JPH0453108B2 - - Google Patents
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- JPH0453108B2 JPH0453108B2 JP60136409A JP13640985A JPH0453108B2 JP H0453108 B2 JPH0453108 B2 JP H0453108B2 JP 60136409 A JP60136409 A JP 60136409A JP 13640985 A JP13640985 A JP 13640985A JP H0453108 B2 JPH0453108 B2 JP H0453108B2
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- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60136409A JPS61294860A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
DE8686304785T DE3682959D1 (de) | 1985-06-21 | 1986-06-20 | Bipolarer transistor mit heterouebergang und verfahren zu seiner herstellung. |
EP86304785A EP0206787B1 (en) | 1985-06-21 | 1986-06-20 | Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing same |
US07/048,470 US4746626A (en) | 1985-06-21 | 1987-05-08 | Method of manufacturing heterojunction bipolar transistors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60136409A JPS61294860A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61294860A JPS61294860A (ja) | 1986-12-25 |
JPH0453108B2 true JPH0453108B2 (en:Method) | 1992-08-25 |
Family
ID=15174484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60136409A Granted JPS61294860A (ja) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61294860A (en:Method) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2504767B2 (ja) * | 1987-03-16 | 1996-06-05 | 日本電気株式会社 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
JPH01146362A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Nec Corp | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-21 JP JP60136409A patent/JPS61294860A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61294860A (ja) | 1986-12-25 |
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