JPH044982A - 抵抗溶接方法 - Google Patents
抵抗溶接方法Info
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- JPH044982A JPH044982A JP10597090A JP10597090A JPH044982A JP H044982 A JPH044982 A JP H044982A JP 10597090 A JP10597090 A JP 10597090A JP 10597090 A JP10597090 A JP 10597090A JP H044982 A JPH044982 A JP H044982A
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Landscapes
- Connections Arranged To Contact A Plurality Of Conductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水晶振動子の気富端子にキャップを取り付け
る際などに用いられる抵抗溶接方法:こ関する。
る際などに用いられる抵抗溶接方法:こ関する。
水晶振動片1は、例えば第4図に示すように、ステム基
板2にガラス3て封着されたり一ト4に接続支持され、
さらにキャップ5をこのステム基板2に抵抗溶接するこ
とによりパッケージ内に密封されている。このキャップ
5としては、仕上げメツキが不要で光沢があり絞り性に
富む洋白(銅及びニッケル等の合金)を容器状に成形加
工したものであり、ステム基板2は、鉄板又は低炭素鋼
板(以下、鋼板という)を成形加工したものである。ま
た、二のキャップ5の鍔部5a又はステム基板2の鍔部
2aには、第5図(イ)(ロ)に示すように、抵抗溶接
の際の溶接11流を集中するためのプロジェクション5
b又は2bが形成されている。そして、抵抗溶接は、ス
テム基板2の鍔部2a上にキャップ5の鍔部5aを重ね
て押圧し、プロジェクション5b又は2bの接触点に大
電流を流して、この際の接触抵抗による発熱によってプ
ロジェクション5b又は2bの周囲を溶融接合すること
により行われている。
板2にガラス3て封着されたり一ト4に接続支持され、
さらにキャップ5をこのステム基板2に抵抗溶接するこ
とによりパッケージ内に密封されている。このキャップ
5としては、仕上げメツキが不要で光沢があり絞り性に
富む洋白(銅及びニッケル等の合金)を容器状に成形加
工したものであり、ステム基板2は、鉄板又は低炭素鋼
板(以下、鋼板という)を成形加工したものである。ま
た、二のキャップ5の鍔部5a又はステム基板2の鍔部
2aには、第5図(イ)(ロ)に示すように、抵抗溶接
の際の溶接11流を集中するためのプロジェクション5
b又は2bが形成されている。そして、抵抗溶接は、ス
テム基板2の鍔部2a上にキャップ5の鍔部5aを重ね
て押圧し、プロジェクション5b又は2bの接触点に大
電流を流して、この際の接触抵抗による発熱によってプ
ロジェクション5b又は2bの周囲を溶融接合すること
により行われている。
ところが、洋白からなるキャップ5は、材料それ自体の
硬度が大であることに加えて、成形加工の際の加工硬化
もあって、ビッカース硬度が120H\′に達するのに
対し・て、鋼板がらなろステム基板2は、70H〜′程
度の硬度である。二のため、第5図(イ)に示すように
キャップ5側にプロジェクション5bか形成される場合
、第6図に示すように、ニーのプロジェクション5bの
押圧力にょってステム基板2の鍔部2a面にくぼみ2c
が生しるため、この部分の接触面積が広がり接触抵抗が
小さくなる。この結果、抵抗溶接によってプロジェクシ
ョン5bとステム基板2の鍔部2a面との接触部に電流
を流しても、十分な溶融温度が得られない場合があるの
で、パッケージ内部が完全に密封されずリークが発生す
るおそれがある。
硬度が大であることに加えて、成形加工の際の加工硬化
もあって、ビッカース硬度が120H\′に達するのに
対し・て、鋼板がらなろステム基板2は、70H〜′程
度の硬度である。二のため、第5図(イ)に示すように
キャップ5側にプロジェクション5bか形成される場合
、第6図に示すように、ニーのプロジェクション5bの
押圧力にょってステム基板2の鍔部2a面にくぼみ2c
が生しるため、この部分の接触面積が広がり接触抵抗が
小さくなる。この結果、抵抗溶接によってプロジェクシ
ョン5bとステム基板2の鍔部2a面との接触部に電流
を流しても、十分な溶融温度が得られない場合があるの
で、パッケージ内部が完全に密封されずリークが発生す
るおそれがある。
従って、従来の抵抗溶接方法は、硬度の高い金属部材側
にプロジェクションを設けた場合、押圧時にこのプロジ
ェクションが硬度の低い金属部材の面に食い込むために
接触抵抗が低下し・て溶融接合が完全に行われないこと
があるので、特に密閉容器を形成するような際にリーク
が発生し・易くなるという問題点があった。また、溶接
時の押圧力てステム基板2が変形し、水晶振動子の特性
が変動する二とがあった。
にプロジェクションを設けた場合、押圧時にこのプロジ
ェクションが硬度の低い金属部材の面に食い込むために
接触抵抗が低下し・て溶融接合が完全に行われないこと
があるので、特に密閉容器を形成するような際にリーク
が発生し・易くなるという問題点があった。また、溶接
時の押圧力てステム基板2が変形し、水晶振動子の特性
が変動する二とがあった。
上記問題を解決するために、本発明は、硬度の高い金属
部材側にプロジェクションを設け、二のプロジェクショ
ンを他方の金属部す才に押圧して接触部に電流を流すこ
とごこより両金属の抵抗溶接を行う抵抗溶接方法におい
て、プロジェクションを設けた側の金属部材を加熱徐冷
して煉なまし、加工を行った後に抵抗溶接を行うことを
特徴とし・ている。
部材側にプロジェクションを設け、二のプロジェクショ
ンを他方の金属部す才に押圧して接触部に電流を流すこ
とごこより両金属の抵抗溶接を行う抵抗溶接方法におい
て、プロジェクションを設けた側の金属部材を加熱徐冷
して煉なまし、加工を行った後に抵抗溶接を行うことを
特徴とし・ている。
上記構成により、硬度の高い金属部材は、情なまし加工
によって硬度を低下させた後に抵抗溶接が行われる。従
って、この金属部材側に段けられたプロジェクションの
硬度も低下するので、これを他方の金属部を才に押圧し
ても、押圧部分にくぼみが生し・るということがほとん
どなくなる。このため、プロジェクションと他方の金属
部材との間の接触抵抗が低下するおそれかなくなるので
、抵抗溶接によってこの部分を確実に溶融接合させろこ
とができ、また、溶接時の加圧力ここよる相手側の金属
部材の変形が防止できる。
によって硬度を低下させた後に抵抗溶接が行われる。従
って、この金属部材側に段けられたプロジェクションの
硬度も低下するので、これを他方の金属部を才に押圧し
ても、押圧部分にくぼみが生し・るということがほとん
どなくなる。このため、プロジェクションと他方の金属
部材との間の接触抵抗が低下するおそれかなくなるので
、抵抗溶接によってこの部分を確実に溶融接合させろこ
とができ、また、溶接時の加圧力ここよる相手側の金属
部材の変形が防止できる。
二の結果、本発明の抵抗溶接方法を気密容器の溶接に用
いれば、この容器内部の密封を確実なものとすることが
できる。
いれば、この容器内部の密封を確実なものとすることが
できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例を詳述する
。
。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第1図は水晶振動子のパッケージの組立斜視図、第
2図及び第3図はそれぞれ抵抗溶接の工程を示すパッケ
ージの部分縦断面図である。
て、第1図は水晶振動子のパッケージの組立斜視図、第
2図及び第3図はそれぞれ抵抗溶接の工程を示すパッケ
ージの部分縦断面図である。
なお、前記第4図乃至第6図に示したものと同様の機能
を有する構成部材には同し符号を付記する。
を有する構成部材には同し符号を付記する。
本実施例は、水晶振動子のパッケージに用いるステム基
板2とキャップ5との抵抗溶接方法を示す。ステム基板
2は、第1図に示すように、長円形の鋼板の周縁に鍔部
2aを形成したものであり、上下に貫通する2本のリー
ト4をガラス3て封着している。そして、水晶振動片1
は、この2本のリート4の上部に取り付けられている。
板2とキャップ5との抵抗溶接方法を示す。ステム基板
2は、第1図に示すように、長円形の鋼板の周縁に鍔部
2aを形成したものであり、上下に貫通する2本のリー
ト4をガラス3て封着している。そして、水晶振動片1
は、この2本のリート4の上部に取り付けられている。
キ士ノブ5は、メソキネ要で光沢があり絞り性に富む洋
白板を容器状に成形加工したものであり、横断面がステ
ム基板2に対応した長円形をなし、下端周縁に鍔部5a
が形成されている。また、この鍔部5aの下面には、先
端が尖った下方への突起であるブo4エクション5bが
全周にわたって設けられている。このプロジェクション
5bは、後の抵抗溶接工程において溶接電流を菓申させ
るためのものである。ここで、ステム基板2は、冷間圧
延鋼板(SPC)を成形加工したものなので、ビッカー
ス硬度が70Hシ′程度である。しかし、キャップ5の
硬度は、洋白板(NSP)を紋り成形加工した際の加工
硬化が加わり、120HVに達している。
白板を容器状に成形加工したものであり、横断面がステ
ム基板2に対応した長円形をなし、下端周縁に鍔部5a
が形成されている。また、この鍔部5aの下面には、先
端が尖った下方への突起であるブo4エクション5bが
全周にわたって設けられている。このプロジェクション
5bは、後の抵抗溶接工程において溶接電流を菓申させ
るためのものである。ここで、ステム基板2は、冷間圧
延鋼板(SPC)を成形加工したものなので、ビッカー
ス硬度が70Hシ′程度である。しかし、キャップ5の
硬度は、洋白板(NSP)を紋り成形加工した際の加工
硬化が加わり、120HVに達している。
上記キャップ5は、成形加工後に、900度Cの温度で
30分間程度加熱保持されその後徐々に冷却することに
より、焼なまし加工が施される。
30分間程度加熱保持されその後徐々に冷却することに
より、焼なまし加工が施される。
この焼なまし加工によってキャップ5に用いられる洋白
板のビッカース硬度は、60Hシ程度に低下する。
板のビッカース硬度は、60Hシ程度に低下する。
このようにして焼なまし・加工が施されたキャップ5は
、第1図に示すように、2本のり−ト4の上部に取り付
けられた水晶振動片1を覆うように、上方からステム基
板2上に嵌め込まれ、鍔部5aと鍔部2aとが重なるよ
うに絹み合わされる。そし・て、第2図巳こ示すように
、ステム基板2の下面を下部電極6て支持し、キャップ
5の鍔部5a上を上部電極7によって押圧すると共に、
これらの電極6,7間に大電流を流すことにより抵抗溶
接か行われる。即ち、電流Iがキャップ5のプロジェク
ション5bの先端からステム基板2の鍔部2aに流れる
際の接触抵抗によってジュール熱が発生し1、この熱に
よってプロジェクション5b及びその周囲の金属が溶融
される。すると、第3図に示すように、キャップ5のプ
ロジェクション5b部とステム基板2の鍔部2aとが溶
融接合されて、パッケージ内部が畜封されることになる
。しかも、このキャップ5のプロジェクション5bは、
焼なまし加工によって硬度が低下しているので、下部電
極6によって押圧されても、ステム基板2の鍔部2a上
面に食い込みくぼみを付けるようなことがない。このた
め、プロジェクション5bと鍔部2aとの間の接触抵抗
が高い値に保たれるので、上記を流■による熱の発生を
十分に確保することができる。従って、このプロジェク
ション5bの周囲の金属が確実に融着されて溶接部のシ
ールが確実なものとなり、パッケージ内部にリークが発
生するようなことがなくなる。また、ステム基板2の変
形がなくなり、特性変動もなくなる。
、第1図に示すように、2本のり−ト4の上部に取り付
けられた水晶振動片1を覆うように、上方からステム基
板2上に嵌め込まれ、鍔部5aと鍔部2aとが重なるよ
うに絹み合わされる。そし・て、第2図巳こ示すように
、ステム基板2の下面を下部電極6て支持し、キャップ
5の鍔部5a上を上部電極7によって押圧すると共に、
これらの電極6,7間に大電流を流すことにより抵抗溶
接か行われる。即ち、電流Iがキャップ5のプロジェク
ション5bの先端からステム基板2の鍔部2aに流れる
際の接触抵抗によってジュール熱が発生し1、この熱に
よってプロジェクション5b及びその周囲の金属が溶融
される。すると、第3図に示すように、キャップ5のプ
ロジェクション5b部とステム基板2の鍔部2aとが溶
融接合されて、パッケージ内部が畜封されることになる
。しかも、このキャップ5のプロジェクション5bは、
焼なまし加工によって硬度が低下しているので、下部電
極6によって押圧されても、ステム基板2の鍔部2a上
面に食い込みくぼみを付けるようなことがない。このた
め、プロジェクション5bと鍔部2aとの間の接触抵抗
が高い値に保たれるので、上記を流■による熱の発生を
十分に確保することができる。従って、このプロジェク
ション5bの周囲の金属が確実に融着されて溶接部のシ
ールが確実なものとなり、パッケージ内部にリークが発
生するようなことがなくなる。また、ステム基板2の変
形がなくなり、特性変動もなくなる。
実際に水晶振動子1のパッケージを用いてリークの測定
をした結果、従来の抵抗溶接方法では、I X 10−
8atom−cc/ sec、のリーク不良率が100
%であったのに対して、本実施例の抵抗溶接方法を用い
た場合には、リーク不良率を0%まで低下させることが
でき、振動周波数偏差も改善できた。
をした結果、従来の抵抗溶接方法では、I X 10−
8atom−cc/ sec、のリーク不良率が100
%であったのに対して、本実施例の抵抗溶接方法を用い
た場合には、リーク不良率を0%まで低下させることが
でき、振動周波数偏差も改善できた。
以上の説明から明かなように、本発明の抵抗溶接方法は
、抵抗溶接を行う金属部材間の硬度差を小さくすること
ができるので、接触抵抗の低下により、′8;i!!接
合が不完全になるということがなくなり、確実な抵抗溶
接を可能;こするという効果を奏する。
、抵抗溶接を行う金属部材間の硬度差を小さくすること
ができるので、接触抵抗の低下により、′8;i!!接
合が不完全になるということがなくなり、確実な抵抗溶
接を可能;こするという効果を奏する。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例を示すものであっ
て、第1図は水晶振動子のパッケージの朝立斜視図、第
2図及び第3図はそれぞれ抵抗溶接の工程を示すパッケ
ージの部分縦断面図である。 第4図は水晶振動子のパッケージの縦断面図、第5図(
イ)はプロジェクションをキャップ側:こ設けた場合の
抵抗溶接の工程を示すパッケージの部分縦断面図、同図
(ロ)はプロジェクションをステム基板側に設けた場合
の抵抗溶接の工程を示すパッケージの部分縦断面図であ
る。第6図は従来の抵抗溶接の工程を示すものであって
、プロジエクシヨンをキャップ側に設けた場合のパッケ
ージの部分拡大縦断面図である。 2・・・ステム基板、5・・・キャップ、5b・・・プ
ロジェクション。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社第1図 N2図 藁3I21 !511Z 簗4図 第6図
て、第1図は水晶振動子のパッケージの朝立斜視図、第
2図及び第3図はそれぞれ抵抗溶接の工程を示すパッケ
ージの部分縦断面図である。 第4図は水晶振動子のパッケージの縦断面図、第5図(
イ)はプロジェクションをキャップ側:こ設けた場合の
抵抗溶接の工程を示すパッケージの部分縦断面図、同図
(ロ)はプロジェクションをステム基板側に設けた場合
の抵抗溶接の工程を示すパッケージの部分縦断面図であ
る。第6図は従来の抵抗溶接の工程を示すものであって
、プロジエクシヨンをキャップ側に設けた場合のパッケ
ージの部分拡大縦断面図である。 2・・・ステム基板、5・・・キャップ、5b・・・プ
ロジェクション。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社第1図 N2図 藁3I21 !511Z 簗4図 第6図
Claims (1)
- (1)硬度の高い金属部材側にプロジェクションを設け
、このプロジェクションを他方の金属部材に押圧して接
触部に電流を流すことにより両金属部材の抵抗溶接を行
う抵抗溶接方法において、プロジェクションを設けた側
の金属部材を加熱徐冷して焼なまし加工を行った後に抵
抗溶接を行うことを特徴とする抵抗溶接方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10597090A JPH044982A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 抵抗溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10597090A JPH044982A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 抵抗溶接方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH044982A true JPH044982A (ja) | 1992-01-09 |
Family
ID=14421637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10597090A Pending JPH044982A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 抵抗溶接方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH044982A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008084687A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用気密端子 |
WO2008059693A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Daishinku Corporation | Electronic component package |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10597090A patent/JPH044982A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008084687A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用気密端子 |
WO2008059693A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Daishinku Corporation | Electronic component package |
US8076576B2 (en) | 2006-11-15 | 2011-12-13 | Daishinku Corporation | Electronic component package |
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