JPH0452572A - 高温特性測定装置 - Google Patents
高温特性測定装置Info
- Publication number
- JPH0452572A JPH0452572A JP2161659A JP16165990A JPH0452572A JP H0452572 A JPH0452572 A JP H0452572A JP 2161659 A JP2161659 A JP 2161659A JP 16165990 A JP16165990 A JP 16165990A JP H0452572 A JPH0452572 A JP H0452572A
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- temperature
- air
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- characteristic measuring
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 abstract 4
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置(以下単にICと呼ぶ)を高温に
て特性測定する高温特性測定装置に関する。
て特性測定する高温特性測定装置に関する。
第3図は従来の高温特性測定装置の測定部の一例を示す
模式断面図である。従来、この種の高温特性測定装置の
測定部は、例えば、第3図に示すように、加熱されたI
CIを矢印13a及び13bの経路で搬送する吸着ハン
ド2と、IC2を装填するとともにICの特性を導出す
る配線6を有するソケット5と、このソケット5を取付
けるベース4と、このベース4に取付けられるとともに
ソケット5の周囲を囲む壁と吹付は穴とを有する槽3と
、この槽3に配管9で接続されるとともにエア源11か
らの空気を加熱する加熱器10とで構成されていた。
模式断面図である。従来、この種の高温特性測定装置の
測定部は、例えば、第3図に示すように、加熱されたI
CIを矢印13a及び13bの経路で搬送する吸着ハン
ド2と、IC2を装填するとともにICの特性を導出す
る配線6を有するソケット5と、このソケット5を取付
けるベース4と、このベース4に取付けられるとともに
ソケット5の周囲を囲む壁と吹付は穴とを有する槽3と
、この槽3に配管9で接続されるとともにエア源11か
らの空気を加熱する加熱器10とで構成されていた。
この高温特性測定器でICを測定する場合は、まず、例
えば、100℃程度に加熱されたICIを吸着ハンド2
で経路11aで搬送する。次に、ICIをソケット5に
装填し、プッシャ8が矢印13cで下降し、ICIを押
える。次に、エア源11からの空気が加熱器10で熱せ
られ、配管9を介して槽3に供給される。供給された加
熱空気は、ICIを吹き付け、ICIの温度を定常に保
つ。次に、配線6を介して特性測定を行う。
えば、100℃程度に加熱されたICIを吸着ハンド2
で経路11aで搬送する。次に、ICIをソケット5に
装填し、プッシャ8が矢印13cで下降し、ICIを押
える。次に、エア源11からの空気が加熱器10で熱せ
られ、配管9を介して槽3に供給される。供給された加
熱空気は、ICIを吹き付け、ICIの温度を定常に保
つ。次に、配線6を介して特性測定を行う。
上述した従来の高温特性測定装置は、加熱空気をICに
吹き付ける機構であるので、加熱された空気のIC表面
との摩擦により静電気が発生する。このため、帯電した
ICが他方で接地されると過電流が流れICを破壊する
という問題があった。また、この装置は、ソケット周囲
を囲む壁をもつ槽や、エアー加熱器、エアー配管が必要
となるため、測定部の機構が大がかりになるという欠点
もあった。
吹き付ける機構であるので、加熱された空気のIC表面
との摩擦により静電気が発生する。このため、帯電した
ICが他方で接地されると過電流が流れICを破壊する
という問題があった。また、この装置は、ソケット周囲
を囲む壁をもつ槽や、エアー加熱器、エアー配管が必要
となるため、測定部の機構が大がかりになるという欠点
もあった。
本発明の目的は、かかる問題及び欠点を解消する高温特
性測定装置を提供することにある。
性測定装置を提供することにある。
本発明の高温特性測定装置は、加熱された半導体装置を
搬送する吸着ヘッドと、前記半導体装置を装填するとと
もに前記半導体装置の特性値を抽出するソケットと、装
填された前記半導体装置を押さえるとともに温度を所定
の値に維持するプッシャとを有する高温特性測定装置に
おいて、前記ソケットの周囲を囲むヒータ内蔵ブロック
か、あるいは、このヒータ内蔵ブロックに加えて前記プ
ッシャを囲むとともに前記ソケットの上を覆う傘を有す
ることを特徴としている。
搬送する吸着ヘッドと、前記半導体装置を装填するとと
もに前記半導体装置の特性値を抽出するソケットと、装
填された前記半導体装置を押さえるとともに温度を所定
の値に維持するプッシャとを有する高温特性測定装置に
おいて、前記ソケットの周囲を囲むヒータ内蔵ブロック
か、あるいは、このヒータ内蔵ブロックに加えて前記プ
ッシャを囲むとともに前記ソケットの上を覆う傘を有す
ることを特徴としている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す高温特性測定装置の測
定部の模式断面図である。この高温特性測定装置の測定
部は、第1図に示すように、従来の加熱空気を吹き出す
檜の代りに、ソケット5の周囲を囲むとともに断熱材3
bを介してベーズ4に取付けられるヒータ内蔵ブロック
3aを設けたことである。このため従来の加熱器及び配
管が不要になり、しかもエアー源も不要となった。
定部の模式断面図である。この高温特性測定装置の測定
部は、第1図に示すように、従来の加熱空気を吹き出す
檜の代りに、ソケット5の周囲を囲むとともに断熱材3
bを介してベーズ4に取付けられるヒータ内蔵ブロック
3aを設けたことである。このため従来の加熱器及び配
管が不要になり、しかもエアー源も不要となった。
また、この高温特性測定装置の動作は、まず、従来例と
同様に、ICIは吸着ハンド2により経路13aで搬送
される0次に、ICIはソケット5にセットされ、セッ
トされたIC1はプッシャ8により、上部より押えられ
、試験を実施する。
同様に、ICIは吸着ハンド2により経路13aで搬送
される0次に、ICIはソケット5にセットされ、セッ
トされたIC1はプッシャ8により、上部より押えられ
、試験を実施する。
一方、ベース4上に置かれたヒータ内蔵のブロック3a
は加熱され、周辺の雰囲気を暖める。暖められた空気は
上昇し、高温領域14を形成する。
は加熱され、周辺の雰囲気を暖める。暖められた空気は
上昇し、高温領域14を形成する。
このとき、従来は、ICIが予め外部にて加熱されてい
るが、ソケット5迄搬送される量温度降下を生ずる。し
かし、本発明では、暖められた高温領域14が存在する
ので、温度降下が抑制され、その後ヒータ内蔵のプッシ
ャ8により押えられることでICIの温度は安定する。
るが、ソケット5迄搬送される量温度降下を生ずる。し
かし、本発明では、暖められた高温領域14が存在する
ので、温度降下が抑制され、その後ヒータ内蔵のプッシ
ャ8により押えられることでICIの温度は安定する。
従って、従来のようにICIは吹き出しエアーとの摩擦
がないので、静電気の帯電は無い。ここで、高温試験の
ための条件を、例えば、100℃とすると、高温領域1
4の温度は70℃前後に暖めれば、ICIの温度降下を
抑制できることが判明した。
がないので、静電気の帯電は無い。ここで、高温試験の
ための条件を、例えば、100℃とすると、高温領域1
4の温度は70℃前後に暖めれば、ICIの温度降下を
抑制できることが判明した。
第2図に本発明の他の実施例を示す高温特性測定装置の
実施例を示す模式断面図である。この高温特性測定装置
の測定部は、同図に示すように、前述の実施例に加えて
プッシャ8の回りに暖められた高温領域14が上昇する
速度を弱めるために傘12を設けたことである。また、
この傘12の高さは、吸着ハンド2の移動を防げない程
度の高さとした。本実施例では、熱源であるヒータ内蔵
ブロック3の熱消費量が前述の実施例と比べ少なくなる
という利点がある。
実施例を示す模式断面図である。この高温特性測定装置
の測定部は、同図に示すように、前述の実施例に加えて
プッシャ8の回りに暖められた高温領域14が上昇する
速度を弱めるために傘12を設けたことである。また、
この傘12の高さは、吸着ハンド2の移動を防げない程
度の高さとした。本実施例では、熱源であるヒータ内蔵
ブロック3の熱消費量が前述の実施例と比べ少なくなる
という利点がある。
以上説明したように本発明は、測定部でのICの温度降
下を加熱エアーでなく、ICを包む暖められた高温領域
を形成し、ICの高温降下を抑制することによって、I
Cに空気の摩擦による静電破壊を起させることなく簡便
な高温特性測定装置が得られるという効果がある。
下を加熱エアーでなく、ICを包む暖められた高温領域
を形成し、ICの高温降下を抑制することによって、I
Cに空気の摩擦による静電破壊を起させることなく簡便
な高温特性測定装置が得られるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す高温特性測定装置の模
式断面図、第2図は本発明の他の実施例を示す高温特性
測定装置の模式断面図、第3図は従来の高温特性測定装
置の模式断面図である。 1・・・IC12・・・吸着ハンド、3・・・槽、3a
、・・ヒータ内蔵ブロック、3b・・・断熱材、4・・
・ベース、5・・・ソケット、6・・・配線、7・・・
ヒータ、8・・・プッシャ、9・・・配管、10・・・
加熱器、11・・・エア源、12・、・傘、13a、1
3b・・・経路、14・・・高温領域。
式断面図、第2図は本発明の他の実施例を示す高温特性
測定装置の模式断面図、第3図は従来の高温特性測定装
置の模式断面図である。 1・・・IC12・・・吸着ハンド、3・・・槽、3a
、・・ヒータ内蔵ブロック、3b・・・断熱材、4・・
・ベース、5・・・ソケット、6・・・配線、7・・・
ヒータ、8・・・プッシャ、9・・・配管、10・・・
加熱器、11・・・エア源、12・、・傘、13a、1
3b・・・経路、14・・・高温領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、加熱された半導体装置を搬送する吸着ヘッドと、前
記半導体装置を装填するとともに前記半導体装置の特性
値を抽出するソケットと、装填された前記半導体装置を
押さえるとともに温度を所定の値に維持するプッシャと
を有する高温特性測定装置において、前記ソケットの周
囲を囲むヒータ内蔵ブロックを有することを特徴とする
高温特性測定装置。 2、前記プッシャを囲むとともに前記ソケットの上を覆
う傘を有することを特徴とする請求項1記載の高温特性
測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161659A JPH0452572A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 高温特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2161659A JPH0452572A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 高温特性測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0452572A true JPH0452572A (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=15739392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2161659A Pending JPH0452572A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | 高温特性測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0452572A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100414301B1 (ko) * | 1996-07-10 | 2004-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자검사장비의온도흡입가이드 |
WO2010007653A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | 株式会社アドバンテスト | ソケットガイド、ソケット、プッシャおよび電子部品試験装置 |
US9321433B2 (en) | 2009-11-27 | 2016-04-26 | Xuejun Yin | Method for quickly supplying electric energy to electric vehicle and power supply device thereof |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161659A patent/JPH0452572A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100414301B1 (ko) * | 1996-07-10 | 2004-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자검사장비의온도흡입가이드 |
WO2010007653A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | 株式会社アドバンテスト | ソケットガイド、ソケット、プッシャおよび電子部品試験装置 |
JPWO2010007653A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2012-01-05 | 株式会社アドバンテスト | ソケットガイド、ソケット、プッシャおよび電子部品試験装置 |
KR101222505B1 (ko) * | 2008-07-14 | 2013-01-15 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 소켓 가이드, 소켓, 푸셔 및 전자부품 시험장치 |
US9321433B2 (en) | 2009-11-27 | 2016-04-26 | Xuejun Yin | Method for quickly supplying electric energy to electric vehicle and power supply device thereof |
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