JPH0453287A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は光通信用レーザ、光計測用レーザとして供せら
れる半導体レーザ装置に関するものである。

（従来の技術） 光通信分野や光計測分野に用いられる半導体レーザでは
信頼性が厳しく要請されることや低電力が必須であるこ
とから埋め込み型（ＢＨＢｕｒｉｅｄＨｅｔｅｒｏｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ　）半導体レーザが広く用いられている
。Ｂ　Ｈレーザの代表的な構造の断面図を第１０図に示
す。その製造工程を以下に記す。

ｎ−ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎ　Ｐ　）基板７１にｎ−Ａ
６ＧａＡｓ（ｎ−１ｎＰ）クラッド層７２、アンドープ
ＡＩＧａＡｓ（ＧａＩｎＰＡｓ）活性層７３、ｐ−Ａｎ
ＧａＡ、ｓ（ｐ−ＩｎＰ）クラッド層７４を連続して積
層したダブルヘテロ（ＤＨＤｏｕｂｌｅＨｅｔｅｒｏ　
）構造に活性層幅が１．５μｍになるように前記ｎ−Ｇ
ａＡｓ（ｎ　−ＩｎＰ）基板に達するまで［０１１］逆
メサ方向にエッチしてメサストライプを形成する。次に
メザエッチマヌク（Ｓ１０２等）を残したままこのメサ
ストライプの両側にｐ−ＡＩＧａＡ、ｓ　（ｐ−ＩｎＰ
）埋め込み層７５、ｎ−Ａｌ：ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎ
Ｐ　）埋め込み層７Ｇの埋め込み成長をおこない、その
後、メサエソチマスクを除去してｐ−Ａ、＃ＧａＡｓ　
（ｐ　−Ｉ　ｎＰ）クラッド層７７、ｐ−ＧａＡｓ　（
ｐ−Ｇａ　ＩｎＰＡ、ｓ）コンタクＩ−Ｈ７８を積層す
る。７０．７９は各々ｎ側、ｐ側電極である。

また、Ｂ　Ｈレーザの第２の従来例（公開特許公報６４
−２５５９０）を第１１図に図示する。

ｎ−Ｇａ　Ａｓ　（ｎ　−Ｉ　ｎ　Ｐ　）基板８１に［
０１１，、］逆メザ方向に適当な深さ（２μｍ、）のメ
サストライプをエッチする。この基板８１上に、有機金
層気イ；目エビタギシャル成長法にてｎ　−Ｇ　ａ　Ａ
　ｓ　（ｎＩｎＰ）バッファー層８２、ｎ−Ａ６ＧａＡ
ｓ（ｎ−ＩｎＰ）クラッド層８３、アンドープＡ６Ｇａ
、Ａｓ（ＧａＩｎＰＡｓ）活性層８４、ｐ−Ａ６ＧａＡ
ｓ（ｐ−１ｎＰ）クラッド層８５を成長させる。この時
、成長条件を適当に選メば、ストライブ−にのＤ　Ｈは
断面が三角形状となる。更にｎ−Ａ６Ｇａ、Ａｓ　（ｎ
−Ｉ　ｎＰ　）埋め込み層８６、ｐ−Ａ６ＧａＡｓ（ｐ
　　ＩｎＰ）クラッド層８７ｉ８６．８７の両層の接合
位置が活性層８４の近傍になるように厳密な層厚制御を
行いながら、順次成長させる。次にｐ−ＧａＡｓ　（ｐ
−ＧａＩｎＰＡｓ）コンタクト層８８を成長させる。８
９．９０は各々ｎ側、ｐ側電極である。

これらのＢ　Ｈレーザでは埋め込み１−がｐｎ逆バイア
ヌになり、電流がメサ部に集中し、活性層３に幅も１〜
１．５μｍと狭いので、低閾値で横モードも安定な発振
が得られる。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、」−記の低閾値、安定な弔−横モード発
振が得られるＢＨレーザを作製するためには第１の従来
例では活性層幅を１．５μｍ以下にするようにエッチし
なければならず、制御良くエッチするのは困難である。

さらに第１の実施例では結晶成長が３回も必要であるこ
とから、プロセスが複雑になる。また、活性層の側面が
メサエッチによシ酸化され、結晶品質が劣化することも
懸念される。捷た第２の従来例では成長回数が１回で済
む利点はあるが、第１の従来例と同様基板に約２　Ｊｉ
ｍ、の深いメサをエッチせねばならない。歩留り良く深
いメサを基板全体にエッチするのは困雉である。さらに
ｐｎ両ＡＡＧａＡｓ（ＩｎＰ）電流ブロック層の接合部
を活性層に近傍に制御良く配置するのも困難である。゛
まだこの構造ではメサ上にＤＨを形成するためメサ部が
他の領域に比べ高くなシプレーナー化できず、素子をエ
ビ層側でマウントすることが困難であった。

上記のプロセスの問題点は製造工程の再現性を乏しくさ
せ、歩留シを低下させる原因となっていた。本発明は上
記の点に鑑み、プロセス上問題とならない精度で幅の狭
い活性層を再現良く形成し、しかも２回の結晶成長によ
ってＤＨ，埋め込みの両方を再現よく形成出来る半導体
レーザ装置全提供するものである。

（課題を解決するための手段） 」皿板問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ
装置は（］、、　００　）面を有する第１の導電型のＧ
ａＡ、５（ＩｎＰ）基板上に第２の導電型または半絶縁
（抵抗率〜１×１０６Ωｃｍ）のＡａＸｃａｌ−８Ａ、
、ｓ（前期ＩｎＰに格子整合した（　Ａ　ｅ　ＸＧ　ａ
　Ｈ，−ｘ）ｏ、４７Ｉｎｏ５３ＡＳ）を積層し、前記
積層基板に＜０１１．＞方向にチ・Ｃンネルを前記基板
に達するまでエッチし、チャンネルの底面の前記基板に
選択的に第１の導電型のＡ、＃ＧａＡｓ（ＩｎＰ）クラ
ッド層、Ａｎ　Ｇ　ａ、　Ａ　５（ＧａｘＩｎｌ　ｙＰ
ｙＡｓｌ　ｙ　ｘ　＝０．４７（１ｙ）　）活性層、第
２の導電型のＡ６ＧａＡｓ（ＩｎＰ）クラッド層なるダ
ブルヘテロを側面が（］、　１．１１面で囲まれて断面
形が三角形または台形となるように結晶成長させる工程
と前記（１１１）面で囲まれた三角形状または台形状の
ダブルヘテロの外側の領域にＡ＃ＧａＡｓ　（Ｉ　ｎＰ
　）半絶縁層またはｐｎ逆バイアス多層または第２の導
電型のＡ６Ｇａ、Ａｓ（ＩｎＰ）により埋め込み成長さ
せる工程からなる結晶成長法で製造する構造となってい
る。

（作用） 発明者らはＧａＡｓ（ＩｎＰ）基板上にＡｅｘＧａｌ　
ｙ、　Ａｓ（Ａ６）（ＧａＩ　ｘ）０４７Ｉｎ０．４７
　Ｉｎ０５３ＡＳ　）を積層し、＜ｏｉｉ＞逆メサ方向
に基板に達するまでチャンネルをエッチしたウェハー」
二にＭＯＣＶＤ法にてＡ、＃ＧａＡｓ　（Ｉ　ｎＰ　）
を成長させると、開始時点から成長条件で決まるある段
階までＧａＡｓ（ＩｎＰ）が露出して騎るチャンネルの
底には成長するがＡｌｘＧａ１−ＸＡＳ（（ＡＮＸＧａ
、１−ｘ）０４７Ｉｎ０４７Ｉ　ｎ０５３　Ａ　ｓ　）
上には全く成長しない現象を発見した。この現象の実験
例として［０１１］逆メサ方向にチャンネルをエッチし
た場合を第１図に示す。

第１図から判るようにＡＩＸＧａＩ　ＸＡ　Ｓ　ｘ＝　
０．６（（ＡＮｘ　Ｇａ１−ｘ　）０．４．７　Ｉ　ｎ
ｏ、ｓａ　Ａｓ　ｘ＝　０．６　）の上では最初の３０
分間は全く成長していない。［０１１］順メサ方向にチ
ャンネルをエッチした場合の例を第２図に示す。第１図
と同様に成長初期にはアルミを含むチャンネル外の層に
は成長しない。この現象は以下のように解釈される。す
なわちＡＩＧａＡｓ（ＡｅＧａ　Ｉ　ｎ　Ａ、　ｓ　）
　’ｆ：成長して一旦大気中にさらすとその表面では組
成元素のアルミが酸素と結合して酸化膜が形成される。

酸化膜の形成されたＡｎＧａＡｓ　（Ａｊ？Ｇａ　Ｉ　
ｎＡｓ　）とチャンネルの底面にＧａＡｓ（ＩｎＰ）基
板が露出しているウェハーの上にＭＯＣＶＤ成長を行う
と初期にはアルミの酸化膜のためＡ４ＧａＡｓ（Ａ６Ｇ
ａＩｎＡｓ）上では殆ど成長が進まない。このため成長
速度を律速する有機金属はＧａＡｓ　（Ｉ　ｎＰ　）上
に拡散していき、通常に比べ大きい速度で成長する。

方、Ａ　ｌｌ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ上ではアルシンＡｓＨ３
（フォスヒンＰＨ３）が分解してできる水素イオンＨ−
１−により酸化膜が漸次還元されていく。従ってＡ４Ｇ
ａＡｓ（ＡｎＧａＩｎＡｓ　）全面で酸化膜が還元され
ればＧａＡｓ（ＩｎＰ）と等速度で成長が始塘る。第１
図の実験例では全面が還元されるのに約３０分間を要し
たと解釈できる。更に従来より知られているように、（
１１１，）８面上の成長速度は（１００）面に比べ非常
に小さいので成長するにつれ（１，１１）Ｂ面が現れて
くる。そして（１１１１Ｂ面と（１００）面とのなす角
度５４．７°で精度よく成長される。従って、従来例の
第９図のＢ　Ｈレーザのメサ幅１〜１．５μｍに比べ２
倍の３μｍのチャンネル幅を決めれば活性層の幅は精度
、再現性共に良く決定される。また成長初期の段階での
成長速度差からチャンネル内のみ選択的にＤ　Ｈを形成
できるのでチャンネル内外の全層厚の差異を小さくする
ことができるので素子を作製した場合の段差によるマウ
ント不良の問題が無くなる。更にＧａＡｓ（ＩｎＰ）基
板上のＡ　ＲＧ　ａ　Ａ　ｓ（Ａ＃ＧａＩｎＡｓ　）ｉ
半絶縁性とすることにより、埋め込み層をｐｎ逆バイア
スを利用した多層構造とし々くとも、基板と異なる導電
型のＡβＧ　ａ　Ａ　５（ＩｎＰ）単層で十分電流を閉
じ込めることができる。

（実施例） 以下、本発明の５件の実施例について図面を参照しなが
ら説明する。第３図は本発明の実施例に於ける半導体レ
ーザ装置の断面図である。第３図に於いて１１はｎ−Ｇ
ａＡｓ（ｎ　−ＩｎＰ）基板、１２は半絶縁性（ＳＩ　
　Ｓｅｍ１　　Ｉｎ５ｕｒａｔｅ）の５Ｉ−Ａ６ＧａＡ
ｓ（ＳＩ−Ａ、６ＧａＩｎＡｓ）電流ブロック層、１３
はｎ−Ａ４ＧａＡｓ（ｎＩｎＰ）クラッド層、１４はア
ンドープＡＩＧａＡ　ｓ　（Ｇ　ａ　Ｉ　ｎ　Ｐ　Ａ、
、　ｓ　）活性層、Ｉ５はｐ−ＡｄＧ　ａ　Ａ、　ｓ　
（ｐ　−Ｉ　ｎ　Ｐ　）クラッド層、１６はｐＡｊ？Ｇ
ａＡ、ｓ（ｐ−ＩｎＰ）埋め込み層、１７はｐ−−Ｇａ
、Ａｓ（ｐ−Ｇａ　Ｉ　ｎＰＡｓ　）コンタクト層、１
８はｎ側電極、１９はｐ側電極である。

尚、１２の電流ブロック層は５Ｉ−Ａ６ＧａＡｓ（ＳＩ
−Ａ、６Ｇａ、ＩｎＡｓ）ではなく、ｐ−Ａ６ＧａＡｓ
（ｐ−Ａ、６Ｇａ　Ｉ　ｎＡｓ　）でも良い。

第４図はその具体的な作製工程を示している。

（１００）のｎ−ＧａＡｓ（ｎ−ＩｎＰ）基板１１の上
にＭＯＣＶＤにてバナジウムＶ（鉄Ｆｅ　）ｉドープし
て半絶縁性としだ層厚０．５μｍのＳＩ　−Ａ　６Ｘ　
Ｇ　ａ□Ｘ　Ａｓ　ｘ＝　０６３（ＳＩ−（ＡｌｘＧａ
１．−ｘ　）０．４７　ｉｎｏ、５３　Ａｓ　ｘ＝０．
６　）電流ブロック層１２を成長させ、［０１１］逆メ
サ方向に基板に達するまで３μｍ幅のチャンネル全エッ
チ−ｊる（ａ）。次に、ＭＯＣＶＤにてチャンネル内の
層厚０．５μｍのＳｅドープｎ　　Ａ　Ａ！ＸＧ　ａｌ
−ＸＡ、ｓ　ｘＯ，５（Ｓｉドープｎ−ＩｎＰ）クラッ
ド層１３、禁制帯幅０．７８μｍ、（１，３μｍ）の０
．１１１ｍのアンドープＡｎＧａＡｓ　（Ｇａ　Ｉ　ｎ
ＰＡ、ｓ　）活性層１４．０．５μｍ、のＺｎドープｐ
Ａ％Ｇａｌ−８Ａｓ　　ｘ＝０．５　（Ｚｎドープｐ−
ＩｎＰ）クラッド層１５を順次成長させた。この時の基
板温度は７５０（６５０）℃でｖ／ｍ＝６０（２００）
、７６　ｔｏｒｒの減圧でイ１った。両クラッド層のキ
ャリア濃度はＩ　Ｘ　１０１８である。Ｄ　Ｈ多層膜に
於いて、成長速度の面方位の依存性からｒｌ、１．］、
ｌＢ面上の成長は起こらず、側面の（１，１１）Ｂ面と
成長方向の」−面の（１，００）面で囲寸れた台形とな
シさらに成長を進めると三角形となる領域が形成される
。この上記三角形の底角は（１１１）Ｂ面と（１００）
面のなす角であるため、常に５４７°と精度よく成長が
おこる。従って、活性層幅より広く制御が容易なチャン
ネル幅の精度で活性層の幅を再現性よく制御できる（ｂ
）。次に三角形領域の両＋１４１１をＺｎｎドープ−Ａ
ｄＸＧａＩ　ＸＡＳ　ｘ＝０．５　（ｐ−ＩｎＰ）埋め
込み層（キャリア濃度ｌＸｌ０１８）１６で埋め込み成
長し、さらにＺｎｎドープ−ＧａＡｓ（ｐ−ＧａＩｎＰ
Ａｓ）コンタクト層（キャリア濃度Ｉ　Ｘｉ　Ｏ”）　
１．７を積層する。」二足埋め込み成長は選択性を無く
しメサ上を平坦にするためＭＯＣＶＤにて成長する場合
は常圧として面指数の選択性をなくして成長を行う。捷
だＬＰＥ法にても成長でき、この場合は成長速度の面指
数選択性は全く無いので成長面を平坦化が容易に出来る
（Ｃ）。

このように、ＤＨＨ構造埋め込み層を異なった成長条件
または成長装置で行うことにより、第３図に示した特長
ある構造を２回の成長で作製できる。

最後にｐ側にＡ　ｕ　／　Ｚ　ｎ電極１９．ｎ側にＡｕ
／Ｇｅ電極１８を形成する（ｄ）。

第５図は第２の実施例である。第３図と同様にＤ　Ｈ構
造を積層した後、埋め込み層として５ｌ−ＡｌＧａＡｓ
　（Ｓ　Ｉ　−Ｉ　ｎＰ　）３１ｉ用いる。このときは
埋め込み層２１はＤＨ層の断面三角形状の頂」二を越え
ないように成長させる。またこの頂」二を越えないよう
にするため上記三角形の頂上部に高アルミ混晶比のｐ−
Ａ６ＸＧａ１　　）ｌＦＡ、ｓ　Ｘ≧０、７　（１）　
　（Ａ＃ＸＧａ１　ｘ）ｏ。４７　Ｉ　ｎＯ，５３Ａｓ
　ｘ≧０．７）３０付設し、３１の成長速度を極端に小
さくすればここで成長が中断し、制御性よく埋め込み層
の成長をとめることができる。３０の三角形頂上付近の
成長速度は十分速いのでチャンネル外平坦部では３０は
殆ど成長しない。従って、チャンネル外では３０は成長
できる。３１に引き続いてｐ　−ＡｄＧａＡｓ（ｐ−Ｉ
ｎＰ）クラッド層３２を積層する。

第６図は第３の実施例である。第３図と同様にＤ　Ｈ構
造を積層した後、埋め込み層としてｐＡＩＧａＡｓ　（
ｐ−１ｎＰ　）４．１、ｎ−ＡｌＧａＡ　ｓ　（ｎ　−
Ｉ　ｎ　Ｐ　）　４．２のｐｎ逆バイアス層を用いる。

この後、ｐ−Ａ＃ＧａＡｓ　（ｐ−１ｎＰ　）クラッド
層３２を積層する。このとき４１層は活性層１４の直」
−１で成侵し、４２層はＤＨ層の三角形の頂」二を越え
ないようにする。

また第５図、第６図の実施例では１２電流ブロック層は
半絶縁性、ｎ、ｆｉｐ、ｐ型を問わない。

第５図、第６図の実施例では埋め込み層３１゜４２をＤ
　Ｈ層の三角形の頂上を越えて成長し、クラッド層３２
全成長せず、直接にコンタクト層１８を積層し、その後
Ｚｎｆ拡散してヌトライプ状電極としても良い。

第７図は第４の実施例である。第７図において５１はｎ
−ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎＰ　）基板、５２は５Ｉ−Ａ
ｌＧａＡｓ（ＳＩ＝Ａ＃ＧａＩｎＡｓ）電流ブロック層
、５３はｎ−ＡｆｆＧａＡ　ｓ　（ｎＩｎＰ）クラッド
層、５４はアンドープＡＩＧａＡｓ（アンドープＧａＩ
ｎＰＡｓ）活性層、５５はｐ−ＡｌＧａＡｓ　（ｐ　＝
Ｉ　ｎＰ　）クラッド層、５６はｐ−Ａ、６ＧａＡｓ　
（ｐ　−Ｉ　ｎＰ　）埋め込み層、５７はｐ−ＧａＡｓ
（ｐ−ＧａＩｎＰＡｓ　）コンタクト層、５８ばｎｌｌ
１ｌ電極、５９はｐ側電極である。尚、５２の電流ブロ
ック層はｐ−Ａ＃ＧａＡｓ（ｐ−Ａｊ？ＧａＩｎＡ、ｓ
）でも良い。

第８図にその具体的な作製工程を示す。（ｉｏｏ）のｎ
−ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎＰ　）基板５１に、ＭＯＣＶ
ＤにてＳ　Ｉ　　Ａ　（！ＸＧ　ａｌ−ＸＡｓ　Ｘ　＝
　０．８　（Ｓ　Ｉ　　（Ａ、　％　Ｇ　ａｌ、　ｘ）
０，４．７　Ｉ　ｎｏ、５３Ａｓ　Ｘ＝＝Ｑ、６）５２
を成長させ、［０１１〕順メザ方向に基板に達する壕で
２μｍ幅のチャンネルをエッチする（ａ）。

次にＭＯＣＶＤにてチャネル内の層厚０．５μｍのＳｅ
ドープｎ−ＡｌＧａＡ　ｓ　（Ｓｉ　ドープｎ−ＩｎＰ
）クラッド層５８、アンドープ０．１１１ｍのＡ、＃Ｇ
ａＡｓ　（Ｇａ　Ｉ　ｎＰＡｓ　）活性層５４、０、５
１１ｍのｐ　−Ａ、　（！　Ｇ　ａ　Ａ、　ｓ　（ｐ　
−Ｉ　ｎ、　Ｐ　）クラッド層５５を順次成長させる。

この時の成長条件等は第３図の実施例と等しい。Ｄ　Ｈ
多層膜に於いて、成長速度の面方位の依存性から（１，
１１）Ａ面、＋　１１．１１８面の成長速度が遅く断面
形状は全体で６角形となる（この事実は例えば１９８５
年応用物理学会結晶工学分科会第２回結晶工学シンポジ
ウムにて発表された香門浩−氏らの論文に記載されてい
る）。（１１１］Ａ而と（１］、１１Ｂ面のなす角度は
７０．６°で精度良く成長がおこる。従ってチャンネル
幅を精度良く決めれば活性ｊ師は自動的に決゛まり、再
現性よく制御できる（ｂ）。次に六角形領域の両１１ｔ
ｌｌ　’ｃ　Ｚ　ｎドープｐ　−Ａ　ｅ　Ｇ　ａ　Ａ、
　ｓ（ｐ　−ＩｎＰ）埋め込み層（キャリア濃度ｌＸｌ
０１８）５６で埋め込み、Ｚｎドープｐ−ＧａＡｓ（ｐ
Ｇａ　Ｉ　ｎＰＡｓ　）コンタクト層（キャリア濃度ｌ
Ｘｌ０１９）５７を積層する。その後、ｎ側電極Ａ、　
ｕ　／　Ｚ　ｎ　５８、ｐ何重ｉＡｕ／Ｇｅ５９を蒸着
するＦＣ）。

第９図は本発明に係る第５の実施例である。

ｎ、−ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎＰ）基板にＤ　Ｈを積層
したあと半絶縁性のＳ　Ｉ−Ａ６ＧａＡｓ　（Ｓ　Ｉ−
ＩＩｎＰ）６１、ｎ−Ａ６ＧａＡｓ　（ｎ−Ｉ　ｎＰ　
）コンタク１−層６２を順次積層する。この後、コンタ
タクト層６２を通してｐ−Ａ、６ＧａＡｓ　（ｐ−Ｉｎ
Ｐ）クラッド１りに達するまでＺｎ　６８を拡散させる
。尚、第９図の実施例では５２の層は半絶縁型でもｐ型
でもよく、６１の導電型はｎ型でもよい。また６１が半
絶縁型であれば、５２はｎ型でもよい。

（発明の効果） 本発明は（１，００）ＧａＡｓ　（Ｉ　ｎＰ　）基板に
ＡＩＧ　ａ、Ａｓ　（Ａｊ？ＸＧａ１−ｘ）０４７Ｉｎ
０．４７１　ｎｏ、５３　Ａ、　ｓ　）を積層した後、
＜０１１＞方向にチャンネルをエッチし、ＭＯＣＶＤ法
にて選択成長を行うことにより、プロセス」二問題にな
らない精度で幅の狭い活性層を再現良く形成でき、さら
に埋め込み層も成長条件を変えるだけでＤＨに引き続き
成長可能であるので、２回の成長でＢＨレーザを作製で
きる。しかもエビ面の平坦性も良好でマウント不良の問
題も無い。したがって、プロセスが簡略化し、特性が良
好で、信頼性の高い半導体レーザ装置が高歩留りでえる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）及び第２図（ａ）〜（ｄ）は本発
明の詳細な説明するための成長特性図、第３（２）、第
５図、ｎ−ＧａＡｓ（ｎ−ＩｎＰ）基板 ５ｌ−−／＼ｆｆＧａＡ、５（ＳＴ−ＡｌＧａＩｎＡｓ
接）電流ブロック層 ｎ、−Ａ、６ＧａＡ、５（ｎ−ＩｎＰ）クラッド層Ａ６
ＧａＡ、５（ＧａＴｎＰＡｓ）活性層ｐ−Ａｊ’ＧａＡ
、ｓ（ｐ−ＩｎＰ）クラッド層ｐ−ＡｇＧａＡｓ（ｐ−
ＩｎＰ）埋め込み層ｐ−ＧａＡｓ（ｐ−ＧａＩｎＰＡｓ
）コンタク）−層施例の具体的な製造工程を示す図、第
８□□□（ａ）〜（ｃ）は第７図に示した実施例の具体
的な製造工程を示す図、第１０図及び第１１図は従来例
を示す図である。 ｎ１１４１Ｉ電極 ｐ側電扱 ｐ−Ａ＃ＧａＡｓ　（ｐ−Ａ６Ｇａ　Ｉ　ｎＡｓ　）層
５Ｉ−Ａ６ＧａＡｓ（ＳＩ−ＩｎＰ）埋め込み層ｐ−Ａ
ＩＧａＡｓ（ｐ−ＩｎＰ）埋め込み層ｎ−Ａ６ＧａＡｓ
（ｎ−１ｎＰ）埋め込み層ｎ−ＧａＡｓ　（ｎ　−Ｉ　
ｎ、Ｐ　）基板５Ｉ−ＡＩＧａＡｓ（ＳＩ−ＡｌＧａＩ
ｎＡｓ）電流ブロックｊ■ ｎ−Ａ、ｎＧａ、Ａｓ　（ｎ−Ｉ　ｎ、Ｐ　）クラッド
層Ａ６ＧａＡｓ（ＧａＩｎＰＡｓ）活性層ｐ−ＡＪ？Ｇ
ａＡｓ　（ｐ−Ｉ　ｎＰ　）クラッド層ｐ−ＡＩＧａＡ
ｓ（ｐ−１ｎＰ）埋め込み層ｐ−ＧａＡｓ（ｐ−ＧａＩ
ｎＰＡｓ）コンタクＩ−層ｎ伺１電憧 ｐ側電極 ＳＩ　　Ａ６ＧａＡｓ（ＳＩ−ＩｎＰ）ｎ−ＧａＡ、５
（ｎ−ＧａＩｎＰＡｓ）：＋　ンタク１−層スドライブ
電極用Ｚｎ拡散層 代理人　弁理士　　梅　［Ｂ　　勝（他２名）ぐい （λ） ＠１図 （ｂ） （ａ） 第２図 （Ｃ） へ七時曲（冴） （Ｃ） −八

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、（１００）面を有する第１導電型のＧａＡｓ（Ｉｎ
   Ｐ）基板上に、第２導電型又は半絶縁性のＡｌ＿ｘＧａ
   ＿１＿−＿ｘＡｓ（（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿０
   ＿４＿７Ｉｎ＿０＿．＿５＿３ＡＳ）を積層し、この積
   層物を＜０１１＞方向に前記基板面に達するまでエッチ
   ングし、前記基板上に、第１導電型のＡｌＧａＡｓ（Ｉ
   ｎＰ）クラッド層、ＡｌＧａＡｓ（Ｇａ＿ｘＩｎ＿１＿
   −＿ｘＰｙＡｓ＿１＿−＿ｙ）活性層、及び第２導電型
   のＡｌＧａＡｓ（ＩｎＰ）クラッド層からなるダブルヘ
   テロ構造を形成した後、埋め込み層を成長させることを
   特徴とする半導体レーザの製造方法。