JPH0454940B2 - - Google Patents
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
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-
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成される光導電層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて
作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していることを見出した点に基づいてい
る。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
され、光導電性を示す層厚１〜100μの第一の非
晶質層とを有する光導電部材であつて、前記第一
の非晶質層が構成原子として酸素原子を含有す
る、層厚10Å〜10μの第一の層領域と、構成原子
として周期律表第族に属する原子を含有する、
層厚30Å〜5μの第二の層領域とを有し、前記第
一の層領域と前記第二の層領域は互いに前記支持
体に接して設けられて少なくとも互いの一部を共
有しており、前記第二の層領域の層厚をtBとし、
前記第一の非晶質層の層厚と第二の層領域の層厚
tBとの差をＴとすれば tB／（Ｔ＋tB）≦0.4 の関係が成立し、前記第一の非晶質層上に、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子とし
て含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を
有することを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
１０２と非晶質層（）１０２上に設けられた、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子
とする非晶質材料で構成された第二の非晶質層１
０７とを有する。 非晶質層（）１０２は、構成原子として酸素
原子を含有する第一の層領域（Ｏ）１０３、周期
律表第族に属する原子（第族原子）を含有す
る第二の層領域（）１０４、及び第二の層領域
（）１０４上に、酸素原子及び第族原子が含
有されてない層領域１０６とから成る層構造を有
する。 第一の層領域（Ｏ）１０３と層領域１０６との
間に設けられている層領域１０５には第族原子
は含有されているが酸素原子は含有されてない。 第一の層領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原
子或いは第二の層領域（）１０４に含有される
第族原子は、各層領域に於いて、層厚方向には
連続的に均一に分布し、支持体１０１の表面に実
質的に平行な面内に於いては連続的に且つ実質的
に均一に分布されるのが好ましいものである。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材に於いては、非晶質層（）１０２の表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す層領域１０６に相当）を有
するが、第族原子は含有されているが、酸素原
子は含有されない層領域（第１図に示す層領域１
０５）は必ずしも設けられることを要しない。 即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域
（Ｏ）１０３と第二の層領域（）１０４とが同
じ層領域であつても良いし、又、第一の層領域
（Ｏ）１０３の中に第二の層領域（）１０４が
設けられても良いものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
（Ｏ）には、酸素原子の含有によつて、高暗抵抗
化と、非晶質層（）が直接設けられる支持体と
の間の密着性の向上が重点的に計られ、非晶質層
（）の表面側の層領域には酸素原子を含有させ
ずに耐多湿性、耐コロナイオン性の一層の向上と
高感度化が重点的に計られている。 殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、
非晶質層（）１０２が、酸素原子を含有する第
一の層領域（Ｏ）１０３、第族原子を含有する
第二の層領域（）１０４、酸素原子の含有され
ていない層領域１０５、及び酸素原子及び第族
原子の含有されていない層領域１０６とを有し、
第一の層領域（Ｏ）１０３と第二の層領域（）
１０４とが共有する層領域を有する層構造の場合
により良好な結果が得られる。 本発明の光導電部材に於いては非晶質層（）
の一部を構成し、酸素原子の含有される第一の層
領域（Ｏ）は、１つには非晶質層（）の支持体
との密着性の向上を計る目的の為に、又、非晶質
層（）の一部を構成し第族原子の含有される
第二の層領域（）は、１つには、非晶質層
（）の自由表面側より帯電処理を施された際支
持体側より非晶質層（）の内部に電荷が注入さ
れるのを阻止する目的の為に夫々非晶質層（）
の一部として支持体と非晶質層（）とが接合す
る層領域として少なくとも互いの一部を共有する
構造で設けられる。 又別には、第二の層領域（）の支持体と、或
いは第二の層領域（）の上に直接設けられる層
領域との密着性の向上をより一層効果的に達成す
るには、第一の層領域（Ｏ）を、支持体との接触
界面から、第二の層領域（）を内包する様に設
ける、詰り、支持体との接触界面から第二の層領
域（）の上方まで延在されて第二の層領域
（）を内在する層構造となる様に第一の層領域
（Ｏ）を非晶質層（）中に設けるのが好ましい
ものである。 本発明において、非晶質層（）を構成する第
二の層領域（）中に含有される周期律表第族
に属する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、
As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）、等
であり、殊に好適に用いられるのはＰ，Asであ
る。 本発明において、第二の層領域（）中に含有
される第族原子の含有量としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、通常は30〜５×10-4atomic ppm、
好ましくは50〜１×104atomic ppm、最適には
100〜５×103atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。第一の層領域（Ｏ）中に含有される
酸素原子の量に就ても形成される光導電部材に要
求される特性に応じて所望に従つて適宜決められ
るが、通常の場合、0.001〜50atomic％、好まし
くは、0.002〜40atomic％、最適には0.003〜
30atomic％とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有されている層領域（）の層厚tBと（第１図
では層領域１０４の層厚）、層領域（）の上に
設けられた層領域（）を除いた部分の層領域
（第１図では層領域１０６）の層厚Ｔとはその関
係が先に示した様な関係式を満足する様に決めら
れるものであるが、より好ましくは、先に示した
関係式の値が0.35以下、最適には0.3以下とされ
るのが望ましい。 本発明に於いて第族原子の含有される層領域
（）の層厚tBとしては、通常は30Å〜5μ、好適
には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされるのが
望ましいものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域（Ｏ）の層厚tOと
しては、少なくともその一部の層領域を共有する
層領域（）の層厚tBとの関係に於いて適宜所望
する目的に従つて決定されるのが望ましい。即ち
層領域（）と、該層領域（）と直に接触する
支持体との間の密着性の強化を計る目的であれ
ば、層領域（Ｏ）は、層領域（）の支持体側端
部層領域に少なくとも設けられてあれば良いから
層領域（Ｏ）の層厚tOとしては、高々、層領域
（）の層厚tB分だけあれば良い。 更に上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば、層領域（Ｏ）の層厚tOとしては、少なくとも
層領域（）の層厚tBだけある必要があり、且
つ、この場合は、層領域（Ｏ）中に層領域（）
が設けられた層構造とされる必要がある。 層領域（）と、該層領域（）上に直に設け
られる層領域との間の密着性を一層効果的に計る
には層領域（Ｏ）を層領域（）の上方（支持体
のある側とは反対方向）に延在させるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、非晶質層（）の非晶質層
（）側端部層領域に酸素原子の含有されない部
分を設け、層領域（Ｏ）を非晶質層（）の支持
体側に局所的に偏在させる場合には、層厚tOとし
ては、上記した点を考慮しつつ所望に従つて適宜
決められるが、通常の場合10Å〜10μ、好適には
20Å〜8μ、最適には30Å〜5μとされるのが望ま
しいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０７は、自由表面１０８
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的を
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層（）１０２
を構成する第一の非晶質層（）１０２と第二の
非晶質層（）１０７とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（sixC1−ｘ）yH1−ｙ、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で
形成される。 ａ−（sixC1−ｘ）ｙ：H1−ｙで構成される第
二の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパ
ツターリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。これ等の製造法は、製
造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作
製される光導電部材に所望される特性等の要因に
よつて適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の
制御が比較的容易である。シリコン原子と共に炭
素原子及び水素原子を作製する第二の非晶質層
（）中に導入するが容易に行える等の利点から
グロー放電法或いはスパツターリング法が好適に
採用される。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体１０１の設置してある
真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを
グロー放電を生起させることでガスプラズマ比し
て前記支持体１０１上に既に形成されてある第一
の非晶質層（）上にａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ
を堆積させれば良い。 本発明に於いてａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ形成
用の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なく
とも一つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H3，Si4
H10等のシラン（silane）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４
の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＨを構成原子とする物質はそ
の作成条件によつて構造的には結晶からアモルフ
アスまでの形態を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電
的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−sixC1−ｘが形成される
様に、所望に従つてその作成条件の選択が厳密に
成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（sixC1−ｘ）
yH1−ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（sixC1−ｘ）
yH1−ｙが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（sixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙが所望通りに作成され
得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（sixC1−ｘ）ｙ：H1−ｙの
特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては、通
常、10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが
望ましい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Terr、
好適には0.1〜0.5Terr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これらの層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−（sixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基いて、各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic
％とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適に
は10〜80atomic％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、通常の場合１
〜40atomic％、好ましくは２〜35atomic％、最
適には５〜30atomic％とされるのが望ましく、
これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成され
る光導電部材は、実際面に於いて優れたものとし
て充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙの表示で
行えばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層（）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させ
れば良い。又、スパツタリング法で形成する場合
には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで
構成されたターゲツトをスパツタリングする際、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る非晶質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層（）を形成する場合、基本的には、Si供
給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層（）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層（）を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な非晶質層（）形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層（）の形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極め
て有効な水素原子も導入されるので、本発明にお
いては好適なハロゲン原子導入用の原料として使
用される。 水素原子を非晶質層（）中に構造的に導入す
るには、上記の他にH2，或いはSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層（）が形成される。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又
はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましい。 非晶質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 非晶質層（）に、第族原子を含有する層領
域（）及び酸素原子を含有する層領域（Ｏ）を
設けるには、グロー放電法や反応スパツタリング
法等による非晶質層（）の形成の際に、第族
原子導入用の出発物質及び酸素原子導入用の出発
物質を夫々前記した非晶質層（）形成用の出発
物質と共に使用して、形成される層中にその量を
制御し乍ら含有してやる事によつて成される。 非晶質層（）を構成する、酸素原子の含有さ
れる層領域（Ｏ）及び第族原子の含有される層
領域（）を夫々形成するのにグロー放電法を用
いる場合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発
物質としては、前記した非晶質層（）形成用の
出発物質の中から所望に従つて選択されたもの
に、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第族
原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質又は第族原子導入用の
出発物質としては、少なくとも酸素原子或いは第
族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えば層領域（Ｏ）を形成するのであれば、シ
リコン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）
及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサンH3
SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げるこ
とが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ、
PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3、
AsF3、Ascl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、
SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も
第族原原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSi
とSiO2が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて成される。酸素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパツターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。 本発明において、非晶質層をグロー放電法で形
成する際に使用される稀釈ガス、或いはスパツタ
ーリング法で形成される際に使用されるスパツタ
ーリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例え
ば、He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（）の上に設けられ、第族
原子の含有されない層領域（Ｂ）（第１図では層
領域１０６に相当する）には、伝導特性を制御す
る物質を含有させることにより、該層領域（Ｂ）
の伝導特性を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ，Gaである。 本発明において、層領域（Ｂ）に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、該層領域
（Ｂ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｂ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、通常
の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05
〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 層領域（Ｂ）中に伝導特性を制御する物質、例
えば第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第族原
子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。 その様な第族原子導入用の出発物質として具
体的には硼素原子導入用としては、B2H6、B4
H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等
の水素化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、
Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第
２図に示した例に於いて説明した様に、非晶質層
（）を構成する層領域（Ｏ）が、非晶質層（）
に於いて支持体側の方に局所的に偏在されている
場合を好適な実施態様例とするが、本発明は、こ
れに限定されることはなく、例えば、層領域
（Ｏ）を非晶質層（）の全層領域として非晶質
層（）を形成しても良いものである。 この場合、非晶質層（）が光導電性を示すも
のとして作成される必要があることから、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限として
は、通常30atomic％、好適には10atomic％、最
適には5atomic％とすることが望ましいものであ
る。下限としては、この場合も勿論前記した値と
される。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。 図中の２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るための原料ガスが密封されており、その１例と
して、たとえば、２０２はHeで稀釈されたSiH4
ガス（純度99.999％、以下SiH4／Heと略す）ボ
ンベ、２０３はHeで稀釈されたPH3ガス（純度
99.999％、以下PH3／Heと略す。）ボンベ２０４
はHeで稀釈されたSi2H6ガス（純度99.99％、以
下Si2H6／Heと略す。）ボンベ、２０５はC2H4ガ
ス（純度99.999％）ボンベ、２０６はNOガスボ
ンベである。 形成される層中にハロゲン原子を導入する場合
には、SiH4ガス又はSi2H6ガスに代えて、例え
ば、SiF4ガスを用いる様にボンベを代えれば良
い。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２
６、リークバルブ２３５が閉じられていることを
確認し又、流入バルブ２１２〜２１６、流出バル
ブ２１７〜２２１、補助バルブ２３２，２３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ
２３４を開いて反応室２０３、ガス配管内を排気
する。次に真空計２３６の読みが約５×10-6torr
になつた時点で、補助バルブ２３２，２３３、流
出バルブ２１７〜２１２を閉じる。 基本シリンダー２３７上に第一の非晶質層
（）を形成する場合の１例をあげる。ガスボン
ベ２０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ２０３
よりPH3／Heガス、ガスボンベ２０６よりNOガ
スの夫々をバルブ２２２，２２３，２２６を開い
て出口圧ゲージ２２７，２２８，２３１の圧を
夫々１Kg／cm2に調整し、流入バルブ２１２，２１
３，２１６を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ２０７，２０８，２１１内に流入させる。引き
続いて流出バルブ２１７，２１８、補助バルブ２
３２，２３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室
２０１内に流入させる。このときのSiH4／Heガ
ス流量、PH3／Heガス流量、NOガス流量の比が
所望の値になるように流出バルブ２１７，２１
８，２２１を調整し、又、反応室２０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２３６の読みを見
ながらメインバルブ２３４の開口を調整する。そ
して基体シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター
２３８により50〜400℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源２４０を所望の
電力に設定して反応室２０１内にグロー放電を生
起させ基体シリンダー２３７上に先ず、硼素と酸
素の含有された層領域を形成する。 この際、所定の時間経過後PH3／Heガス、或
いはNOガスの反応室２０１内への導入を各対応
するガス導入管のバルブを閉じて遮断すること
で、燐の含有される層領域、或いは、酸素の含有
される層領域の層厚を所望に従つて任意に制御す
ることができる。 燐と酸素が夫々含有された層領域が上記の様に
して所望層厚に形成された後、流出バルブ２１
８，２２１の夫々を閉じて、引き続きグロー放電
を所望時間続けることによつて、燐と酸素が夫々
含有された層領域上に、燐及び酸素の含有されな
い層領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶
質層（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスにたとえばSiF4／He
を、更に付加して反応室内に送り込む。 上記の様な操作によつて、基体シリンダー２３
７上に形成された第一の非晶質層（）上に第二
の非晶質層（）を形成するには、第一の非晶質
層（）の形成の際と同様なバルブ操作によつて
例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの夫々を、必要に
応じてHe等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量
比で反応室２０１中に流し、所望の条件に従つ
て、グロー放電を生起させることによつて成され
る。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２０１内、流出バルブ２１
７〜２２１から反応室２０１内に至るガス配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ２１
７〜２２１を閉じ補助バルブ２３２，２３３を開
いてメインバルブ２３４を全開して系内を一旦高
真空に排気する操作を必要に応じて行う。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
図るため基体シリンダー２３７は、モータ２３９
によつて所望される速度で一定に回転させる。 実施例 １ 第２図に示した製造装置により、ドラム状アル
ミニウム基板上に以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた感光ドラム（電子写真用像形
成部材）を複写装置に設置し、5KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux・secとし
た。潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤ
を含む）によつて現像され、通常の紙に転写され
たが、転写画像は、極めて良好なものであつた。
転写されないで感光ドラム上に残つたトナーは、
ゴムブレードによつてクリーニングされ、次の複
写工程に移る。このような工程を繰り返し15万回
以上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用
環境特性の点、更には経時的安定性及び耐久性の
点において、各々、個々には特性の向上が計られ
ているが総合的な特性向上を計る上で更に改良さ
れる余地が存するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると従来においてはその使用時において残留電位
が残る場合が度々観測され、この種の光導電部材
は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用によ
る疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレードを
用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成される光導電層を有する光導電部材の層構成
を以後に説明される様な特定化の下に設計されて
作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べて
みてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していることを見出した点に基づいてい
る。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が使用
環境に殆んど依存なく実質的に常時安定してお
り、耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を
提供することを主たる目的とする。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材と
して適用させた場合、静電像形成のための帯電処
理の際の電荷保持能力が充分あり、通常の電子写
真法が極めて有効に適用され得る優れた電子写真
特性を有する光導電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び高耐圧性を有する光導電部材を
提供することでもある。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成
され、光導電性を示す層厚１〜100μの第一の非
晶質層とを有する光導電部材であつて、前記第一
の非晶質層が構成原子として酸素原子を含有す
る、層厚10Å〜10μの第一の層領域と、構成原子
として周期律表第族に属する原子を含有する、
層厚30Å〜5μの第二の層領域とを有し、前記第
一の層領域と前記第二の層領域は互いに前記支持
体に接して設けられて少なくとも互いの一部を共
有しており、前記第二の層領域の層厚をtBとし、
前記第一の非晶質層の層厚と第二の層領域の層厚
tBとの差をＴとすれば tB／（Ｔ＋tB）≦0.4 の関係が成立し、前記第一の非晶質層上に、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子とし
て含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を
有することを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）
から成り、光導電性を示す第一の非晶質層（）
１０２と非晶質層（）１０２上に設けられた、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子
とする非晶質材料で構成された第二の非晶質層１
０７とを有する。 非晶質層（）１０２は、構成原子として酸素
原子を含有する第一の層領域（Ｏ）１０３、周期
律表第族に属する原子（第族原子）を含有す
る第二の層領域（）１０４、及び第二の層領域
（）１０４上に、酸素原子及び第族原子が含
有されてない層領域１０６とから成る層構造を有
する。 第一の層領域（Ｏ）１０３と層領域１０６との
間に設けられている層領域１０５には第族原子
は含有されているが酸素原子は含有されてない。 第一の層領域（Ｏ）１０３に含有される酸素原
子或いは第二の層領域（）１０４に含有される
第族原子は、各層領域に於いて、層厚方向には
連続的に均一に分布し、支持体１０１の表面に実
質的に平行な面内に於いては連続的に且つ実質的
に均一に分布されるのが好ましいものである。 第１図に示す場合の例の様な本発明の光導電部
材に於いては、非晶質層（）１０２の表面側部
分には、酸素原子及び第族原子が含有されない
層領域（第１図に示す層領域１０６に相当）を有
するが、第族原子は含有されているが、酸素原
子は含有されない層領域（第１図に示す層領域１
０５）は必ずしも設けられることを要しない。 即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域
（Ｏ）１０３と第二の層領域（）１０４とが同
じ層領域であつても良いし、又、第一の層領域
（Ｏ）１０３の中に第二の層領域（）１０４が
設けられても良いものである。 本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域
（Ｏ）には、酸素原子の含有によつて、高暗抵抗
化と、非晶質層（）が直接設けられる支持体と
の間の密着性の向上が重点的に計られ、非晶質層
（）の表面側の層領域には酸素原子を含有させ
ずに耐多湿性、耐コロナイオン性の一層の向上と
高感度化が重点的に計られている。 殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、
非晶質層（）１０２が、酸素原子を含有する第
一の層領域（Ｏ）１０３、第族原子を含有する
第二の層領域（）１０４、酸素原子の含有され
ていない層領域１０５、及び酸素原子及び第族
原子の含有されていない層領域１０６とを有し、
第一の層領域（Ｏ）１０３と第二の層領域（）
１０４とが共有する層領域を有する層構造の場合
により良好な結果が得られる。 本発明の光導電部材に於いては非晶質層（）
の一部を構成し、酸素原子の含有される第一の層
領域（Ｏ）は、１つには非晶質層（）の支持体
との密着性の向上を計る目的の為に、又、非晶質
層（）の一部を構成し第族原子の含有される
第二の層領域（）は、１つには、非晶質層
（）の自由表面側より帯電処理を施された際支
持体側より非晶質層（）の内部に電荷が注入さ
れるのを阻止する目的の為に夫々非晶質層（）
の一部として支持体と非晶質層（）とが接合す
る層領域として少なくとも互いの一部を共有する
構造で設けられる。 又別には、第二の層領域（）の支持体と、或
いは第二の層領域（）の上に直接設けられる層
領域との密着性の向上をより一層効果的に達成す
るには、第一の層領域（Ｏ）を、支持体との接触
界面から、第二の層領域（）を内包する様に設
ける、詰り、支持体との接触界面から第二の層領
域（）の上方まで延在されて第二の層領域
（）を内在する層構造となる様に第一の層領域
（Ｏ）を非晶質層（）中に設けるのが好ましい
ものである。 本発明において、非晶質層（）を構成する第
二の層領域（）中に含有される周期律表第族
に属する原子として使用されるのは、Ｐ（燐）、
As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）、等
であり、殊に好適に用いられるのはＰ，Asであ
る。 本発明において、第二の層領域（）中に含有
される第族原子の含有量としては、本発明の目
的が効果的に達成される様に所望に従つて適宜決
められるが、通常は30〜５×10-4atomic ppm、
好ましくは50〜１×104atomic ppm、最適には
100〜５×103atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。第一の層領域（Ｏ）中に含有される
酸素原子の量に就ても形成される光導電部材に要
求される特性に応じて所望に従つて適宜決められ
るが、通常の場合、0.001〜50atomic％、好まし
くは、0.002〜40atomic％、最適には0.003〜
30atomic％とされるのが望ましいものである。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有されている層領域（）の層厚tBと（第１図
では層領域１０４の層厚）、層領域（）の上に
設けられた層領域（）を除いた部分の層領域
（第１図では層領域１０６）の層厚Ｔとはその関
係が先に示した様な関係式を満足する様に決めら
れるものであるが、より好ましくは、先に示した
関係式の値が0.35以下、最適には0.3以下とされ
るのが望ましい。 本発明に於いて第族原子の含有される層領域
（）の層厚tBとしては、通常は30Å〜5μ、好適
には40Å〜4μ、最適には50Å〜3μとされるのが
望ましいものである。 又、前記層厚Ｔと層厚tBとの和（Ｔ＋tB）とし
ては、通常は１〜100μ、好適には１〜80μ、最適
には２〜50μとされるのが望ましいものである。 酸素原子の含有される層領域（Ｏ）の層厚tOと
しては、少なくともその一部の層領域を共有する
層領域（）の層厚tBとの関係に於いて適宜所望
する目的に従つて決定されるのが望ましい。即ち
層領域（）と、該層領域（）と直に接触する
支持体との間の密着性の強化を計る目的であれ
ば、層領域（Ｏ）は、層領域（）の支持体側端
部層領域に少なくとも設けられてあれば良いから
層領域（Ｏ）の層厚tOとしては、高々、層領域
（）の層厚tB分だけあれば良い。 更に上記２つの点を満足する場合を考慮すれ
ば、層領域（Ｏ）の層厚tOとしては、少なくとも
層領域（）の層厚tBだけある必要があり、且
つ、この場合は、層領域（Ｏ）中に層領域（）
が設けられた層構造とされる必要がある。 層領域（）と、該層領域（）上に直に設け
られる層領域との間の密着性を一層効果的に計る
には層領域（Ｏ）を層領域（）の上方（支持体
のある側とは反対方向）に延在させるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、非晶質層（）の非晶質層
（）側端部層領域に酸素原子の含有されない部
分を設け、層領域（Ｏ）を非晶質層（）の支持
体側に局所的に偏在させる場合には、層厚tOとし
ては、上記した点を考慮しつつ所望に従つて適宜
決められるが、通常の場合10Å〜10μ、好適には
20Å〜8μ、最適には30Å〜5μとされるのが望ま
しいものである。 第１図に示される光導電部材１００に於いて
は、第一の非晶質層（）１０２上に形成される
第二の非晶質層（）１０７は、自由表面１０８
を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧
性使用環境特性、耐久性に於いて本発明の目的を
達成する為に設けられる。 又、本発明に於いては、非晶質層（）１０２
を構成する第一の非晶質層（）１０２と第二の
非晶質層（）１０７とを形成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の
確保が充分成されている。 第二の非晶質層（）は、シリコン原子と炭素
原子と水素原子とで構成される非晶質材料〔ａ−
（sixC1−ｘ）yH1−ｙ、但し０＜ｘ，ｙ＜１〕で
形成される。 ａ−（sixC1−ｘ）ｙ：H1−ｙで構成される第
二の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパ
ツターリング法、イオンインプランテーシヨン
法、イオンプレーテイング法、エレクトロンビー
ム法等によつて成される。これ等の製造法は、製
造条件、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作
製される光導電部材に所望される特性等の要因に
よつて適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導電部材を製造する為の作製条件の
制御が比較的容易である。シリコン原子と共に炭
素原子及び水素原子を作製する第二の非晶質層
（）中に導入するが容易に行える等の利点から
グロー放電法或いはスパツターリング法が好適に
採用される。 更に本発明に於いては、グロー放電法とスパツ
ターリング法とを同一装置系内で併用して第二の
非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体１０１の設置してある
真空堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを
グロー放電を生起させることでガスプラズマ比し
て前記支持体１０１上に既に形成されてある第一
の非晶質層（）上にａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ
を堆積させれば良い。 本発明に於いてａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙ形成
用の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｈの中の少なく
とも一つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｈを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H3，Si4
H10等のシラン（silane）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４
の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が
挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（CH8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）等が挙げられる。 SiとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとして
は、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化アルキルを
挙げることが出来る。これ等の原料ガスの他、Ｈ
導入用の原料ガスとしては勿論H2も有効なもの
として使用される。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツターリ
ングすることによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくとも水素原子を含有
するガス雰囲気中でスパツターリングすることに
よつて成される。 Ｃ又はＨ導入用の原料ガスとしては、先述した
グロー放電の例で示した原料ガスが、スパツター
リングの場合にも有効なガスとして使用され得
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂、希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ及びＨを構成原子とする物質はそ
の作成条件によつて構造的には結晶からアモルフ
アスまでの形態を取り、電気物性的には導電性か
ら半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導電
的性質から非光導電的性質までの間の性質を、
各々示すので、本発明に於いては、目的に応じた
所望の特性を有するａ−sixC1−ｘが形成される
様に、所望に従つてその作成条件の選択が厳密に
成される。 例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向上
を主な目的として設けるには、ａ−（sixC1−ｘ）
yH1−ｙは使用条件下に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には、上記の電気絶縁性の度合はある
程度緩和され、照射される光に対してある程度の
感度を有する非晶質材料としてａ−（sixC1−ｘ）
yH1−ｙが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（sixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙが所望通りに作成され
得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御され
るのが望ましい。 本発明に於ける目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（）を形成する際の支持体温度
としては第二の非晶質層（）の形成法に併せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、50℃
〜350℃、好適には100℃〜250℃とされるのが望
ましいものである。第二の非晶質層（）の形成
には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御や
層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である
事等の為に、グロー放電法やスパツターリング法
の採用が有利であるが、これ等の層形成法で第二
の非晶質層（）を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス
圧が作成されるａ−（sixC1−ｘ）ｙ：H1−ｙの
特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては、通
常、10〜300W、好適には20〜200Wとされるのが
望ましい。堆積室内のガス圧は通常0.01〜1Terr、
好適には0.1〜0.5Terr程度とされるのが望まし
い。 本発明に於いては、第二の非晶質層（）を作
成する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数
値範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、
これらの層作成フアクターは、独立的に別々に決
められるものではなく、所望特性のａ−（sixC1−
ｘ）yH1−ｙから成る第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基いて、各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子及び水素原子の量は、
第二の非晶質層（）の作製条件と同様、本発明
の目的を達成する所望の特性が得られる第二の非
晶質層（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は通常は１×10-3〜90atomic
％とされ、好ましくは１〜90atomic％、最適に
は10〜80atomic％とされるのが望ましいもので
ある。水素原子の含有量としては、通常の場合１
〜40atomic％、好ましくは２〜35atomic％、最
適には５〜30atomic％とされるのが望ましく、
これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成され
る光導電部材は、実際面に於いて優れたものとし
て充分適用させ得るものである。 即ち、先のａ−（sixC1−ｘ）yH1−ｙの表示で
行えばｘが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜
0.99、最適には0.15〜0.9、ｙが通常0.6〜0.99、好
適には0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが
望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為
の重要な因子の１つである。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数値範囲は、本発明の目的を効果的に達成する様
に所期の目的に応じて適宜所望に従つて決められ
る。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子や水素原子の量、
第一の非晶質層（）の層厚等との関係に於いて
も、各々の層領域に要求される特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従つて適宜決定される必
要がある。更に加え得るに、生産性や量産性を加
味した経済性の点に於いても考慮されるのが望ま
しい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロース、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以
上とされる。 本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る非晶質層（）を形成するには例えばグロー放
電法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテ
イング法等の放電現象を利用する真空堆積法によ
つて成される。例えば、グロー放電法によつて、
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶質層（）を
形成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を
供給し得るSi供給用の原料ガスと共に、水素原子
（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内
に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されてある所定の支持体
表面上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成させ
れば良い。又、スパツタリング法で形成する場合
には、例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等
のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でSiで
構成されたターゲツトをスパツタリングする際、
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用のガスをスパツタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。 本発明において、必要に応じて非晶質層（）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具
体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げら
れ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
としては、SiH4、Si2H6、Si3H8、Si4H10等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化硅素（シラン
類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に、層作成作業の扱い易さ、Si供給効率の良さ等
の点でSiH4、Si2H6が好ましいものとして挙げら
れる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む硅素化合物も有効なものとして
本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Siを供給し得る原料
ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、
所定の支持体上にハロゲン原子を含むａ−Siから
成る非晶質層（）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む非
晶質層（）を形成する場合、基本的には、Si供
給用の原料ガスであるハロゲン化硅素ガスとAr，
H2，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして非晶質層（）を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所定の支
持体上に非晶質層（）を形成し得るものである
が、水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更
に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 反応スパツタリング法或いはイオンプレーテイ
ング法に依つてａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質
層（）を形成するには、例えばスパツタリング
法の場合にはSiから成るターゲツトを使用して、
これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパツタリ
ングし、イオンプレーテイング法の場合には、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源として
蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵抗
加熱法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガス
プラズマ雰囲気中を通過させる事で行う事が出来
る。 この際、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法の何れの場合にも形成される層中にハロゲ
ン原子を導入するには、前記のハロゲン化合物又
は前記のハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを
堆積室中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形
成してやれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2或いは前記したシ
ラン類等のガスをスパツタリング用の堆積室中に
導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやれ
ば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素、等々のガス状態の或いは
ガス化し得る、水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン化物も有効な非晶質層（）形成用の出
発物質として挙げる事が出来る。 これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶
質層（）の形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極め
て有効な水素原子も導入されるので、本発明にお
いては好適なハロゲン原子導入用の原料として使
用される。 水素原子を非晶質層（）中に構造的に導入す
るには、上記の他にH2，或いはSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等の水素化硅素のガスをSiを供給
する為のシリコン化合物と堆積室中に共存させて
放電を生起させる事でも行う事が出来る。 例えば、反応スパツタリング法の場合には、Si
ターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス
及びH2ガスを必要に応じてHe，Ar等の不活性ガ
スも含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を
形成し、前記Siターゲツトをスパツタリングする
事によつて、支持体上にａ−Si（Ｈ，Ｘ）から成
る非晶質層（）が形成される。 本発明において、形成される光導電部材の非晶
質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又
はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲ
ン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましい。 非晶質層（）中に含有される水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、
或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 非晶質層（）に、第族原子を含有する層領
域（）及び酸素原子を含有する層領域（Ｏ）を
設けるには、グロー放電法や反応スパツタリング
法等による非晶質層（）の形成の際に、第族
原子導入用の出発物質及び酸素原子導入用の出発
物質を夫々前記した非晶質層（）形成用の出発
物質と共に使用して、形成される層中にその量を
制御し乍ら含有してやる事によつて成される。 非晶質層（）を構成する、酸素原子の含有さ
れる層領域（Ｏ）及び第族原子の含有される層
領域（）を夫々形成するのにグロー放電法を用
いる場合、各層領域形成用の原料ガスとなる出発
物質としては、前記した非晶質層（）形成用の
出発物質の中から所望に従つて選択されたもの
に、酸素原子導入用の出発物質又は／及び第族
原子導入用の出発物質が加えられる。その様な酸
素原子導入用の出発物質又は第族原子導入用の
出発物質としては、少なくとも酸素原子或いは第
族原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えば層領域（Ｏ）を形成するのであれば、シ
リコン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（Ｏ）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、シリコン原子
（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原子
（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Si）、酸素原子（Ｏ）
及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 酸素原子導入用の出発物質となるものとして具
体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、一
酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸化
窒素（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸化
窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化窒
素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）
と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、
ジシロキサンH3SiOSiH3、トリシロキサンH3
SiOSiH2OSiH3等の低級シロキサン等を挙げるこ
とが出来る。 層領域（）をグロー放電法を用いて形成する
場合に第族原子導入用の出発物質として、本発
明において有効に使用されるのは、燐原子導入用
としては、PH3、P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ、
PF3、PF5、PCl3、PCl5、PBr3、PBr5、PI3等の
ハロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3、
AsF3、Ascl3、AsBr3、AsF5、SbH3、SbF3、
SbF5、SbCl3、SbCl5、BiH3、BiCl3、BiBr3等も
第族原原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。 第族原子を含有する層領域（）に導入され
る第族原子の含有量は、堆積室中に流入される
第族原子導入用の出発物質のガス流量、ガス流
量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力
等を制御することによつて任意に制御され得る。 スパツターリング法によつて、酸素原子を含有
する層領域（Ｏ）を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー、又はSi
とSiO2が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツターリング
すれば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
ーリングすることによつて成される。酸素原子導
入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の
例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパツターリングの場合にも有効なガス
として使用され得る。 本発明において、非晶質層をグロー放電法で形
成する際に使用される稀釈ガス、或いはスパツタ
ーリング法で形成される際に使用されるスパツタ
ーリング用のガスとしては、所謂稀ガス、例え
ば、He，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、第族原子の
含有される層領域（）の上に設けられ、第族
原子の含有されない層領域（Ｂ）（第１図では層
領域１０６に相当する）には、伝導特性を制御す
る物質を含有させることにより、該層領域（Ｂ）
の伝導特性を所望に従つて任意に制御することが
出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される非晶質層（）を構成するａ−
Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ
型不純物、具体的には、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Al（ア
ルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（インジウム）、
Tl（タリウム）等があり、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ，Gaである。 本発明において、層領域（Ｂ）に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、該層領域
（Ｂ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｂ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、層領域（Ｂ）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、通常
の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適には0.05
〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 層領域（Ｂ）中に伝導特性を制御する物質、例
えば第族原子を構造的に導入するには、層形成
の際に第族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、非晶質層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第族原
子導入用の出発物質と成り得るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下
で容易にガス化し得るものが採用されるのが望ま
しい。 その様な第族原子導入用の出発物質として具
体的には硼素原子導入用としては、B2H6、B4
H10、B5H9、B5H11、B6H10、B6H12、B6H14等
の水素化硼素、BF3、BCl3、BBr3等のハロゲン
化硼素等が挙げられる。この他、AlCl3、GaCl3、
Ga（CH3）3、InCl3、TlCl3等も挙げることが出来
る。 本発明の光導電部材に於いては、第１図及び第
２図に示した例に於いて説明した様に、非晶質層
（）を構成する層領域（Ｏ）が、非晶質層（）
に於いて支持体側の方に局所的に偏在されている
場合を好適な実施態様例とするが、本発明は、こ
れに限定されることはなく、例えば、層領域
（Ｏ）を非晶質層（）の全層領域として非晶質
層（）を形成しても良いものである。 この場合、非晶質層（）が光導電性を示すも
のとして作成される必要があることから、層領域
（Ｏ）中に含有される酸素原子の量の上限として
は、通常30atomic％、好適には10atomic％、最
適には5atomic％とすることが望ましいものであ
る。下限としては、この場合も勿論前記した値と
される。 次にグロー放電分解法によつて形成される光導
電部材の製造方法について説明する。 第２図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。 図中の２０２，２０３，２０４，２０５，２０
６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
るための原料ガスが密封されており、その１例と
して、たとえば、２０２はHeで稀釈されたSiH4
ガス（純度99.999％、以下SiH4／Heと略す）ボ
ンベ、２０３はHeで稀釈されたPH3ガス（純度
99.999％、以下PH3／Heと略す。）ボンベ２０４
はHeで稀釈されたSi2H6ガス（純度99.99％、以
下Si2H6／Heと略す。）ボンベ、２０５はC2H4ガ
ス（純度99.999％）ボンベ、２０６はNOガスボ
ンベである。 形成される層中にハロゲン原子を導入する場合
には、SiH4ガス又はSi2H6ガスに代えて、例え
ば、SiF4ガスを用いる様にボンベを代えれば良
い。 これらのガスを反応室２０１に流入させるには
ガスボンベ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２
６、リークバルブ２３５が閉じられていることを
確認し又、流入バルブ２１２〜２１６、流出バル
ブ２１７〜２２１、補助バルブ２３２，２３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ
２３４を開いて反応室２０３、ガス配管内を排気
する。次に真空計２３６の読みが約５×10-6torr
になつた時点で、補助バルブ２３２，２３３、流
出バルブ２１７〜２１２を閉じる。 基本シリンダー２３７上に第一の非晶質層
（）を形成する場合の１例をあげる。ガスボン
ベ２０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ２０３
よりPH3／Heガス、ガスボンベ２０６よりNOガ
スの夫々をバルブ２２２，２２３，２２６を開い
て出口圧ゲージ２２７，２２８，２３１の圧を
夫々１Kg／cm2に調整し、流入バルブ２１２，２１
３，２１６を徐々に開けて、マスフロコントロー
ラ２０７，２０８，２１１内に流入させる。引き
続いて流出バルブ２１７，２１８、補助バルブ２
３２，２３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室
２０１内に流入させる。このときのSiH4／Heガ
ス流量、PH3／Heガス流量、NOガス流量の比が
所望の値になるように流出バルブ２１７，２１
８，２２１を調整し、又、反応室２０１内の圧力
が所望の値になるように真空計２３６の読みを見
ながらメインバルブ２３４の開口を調整する。そ
して基体シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター
２３８により50〜400℃の範囲の温度に設定され
ていることを確認された後、電源２４０を所望の
電力に設定して反応室２０１内にグロー放電を生
起させ基体シリンダー２３７上に先ず、硼素と酸
素の含有された層領域を形成する。 この際、所定の時間経過後PH3／Heガス、或
いはNOガスの反応室２０１内への導入を各対応
するガス導入管のバルブを閉じて遮断すること
で、燐の含有される層領域、或いは、酸素の含有
される層領域の層厚を所望に従つて任意に制御す
ることができる。 燐と酸素が夫々含有された層領域が上記の様に
して所望層厚に形成された後、流出バルブ２１
８，２２１の夫々を閉じて、引き続きグロー放電
を所望時間続けることによつて、燐と酸素が夫々
含有された層領域上に、燐及び酸素の含有されな
い層領域が所望の層厚に形成されて、第一の非晶
質層（）の形成が終了する。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には上記のガスにたとえばSiF4／He
を、更に付加して反応室内に送り込む。 上記の様な操作によつて、基体シリンダー２３
７上に形成された第一の非晶質層（）上に第二
の非晶質層（）を形成するには、第一の非晶質
層（）の形成の際と同様なバルブ操作によつて
例えば、SiH4ガス、C2H4ガスの夫々を、必要に
応じてHe等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量
比で反応室２０１中に流し、所望の条件に従つ
て、グロー放電を生起させることによつて成され
る。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室２０１内、流出バルブ２１
７〜２２１から反応室２０１内に至るガス配管内
に残留することを避けるために、流出バルブ２１
７〜２２１を閉じ補助バルブ２３２，２３３を開
いてメインバルブ２３４を全開して系内を一旦高
真空に排気する操作を必要に応じて行う。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
図るため基体シリンダー２３７は、モータ２３９
によつて所望される速度で一定に回転させる。 実施例 １ 第２図に示した製造装置により、ドラム状アル
ミニウム基板上に以下の条件で層形成を行つた。 こうして得られた感光ドラム（電子写真用像形
成部材）を複写装置に設置し、5KVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux・secとし
た。潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤ
を含む）によつて現像され、通常の紙に転写され
たが、転写画像は、極めて良好なものであつた。
転写されないで感光ドラム上に残つたトナーは、
ゴムブレードによつてクリーニングされ、次の複
写工程に移る。このような工程を繰り返し15万回
以上行つても、画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ２
第２図に示した製造装置により、Alシリンダ
ー状基板上に以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた感光ドラムを複写装置に設置
し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光
量は1.0lux・secとした。潜像は荷電性の現像
剤（トナーとキヤリヤを含む）によつて現像さ
れ、通常の紙に転写されたが、転写画像は、極め
て良好なものであつた。転写されないで感光ドラ
ム上に残つたトナーは、ゴムブレードによつてク
リーニングされ、次の複写工程に移る。このよう
な工程を繰り返し10万回以上行つても、画像の劣
化は見られなかつた。
ー状基板上に以下の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。 こうして得られた感光ドラムを複写装置に設置
し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光
量は1.0lux・secとした。潜像は荷電性の現像
剤（トナーとキヤリヤを含む）によつて現像さ
れ、通常の紙に転写されたが、転写画像は、極め
て良好なものであつた。転写されないで感光ドラ
ム上に残つたトナーは、ゴムブレードによつてク
リーニングされ、次の複写工程に移る。このよう
な工程を繰り返し10万回以上行つても、画像の劣
化は見られなかつた。
【表】
【表】
実施例 ３
第２図に示した装置により、Al基板上に以下
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた感光ドラムを複写装置に設置
し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光
量は1.0lux・secとした。潜像は荷電性の現像
剤（トナーとキヤリヤを含む）によつて現像さ
れ、通常の紙に転写されたが、転写画像は極めて
濃度が高く良好なものであつた。転写されないで
感光ドラム上に残つたトナーは、ゴムブレードに
よつてクリーニングされ、次の複写工程に移る。
このような工程を繰り返し15万回以上行つても、
画像の劣化は見られなかつた。
の条件で層形成を行つた。 その他の条件は実施例１と同様にして行つた。
こうして得られた感光ドラムを複写装置に設置
し、5KVで0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を
照射した。光源はタングステンランプを用い、光
量は1.0lux・secとした。潜像は荷電性の現像
剤（トナーとキヤリヤを含む）によつて現像さ
れ、通常の紙に転写されたが、転写画像は極めて
濃度が高く良好なものであつた。転写されないで
感光ドラム上に残つたトナーは、ゴムブレードに
よつてクリーニングされ、次の複写工程に移る。
このような工程を繰り返し15万回以上行つても、
画像の劣化は見られなかつた。
【表】
実施例 ４
非晶質層（）の形成時、SiH4ガスとC2H4ガ
スの流量比を変えて、非晶質層（）に於けるシ
リコン原子とカーボン原子の含有量比を変化させ
る以外は実施例１と全く同様な方法によつて層形
成を行つた。こうして得られた感光ドラムにつ
き、実施例１に述べた如き方法で転写までの行程
を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたとこ
ろ第４表の如き結果を得た。
スの流量比を変えて、非晶質層（）に於けるシ
リコン原子とカーボン原子の含有量比を変化させ
る以外は実施例１と全く同様な方法によつて層形
成を行つた。こうして得られた感光ドラムにつ
き、実施例１に述べた如き方法で転写までの行程
を約５万回繰り返した後、画像評価を行つたとこ
ろ第４表の如き結果を得た。
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分であ
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を下表の如く変える以外
は、実施例１と全く同様な方法によつて層形成を
行つた。評価の結果は下表の如くである。
る ×〓画像欠陥を生ずる
実施例 ５ 非晶質層（）の層厚を下表の如く変える以外
は、実施例１と全く同様な方法によつて層形成を
行つた。評価の結果は下表の如くである。
【表】
実施例 ６
非晶質層（）の形成方法を下表の如く変える
以外は実施例１と同様な方法で層形成を行い、評
価をしたところ良好な結果が得られた。
以外は実施例１と同様な方法で層形成を行い、評
価をしたところ良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ７
非晶質層（）の形成方法を下表の如く変える
以外は実施例１と同様な方法で層形成を行い、評
価したところ良好な結果が得られた。
以外は実施例１と同様な方法で層形成を行い、評
価したところ良好な結果が得られた。
【表】
実施例 ８
実施例２の第２，３層作成段階に於ける、層作
成条件を下記の第８表に示す各条件にした以外
は、実施例２に示した条件と手順に従つて、電子
写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同
様の方法で評価したところ夫々に就て特に画質、
耐久性の点に於いて良好な結果が得られた。
成条件を下記の第８表に示す各条件にした以外
は、実施例２に示した条件と手順に従つて、電子
写真用像形成部材の夫々を作製し、実施例１と同
様の方法で評価したところ夫々に就て特に画質、
耐久性の点に於いて良好な結果が得られた。
【表】
第１図は本発明の光導電部材の好適な実施態様
例の層構造を模式的に示した模式的層構成図、第
２図は本発明の光導電部材を製造する為の装置の
一例を示す模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３ ……第
一の層領域（Ｏ）、１０４……第二の層領域
（）、１０７……第二の非晶質層（）。
例の層構造を模式的に示した模式的層構成図、第
２図は本発明の光導電部材を製造する為の装置の
一例を示す模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０３ ……第
一の層領域（Ｏ）、１０４……第二の層領域
（）、１０７……第二の非晶質層（）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
体とする非晶質材料で構成され、光導電性を示す
層厚１〜100μの第一の非晶質層とを有する光導
電部材であつて、前記第一の非晶質層が構成原子
として酸素原子を含有する、層厚10Å〜10μの第
一の層領域と、構成原子として周期律表第族に
属する原子を含有する、層厚30Å〜5μの第二の
層領域とを有し、前記第一の層領域と前記第二の
層領域は互いに前記支持体に接して設けられて少
なくとも互いの一部を共有しており、前記第二の
層領域の層厚をtBとし、前記第一の非晶質層の層
厚と第二の層領域の層厚tBとの差をＴとすれば tB／（Ｔ＋tB）≦0.4 の関係が成立し、前記第一の非晶質層上に、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とを構成原子とし
て含む非晶質材料で構成された第二の非晶質層を
有することを特徴とする光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033292A JPS58150959A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 光導電部材 |
| DE19833303266 DE3303266A1 (de) | 1982-02-01 | 1983-02-01 | Fotoeleitfaehiges element |
| US06/830,483 US4636450A (en) | 1982-02-01 | 1986-02-18 | Photoconductive member having amorphous silicon matrix with oxygen and impurity containing regions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033292A JPS58150959A (ja) | 1982-03-03 | 1982-03-03 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150959A JPS58150959A (ja) | 1983-09-07 |
| JPH0454940B2 true JPH0454940B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=12382459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57033292A Granted JPS58150959A (ja) | 1982-02-01 | 1982-03-03 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150959A (ja) |
-
1982
- 1982-03-03 JP JP57033292A patent/JPS58150959A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150959A (ja) | 1983-09-07 |