JPH0454756B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば、磁極を分割し、その間に
極めて幅の狭い絶縁物を形成した薄膜磁気ヘツド
に使用される金属メツキ層の形成方法に関するも
のである。

〔従来の技術〕

磁気デイスク装置においては、情報記録の高密
度化に伴つて薄膜磁気ヘツドが使われるようにな
つた。中でもデータの記録再生の信頼性を高める
ために、トラツク幅方向を２分割した２つのヘツ
ドでデータの再生を行ない、その出力を比較して
サーボ信号とするセルフサーボがある。そして、
このセルフサーボを使つてヘツドを位置決めし、
データ出力の和をとつてデータ信号とすることが
できる。これを実現するために第３図及び第４図
に示すような２つのヘツドが組合された薄膜磁気
ヘツドが提案されている。このような薄膜磁気ヘ
ツドは、絶縁性の基台１上に第１の下磁極２ａと
第２の下磁極２ｂとが絶縁体膜４を介して対向す
るように付着される。そして、第１の上磁極３ａ
と第２の上磁極３ｂとが絶縁体膜４を介して対向
し、さらに、第１の下磁極２ａ及び第２の下磁極
２ｂとの間に絶縁体膜４を介して配置されてい
る。そして、下磁極２ａと上磁極３ａとの間及び
下磁極２ｂと上磁極３ｂとの間に夫々コイル５ａ
及び５ｂが配設される。

このような薄膜磁気ヘツドの下磁極２ａ及び２
ｂの製作は例えば、特開昭52−54626号公報ある
いは特開昭58−144493号公報に示すフレームメツ
キ法によると第５図に示されたようなプロセスと
なる。図ａにおいて、６は絶縁性の基台であり、
この基台６上に導電性のメツキ電極となるパーマ
ロイ材料が使われた第１の薄膜７をメタライズす
る。次に図ｂに示されるように、第１の薄膜７上
に絶縁性のレジスト８を塗布し、写真製版を経
て、図ｃに示されるようにレジストパターンの窓
９が形成され、窓９の中にはレジストの桟１０が
残される。この桟１０は厚さが0.5μｍで高さが２
〜3μｍとなり、現在の写真製版技術及びレジス
トの物性等の問題により、必要とする厚さの薄
い、高さの高い桟１０の形成は極めて困難であ
る。従つて、形成される桟１０は図ｃのようにつ
ぶれて低くなつた形状に露光、現像される。次に
図ｄに示されるように、第１の薄膜７に電極をつ
なぎ（図示せず）、パーマロイ材料からなるメツ
キ層１１を窓９に２〜3μｍの厚さに形成する。
そして次に図ｅに示されるように、レジスト８を
除去し、図ｆに示されるように、逆スパツタエツ
チング等乾式エツチングによつてメツキ層１１以
外の部分の第１の薄膜を除去していた。

しかし、このようにして形成されたメツキ層１
１は桟１０がつぶれていたため、上部が桟１０の
部分で接続していると共に間隔が不均一に仕上が
る。

第６図は、別の従来例を示す、乾式エツチング
法としてのイオンビームエツチングによる下磁極
２ａ及び２ｂの製作プロセスを示すものである。
図ａにおいて、第５図と同様の基台６上にパーマ
ロイ材料からなる導電体層１２を形成し、図ｂに
示されるようにレジスト１３を導電体層１２上に
形成する。さらに、図ｃに示されるように写真製
版により0.5μｍ程度の溝１４部を作り、図ｄに示
されるように、イオンビームエツチングを行な
い、導電体層１２を溝１４部よりエツチングして
いる。しかし、幅が0.5μｍで深さが２〜3μｍをエ
ツチングすることはイオンビームの等方性や再付
着等の問題により極めて困難である。従つて、図
ｅに示されるように、レジスト１３を除去した状
態において、導電体層１２の上部にわずかな〓間
１５が形成されるだけで、下部は接続したままと
なつてしまう。又、何らかの方法で〓間１５が完
全に形成されたとしてもこの〓間１５に絶縁物を
成膜することが極めて困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の金属メツキ層の形成方法は以上ように行
なわれているので、絶縁性の基台上に２つの導電
性のメツキ層をこのメツキ層の厚さ以下の〓間を
もたせて形成し、この〓間に絶縁物を成膜するこ
とが非常に難かしいという問題点があつた。

この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、基台上に形成された導電性の
メツキ層の厚み以下の〓間に簡単に絶縁物を成膜
することのできる金属メツキ層の形成方法を得る
ことを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る金属メツキ層の形成方法は、絶
縁性の基台上に付着された導電性の第１の薄膜面
に第１の窓を有する第１の絶縁体膜を形成し、第
１の薄膜を電極として第１の窓部分に所定の厚さ
の導電性の第１のメツキ層を形成する第１の工程
を実施する。次いで、第１のメツキ層の下部の第
１の薄膜を残して第１の絶縁体膜と第１の薄膜と
を除去し、第１のメツキ層の厚さ以下の第２の絶
縁体膜を第１のメツキ層の少なくとも側面に形成
する第２の工程を実施する。次いで、基台上に導
電性の第２の薄膜を付着し、第１のメツキ層の側
面に形成された第２の絶縁体膜面を側面とする第
２の窓を有する第３の絶縁体膜を設けて、第２の
薄膜を電極として第２の窓部分に導電性の第２の
メツキ層を形成する第３の工程を実施する。そし
て、さらに第２のメツキ層の下部の第２の薄膜を
残して第３の絶縁体膜と第２の薄膜とを除去する
第４の工程を実施するようにしたものである。

〔作用〕

この発明における金属メツキ層の形成方法は、
基台上に形成された第１のメツキ層の少なくとも
側面に形成された第２の絶縁体膜を介して第１の
メツキ層の隣りに第２のメツキ層を形成したこと
により、第１のメツキ層の側面と第２のメツキ層
の対向する側面の〓間が絶縁体膜で絶縁できる。

〔実施例〕

以下、この発明による一実施例について第１図
によりプロセスを説明する。まず、図ａに示され
るように従来例と同様の基台６上にスパツタリン
グ又は蒸着などにより0.1μｍ程度のパーマロイを
使つた導電性の第１の薄膜２０を成膜する。次に
図ｂに示されるように第１の絶縁体膜としてのレ
ジスト２１を塗布し、図ｃに示されるようにレジ
スト２１に第１の窃２２を設ける。そして、図ｄ
に示されるように第１の薄膜２０を電極として第
１の窓２２にパーマロイの第１のメツキ層２３を
形成し、図ｅに示されるようにレジスト２１を除
去する。次いで図ｆに示されるように逆スパツタ
エツチング等の乾式エツチングにより第１のメツ
キ層２３部以外の第１の薄膜２１を除去する。次
に、図ｇに示されるようにアルミナ材料の第２の
絶縁体膜２４を斜め蒸着や第２図に示されるよう
な入射角を40°〜60°にして、アルゴンイオン２５
をアルミナターゲツト２６に衝突させてアルミナ
イオン２７を飛び出させ、傾けて設置された基台
６に射突させて付着させるイオンビームスパツタ
リング法等により成膜する。さらに、第１図ｈに
示されるようにパーマロイ材料からなる第２の薄
膜２８を第２の絶縁体膜２４上の基台６面と平行
な面にメタライズする。しかし、このとき基台６
面と垂直な第２の絶縁体膜２４の面には、レジス
トのパターン形成のときにおこるテーパーのた
め、これを反転させた状態にあるためメタライズ
層ができない。次に図ｉに示されるように第３の
絶縁体膜としてのレジスト２９が塗布され、図ｊ
に示されるように、第２の絶縁体膜２４の側面の
一部を側面とするレジスト２９の第２の窓３０を
形成し、図ｋに示されるように、窓３０に第２の
薄膜２８を電極として第２のメツキ層３１を形成
する。次いで、図１に示されるようにレジスト２
９を除去し、図ｍに示されるように第２のメツキ
層３１以外の第２の薄膜２８を逆スパツタエツチ
ングにより除去して下磁極を作成することができ
る。

なお、上記実施例では第２の絶縁体膜２３をア
ルミナ材料で示したが、これ以外のSiO₂など他
の絶縁材料によつてもよく、半導体を使つてもよ
い。

また、メツキ層にパーマロイを使用したが、
Fe系アモルフアス、Co合金、Ni合金など他の導
電材料であつてもよい。

また、第１のメツキ層２３と第２のメツキ層３
１の厚みを２〜3μｍで示し、〓間、すなわち第
２の絶縁体膜２４の厚さを0.5μｍで示したが、メ
ツキ層の厚さは10μｍ程度以下であればよく、〓
間はメツキ層の厚さ以下、すなわち10μｍ程度以
下であればよい。

また、第１のメツキ層２３の全周側面の第２の
絶縁体膜２４の一部に第２のメツキ層が接するよ
うに示したが上記側面の第２の絶縁体膜２４の全
部に接するようにしてもよい。

また、第１のメツキ層２３と第２のメツキ層３
１は膜厚が等しいように示したが膜厚が異つてい
てもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば基台上に形成
された第１のメツキ層の少なくとも側面に第１の
メツキ層の厚さ以下の第２の絶縁体膜を形成し、
第１のメツキ層の側面に形成された第２の絶縁体
膜面を側面とする第２の窓を第３の絶縁体膜に設
け、第２の窓部分に第２のメツキ層を形成するこ
とにより、導電性のメツキ層の間に設けられた、
メツキ層の厚み以下の〓間に簡単に絶縁物を成膜
することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による金属メツキ
層の形成方法のプロセスを説明するための説明
図、第２図はこの発明の工程の一つに用いられる
イオンビームスパツタリングの説明をするための
概念図、第３図はこの発明を用いて製作できる薄
膜磁気ヘツドの構造を示す平面図、第４図は第３
図の−線から見た局部投影図、第５図は従来
の金属メツキ層の形成方法のフレームメツキ法を
用いて製作を行なうプロセスを説明するための説
明図、第６図は別の従来例の乾式エツチング法を
用いたプロセスを示す説明図である。 図において、６は基台、２０は第１の薄膜（パ
ーマロイ）、２１はレジスト膜（第１の絶縁体
膜）、２２は第１の窓、２３は第１のメツキ層
（パーマロイ）、２４は第２の絶縁体膜（アルミ
ナ）、２８は第２の薄膜（パーマロイ）、２９はレ
ジスト膜（第３の絶縁体膜）、３０は第２の窓、
３１は第２のメツキ層（パーマロイ）である。な
お、各図中、同一符号は同一または相当部分を示
す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性の基台上に付着された導電性の第１の
   薄膜面に第１の窓を有する第１の絶縁体膜を形成
   し、上記第１の薄膜を電極として上記第１の窓部
   分に所定の厚さの導電性の第１のメツキ層を形成
   する第１の工程、上記第１のメツキ層の下部の上
   記第１の薄膜を残して上記第１の絶縁体膜と上記
   第１の薄膜とを除去し、上記第１のメツキ層の厚
   さ以下の第２の絶縁体膜を上記第１のメツキ層の
   少なくとも側面に形成する第２の工程、上記基台
   上に導電性の第２の薄膜を付着し、上記第１のメ
   ツキ層の側面に形成された上記第２の絶縁体膜面
   を側面とする第２の窓を有する第３の絶縁体膜を
   設けて、上記第２の薄膜を電極として上記第２の
   窓部分に導電性の第２のメツキ層を形成する第３
   の工程、上記第２のメツキ層の下部の上記第２の
   薄膜を残して上記第３の絶縁体膜と上記第２の薄
   膜とを除去する第４の工程を有することを特徴と
   する金属メツキ層の形成方法。 ２ 第１の絶縁体膜はレジスト膜であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の金属メツキ
   層の形成方法。 ３ 第２の絶縁体膜は蒸着により形成されること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
   載の金属メツキ層の形成方法。 ４ 第２の絶縁体膜はスパツタリングにより形成
   されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又
   は第２項記載の金属メツキ層の形成方法。 ５ 第２の絶縁体膜はアルミナ材料よりなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
   の何れかに記載の金属メツキ層の形成方法。 ６ 第１のメツキ層はパーマロイであることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項の何
   れかに記載の金属メツキ層の形成方法。 ７ 第２のメツキ層はパーマロイであることを特
   徴とする特許請求の範囲第６項記載の金属メツキ
   層の形成方法。