオーバを形成する。そ
の後、電子ビーム（２）は、第２グリッド（Ｇ２）の開
孔（９）を通過し、第２および第３グリッド（Ｇ２）、
（０３）により形成されるブリフォーカスレンズにより
発散が抑制されて第３グリッド（Ｇ３）に入射するとと
もに、クロスオーバ（Ｃｏ１１）よりもカソード（Ｋ）
側に（ＶＣＯＨ）として示す仮想クロスオーバを形成す
る。

この場合は、ビーム電流値の大きい高電流域をなし、電
子放射層（７）の動作領域（８■）の中央部から放射さ
れる電子ビーム（２）の軌道と、動作領域（８Ｈ）の周
辺部から放射される電子ビーム（２）の軌道とは大きく
相違し、周辺部から放射される電子ビーム（２）は、カ
ソードレンズにより強い収差を受ける。そのため、クロ
スオーバ（ＣＯＨ）および仮想クロスオーバ（ＶＣＯＨ
）が大きくなり、かつ主電子レンズ部（ＭＬ）で収差を
受けやすくなる。そのため、蛍光体スクリーン上のビー
ムスポットを径大となり、ブルーミングをおこす。

このようなブルーミング現象を抑制する手段として、特
開昭５７−３０２４７号公報には、高電流域における外
側電子ビーム（動作領域の周辺部から放射される電子ビ
ーム）のみを少し強く集束して、主電子レンズの手前で
電子ビーム軸と交差させることにより、主電子レンズ部
での電子ビームの広がりを小さくして、収差を受けにく
くする手段が示されている。また、特開昭５７−４４９
４４号公報には、上記手段において、低電流域と高電流
域とでフォーカス電圧を変化させるいわゆるダイナミッ
ク補正手段が示されている。

しかしながら、上記特開昭５７−３０２４７号公報のよ
うに外側電子ビームのみを主電子レンズの手前で電子ビ
ーム軸と交差させることは、Ｍ１グリッドと主電子レン
ズとの間に他の電子レンズが存在するため、高電流域で
外側電子ビームのみを集束することはできず、中央部か
らの電子ビームも集束作用を受け、物点（仮想クロスオ
ーバ）はかえって大きくなる。また、低電流域でも同様
に物点は大きくなる。したがって、この手段により蛍光
体スクリーン上のビームスポットを径小にすることは困
難である。

また、特開昭５７−４４９４４号公報のようにダイナミ
ック補正手段を用いる場合は、高周波、高電圧を取扱う
ため、その調整回路が高価となり、経済性に劣る。さら
に、高電流域では、物点が大きくなっているため、ダイ
ナミック補正手段により調整しても、その効果はあまり
期待できない。

（発明が解決しようとする課題） 上記のように、陰極線管の画面品位を向上させるために
は、ブリフォーカスレンズにより形成される物点を小さ
くして、ビームスポット径を小さくすることが有効であ
る、しがし、従来の手段では、高電流域におけるブルー
ミング現象を十分に抑制することができず、ビームスポ
ットが径大となって、高電流域における画像品位を向上
させるのが困難であった。

したがって、陰極線管の画面品位を向上させるためには
、電子ビーム形成部により形成される物点を低電流域ば
かりでなく、高電流域においても小さく抑えるとともに
、物点からの電子ビームの広がりを小さく抑えて、高電
流域におけるブルーミング現象を抑制することが必要で
ある。

この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
低電流域ばかりでなく、高電流域においても物点を小さ
く抑え、かつ物点からの電子ビームの広がりを小さく抑
えて、高電流域におけるブルーミング現象を十分に抑制
しうる陰極線管を構成することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するだめの手段） 電子ビーム形成部と主電子レンズ部とを有する電子銃を
備える陰極線管において、その電子ビーム形成部を構成
するカソードの第１グリッドと対向する面に、その第１
グリッドの電子ビーム通過孔と同軸にほぼ円形の四部を
形成し、その凹部内面にのみ電子放射層を設けた。

（作用） 上記のように、カソードの第１グリッドと対向する面に
第１グリッドの電子ビーム通過孔と同軸にほぼ円形の凹
部を形成し、その凹部内面にのみ電子放射層を設けると
、低電流域における電子は、凹部内の第１グリッドに近
い浅い部分に形成される動作領域から放射される。また
高電流域における電子は、その低電流域における動作領
域および凹部内のそれよりも深い部分に形成される動作
領域から放射される。しかし、この凹部内の深い部分か
ら放射される電子は、凹部開口によって規制されるため
、低電流域における電子ビームの軌道と高電流域におけ
る電子ビームの軌道との差を小さくすることができる。

したがって、低電流域において、微小の仮想クロスオー
バが形成されるように電子銃を設計すれば、高電流域に
おいても、仮想クロスオーバ径を小さくすることができ
、また、低電流域におけるクロスオーバ形成後の電子ビ
ームの広がりと高電流域におけるクロスオーバ形成後の
電子ビームの広がりとの差が減少し、高電流域における
主電子レンズによる収差の影響を軽減することができる
。その結果、高電流域におけるブルーミング現象を抑制
し、低電流域から高電流域にかけて、ターゲット上のビ
ームスポット径を小さくすることができる。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。

第１図にその一実施例であるカラー受像管を示す。この
カラー受像管は、パネル（１０）およびこのパネル（１
０）に一体に接合されたファンネル（１１）からなる外
囲器を有し、そのパネル（ｌＯ）内面に、青、緑、赤に
発光する３色蛍光体層からなる蛍光体スクリーン（３）
が形成され、この蛍光体スクリーン（３）に対向して、
その内側に多数の電子ビーム通過孔の形成されたシャド
ウマスク（１３）が装着されている。また、ファンネル
（１１）のネック（１４）内に、同一水平面上を通るセ
ンタービーム（１５Ｇ）および一対のサイドビーム（１
５Ｂ）　、　（１５Ｒ）からなる−列配置の３電子ビー
ム（１５Ｂ）、（１５Ｇ）、（１５Ｒ）を放出する下記
電子銃〈１６）が配設されている。そして、この電子銃
（１６）から放出される３電子ビーム（１５Ｂ）。

（１５Ｇ）　、　（１５Ｒ）をファンネル（１１）のネ
ック（１４）とコーン部（１７）との境界部外側に装着
された偏向ヨーク（１８）の発生する水平、垂直偏向磁
界により偏向し、シャドウマスク（１３）を介して上記
蛍光体スクリーン（３）を水平、垂直走査することによ
り、この蛍光体スクリーン（３）上にカラー画像を表示
する構造に形成されている。

なお、第１図において、（２０）はファンネル（１１）
のコーン部（１７）内面およびネック（１４）のコーン
部（１７）との隣接部内面に塗布形成された内部導電膜
、（２１）はファンネル（１１）のコーン部（１７）外
面に塗布形成された外部導電膜、（２２）はパネル（１
０）内側にシャドウマスク（１３）を支持するマスク支
持手段、（２３）はシャドウマスク（１３）およびマス
ク支持手段（２２）を介して蛍光体スクリーン（１２）
を内部導電膜（２０）に導電接続するＰ−Ｆコネクタで
ある。

上記電子銃（１６）は、第２図に示すように、水平方向
に一列配置された３個のカソード（２５Ｋ）と、このカ
ソード（２５Ｋ）上に順次隣接して配置された第１乃至
第６グリッド（Ｇ１）〜（Ｇ６）とを有する。特にこの
電子銃（１６）のカソード（２５Ｋ）は、第１グリッド
（Ｇ１）と対向する面に、第１グリッド（Ｇｌ）側に開
口をもつ円筒状の凹部（２６）が第１グリッド（Ｇｌ）
の開孔（５）に対応して形成され、この四部（２６）内
にのみ酸化バリウムなどからなる電子放射層（２７）が
設けられ、この四部（２７）以外の第１グリッド（Ｇ１
）と対向する面（２８）は、基体金属が露出している構
造に形成されている。

そして、このカソード（２５Ｋ）および各グリッド（Ｇ
ｌ）〜（Ｇ６）は、一対の絶縁支持体（図示せず）によ
り一体に固定され、その先端部側は、第６グリッド（Ｇ
６）に固定されて上記内部導電膜（２０）に圧接する複
数個のバルブスペーサ（２９）により、またカソード（
２５Ｋ）側は、ネック（１４）端部を封止しているステ
ム（３０）を気密に貫通するステムビン（３Ｉ）に取付
けられ、これらバルブスペーサ（２９）およびステムピ
ン（３１）によりネック（１４）内に保持されている。

この電子銃（１６）においては、カソード（２５Ｋ）と
このカソード（２５Ｋ）に順次隣接する第１および第２
グリッド（Ｇｌ）、（Ｇ２）とにより、カソード（２５
Ｋ）からの電子放射を制御し、かつ放射された電子を加
速して電子ビームを形成する電子ビーム形成部（ＧＥ）
が形成され、第３乃至第６グリッド（Ｇ３）〜（Ｇ６）
により、その電子ビーム形成部（ＧＥ）から放出される
電子ビームを加速し、かつ最終的に蛍光体スクリーン（
３）に集束、集中する主電子レンズ部（肚）が形成され
る。

ところで、上記のようにカソード（２５Ｋ）を構成する
と、第３図に示すように、カットオフ状態では、接地さ
れている第１グリッド（ＣＩ）の電位Ｅｅｌに対して、
カソード電位ＥＫを適当な高電位に設定することにより
、カソード電位ＥＫよりもわずかに高い等電位線（６）
は、第１グリッド（Ｇｌ）の開孔（５）を通ってカソー
ド（２５Ｋ）側に浸透し、カソード（２５Ｋ）の凹部（
２Ｂ）開口に達する寸前の状態となるが、その凹部（２
６）内に設けられた電子放射層（２７）には達しないた
め、この電子放射層（２７）には、動作領域は形成され
ない。したがって、第１グリッド（Ｇ１）の開孔（５）
を通過する電子はなく、電子ビームは形成されない。

この状態からカソード電位ＥＫを下げていくと、第４図
に示すように、等電位線（６）は、第１グリッド（Ｇｌ
）の開孔（５）からさらにカソード（２５Ｋ）側に浸透
し、カソード（２５Ｋ）の四部（２６）内の第１グリッ
ド（Ｇ１）に近い浅い部分、すなわち四部（２６）の開
口近傍の電子放射層（２７）に達し、電子放射層（２７
）に動作領域（２９Ｌ）が形成される。この動作領域（
２９Ｌ）から放射される電子は、カソードレンズにより
集束されて電子ビーム（１５）となり、第２グリッド（
Ｇ２）近傍にクロスオーバ（ＣＯＬ）を形成する。

その後、この電子ビーム（１５）は、第２グリッド（Ｇ
２）の開孔（９）を通過し、第２グリッド（Ｇ２）と第
３グリッド（Ｇ３）により形成されるブリフォーカスレ
ンズにより発散が抑制されて第３グリッド（Ｇ３）に入
射するとともに、クロスオーバ（ＣＯＬ）よりもカソー
ド（２５Ｋ）側に仮想クロスオーバ（ＶＣＯＬ）を形成
する。

この場合は、ビーム電流値の小さい低電流域をなす。し
かし、上記動作領域（２９Ｌ）から放射される電子は、
従来の電子銃のようにカソードの中央部から放射される
電子ではないため、クロスオーバ（ＣＯＬ）形成時には
、カソードレンズによる収差を受ける。しかし、この低
電流域における仮想クロスオーバ（ＶＣＯＬ）が最良に
なるように第１グリッド（Ｇ１）の開孔（５）まわりの
板厚やカソード（２５Ｋ）と第１グリッド（Ｇｌ）との
間隔を設定することにより、仮想クロスオーバ（ＶＣＯ
Ｌ）を従来と同等以下にでき、電子ビーム（１５）の広
がりも従来量等にすることができる。

上記低電流域の状態からさらにカソード電位ＥＫを下げ
ていくと、第５図に示すように、等電位線（６）は、第
１グリッド（Ｇｌ）の開孔（５）からさらに大きくカソ
ード（２５Ｋ）側に浸透して、四部（２６）内の深奥部
の電子放射層（２７）まで達し、凹部（２６）の開口か
らその深奥部に及び前記動作領域（２９Ｌ）よりも広い
動作領域（２９＋１）が形成される。この動作領域（２
９Ｈ）から放射される電子も、カソードレンズにより集
束されて電子ビーム（１５）となり、第２グリッド（Ｇ
２）近傍に（Ｃｏｉｌとして示すクロスオバを形成する
。その後、電子ビーム（１５）は、第２グリッド（Ｇ２
）の開孔（９）を通過し、第２および第３グリッド（Ｇ
２）　、　（Ｇ３）により形成されるブリフォーカスレ
ンズにより発散が抑制されて第３グリッド（Ｇ３）に入
射するとともに、クロスオーバ（ＣＯＪＩ）よりもカソ
ード（２５Ｋ）側に仮想クロスオーバ（ＶｅＯＩ＋）を
形成する。

この場合は、ビーム電流値の大きい高電流域をなし、電
子放射層（２７）の動作領域（２９）１）の四部（２６
）内の深奥部から放射される電子ビームは、四部（２６
）開口を通過し、カソードレンズにより強い収差を受け
るが、四部（２６）内の第１グリッド（Ｇ１）に近い浅
い部分、すなわち凹部（２６）の開口近傍から放射され
る電子ビームもカソードレンズにより収差を受けるため
、その深奥部から放射される電子ビームの軌道は、開口
近傍から放射される電子ビーノ、（１５ｂ）の軌道と大
きく異なることはない。

したがって、高電流域においても、仮想クロスオーバ（
ＶＣＯＩ＋）、すなわち主レンズに対する物点を小さく
することができ、低電流域における物点を劣化させるこ
となく、高電流域における物点を大幅に改善することが
でき、従来高電流域において発生したブルーミング現象
を抑制して画像品位を向上させることができる。

つぎに、この効果をより一層明確にするため、ビーム電
流値とカソード（２５Ｋ）の動作領域（２９Ｈ）との関
係について述べる。

基本的に電子銃から放出される電子ビームのビーム電流
値を太き（するためには、カソードの動作領域を大きく
すればよい。そこで、上記カソード（２５Ｋ）の電子放
射層（２７）を模式的に示す第６図において、円筒状凹
部（２６）の直径をΦに１凹部（２６）の深さをＤ１動
作領域（２９１りの幅をｈとすると、動作領域（２９１
１）の面積Ｓｋは、Ｓｋ　　−π−中に−ｈ　　・・・
・・・・・・・・・・・・　＜１＞となる。

一般に酸化物陰極の電子放出能力Ｆｈは、カソードの設
計、製造方法などにより異なるが、通常１５〜１００ｍ
Ａ／ａｓ　　程度である。また、一般家庭テレビ用の陰
極線管においてカソードから放出される電流量は、低電
流時で０．１ａ八へ度、高電流時でその約４０倍の４ｍ
Ａ程度である。

そこで、説明を簡単にするため、ビーム電流がカソード
の動作領域（２９Ｈ）の面積Ｓｋに比例し、上記（１）
式のｈに比例して電流量が変化するものとする。たとえ
ば Φｋ　−０，４ｕ＋ ｈ　　＝　０．８ｍｍ Ｆｈ　　−１５ｍＡ／ｓａ とすると、 Ｓｋ　　＝１．０（１ｍｍ となり、１５−Ａ程度の電流は、簡単に取出すことがで
きる。

このような電子銃は、具体的には、つぎのように構成さ
れる。

各グリッドの開孔径 Ｇｌ＝Ｇ２−０．５８ｇ＋ｍ Ｇ３−Ｇ４−Ｇ５−Ｇ６−　　５．５ｖｂｍ各グリッド
の厚さ（または長さ） Ｇｌ＝０．１０ｍ Ｇ２−０．１８ｍｍ ０３−５．０■■ Ｇ４−２．０１園 Ｇ５−　１２．０論層 Ｇ３−６．８■ｌ 第６グリッド（Ｇ６）から蛍光体スクリーンまでの距離
−約３５０１ｍ カソード径−１，６１ カソードの凹部径Φｋ　＝０．４　＋ｕカソードの凹部
深さＤ−ＯＪ龍 各グリッドの印加電位 Ｅに一θ〜１５０Ｖ ｅｌ−ＯＶ Ｅｃ２−　Ｅｃ４−７００Ｖ Ｅｃ３−　Ｅｃ５−７０００〜８０００ＶＥｃＯ−２５
０００〜３００００Ｖ なお、上記具体例に示したように、カソードの凹部径Φ
には、第１グリッド（Ｇ１）の開孔径より小さくするこ
とが好ましい。

また、このような電子銃を用いると、その波及効果とし
て、スパーク放電によるカソードの劣化を防止する効果
が得られる。すなわち通常陰極線管は、２５０００〜ａ
ｏｏｏｏｖ程度の陽極高電圧を印加して動作させる。そ
のため、グリッドに管内の微小のごみが付着したり、あ
るいはグリッドに微小突起などが存在すると、スパーク
放電が発生する。

このスパーク放電の電流は、ときとしてカソードに流込
み、その電子放射層を破壊することがある。

しかし、この例のようにカソードを構成すると、第１グ
リッドに近い電子放射に直接影響を与えない基体金属面
との間で放電がおこり、電子放射層の破壊を防止するこ
とができ、長寿命陰極線管とすることができる。

つぎに、他の実施例について述べる。

上記実施例では、カソードに円筒状の四部を形成したが
、この四部は、第７図に示すように、底部を径小とする
円錐台形状の四部〈２６）として、この凹部（２６）内
に電子放射層（２７）を設け、それ以外の第１グリッド
（Ｇｌ）と対向する面（２８）を基体金属の露出面とし
てもよい。

このように構成すると、第１グリッド（ｃｉ）の開孔（
５）を通ってカソード（２５Ｋ）側に浸透する等電位線
（６）は、上記実施例の円筒状四部と比較して曲率が若
干強くなり、カソードレンズでの収差を軽減することが
できる。

また、上記実施例の円錐台形状の凹部のかわりに円錐形
状の凹部としても、同様の効果が得られる。

なお、上記実施例では、酸化バリウムなどの酸化物陰極
につ−いて説明したが、この発明は、イリジウムまたは
ニオブとタングステンとの合金層を有する含浸形陰極に
も適用できる。

なおまた、上記実施例は、カラー受像管について説明し
たが、この発明は、カラー受像管以外の陰極線管にも適
用できる。

［発明の効果］ 電子ビーム形成部と主電子レンズ部とを有する電子銃を
備える陰極線管において、その電子ビーム形成部を構成
するカソードの第１グリッドと対向する面に、その第１
グリッドの電子ビーム通過孔と同軸にほぼ円形の四部を
形成し、その凹部内面にのみ電子放射層を設けると、低
電流域における電子は、凹部内の第１グリッドに近い浅
い部分に形成される動作領域から放射され、また高電流
域における電子は、その低電流域における動作領域およ
び凹部内のそれよりも深い部分に形成される動作領域か
ら放射される。しかし、その凹部内の深い部分から放射
される電子を凹部開口によって規制されるので、低電流
域における電子ビームの軌道と高電流域における電子ビ
ームの軌道との差を少なくすることができる。したがっ
て、低電流域において、微小の仮想クロスオーバが形成
されるように電子銃を設計することにより、高電流域に
おいても仮想クロスオーバ径を小さくすることができ、
また、低電流域におけるクロスオーバ形成後の電子ビー
ムの広がりと高電流域におけるクロスオーバ形成後の電
子ビームの広がりとの差を少なくし、高電流域における
主電子レンズによる収差の影響を軽減することができる
。その結果、高電流域におけるブルーミング現象を抑制
し、低電流域から高電流域にかけてターゲット上のビー
ムスポット径を小さくして、画像品位のすぐれた陰極線
管とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図はこの発明の詳細な説明図で、第１図
はその一実施例であるカラー受像管の構成を示す図、第
２図はその電子銃の構成を示す図、第３図はその電子銃
のカットオフ状態におけるカソード近傍の等電位線を示
す図、第４図は同じく低電流域におけるカソード近傍の
等電位線を示す図、第５図は同じく高電流域におけるカ
ソード近傍の等電位線を示す図、第６図はカソードの動
作面積を説明するための図、第７図は他の実施例におけ
るカソードの構成およびカソード近傍の等電位線を示す
図、第８図は従来のカラー受像管の電子銃の構成を示す
図、第９図（ａ）および（ｂ）はそれぞれその電子銃の
カットオフ状態におけるカソード近傍の等電位線を示す
図および動作領域を説明するための図、第１０図（ａ）
および（ｂ）はそれぞれ低電流域におけるカソード近傍
の等電位線を示す図および動作領域を示す図、第１１図
（ａ）および（ｂ）はそれぞれ低電流域におけるカソー
ド近傍の等電位線を示す図および動作領域を示す図であ
る。 ３・・・蛍光体スクリーン、 ５・・・第１グリッドの電子ビーム通過孔、９・・・第
２グリッドの電子ビーム通過孔、２５Ｋ・・・カソード
、　　２６・・・凹部、２７・・・電子放射層、　　２
９Ｌ、　２９Ｈ・・・動作領域、Ｇｌ・・・第１グリッ
ド、　Ｇ２・・・第２グリッド、Ｇ３・・・第３グリッ
ド、　Ｇ４・・・第４グリッド、Ｇ５・・・第５グリッ
ド、　Ｇ６・・・第６グリッド、ＧＥ・・・電子ビーム
形成部、　　肚・・・主レンズ部、ＣＯＬ、ＣＯＨ・・
・クロスオーバ、 ＶＣＯＬ、　ＶＣＯｌｌ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 カソードおよびこのカソード上に順次配置された第１、
   第２グリッドを有し、上記カソードからの電子放射を制
   御し放射された電子を加速して電子ビームを形成する電
   子ビーム形成部と、この電子ビーム形成部から放出され
   る電子ビームを最終的にターゲット上に集束させる複数
   個のグリッドからなる主電子レンズ部とを有する電子銃
   を備える陰極線管において、 上記カソードは上記第１グリッドと対向する面に上記第
   １グリッドの電子ビーム通過孔と同軸にほぼ円形の凹部
   が形成され、この凹部内面にのみ電子放射層が設けられ
   ていることを特徴とする陰極線管。