JPH0448723A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に効率よく半
導体層表面にドーパント層を形成するための方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and particularly to a method for efficiently forming a dopant layer on the surface of a semiconductor layer.
（従来の技術）
従来、半導体層表面にドーパント層を得るためには、ド
ープすべき半導体層を有する試料を真空容器内に導入し
、この真空容器にドーパントを含む反応ガスを導入する
とともに、半導体層上にレーザ光を照射して半導体層表
面を融解させて不純物をドーピング（添加）することに
より、半導体層表面にドーパント層を形成していた。(Prior Art) Conventionally, in order to obtain a dopant layer on the surface of a semiconductor layer, a sample having a semiconductor layer to be doped is introduced into a vacuum container, a reactive gas containing a dopant is introduced into the vacuum container, and the semiconductor layer is A dopant layer has been formed on the surface of the semiconductor layer by irradiating the layer with laser light to melt the surface of the semiconductor layer and doping (adding) impurities.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記方法によると、レーザ光を照射するこ
とにより半導体層表面を融解させ、その際にドーパント
を含む反応ガスが半導体層に入射してドーピングが行わ
れるため、半導体層表面が融解している時間を長く設定
する必要がある。そのためには、レーザ光の多数回照射
が必要となり、ドーピング効率が良くないという問題点
があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, according to the above method, the surface of the semiconductor layer is melted by irradiation with laser light, and at that time, a reactive gas containing a dopant enters the semiconductor layer to perform doping. It is necessary to set a long time period during which the surface of the semiconductor layer is melted. For this purpose, it is necessary to irradiate the laser beam many times, resulting in a problem that the doping efficiency is not good.
特に、大面積基板上で上記方法を行なう場合、レーザ光
の多数回照射はプロセス時間を長くし、製造工程に時間
を要するという欠点があった。In particular, when the above method is carried out on a large-area substrate, there is a drawback that multiple irradiations with laser light lengthen the process time and the manufacturing process takes time.
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、効率よく半
導体層表面にドーパント層を形成するための半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device for efficiently forming a dopant layer on the surface of a semiconductor layer.
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明に係る半導体
装置の製造方法は、ドーパントガス雰囲気中で半導体層
を冷却する工程と、前記半導体層にレーザ光を照射する
工程とを具備することを特徴としている。(Means for Solving the Problems) In order to solve the problems of the conventional example, a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a step of cooling a semiconductor layer in a dopant gas atmosphere, and a step of applying laser light to the semiconductor layer. The method is characterized by comprising a step of irradiating.
すなわち本発明方法は、試料及びその表面の半導体層を
冷却することによりドーパント元素を含む反応ガスの半
導体表面への吸着を十分行ない、その後、レーザ光の照
射を行なう。That is, in the method of the present invention, a reactive gas containing a dopant element is sufficiently adsorbed onto the semiconductor surface by cooling the sample and the semiconductor layer on the surface thereof, and then laser light irradiation is performed.
（作用）
本発明方法によれば、真空容器に配置された試料を冷却
しているので、真空容器に導入された反応ガス分子の大
部分は試料表面の半導体層に吸着される。そして、この
状態でレーザ光が照射されて半導体層表面が融解しドー
パントが注入される。(Function) According to the method of the present invention, since the sample placed in the vacuum container is cooled, most of the reactive gas molecules introduced into the vacuum container are adsorbed on the semiconductor layer on the surface of the sample. Then, in this state, a laser beam is irradiated to melt the surface of the semiconductor layer and inject a dopant.
試料表面の半導体層に吸着される単位面積当たりの反応
ガス分子の数は、単位時間当たりに気体中から試料表面
に入射する単位面積当たりの反応ガス分子の数に比較し
て圧倒的に多いので、レーザ光を照射した場合のドーピ
ング効率の向上を図ることができる。The number of reactive gas molecules per unit area adsorbed by the semiconductor layer on the sample surface is overwhelmingly larger than the number of reactive gas molecules per unit area that enter the sample surface from the gas per unit time. , it is possible to improve the doping efficiency when laser light is irradiated.
また、試料の冷却を続けなからレーザ光を複数回照射す
る場合、レーザ照射後において瞬時に再吸着が始まり、
複数回照射により半導体層の比較的深い位置までドーピ
ングすることができる。In addition, when irradiating the sample with laser light multiple times without continuing to cool the sample, re-adsorption starts instantly after laser irradiation.
The semiconductor layer can be doped to a relatively deep position by multiple irradiations.
従って、半導体層の膜厚が比較的厚い（１０００Ａ程度
）薄膜トランジスタ素子においてソース。Therefore, in a thin film transistor element where the thickness of the semiconductor layer is relatively thick (approximately 1000 Å), the source.
ドレイン電極形成のためドーピング層を得るような場合
、膜厚深さまで十分にドーパントを注入することができ
る。When obtaining a doped layer for forming a drain electrode, a dopant can be sufficiently implanted to the depth of the film.
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。(Example) An example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第２図は本発明方法を実施するための装置の概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram of an apparatus for carrying out the method of the invention.
真空チェンバー１には、真空チェンバ−１内部の圧力を
調整するための真空ポンプ２と、真空チェンバ−１内部
にドーパント元素を含んだ反応性ガスを供給するための
反応ガス供給系３とが連設されている。真空チェンバー
１内の底面には、液体窒素によるクライオパネル等で構
成された冷却ステージ４が配置されている。真空チェン
バー１の上面にはレーザ光導入窓５が配置され、このレ
ザ光導入窓５を通して真空チェンバ−１外部よリレーザ
光６が前記冷却ステージ４上に照射できるようにし、冷
却ステージ４上に配置された試料７のレーザアニールを
行なうようになっている。The vacuum chamber 1 is connected to a vacuum pump 2 for adjusting the pressure inside the vacuum chamber 1 and a reactive gas supply system 3 for supplying a reactive gas containing a dopant element to the inside of the vacuum chamber 1. It is set up. At the bottom of the vacuum chamber 1, a cooling stage 4 made of a cryopanel or the like using liquid nitrogen is arranged. A laser light introduction window 5 is arranged on the upper surface of the vacuum chamber 1, and the laser light 6 is made to be irradiated onto the cooling stage 4 from outside the vacuum chamber 1 through the laser light introduction window 5. Laser annealing is performed on sample 7 that has been subjected to laser annealing.
本発明方法は上述した装置を用いて冷却ステージ４上に
試料７を配置し、この試料７を冷却（２０℃〜−２００
℃）しながら反応ガス供給系３よりドーパント元素を含
んだ反応性ガスを供給する。供給された反応性ガスは、
真空チェンバー１内において、低温に維持されている試
料７の表面の半導体層部分に十分吸着する。この状態で
試料７の上部よりレーザ光６を照射させると、試料７の
表面の半導体層が融解してドーパントの注入が行われる
。In the method of the present invention, the sample 7 is placed on the cooling stage 4 using the above-mentioned apparatus, and the sample 7 is cooled (20°C to -200°C).
℃), a reactive gas containing a dopant element is supplied from the reactive gas supply system 3. The supplied reactive gas is
In the vacuum chamber 1, it is sufficiently adsorbed to the semiconductor layer portion on the surface of the sample 7, which is maintained at a low temperature. When the laser beam 6 is irradiated from above the sample 7 in this state, the semiconductor layer on the surface of the sample 7 is melted and the dopant is implanted.
照射されるレーザ光は、半導体層の表面で吸収されるよ
うな波長を選択する。すなわち、半導体層が結晶シリコ
ンの場合は紫外線、アモルファスシリコンの場合は紫外
線または可視光線が好ましい。また、冷却ステージ４上
に試料７を配置し冷却した場合、冷却温度によっては、
試料表面で反応性ガスが液化或いは固化することがある
が、レーザアニールを行なうに際して何等差し支えない
。The wavelength of the irradiated laser light is selected so that it is absorbed by the surface of the semiconductor layer. That is, when the semiconductor layer is made of crystalline silicon, ultraviolet rays are preferable, and when the semiconductor layer is amorphous silicon, ultraviolet rays or visible rays are preferable. In addition, when the sample 7 is placed on the cooling stage 4 and cooled, depending on the cooling temperature,
Although the reactive gas may liquefy or solidify on the sample surface, this does not pose any problem during laser annealing.
また、試料の冷却を続けなからレーザ光を照射した場合
の半導体層表面の膜厚方向の深さと温度との関係は、第
３図の実線で示すようになる。すなわち、レーザアニー
ル後においても冷却状態が継続されるので、放熱が十分
行われるので融点以下の温度において不純物の拡散が抑
制される。従って、ドーピング層のドーパント濃度が均
一化し、急峻な濃度プロファイルを得ることができる。Further, when the laser beam is irradiated without continuing to cool the sample, the relationship between the depth in the film thickness direction of the semiconductor layer surface and the temperature is as shown by the solid line in FIG. That is, since the cooling state is continued even after laser annealing, heat radiation is sufficiently performed, and diffusion of impurities is suppressed at temperatures below the melting point. Therefore, the dopant concentration in the doped layer is made uniform, and a steep concentration profile can be obtained.
これに対して従来方法であると、第３図の点線で示すよ
うに、多数回照射を行なうことにより膜厚方向の深さに
より温度差が生じ、融点以下の温度において熱拡散が行
われる。従って、ドーピング層のドーパント濃度が不均
一化し、濃度プロファイルが崩れる。On the other hand, in the conventional method, as shown by the dotted line in FIG. 3, by performing multiple irradiations, a temperature difference occurs depending on the depth in the film thickness direction, and thermal diffusion occurs at a temperature below the melting point. Therefore, the dopant concentration in the doped layer becomes non-uniform and the concentration profile collapses.
次に本発明方法をポリシリコン薄膜トランジスタの製造
に適用した実施例について第１図（ａ）乃至（ｇ）及び
第２図を参照して説明する。Next, an embodiment in which the method of the present invention is applied to the manufacture of polysilicon thin film transistors will be described with reference to FIGS. 1(a) to (g) and FIG. 2.
減圧ＣＶＤ法を用いて５５０℃、 ０． ３Ｔｏｒｒの
条件下で石英基板１０上にアモルファスシリコンを１０
０ＯＡの膜厚に着膜する。そして、６００℃で５時間の
類アニールを行ない、前記アモルファスシリコンを結晶
化させてポリシリコン膜を形成し、フォトリソグラフィ
法によりエツチング処理して前記ポリシリコン膜を島状
にパターンニングしてポリシリコン層１１を形成する（
第１図（ａ））。Using low pressure CVD method, 550°C, 0. Amorphous silicon 10 was deposited on a quartz substrate 10 under conditions of 3 Torr.
A film is deposited to a film thickness of 0OA. Then, similar annealing is performed at 600° C. for 5 hours to crystallize the amorphous silicon to form a polysilicon film, and the polysilicon film is patterned into island shapes by photolithography and etched to form a polysilicon film. Forming layer 11 (
Figure 1(a)).
次に、減圧ＣＶＤ法を用いて膜厚１０００ＡのＳｉｎ、
膜１２．膜厚３０００Ａのポリシリコン膜１３を順次着
膜する。続いて、Ｐ＋イオン注入により高密度にリンが
ドープされたポリシリコン層１３′を形成する（第１図
（ｂ））。Next, using a low pressure CVD method, a film of 1000A of Sin,
Membrane 12. A polysilicon film 13 having a thickness of 3000 Å is sequentially deposited. Subsequently, a polysilicon layer 13' doped with phosphorus at high density is formed by P+ ion implantation (FIG. 1(b)).
６００℃で２４時間の類アニールを行ない、ドーパント
の活性化を行なった後、フォトリソグラフィ法によりエ
ツチング処理してパターンニングし、ゲート電極１４を
形成する（第１図（Ｃ））。After annealing at 600° C. for 24 hours to activate the dopants, patterning is performed by etching using photolithography to form the gate electrode 14 (FIG. 1(C)).
リアクティブイオンエツチング（ＲＩ Ｅ）法によりソ
ース、ドレイン領域となる部分のＳｉｎ。The portions that will become the source and drain regions are etched by reactive ion etching (RIE).
膜１２を除去する（第１図（１））。The film 12 is removed (FIG. 1(1)).
次いで、石英基板１０上に上記プロセスを行なった試料
７を第２図に示した真空チェンバー１内の冷却ステージ
４上に設置し、真空チェンバー１内を１０−’ Ｔｏｒ
ｒ以下の真空に排気する。Next, the sample 7 on which the above process was performed on the quartz substrate 10 was placed on the cooling stage 4 in the vacuum chamber 1 shown in FIG. 2, and the inside of the vacuum chamber 1 was heated to 10-' Tor.
Evacuate to a vacuum below r.
真空チェンバー１内にＨｅ希釈のＰＨ，ガス（１００ｓ
ｅｃｍ）を導入しながら、真空ポンプ２に接続された圧
力コントロールバルブ（図示せず）を制御して真空チェ
ンバー１内の圧力をＩＴｏｒｒに保つ。In the vacuum chamber 1, He diluted PH, gas (100s
ecm), a pressure control valve (not shown) connected to the vacuum pump 2 is controlled to maintain the pressure inside the vacuum chamber 1 at ITorr.
次に冷却ステージ４の冷却を開始し、試料７の温度を一
１００℃に保持する。試料７の表面が冷却されているた
め、ポリシリコン層１１及びゲート電極１４の表面は分
子が吸着しやすい状態となっており、ホスフィン（ＰＨ
，）分子１５の吸着が十分行われる（第１図（ｅ））。Next, cooling of the cooling stage 4 is started, and the temperature of the sample 7 is maintained at -100°C. Since the surface of the sample 7 is cooled, the surfaces of the polysilicon layer 11 and the gate electrode 14 are in a state where molecules are easily adsorbed, and phosphine (PH
, ) The molecules 15 are sufficiently adsorbed (FIG. 1(e)).
また、真空チェンバー１内で冷却されているのは冷却ス
テージ４だけなので、試料７の表面に効率よく分子が吸
着する。Moreover, since only the cooling stage 4 is cooled in the vacuum chamber 1, molecules are efficiently adsorbed onto the surface of the sample 7.
そして、真空チェンバ−１外部よりエキシマ−レーザ光
６ （ＸｅＣ１，３０８ｎｍ）をレーザ光導入窓５を介
して真空チェンバー１内に導入し、試料７の表面に照射
することにより融解させ、ドーピングの注入が行われた
ドーピング領域１６を形成する。エキシマ−レーザ光の
エネルギー密度は０．８Ｊ／Ｃｍ’で１回の照射でアニ
ールを行なった。その後、冷却ステージ４を室温に戻し
、ＰＨ，ガスをＮ、ガスに置換して真空チェンバ１内を
十分に排気した。Then, an excimer laser beam 6 (XeC1, 308 nm) is introduced into the vacuum chamber 1 from outside the vacuum chamber 1 through the laser beam introduction window 5, and is irradiated onto the surface of the sample 7 to melt it and inject doping. A doped region 16 is formed. The energy density of the excimer laser beam was 0.8 J/Cm', and annealing was performed with one irradiation. Thereafter, the cooling stage 4 was returned to room temperature, the PH and gas were replaced with N and gas, and the inside of the vacuum chamber 1 was sufficiently evacuated.
そして、前記試料７を真空チェンバー１の外部に取り出
し、プラズマＣＶＤ法により７０００Ａの膜厚のＳｉｎ
、膜１７を着膜した（第１図（ｆ））。Then, the sample 7 was taken out of the vacuum chamber 1, and a 7000A thick film was formed using the plasma CVD method.
, a film 17 was deposited (FIG. 1(f)).
次いで、ソース、ドレイン領域とゲート電極への電気的
接続をとるため、Ｓｉｎ、膜１７にコンタクト孔１８を
形成した後、アルミニウムの着膜及びパターニングによ
り配線１９を形成して薄膜トランジスタが完成する（第
１図（ｇ））。Next, a contact hole 18 is formed in the Sin film 17 in order to electrically connect the source and drain regions to the gate electrode, and then a wiring 19 is formed by depositing and patterning an aluminum film to complete the thin film transistor. Figure 1 (g)).
従来方法で上記同様のドーピング層を得る場合、エネル
ギー密度が１゜２Ｊ／ｃｍ’のレーザ光で１０回程度の
多重照射を行なう必要があったが、上記実施例ではエネ
ルギー密度が０．８Ｊ／ｃｍ２のレーザ光を用いて１回
の照射て十分な厚さのドーピング層を得ることができた
。When obtaining a doped layer similar to the one described above using the conventional method, it was necessary to perform multiple irradiation about 10 times with a laser beam with an energy density of 1.2 J/cm', but in the above example, the energy density was 0.8 J/cm'. A sufficiently thick doped layer could be obtained by one irradiation using a cm2 laser beam.
上述したように本実施例によれば、試料表面にドーパン
ト分子を十分吸着させてドーピング効率の向上を図るこ
とができる。従って、特に大面積基板にドーピング層を
得る際、プロセス時間を短縮することができる。As described above, according to this embodiment, doping efficiency can be improved by sufficiently adsorbing dopant molecules onto the sample surface. Therefore, the process time can be shortened, especially when obtaining a doped layer on a large-area substrate.
また、薄膜トランジスタ製造方法について適用したが、
本発明方法はＬＳＩ素子など半導体装置の製造に適用す
ることができる。In addition, it was applied to the thin film transistor manufacturing method,
The method of the present invention can be applied to manufacturing semiconductor devices such as LSI elements.
（発明の効果）
本発明方法によれば、半導体層を冷却した状態で反応性
ガスを導入し、反応ガス分子の大部分は試料表面の半導
体層に吸着するので、この状態でレーザ光を照射すると
ドーピング効率の向上を図ることができる。従って、ド
ーピング効率の向上により、レーザ照射時のエネルギー
の低減化に寄与し、従来に比較して浅いＰＮ接合を形成
することができる。(Effects of the Invention) According to the method of the present invention, the reactive gas is introduced into the semiconductor layer in a cooled state, and most of the reactive gas molecules are adsorbed to the semiconductor layer on the sample surface, so the laser beam is irradiated in this state. This makes it possible to improve doping efficiency. Therefore, the improved doping efficiency contributes to the reduction of energy during laser irradiation, making it possible to form a shallower PN junction than in the past.
また、試料の冷却を続けなからレーザ光を複数回照射す
る場合、レーザ照射後において瞬時に再吸着が始まり、
多数回照射により半導体層の比較的深い位置までドーピ
ングすることができる。従って、半導体層の膜厚が比較
的厚い（１００ＯＡ程度）薄膜トランジスタ素子におい
てソース、ドレイン電極を形成するような場合、膜厚深
さまで十分にドーパントを注入することができる。In addition, when irradiating the sample with laser light multiple times without continuing to cool the sample, re-adsorption starts instantly after laser irradiation.
By multiple irradiations, it is possible to dope the semiconductor layer to a relatively deep position. Therefore, when forming source and drain electrodes in a thin film transistor element whose semiconductor layer is relatively thick (approximately 100 OA), dopants can be sufficiently implanted to the depth of the film.
第１図（ａ）乃至（ｇ）は本発明方法を使用した薄膜ト
ランジスタの製造方法を示すプロセス図、第２図は本発
明方法を実施するための装置の概略説明図、第３図は本
実施例方法及び従来方法による半導体層表面の熱分布プ
ロファイルを示すグラフである。
７・・・・・・試料
１・・・・・・真空チェンバー
２・・・・・・真空ポンプ
３・・・・・・反応ガス供給系
４・・・・・・冷却ステージ
６・・・・・・レーザ光1(a) to (g) are process diagrams showing a method for manufacturing a thin film transistor using the method of the present invention, FIG. 2 is a schematic explanatory diagram of an apparatus for carrying out the method of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing heat distribution profiles on the surface of a semiconductor layer according to an example method and a conventional method. 7...Sample 1...Vacuum chamber 2...Vacuum pump 3...Reaction gas supply system 4...Cooling stage 6... ...laser light
Claims (1)
、前記半導体層にレーザ光を照射する工程とを具備する
半導体装置の製造方法。A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: cooling a semiconductor layer in a dopant gas atmosphere; and irradiating the semiconductor layer with laser light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15504890A JPH0448723A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP15504890A JPH0448723A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
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| JPH0448723A true JPH0448723A (en) | 1992-02-18 |
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| JP (1) | JPH0448723A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002047138A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-13 | Sony Corporation | Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor element |
| WO2002050881A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Sony Corporation | Semiconductor layer doping method, thin-film semiconductor device manufacturing method, and thin-film semiconductor device |
| JP2003514377A (en) * | 1999-11-01 | 2003-04-15 | ジェテック インコーポレーテッド | Rapid heat treatment method for substrates |
| JP2010532919A (en) * | 2007-07-07 | 2010-10-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Conformal doping using high neutral density plasma implantation |
| JP2016051737A (en) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 国立大学法人九州大学 | Method for introducing impurity and method for manufacturing semiconductor element |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP15504890A patent/JPH0448723A/en active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003514377A (en) * | 1999-11-01 | 2003-04-15 | ジェテック インコーポレーテッド | Rapid heat treatment method for substrates |
| WO2002047138A1 (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-13 | Sony Corporation | Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor element |
| JP2002176003A (en) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Sony Corp | Method for doping semiconductor layer, method for manufacturing thin film semiconductor element and thin film semiconductor element |
| US6984552B2 (en) | 2000-12-07 | 2006-01-10 | Sony Corporation | Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor element |
| KR100863446B1 (en) * | 2000-12-07 | 2008-10-16 | 소니 가부시끼 가이샤 | Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor element |
| WO2002050881A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-27 | Sony Corporation | Semiconductor layer doping method, thin-film semiconductor device manufacturing method, and thin-film semiconductor device |
| US6794277B2 (en) | 2000-12-18 | 2004-09-21 | Sony Corporation | Method of doping semiconductor layer, method of manufacturing thin film semiconductor device, and thin film semiconductor device |
| JP2010532919A (en) * | 2007-07-07 | 2010-10-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Conformal doping using high neutral density plasma implantation |
| JP2016051737A (en) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 国立大学法人九州大学 | Method for introducing impurity and method for manufacturing semiconductor element |
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