JPH04501378A - 汚染された土壌を処理する方法および装置 - Google Patents

汚染された土壌を処理する方法および装置

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JPH04501378A
JPH04501378A JP1510980A JP51098089A JPH04501378A JP H04501378 A JPH04501378 A JP H04501378A JP 1510980 A JP1510980 A JP 1510980A JP 51098089 A JP51098089 A JP 51098089A JP H04501378 A JPH04501378 A JP H04501378A
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クレフト,ヴイルフリート
グロタウス,フランツ―ヨーゼフ
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オー ウント カー オーレンスタイン ウント コツペル アクチエンゲゼルシヤフト
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 汚染された土壌を処理する方法および装置本発明は殊にコークス工場設置個所の 汚染された土壌および類似材料を掘取り、汚染除去および場合により取除き個所 を浄化された土壌で埋戻すことにより、掘取った土壌を熱ガスの貫流するミル中 で乾燥し、破砕し、固体/ガスの混合物をサイクロン分離器に供給し、ここでガ ス状成分と固体成分とに分離し、固体は高い温度で熱処理し、引き続き冷却し、 場合により取除き個所を埋戻すt;めに使用し、廃ガスは少なくとも部分的に冷 却および濾過工程の通過後大気に放出するように処理する方法に関する。
河川中の沈積物を処分するために、これを浚渫し、該材料を、クラッシャ中での 破砕および篩分は工程からなる前地理を通過した後、回転炉装置に供給すること は公知である。この回転炉装置は、直列に接続された2つの回転円筒からなり、 その第1の円筒は材料を予備乾燥するための乾燥円筒として作業する。材料の流 れでそれに続く第2の回転炉は開放炎で加熱され、該炎は直接に浄化すべき固体 に400〜800℃の温度で作用する。回転炉から浄化されt;土壌が取出され 、再び取除き個所に埋込まれる。
回転炉装置中で発生した廃ガスは、含まれている粉塵成分の分離後、燃焼室中で 別個のバーナーで約1200℃に加熱され、これで除毒される。引き続く冷却お よび濾過後、浄化された廃ガスは大気に放出される。廃ガスの一部は、乾燥工程 の強化のためおよびエネルギ収支の改曽のため回転炉の乾燥円筒に供給される。
公知方法では不利なことに、破砕および篩分けによって汚染された材料の十分に 小さい粒度をつくることができないので、引き続く乾燥工程が有効でないことが 確認される。
引き続く、回転炉中で固体に炎が直接にあたる工程においても、均一な熱負荷が 行なわれず、むしろ冷ガス群の形成が起きて搬出物中に未処理の固体群を生じ、 従って不十分にしか浄化されないことが同様に不利である。最後に、回転炉装置 中で得られる温度は、全有害物質を分解するのには不十分であるので、こうして 浄化された土壌は最近の環境保護の要求にもはや合致しない。同様に、第2の炉 の後方で分流で、浄化されt;熱い排気を乾燥円筒に戻すこともエネルギ技術的 に不利である。
西ドイツ国特許出願公開第3623939号明細書により、それに従って作業す る、汚染されt;土壌および類似材料を掘取り、汚染除去および取除き個所を浄 化された土壌で埋戻すことによって処理する装置が公知であり、この場合掘取っ た材料は場合により前処理後に乾燥し、引き続き高い温度で熱処理される。乾燥 は、熱ガスの貫流するミル中で、0〜10m1+の粒子帯への材料の粉砕と組合 され、有害物質の大部分がガス相に移行するようにする。乾燥後、材料はガス相 と一緒に固体/ガス分散体の形で、バーナーを装備した加熱および汚染除去区間 中で800〜1200℃の範囲内の温度で処理され、引き続きサイクロン分離段 中で全有害物質を含有するガス相から分離され、該ガス相は有害物質を完全に分 解するためバーナーを有する循環路で案内される。燃焼ガスの分流は、乾燥およ び粉砕の組合せ段に供給され、その際浄化された固体は冷却後に搬出され、その 冷却空気は予熱された一次空気としてバーナーに供給可能である。
上記の技術水準の欠点は大体において、ユニット装置の接続がたんに固体に関す る最高800℃の燃焼温度を許容するにすぎないことにその理由がある。汚染除 去区間中ではたんに2秒の固体滞留時間しか達成されない。しかし、この比較的 短い通過時間は、800℃の温度で<3+**の粒子帯を、固体から易揮発性成 分を分離することができるように汚染除去するのに十分であるにすぎない。むし ろ3+m+m以上の粒度の場合には、この短かい通過時間において、固体から易 揮発性成分を除去するのに十分に大きい加熱を実現することができない。芳香族 炭化水素、脂肪族炭化水素、シアン化物、易揮発性重金属、PCBならびにCK Wは、この短かい通過時間およびこれらの温度では除去することができない。
さらに、汚染除去とバーナーとの間の熱いガス循環路が接続されたベンチレータ に負荷を与えることが不利である。さらに、バーナーは分離されたガス中の高い 粉塵含量による負荷を受け、この場合これから生じる、処分すべきフィルタ粉塵 の割合が方法を高価なものにする。
西ドイツ国特許出願公開第3623939号明細書から出発して、本発明の根底 をなす課題は、特許請求の範囲の請求項1の前提部による汚染された土壌および 類似材料を処理する方法および装置を、ガスの循環誘導なしに汚染除去区間と燃 焼室との間の、流れによる結合をはずす方向に発展させることである。燃焼装置 の柔軟性、つまり自由度を高めて、なかんずく易揮発性重金属、PCB、CKW 等のような物質も熱分解することができるようにするためには、燃焼装置の変更 を目指して努力しなければならない。さらに、燃焼室中での融液相生成および閉 塞を阻止するためには、全装置中でできるだけ粉塵の少ない雰囲気を実現しなけ ればならない。
この課題は本発明によれば、固体成分を汚染除去に引き続き通過範囲として構成 された滞留帯域中へ移送し、そこで大体において汚染除去温度に合致する温度で 後処理し、引き続き冷却区間の範囲に移し、粉砕乾燥および/または汚染除去か らの廃ガスに熱による後燃焼を実施することによって解決される。
本発明の方法による実施形は請求項2ないし11から認められる。方法による特 徴によって、有機有害物質、殊に脂肪族および芳香族炭化水素、多環状芳香族炭 化水素、フェノール化合物および誘導体、シアニド化合物およびハロゲン有機化 合物ならびに易揮発性重金属化合物および同種の廃棄物で汚染された土壌の熱処 理を問題なしに実施することができる。それというのも滞留帯域の接続によって 滞留時間を分の範囲にまで延長することができるからである。この場合滞留時間 の調節は、土壌ないしは廃棄物の汚染度に依存して制御される。技術水準とは異 なり、汚染除去部とバーナーとの間のガス循環路は、ガス流の誘導を変えること によってなくなる。バーナーに供給されるガスはあらかじめ除塵される。生じる フィルタ粉塵は少なくとも部分的に汚染除去範囲に戻される。
回転炉法に比べて、本発明方法によれば僅かなエネルギ消費、僅かな投資費なら びにコンパクトな構造が得られる。西ドイツ国特許出願公開第3623939号 明細書に比べて、一方では固体ならびに廃ガスの良好な浄化作用が得られ、他方 では少ない故障発生が得られる。
汚染された土壌および類似の材料を掘取り、汚染除去および場合により取除き個 所を浄化された土壌で埋戻すことによって処理する本発明による装置は、汚染除 去された材料用通過装置として構成された、汚染除去区間に続いて設けられてい る滞留帯域、ならびに粉砕乾燥および/または汚染除去区間からの廃ガスを熱に より後燃焼する装置を有することを特徴とする。本発明の装置による特徴の有利 な構成は、請求項12ないし20から認められる。
滞留帯域を多段のサイクロン装置として構成することにより、約1分の固体滞留 時間を得ることができる。渦流層は、数分の固体滞留時間を実現することができ る。設計は望ましくは微細な粒子は搬出され、粗大な粒子は(これが必要とする 付加的滞留時間だけ)流動床中に滞留するように行なわれる。
ミルは最高700℃の熱ガス温度を受け、その際浄化すべき材料はその入口水分 に依存して、ミルの出口で約100℃〜300℃の温度を有する。固体/ガス分 散体は、固体をガス状成分から分離するサイクロン分離器に供給される。汚染除 去区間に装入されt;固体混合物は800℃〜1100℃に加熱され、引き続き 別のサイクロン分離器中でもう一度ガス状成分から分離される。部分的に汚染除 去された固体は、本発明による滞留帯域に送入され、ここで焼付が生じないよう にするため、汚染度に依存して5秒〜lO分間運動させられる。既述したように 、滞留帯域は多段のサイクロン装置ないしは渦流層/流動床からなっている。双 方のタイプに共通なのは、温度低下をさけるため、環境に対する熱不透過性シー ルドである。滞留帯域の通過後、固体は通常の形で冷却装置に供給され、ここで 100℃〜150℃の温度に冷却される。浄化された土壌は中間貯蔵するかまた は直接に取除き個所に埋込むことができる。ガス誘導のためには、請求項に記載 された、汚染除去すべき材料に依存して、ないしはコスト上の観点で選択される 実施形が提供される。熱交換器を使用する場合には、ここで生じるエネルギは、 たとえば水蒸気発生のため、発電のためまたは地域暖房のために利用することが できる。さらに、このエネルギを、装置全体の熱収支を改善する!こめに、バー ナーおよび/又はミルで利用することも可能である。
浄化すべき材料の汚染度に依存して、廃ガス側に、煙道ガス脱硝および/または 煙道ガス脱硫手段を講じることも有利である。これらの手段はたとえば、煙道ガ ス除塵の後、重金属化合物を分離するための活性炭フィルタを接続するのと同様 である。煙道ガス除塵中に生じたフィルタ粉塵は全部、汚染除去に供給すること ができる。従って、これらの個所における粉塵の処分は不要となる。
本発明は図面に実施例につき示されており、次のように記載される。
第1図〜第3図は、汚染された土壌を処理するための本発明による装置の異なる フローシートを示し、第4図〜第5図は滞留帯域の種々の構成を示す。
第1図による装置は大体において次のユニット装置から構成されている: 除毒すべき土壌は粉砕され、堆積される(1)。図示されてない積込み装置(掘 取り機、ベルトコンベヤ等)により、粗粒画分は、熱ガスの貫流するミル2に供 給され、該ミルは導管3によりサイクロン分離器4と接続されている。このサイ クロン分離器から、固体は導管5を通って、燃焼シャフトの形であってもよい加 熱および汚染除去区間6に流入する。汚染除去区間6の範囲内で、必要の場合に はさらに燃料および空気を供給することができる(7)。ここで生起する無炎燃 焼の際に生じるエネルギは、自動的に加熱の仕事に変換される、つまりガス相の 過熱はさけられる。加熱および汚染除去区間6に、もう1つのサイクロン分離! !i+8が続き、該分離器中で浄化された固体がガス相から分離される。引き続 き、固体、つまり部分的に汚染除去された土壌は、ここでは70−シートにたん にブラックボックスとして図示されている滞留帯域9に移される。異なる種類の 滞留帯域は第4図および第5図から認められる。滞留帯域9はこの目的のために 通過装置として構成されているので、材料の焼付はさけられる。延長された固体 の滞留時間(汚染度に依存して分の範囲にまで高めることができる)のため、相 応する温度において、易揮発性重金属化合物の、PCBおよびCKWのような問 題のある有害物質も材料から遊離するのを保証することができる。滞留帯域9の 通過後、固体は別の導管lOにより3段の冷却装置に流入する。3つの冷却段は 、後接されたサイクロン分離段11により形成される。固体質量流は、冷却系か ら図示されてない搬出装置により、lOO℃〜150℃の温度で流出する。
第1の汚染されたガス相はサイクロン分離器4に存在する。ベンチレータ12に より、サイクロン分離器4のガス相は導管13を通って少なくとも部分的にミル 2で再び利用される。サイクロン分離器4.8の残留ガス相は、ジェットポンプ 14ならびに導管15を経て後接されたバーナー16に供給され、ここで熱によ り後燃焼され、その際ここですべての有害物質の完全な分解が達成される。熱後 燃焼装置からの煙道ガスは、導管17によりミル2により熱ガスとして利用され 、その際ここでベンチレータ12により取出された、サイクロン分離器4からの ガス相の冷たい廃ガスとの混合が行なわれる。導管13および17からのガス流 を混合することによって、最高700℃のミル2における入口温度が生じる。冷 却段11からの廃ガスは、導管18およびブロワ19により、バーナー16で二 次空気として利用される。バーナー16で利用されなかったガス相は、導管20 により熱交換器21に供給される。ここで、廃ガスの冷却が行なわれ、該廃ガス は次いでフィルタ22ならびにベンチレータ23を通って大気に放出される。今 後、熱交換1i121により図示されてないエネルギ回収を、後燃焼区間17か らの熱エネルギを導管24を経てエネルギ利用する(たとえば廃熱ボイラ、蒸気 発生装置、発電および/または地域暖房)よう番二行なうことができる。熱交換 器21かもの加熱された空気は、バーナー16の燃焼用空気としてないしはミル 2のエネルギ入力として利用することもできる。バーナー16により利用される 、冷却段11からのガス相の他の部分は、ライン25およびベンチレータ26を 経て、予熱された空気として付加的燃料供給の範囲に導入される。27において 多段冷却装置11の必要な冷却空気は大気から吸込まれ、既述したようにエネル ギ回収のために冷却装置を通過しt;後、少なくとも部分的に汚染除去区間6の 範囲7に戻される。
記載した装置は次のように作業する: ミル中で汚染されt;土壌は同時に最高700℃の熱ガス流により乾燥され、O 〜3富禦の粒子帯に破砕される。固体を同時に熱負荷して粒度<311111に 破砕することによって、固体を全体積で十分に加熱することが保証される。ミル 2の出口27における固体の出口温度は、入口水分に依存して約IOθ℃〜30 0℃である。この加熱によって、既に著量の有害物質含分がガス相に移行する。
破砕されt;材料は、固体/ガス分散体としてミル2から搬出され、ベンチレー タ12の作用下にサイクロン分離器4に供給される。こ二で分離されたガスは、 部分的に熱ガスとしてミル2に戻り、他の部分はジェットポンプ14を経て熱に よる後燃焼のためバーナー16に供給される。ここで完全に乾燥された固体は、 加熱および汚染除去区間6に移され、ここで約800℃〜1100℃で熱処理さ れるが、この温度は約2〜3秒の通過時間で最初の蒸発を惹起し、これによりた とえば溶剤、BTX芳香族物質等のような易揮発性成分を固体から分離すること のできるようにするのに十分である。予備浄化された固体の分離は、サイクロン 分離器8中で行なわれ、その際ガス相はジェットポンプ14を経てバーナー16 に供給される。そこで予備浄化された固体は滞留帯域9に入り、ここで汚染度に 依存して分の範囲にまで運動させられる。滞留帯域9は、温度低下をさけるため に、環境に対する熱シールドを有する。汚染除去区間6におけるとほぼ同じ温度 (800℃〜1100℃)で滞留時間を増加する結果、なかんずく易揮発性重金 属、PCBおよびPAKのような問題のある有害物質も固体から蒸発させること ができる。滞留帯域9からは完全に浄化された土壌は冷却段11および図示され てない搬出装置を経てたとえば堆積28上に落下する。
第2図は本発明による装置の別の実施形を示す。この装置は大体において次のユ ニット装置から構成されている: 既に粉砕された材料は、既に第1図に記載されたように、熱ガスの通過するミル 29に供給され、ここで一方で乾燥され、他方では(3mmの両分にもtこらさ れる。導管30によって、固体/ガス分散体はサイクロン分離器31に供給され 、ここから固体は汚染除去区間32の範囲に送入される。ここにはバーナー33 が設けられていて、該バーナーは汚染除去区間32内で相応する温度レベル(8 00℃〜1100℃)を形成する。汚染除去区間32は望ましくは燃焼シャフト として構成されている。既に第1図に述べたように、ここでは材料通過の間に最 初の汚染除去が行なわれる。
予備浄化された固体はサイクロン分離器34に入り、ここでガス相から固体の再 分離が実施される。浄化された固体は、同様にブラックボックスとして図示され た滞留帯域35に送られ、該帯域は第4図および第5図にさらに記載されている 。こ二でも、汚染除去区間32中に形成された温度は大体において維持されるの で、材料の汚染度と関連して滞留時間を秒の範囲から分の範囲に変えることがで きる。こうして浄化された固体は多段の冷却装置36に入り、この場合冷却用空 気は大気から場所37で系中へ導入される。浄化された固体は、図示されてない 搬出装置により堆積38上へ落下する。廃ガスおよび成分案内は次のように行な われる; 粉砕乾燥装置29からの固体ガス混合物は、ベンチレータ39により吸込まれ、 少なくとも部分的に導管40によりミル29で熱ガスとして再び利用される。
ミル29で利用されないガス分は除塵器41を経てバーナー42に達し、ここで 熱による後燃焼が行なわれる。同じことは、サイクロン分離器34からのガス相 についてもあてはまり、該ガス相はライン43により同様に除塵器41に供給さ れ、バーナー42中で後燃焼される。この場合に生じる粉塵(これは場合により 高含量であってもよい)は、少なくとも部分的に導管44により汚染除去区間3 2中へ返送される。熱による後燃焼から生じる、約1200℃の出口温度を有す る煙道ガスが分離される。導管45により、煙道ガスの一部はサイクロン分離器 31からの廃ガスと混合され、ミル29で熱ガスとして利用される。ミル入口に 存在する熱ガス温度は、最高700℃になる。ミル29で利用されなかった煙道 ガス分は、ガス冷却器46、別のベンチレータ47ならびにライン48を経てフ ィル49に入り、ここから浄化された廃ガスはベンチレータ50を経て重金属用 フィルタ51煙突52に供給される。フィルタ49からの粉塵は、ライン53に より直接に汚染除去区間32に装入される。冷却段36には同様に、除塵器54 が所属されていて、その際二〇で生じるなお粉塵状の成分は直接に堆積上へ落下 t6゜それというのもここではもはや汚染物質は存在しないからである。冷却段 36から出るガス状成分はライン55およびベンチレータ56を経てバーナー4 2に二次空気として供給される。
第3図は他の実施形を示す。前記図面に既述したように、ここでも前処理された 材料は熱ガスの貫流するミル57に供給され、ここで画分<3+amが形成され る。こうして予備乾燥された混合物はサイクロン分離器58に供給され、固相が ガス状相から分離される。固体はライン59により、バーナー61により加熱さ れる(800〜1100℃)汚染除去区間60の範囲に入る。この汚染除去区間 内で、易揮発性有害物質は、比較的短かい滞留時間(約2〜3秒)で蒸発する。
引き続き、混合物はサイクロン分離器62に入り、ここで固相はガス状相からさ らに分離される。固相は、第1図および第2図に既述したように、ここでもブラ ックボックスとして表わされた滞留帯域63に入り、この場合大体において汚染 除去区間60におけると同じ温度で、汚染度に依存して、問題のある有害物質を も除去することができる。滞留帯域63に続き、浄化された固体は多段の冷却装 置64に送入され、ここで該固体は約800℃の入口温度から約100℃〜15 0℃に冷却される。このために必要な冷却空気は個所65で大気から取込まれ、 冷却段64を通過した後にベンチレータ66を経てミル57で熱ガスとして利用 される。冷却段64かものエネルギ出力が、ミル57中での完全な乾燥を保証す るのに十分でない場合には、もう1つの熱ガス発生器67を熱ガスライン68中 へ接続することができる。サイクロン58中で分離されたガス相は、フィルタ6 9ならびにベンチレータ70を経て熱交換器71に供給される。フィルタ69か らの生成フィルタ粉塵はライン72によりライン59中へ捕集され、直接に汚染 除去区間60に送入される。
サイクロン62中で分離されたガス相は、別のライン73により同様に除塵器7 4に供給され、引き続きバーナー75中で熱により後燃焼される。この個所でも はや汚染物を有しない生成粉塵はライン76により直接に冷却器64の範囲に捕 集される。粉砕乾燥からの、フィルタ69を経て熱交換器71に供給された廃ガ スは、ライン77により熱による後燃焼からの約1200℃の温度レベルを有す る煙道ガスによって加熱され、熱交換器71を通過した後もう1つのライン78 によりバーナー61で一次空気として利用される。熱による後燃焼からの廃ガス は廃ガスライン79によりフィルタ80に供給され、その際フィルタに入る前に 空気および/または水による廃ガス96の冷却が行なわれる。フィルタ80中で 生じるフィルタ粉塵は、ライン81により汚染除去区間60に戻される。こうし て浄化された廃ガスは、ベンチレータ82により場合によりなお重金属用フィル タ83を通り、引き続き煙突84に捕集される。
第4図および第5図には、滞留帯域(第1図〜第3図にブラックボックス9,3 5.63として記載したものと同様)が図示されている。
第4図は、多段のサイクロン装置85.86として構成されている滞留帯域を示 す。サイクロン8.34.62から放出された固体は、導管87.88を経て第 1サイクロン85に入り、ここで固相とガス状相との間で最初の分離が行なわれ る。ガス状相はライン89を経て直接に後接された第2サイクロン86の入口範 囲90に導入される。固体はもう1つのライン91を経て同様に第2サイクロン 86の範囲90に導入され、その際ユニでもう一度相の分離が行なわれる。範囲 92で、こうして浄化された固体はそれぞれの冷却段11.36.64の範囲に 戻される。
第5図は第4図に対する変更形を示す。ここに図示された滞留帯域は渦流層/流 動床93として構成されている。サイクロン8.34.62から放出された固体 混合物は流動床の入口範囲に入り、その際微細粒子は空気力で搬出される(94 )。粗大粒子のみが流動床93中で付加的滞留時間を必要とするので、該粒子は 相応するバフル95をめぐって案内される。渦流層は数分の固体滞留時間を実現 することができる。流動床93を通過した後、すべての有害物質の除去された固 体流はそれぞれの冷却段11.36.64の範囲に入る。
≧h 国際調査報告

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.殊にコークス工場設置個所の汚染された土壌および類似材料を、掘取り、汚 染除去および場合により取除き個所を浄化された土壌で埋戻すことによって処理 するため、掘取った土壌を熱ガスの貫流するミル中で乾燥し、破砕し、固体/ガ スの混合物をサイクロン分離器に供給し、ここでガス状成分と固体成分とに分離 し、固体は高い温度で熱処理し、引き続き冷却し、場合により取除き個所を埋戻 すために使用し、廃ガスは少なくとも部分的に冷却および濾過工程の通過後大気 に放出するように処理する方法において、固体成分を汚染除去に引き続き、通過 範囲として構成された滞留帯域に送入し、ここで大体において汚染除去温度に一 致する温度で後処理し、引き続き冷却区間の範囲に移し、粉砕乾燥および/また は汚染除去からの廃ガスに熱による後燃焼を実施することを特徴とする汚染され た土壌を処理する方法。
  2. 2.固体成分が、有害物資負荷に依存して、滞留帯域を5秒〜10分の時間で通 過する、請求項1記載の方法。
  3. 3.ミルに最高700℃の熱ガスが送入され、画分はその入口湿分に依存して約 100℃〜300℃に加熱され、固体成分は汚染除去区間の範囲内で有害物質負 荷に依存して約800℃〜1100℃に加熱され、汚染除去され、汚染除去区間 の温度は滞留帯域の範囲内で大体において、外部からの熱供給なしに維持される 、請求項1および2記載の方法。
  4. 4.粉砕乾燥および/または汚染除去からの廃ガスが少なくとも部分的に除廛さ れて熱による後燃焼に供給され、熱による後燃焼からの煙道ガスはガス冷却器を 通過してフィルタ装置に供給され、その際一方でフィルタ粉廛、他方で予備除廛 からの粉廛は少なくとも部分的に再び汚染除去区間の範囲に戻される、請求項1 から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 5.粉砕乾燥からの廃ガスの除廛されなかった部分は、熱による後燃焼からの煙 道ガスの一部と混合され、ミルで熱ガスとして利用される、請求項4記載の方法 。
  6. 6.粉砕乾燥からの廃ガスならびに熱による後燃焼からの煙道ガスが1つの熱交 換器を経て案内され、粉砕乾燥からの加熱された廃ガスは汚染除去区間の範囲に 導入され、煙道ガスは熱交換器を通過した後煙道ガス除廛に供給され、浄化すべ き材料の汚染度に依存して煙道ガス脱硫および/または煙道ガス脱硝に供給され る、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  7. 7.熱による後燃焼からの煙道ガスは、熱交換器通過に続いて、濾過装置に供給 され、その際フイルタ粉廛は汚染除去区間の範囲に戻される、請求項6記載の方 法。
  8. 8.汚染除去に続きサイクロン分離器によって分離された廃ガスは除廛され、熱 による後燃焼に供給され、その際粉廛は滞留帯域の後方で投棄される、請求項6 または7記載の方法。
  9. 9.粉砕乾燥のエネルギ供給が冷却装置からの排気熱を用いて行なわれ、その際 汚染除去すべき材料の湿分に依存して、少なくとも1つの他の熱ガス発生器が接 続される、請求項6から8までのいずれか1項記載の方法。
  10. 10.熱による後燃焼からの熱エネルギがエネルギ的に、殊に蒸気発生のため、 発電のためまたは近距離暖房目的に利用される、請求項1から9までのいずれか 1項記載の方法。
  11. 11.熱交換器のエネルギ出力が、一次エネルギないしは二次エネルギとして、 バーナーおよび/またはミルで利用される、請求項1から10までのいずれか1 項記載の方法。
  12. 12.汚染された土壌および類似材料を、掘取り、汚染除去および場合により取 除き個所を浄化された土壌で埋戻すことによって処理するための、材料の粉砕/ 乾燥装置、熱処理装置、固体をガス相から分離するための少なくとも1つのサイ クロン分離器および加熱装置、廃ガス用冷却および除廛装置、ならびに浄化され た材料用冷却装置を有する装置において、汚染除去された材料用通過装置として 構成され、汚染除去区間(6,32,60)に焼いて設けられている滞留帯域( 9,35,63)、ならびに粉砕乾燥(2,29,57)および/または汚染除 去(6,32,60)からの廃ガスを熱により後燃焼するための装置(16,4 2,75)を有することを特徴とする汚染された土壌を処理する装置。
  13. 13.滞留帯域(9,35,63)が多段のサイクロン装置(85,86)とし て形成されている、請求項12記載の装置。
  14. 14.滞留帯域(9,35,63)が渦流層/流動床(93)により形成されて いる、請求項12記載の装置。
  15. 15.渦流層/流動床(93)の入口範囲に廃ガスならびに微細粒子を空気力で 吸込むための装置(94)を有する、請求項14記載の装置。
  16. 16.熱による後燃焼装置が、場合によりガス冷却器(46)の後接されている バーナー(6,42,75)からなり、その際バーナー(16,42,75)に 、粉砕乾燥(2,29,57)ないしは汚染除去(6,35,63)からのガス の除廛器(41,74)が前接されている、請求項12から15までのいずれか 1項記載の装置。
  17. 17.サイクロン分離器(58)に熱交換器(71)が後接されていて、これを 通って一方では粉砕乾燥(57)からの廃ガスおよび他方では熱による後燃焼( 75)からの煙道ガスが誘導可能である、請求項12から15までのいずれか1 項記載の装置。
  18. 18.汚染除去区間(6)の範囲内に第2の燃料/空気供給装置を有する、請求 項12記載の装置。
  19. 19.系のブロワ(23)が熱交換器(21)の後方、低温側に接続されている 、請求項18記載の装置。
  20. 20.熱による後燃焼装置(16)の前方にジェットポンプ(14)が設けられ ている、請求項12から18までのいずれか1項記載の装置。
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