JPH0577174B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0577174B2 JPH0577174B2 JP60145560A JP14556085A JPH0577174B2 JP H0577174 B2 JPH0577174 B2 JP H0577174B2 JP 60145560 A JP60145560 A JP 60145560A JP 14556085 A JP14556085 A JP 14556085A JP H0577174 B2 JPH0577174 B2 JP H0577174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- emitter
- collector
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145560A JPS625660A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60145560A JPS625660A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS625660A JPS625660A (ja) | 1987-01-12 |
JPH0577174B2 true JPH0577174B2 (en:Method) | 1993-10-26 |
Family
ID=15387969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60145560A Granted JPS625660A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS625660A (en:Method) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01238161A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2667863B2 (ja) * | 1988-03-23 | 1997-10-27 | 株式会社日立製作所 | バイポーラトランジスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-02 JP JP60145560A patent/JPS625660A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS625660A (ja) | 1987-01-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0206787B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing same | |
JPH02252267A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0577173B2 (en:Method) | ||
JPH0577174B2 (en:Method) | ||
JPH0577172B2 (en:Method) | ||
JPH0452627B2 (en:Method) | ||
JPH0575170B2 (en:Method) | ||
JPS6218761A (ja) | ヘテロ接合トランジスタの製造方法 | |
JP2623655B2 (ja) | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
JPS6216569A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH0453108B2 (en:Method) | ||
JPH0453110B2 (en:Method) | ||
JPS6218762A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
JPH0575169B2 (en:Method) | ||
JPH0453106B2 (en:Method) | ||
JP2841380B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
JPH02188964A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0571172B2 (en:Method) | ||
JPH0964054A (ja) | バイポーラトランジスタの作製方法 | |
JPH0453109B2 (en:Method) | ||
JPS63188968A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
JP2770586B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 | |
JPS63155664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0453107B2 (en:Method) | ||
JPH0821588B2 (ja) | セルフアラインバイポ−ラトランジスタの製造方法 |