JPH0452645A - ドライフィルムレジスト - Google Patents
ドライフィルムレジストInfo
- Publication number
- JPH0452645A JPH0452645A JP2161857A JP16185790A JPH0452645A JP H0452645 A JPH0452645 A JP H0452645A JP 2161857 A JP2161857 A JP 2161857A JP 16185790 A JP16185790 A JP 16185790A JP H0452645 A JPH0452645 A JP H0452645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resist
- dry film
- film
- foaming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 25
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005187 foaming Methods 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004156 Azodicarbonamide Substances 0.000 description 1
- MWRWFPQBGSZWNV-UHFFFAOYSA-N Dinitrosopentamethylenetetramine Chemical compound C1N2CN(N=O)CN1CN(N=O)C2 MWRWFPQBGSZWNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- XOZUGNYVDXMRKW-AATRIKPKSA-N azodicarbonamide Chemical compound NC(=O)\N=N\C(N)=O XOZUGNYVDXMRKW-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 235000019399 azodicarbonamide Nutrition 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、集積回路を製造する際に用いられるパター
ンレジストや配線基板の非半田付は部分の保護に用いら
れるソルダーマスク等を形成するために用いられるドラ
イフィルムレジストに関する。
ンレジストや配線基板の非半田付は部分の保護に用いら
れるソルダーマスク等を形成するために用いられるドラ
イフィルムレジストに関する。
「従来の技術」
従来のドライフィルムレジストは、第4図に示すように
、ポリエチレンテレフタレート(PET)等からなるベ
ースフィルムlと、感光樹脂層等からなるレジスト層2
と、ポリエチレン等からなる保護フィルム3とが積層さ
れてなるものであった。
、ポリエチレンテレフタレート(PET)等からなるベ
ースフィルムlと、感光樹脂層等からなるレジスト層2
と、ポリエチレン等からなる保護フィルム3とが積層さ
れてなるものであった。
このドライフィルムレジストのレジスト層2を被対象物
に貼着するには、まず保護フィルム3を剥がし、ついで
レジスト層2を被対象物に重ね合わせると共に、これを
ベースフィルムl側から80〜130℃に加熱された表
面の柔軟なヒートロールで被対象物に圧着し、この後ベ
ースフィルム1を剥がしていた。
に貼着するには、まず保護フィルム3を剥がし、ついで
レジスト層2を被対象物に重ね合わせると共に、これを
ベースフィルムl側から80〜130℃に加熱された表
面の柔軟なヒートロールで被対象物に圧着し、この後ベ
ースフィルム1を剥がしていた。
「発明が解決しようとする課題」
ところで、前記従来のドライフィルムレジストにおいて
は、埋まり込み性が悪い問題があった。
は、埋まり込み性が悪い問題があった。
即ち第5図に示すように、被対象物4の表面に開口が狭
く深い凹部5(例えば、鋭利なものによる打撃傷など)
が存在した場合、この凹部5の深部にまでレジスト層2
を埋め込むことが困難である問題があった。
く深い凹部5(例えば、鋭利なものによる打撃傷など)
が存在した場合、この凹部5の深部にまでレジスト層2
を埋め込むことが困難である問題があった。
このようにレジスト層2が埋め込まれない空隙6が存在
すると、例えば被対象物4がインジュウムすず酸化物(
ITO)膜の積層された半導体基板であった場合、第6
図に示すように、このレジスト層2からなるレジストパ
ターン7を用いてITo膜8をエツチングしたとき、空
隙6の部分からエチッング液か侵入し、ITO膜8が図
中二点鎖線9で示すように浸食され、形成されるべきI
TO配線が断線してしまう。
すると、例えば被対象物4がインジュウムすず酸化物(
ITO)膜の積層された半導体基板であった場合、第6
図に示すように、このレジスト層2からなるレジストパ
ターン7を用いてITo膜8をエツチングしたとき、空
隙6の部分からエチッング液か侵入し、ITO膜8が図
中二点鎖線9で示すように浸食され、形成されるべきI
TO配線が断線してしまう。
このような問題に対処する手段の一つとして、レジスト
層2をより柔らかくすることも考えられるが、このよう
にするとロール状に巻かれて保管されるドライフィルム
レジストの端部からレジスト層2か流出し易くなり、現
在でも25℃以下で保管しなければならないドライフィ
ルムレジストをより低温で保管する必要が生じ、特別な
冷却設備を設ける必要になり、ドライフィルムレジスト
の取り扱いが極めて不便になる問題が生じる。
層2をより柔らかくすることも考えられるが、このよう
にするとロール状に巻かれて保管されるドライフィルム
レジストの端部からレジスト層2か流出し易くなり、現
在でも25℃以下で保管しなければならないドライフィ
ルムレジストをより低温で保管する必要が生じ、特別な
冷却設備を設ける必要になり、ドライフィルムレジスト
の取り扱いが極めて不便になる問題が生じる。
また前記問題に対処する他の手段として、被対象物4に
対するレジスト層2の貼着を真空下で行うことか考えら
れているが、この場合は特殊な張り合わせ装置が必要と
なり、不経済である問題があった。
対するレジスト層2の貼着を真空下で行うことか考えら
れているが、この場合は特殊な張り合わせ装置が必要と
なり、不経済である問題があった。
この発明は前記事情に鑑みてなされたもので、取り扱い
性の悪化を招くことなく現行の装置でも利用できる埋ま
り込み性の良好なドライフィルムレノストを提供するこ
とを目的とする。
性の悪化を招くことなく現行の装置でも利用できる埋ま
り込み性の良好なドライフィルムレノストを提供するこ
とを目的とする。
[課題を解決するf二めの手段」
この発明のドライフィルムレノストでは、レノスト層上
に加熱により発泡する発泡層を設けることによって前記
課題の解決を図った。
に加熱により発泡する発泡層を設けることによって前記
課題の解決を図った。
前記発泡層は、軟質樹脂等の母材料に発泡剤を混合した
ものを用いて形成できる。母材料には、発泡剤を混入し
た軟質樹脂フィルムもしくは感光樹脂層に発泡剤を混入
したものが好適に用いられる。また発泡剤としては、ジ
ニトロソペンタメチレンテトラミン、アゾジカルボンア
ミド、4.4′ オキシビスベンゼンスルホニルヒドラ
ジッド、パラトルエンスルフォニルヒトラジソド等の分
解型発泡剤など各種のものを利用できるが、このドライ
フィルムレノストのレノスト層を被対象物に圧着する際
に用いられるヒートロールによって受ける加熱で発泡す
るものを用いることが望ましい。また発泡剤の種類、添
加量等は、このドライフィルムレジストを用いる対象の
表面状態等に適応した発泡圧が得られるように適宜選択
される。
ものを用いて形成できる。母材料には、発泡剤を混入し
た軟質樹脂フィルムもしくは感光樹脂層に発泡剤を混入
したものが好適に用いられる。また発泡剤としては、ジ
ニトロソペンタメチレンテトラミン、アゾジカルボンア
ミド、4.4′ オキシビスベンゼンスルホニルヒドラ
ジッド、パラトルエンスルフォニルヒトラジソド等の分
解型発泡剤など各種のものを利用できるが、このドライ
フィルムレノストのレノスト層を被対象物に圧着する際
に用いられるヒートロールによって受ける加熱で発泡す
るものを用いることが望ましい。また発泡剤の種類、添
加量等は、このドライフィルムレジストを用いる対象の
表面状態等に適応した発泡圧が得られるように適宜選択
される。
「作用」
このドライフィルムレジストを被対象物に貼着際にヒー
トロール等からの熱が発泡層に加わると、発泡層が発泡
する。するとこの発泡圧によりレジスト層が被対象物に
押圧される。発泡圧を発揮する気体は無定形なので、被
対象物の表面の形状に追従してレジスト層を被対象物の
表面に圧接する。
トロール等からの熱が発泡層に加わると、発泡層が発泡
する。するとこの発泡圧によりレジスト層が被対象物に
押圧される。発泡圧を発揮する気体は無定形なので、被
対象物の表面の形状に追従してレジスト層を被対象物の
表面に圧接する。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明のドライフィルムレジス
トを詳しく説明する。なお、前記従来例と同一構成部分
には同一符号を付して説明を簡略化する。
トを詳しく説明する。なお、前記従来例と同一構成部分
には同一符号を付して説明を簡略化する。
(実施例1)
第1図は、この発明のドライフィルムレジストの第1実
施例を示すものである。
施例を示すものである。
このドライフィルムレジストは、ベースフィルムlとレ
ノスト層2との間に発泡層10と剥離層11が設けられ
たものである。この発泡層10は、母材料としての軟質
アクリル樹脂と発泡剤とじてのCAP 500(三協化
成社製)との混合物によって形成されている。この発泡
層10とレノスト層2との間には、剥帽ト1が設けられ
ている。そしてこの剥離層11によって、レジスト層2
と発泡層lOとの間は、レジスト12と保護フィルム3
との間の界面の次に剥離し易い状態になされている。
ノスト層2との間に発泡層10と剥離層11が設けられ
たものである。この発泡層10は、母材料としての軟質
アクリル樹脂と発泡剤とじてのCAP 500(三協化
成社製)との混合物によって形成されている。この発泡
層10とレノスト層2との間には、剥帽ト1が設けられ
ている。そしてこの剥離層11によって、レジスト層2
と発泡層lOとの間は、レジスト12と保護フィルム3
との間の界面の次に剥離し易い状態になされている。
このドライフィルムレジストのレジスト層2を被対象物
4に貼着するには、まず保護フィルム3を剥がし、つい
でレジスト層2側を被対象物に重ね合わせると共に柔軟
な表面を有す80−130℃に加熱されたヒートロール
で被対象物4に圧着する。するとこの際に加わった熱に
よって発泡層10中の発泡剤が発泡してレノスト層2が
被対象物4の表面に押圧される。そしてレジスト層2は
被対象物4の表面に追従して隙間なく被対象物4の表面
に貼着される。
4に貼着するには、まず保護フィルム3を剥がし、つい
でレジスト層2側を被対象物に重ね合わせると共に柔軟
な表面を有す80−130℃に加熱されたヒートロール
で被対象物4に圧着する。するとこの際に加わった熱に
よって発泡層10中の発泡剤が発泡してレノスト層2が
被対象物4の表面に押圧される。そしてレジスト層2は
被対象物4の表面に追従して隙間なく被対象物4の表面
に貼着される。
このようにレジスト層2が貼着られた後、剥離層11の
部分からベースフィルムlと発泡層10が剥がされる。
部分からベースフィルムlと発泡層10が剥がされる。
このようにこのドライフィルムレノストは、レジスト層
2上に熱によって発泡する発泡層lOが設けられている
ので、ヒートロールを通過する際に発泡層10が発泡し
て、その際に発生する気体の圧力によってレジスト層2
が被対象物4の表面に押圧される。レジスト層2を圧着
する気体には定まった形が無いので、レノスト層2は被
対象物4の表面に追従して圧接される。従ってこのドラ
イフィルムレジストは、開口が狭く深い凹部の深部まで
レジスト層2が侵入し得る埋まり込み性の良いものとな
る。
2上に熱によって発泡する発泡層lOが設けられている
ので、ヒートロールを通過する際に発泡層10が発泡し
て、その際に発生する気体の圧力によってレジスト層2
が被対象物4の表面に押圧される。レジスト層2を圧着
する気体には定まった形が無いので、レノスト層2は被
対象物4の表面に追従して圧接される。従ってこのドラ
イフィルムレジストは、開口が狭く深い凹部の深部まで
レジスト層2が侵入し得る埋まり込み性の良いものとな
る。
(実施例2)
第2図は、この発明のドライフィルムレジストの第2実
施例を示すものである。
施例を示すものである。
このドライフィルムレジストが実施例1のものと異なる
点は、発泡層10とレジスト層2との間に剥離層IIが
設けられていない点である。
点は、発泡層10とレジスト層2との間に剥離層IIが
設けられていない点である。
この実施例のドライフィルムレジストでは、レジスト層
2と発泡層lOとの密着力がレジスト層2と保護フィル
ム3との密着力より強くなるような樹脂材料によって発
泡層10が形成されている。
2と発泡層lOとの密着力がレジスト層2と保護フィル
ム3との密着力より強くなるような樹脂材料によって発
泡層10が形成されている。
この実施例2のドライフィルムレジストにおいても実施
例1のものと同様の作用効果が得られる。
例1のものと同様の作用効果が得られる。
(実施例3)
第3図は、この発明のドライフィルムレジストの第3実
施例を示すものである。
施例を示すものである。
この実施例のトライフィルムレジストでは、へ−スフィ
ルム12が発泡剤を混合された樹脂で形成されており、
ベースフィルム12に発泡層の機能か付与されている。
ルム12が発泡剤を混合された樹脂で形成されており、
ベースフィルム12に発泡層の機能か付与されている。
この実施例のドライフィルムレジストにおいても、実施
例1のものと同様の作用効果が得られる。
例1のものと同様の作用効果が得られる。
なお以上の説明は、集積回路製造に用いられるパターン
レジストに本発明のドライフィルムレノストを用いるこ
とを念頭に説明を行ったが、同様の問題は配線密度の高
い配線基板においても存在しており、そのような配線基
板を保護するソルダーマスクにこの発明のドライフィル
ムレジストを用いた場合にも前述の作用効果が得られる
ことは勿論である。
レジストに本発明のドライフィルムレノストを用いるこ
とを念頭に説明を行ったが、同様の問題は配線密度の高
い配線基板においても存在しており、そのような配線基
板を保護するソルダーマスクにこの発明のドライフィル
ムレジストを用いた場合にも前述の作用効果が得られる
ことは勿論である。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明のドライフィルムレノス
トは、レノスト層上に熱によって発泡する発泡層が設け
られたものなので、ヒートロール等による加熱を受ける
と発泡層が発泡して、その際に発生する気体の圧力によ
ってレジスト層が被対象物の表面に押圧される。レジス
ト層に圧力を加える気体は定まった形が無いのでレジス
ト層は被対象物の表面の形状に沿って圧接される。従っ
てこの発明のドライフィルムレジストは、開口が狭く深
い凹部の深部までレジスト層が侵入し得る埋まり込み性
の良いものとなる。
トは、レノスト層上に熱によって発泡する発泡層が設け
られたものなので、ヒートロール等による加熱を受ける
と発泡層が発泡して、その際に発生する気体の圧力によ
ってレジスト層が被対象物の表面に押圧される。レジス
ト層に圧力を加える気体は定まった形が無いのでレジス
ト層は被対象物の表面の形状に沿って圧接される。従っ
てこの発明のドライフィルムレジストは、開口が狭く深
い凹部の深部までレジスト層が侵入し得る埋まり込み性
の良いものとなる。
第1図ないし第3図は実施例1ないし実施例3のトライ
フィルムレジストを示す断面図、第4図は従来のドライ
フィルムレジストを示す断面図、第5図および第6図は
従来のドライフィルムレノストの問題点を説明する為の
もので、第5図は断面図、第6図は斜視図である。 2 ・・ レジスト層、I0・・・・・発泡層、I2・
・・・(発泡層を兼ねる)ベースフィルム。 出朝人 三菱レイヨン株式会社 第5図 第6図
フィルムレジストを示す断面図、第4図は従来のドライ
フィルムレジストを示す断面図、第5図および第6図は
従来のドライフィルムレノストの問題点を説明する為の
もので、第5図は断面図、第6図は斜視図である。 2 ・・ レジスト層、I0・・・・・発泡層、I2・
・・・(発泡層を兼ねる)ベースフィルム。 出朝人 三菱レイヨン株式会社 第5図 第6図
Claims (1)
- レジスト層上に加熱下で発泡する発泡層を設けたことを
特徴とするドライフィルムレジスト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161857A JPH0452645A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ドライフィルムレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161857A JPH0452645A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ドライフィルムレジスト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0452645A true JPH0452645A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15743277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2161857A Pending JPH0452645A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | ドライフィルムレジスト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0452645A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7741003B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-06-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photoresist transfer pads |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161857A patent/JPH0452645A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7741003B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-06-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photoresist transfer pads |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940005806B1 (ko) | 캐리어 테이프의 칩 수용부를 시일링 하기위한 칩 반송용 카바 테이프 및 그 제조방법 | |
KR850007317A (ko) | 미리 형성된 패터언을 가진 장치기판 장치-부착 점착제 트랜스퍼 장치 | |
US10593898B2 (en) | Base carrier, flexible display panel and manufacturing method thereof, flexible display device | |
EP0329313A3 (en) | Laser patterning using a novel resist | |
DK0464144T3 (da) | Flerlagsfilm og laminat til anvendelse ved fremstilling af trykte kredsløbskort | |
JPH0452645A (ja) | ドライフィルムレジスト | |
JPH0362261B2 (ja) | ||
KR101407498B1 (ko) | 기판용 테이프의 이형필름 구조체 | |
JPS5366985A (en) | Heat-shrinkable multi-layered foaming sheet | |
JPH10173320A (ja) | プリント基板に設けたプレス破断面の被覆方法 | |
JPS5742157A (en) | Formation of pattern for circuit substrate | |
JPH08188756A (ja) | 剥離ライナーならびに両面粘着テープまたはシート | |
JP2566424B2 (ja) | 導電性回路転写箔およびその製造法 | |
JPH07195004A (ja) | 保護フィルムおよびその剥離方法 | |
JPH05283832A (ja) | 端面保護膜を含む金属ベース基板及びその製造方法 | |
JPH04245692A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
KR102096763B1 (ko) | 연성 회로 기판의 제조 방법 | |
KR100296642B1 (ko) | 포장용커버테이프 | |
JPS5371576A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS568834A (en) | Manufacture of projection for substrate conductor layer | |
JPS5321246A (en) | Expoliation preventive polyolefin film | |
JPS54158884A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPS51121092A (en) | Heat-curable composite sheet material | |
JPH04171886A (ja) | 金属箔回路パターン付電子部品の製法およびそれに用いる金属箔回路パターン付複合支持体 | |
JPH0387089A (ja) | 回路パターン形成用フィルムおよび回路板の製造法 |