KR960008499B1 - Laser treatment method and laser treatment apparatus - Google Patents

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장흥용
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순페이 야마자끼
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순페이 야마자끼
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼
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Abstract

내용 없음. No information.

Description

레이저 처리방법 및 레이저 처리장치 A laser processing method and laser processing apparatus

제1도는 실시예의 제작공정도. The first embodiment of the manufacturing process also turns.

제2도는 실시예의 제작공정도. The second embodiment of the manufacturing process also turns.

제3도는 실시예의 제작공정도. The third embodiment of the manufacturing process also turns.

제4도는 실시예의 제작공정도. The fourth embodiment of the manufacturing process also turns.

제5도는 본 발명의 반도체 처리(불순물도핑)장치의 개념도. A fifth semiconductor turning process according to the invention (impurity doping) schematic view of the apparatus.

제6도는 본 발명의 반도체 처리(불순물도핑)장치의 개념도. A sixth semiconductor processing of the present invention turns (impurity doping) schematic view of the apparatus.

제7도는 본 발명의 반도체 처리(불순물도핑)장치의 예시도. The seventh turning an illustration of a semiconductor processing (impurity doping) apparatus according to the present invention;

제8도는 본 발명의 반도체 처리(불순물도핑)장치의 예시도. Eighth turn an illustration of a semiconductor processing (impurity doping) apparatus according to the present invention;

제9도는 본 발명 및 종래의 방법에 의해 제작된 반도체 불순물 영역의 불순물농도의 깊이 분포도. Ninth turn the invention and the depth distribution of the impurity concentration of the semiconductor impurity regions produced by a conventional method.

제10도는 실시예의 제작공정도. A tenth embodiment of the manufacturing process also turns.

제11도는 실시예의 제작공정도. An eleventh embodiment of the manufacturing process also turns.

제12도는 실시예의 CV 특성 및 원소분포도. 12th turn embodiment CV characteristic and the distribution element.

제13도는 실시예에서의 불순물(붕소)의 깊이방향의 분포도. Claim 13 degrees in the depth direction distribution of the impurity (boron) in the embodiments.

제14도는 실세예에서의 불순물(인)의 길이방향의 분포도. 14 to turn the distribution in the longitudinal direction of the impurity (phosphorus) in silse example.

제15도는 실시예에서 피막의 시트 저항의 변화를 나타내는 도면. Article 15 in the embodiment turns a view showing the change in sheet resistance of the film.

제16도는 실시예에서 제작된 인버터, 링오실레이터 특성도. Claim 16 also turn the inverters, ring oscillators characteristics prepared in Example.

본 발명은, 저온공정에서 효율적으로 도핑하고, 그 밖의 화학적, 물리적 처리를 행하는 기술에 관한 것이다. The invention, and efficiently doped with a low temperature step, to a technique for performing other chemical and physical processes.

종래, 도핑을 행하는 기술로서, 열확산법이나 이온주입법이 알려져 있다. Conventionally, as a technique of performing the doping, a thermal diffusion method or ion implantation method has been known.

열확산법은, 1,000~1,200℃라는 고온분위기 중에서 불순물을 반도체중에 확산시키는 방법이고, 이온주입법은 이온화한 불순물을 전계로 가속하여 소정의 장소에 투입하는 방법이다. Thermal diffusion method is a method for diffusing an impurity in a high temperature atmosphere of 1,000 ~ 1,200 ℃ in the semiconductor, the ion implantation method is a method to accelerate the ionized impurities in the electric field input to a predetermined place.

그러나,불순물의 확산계수 D는 D=D 0 exp[-Ea/kT]로 나타낸 바와같이 절대온도 T에 대하여 지수함수적으로 의존한다. However, the diffusion coefficient D of the impurity depends exponentially relative to the absolute temperature T as indicated by D = D 0 exp [-Ea / kT].

여기에서 D 0 는 T=∞에 있어서 확산계수이고, Ea는 활성에너지이고,k는 볼쯔만(Boltzmann)계수이다. Where D 0 is the diffusion coefficient in the T = ∞, Ea is the activation energy, k is the only (Boltzmann) Boltzmann coefficient.

따라서,불순물을 반도체중에 효율적으로,확산시키기 위해서는 가능한한 고온에서 행하는 것이 바람직하며 열산화법에서는 1,000도 이상의 고온 공정에서 행하는 것이 일반적이었다. Thus, preferably carried out at a high temperature as possible in order to efficiently, the impurity diffusion in the semiconductor, and it has been generally performed in a high temperature above 1000 degree step, thermal oxidation.

또한 이온주입법에서는 불순물의 활성화와 결함의 회복을 위해 6000~950℃의 온도에서의 후열처리 공정이 필요했다. In addition, ion implantation was needed after the heat treatment process in the 6000 ~ 950 ℃ for activation and restoration of defects of impurity temperature.

최근 유리기판상에 설치된 TFT(박막 트랜지스터)를 화소의 스위칭 소자로서 이용한 액티브 매트릭스형 액정표시장치가 일부 실용화되어 있는데, 이것은 TFT의 소스, 드레인 영역을 오오믹콘택트에 일도전형의 비정질규소로 형성하고 있는 것이 일반적이다. There active matrix type liquid crystal display device using the last TFT (thin film transistor) provided on a glass substrate as a switching element of a pixel is part put to practical use, which work with source and drain regions of the TFT on the O-dynamic contact, forming a typical amorphous silicon it is common.

또한 TFT의 구조로서 역스태거형의 형식을 취하고 있어 구조적인 문제에서 기생용량을 발생시키기 쉬웠다. In addition, as the structure of the TFT to take the form of a reverse stagger type it easy to generate a parasitic capacitance in a structural problem.

그리고, 소스, 드레인 영역을 자기정합적(셀프어라인)으로 형성하는 TFT를 이용하는 것이 검토되고 있지만, 소스, 트레인 영역을 자기정합적으로 형성하기 위해서는, 이온주입법이나 이온샤워법을 이용하지 않으면 안되었다. Then, the source, the drain regions self - matched, but to use a TFT that forms a (self Huh a) has been studied, the source, in order to form a train regions in a self-aligning manner, without using an ion implantation or ion shower method can not It was.

그러나 이들 방법은 상술한 바와 같이 불순물의 활성화와 결함의 회복을 위해 600~700℃온도에서 후열처리 공정이 필요하고, 일반적인 값싼 유리기판의 내열온도가, 600~700℃인 점을 고려하면, 공업적으로 이용하는 것이 곤란했다. However, these methods consider the heat resistance temperature of the activation with the heat-treating step is required, and a common low-cost glass substrate and then at 600 ~ 700 ℃ temperature for the restoration of defects of impurity, as described above, 600 ~ 700 ℃ point, Ind it was difficult ever to use.

이와같은 유리기판에 가해지는 열손상의 문제를 해결하는 방법으로서 레이저광의 조사에 의한 도핑기술이 알려져 있다. The doping technique is known by the laser light irradiation as a way to solve the problem of heat damage to the glass substrate such.

이 방법의 한가지는, 도핑을 행하려 하는 반도체 표면에 불순물의 박막을 형성하고, 레이저광의 조사에 의해 이 불순물의 박막과 반도체 표면을 용융시키고, 불순물을 녹여들어가는 방법이 있다. One kinds of the method, a method in which the semiconductor surface want to perform doping and melting the semiconductor thin film and the surface of the impurity by means of laser light irradiation to form a thin film, and of the impurities, into dissolved impurities.

상기의 엑시머 레이저광의 조사에 의해 도핑을 행하는 방법은, 유리기판에 열손상을 주지 않기 때문에, 열손상에 의한 결함의 발생을 억제할 수 있다는 잇점이 있지만, 불순물의 피막을 형성하는 공정을 거칠필요가 있었다. Method for performing doping by the excimer laser beam irradiation, but the advantage that because they do not give a thermal damage to the glass substrate, it is possible to suppress the occurrence of defects due to thermal damage, to go through the step of forming the coating film of the impurity there was.

종래, 이피막형성에는 스핀코트법등의 도포법이 이용되었다. The conventional coating method, the spin coat film forming two feet beopdeung was used.

그러나, 이 공정에 있어서, 피막 두께의 균일성이 좋지 않으면, 불순물의 도핑 농도가 다르기 때문에,이상적인 방법이 아니었다. However, in this process, if the uniformity of the film thickness is not good, it was not an ideal method because the doping concentration of impurities are different.

또한 이피막은 통상, 유기용제를 용매로하여 형성되었는데, 그 경우에는 반도체중에 탄소나 산소, 질소등의 바람직하지 않은 원소가 들어가, 특성을 악화시키는 일이 있었다. Also it was formed by a conventional film two feet, an organic solvent as a solvent, in which case there was a work of the undesirable elements such as carbon or oxygen, nitrogen, into, deteriorating the properties in the semiconductor.

본 발명은, 상기의 레이저광, 특히 엑시머 레이저광을 이용한 도핑기술에 있어서,문제가 되었던,공정의 복잡화 및 이원소의 침입이라는 과제를 감안하여 이루어진 것이다. The present invention has been made in view of the problem of In the above-mentioned laser light, in particular the doping technique using an excimer laser light, is, invasion of the element becomes complicated and the process was a problem.

본 발명은,따라서, 액체상태 혹은 고체상태의 도핑재료를 이용하지 않고, 기체상태의 순도가 높은 도핑가스를 이용하여 도핑을 행하려 하는 것으로, 공정의 간략화와 이원소의 침입을 방지하는 것을 목적으로 한다. The invention, therefore, that without the use of the doping material in the liquid state or solid state, want to perform the doping with a high doping gas purity in the gas phase, for the purpose of preventing the simplicity and intrusion of this element of the process do.

또한, 도핑효율을 높이는 것도 발명의 과제로 한다. Further, also improving the doping efficiency to the object of the invention.

또한, 본 발명은, 반도체 재료에 대한 도핑 이외에도, 다종의 다양한 재료(절연체,도전체) 및 그들의 표면에 대한 도핑 및 그것에 부수되는 재료 및 그 표면의 개량을 행하는 것을 과제로 한다. In addition, the present invention, in addition to the doping of the semiconductor material and the doping is performed, and improvement of the material and the surface thereof accompanying it for a wide variety of materials (insulators, conductors) and their assignment to the surface.

예를 들면, 산화규소 피막중에 인의 도핑등이다. For example, the phosphorus doping in the silicon oxide film.

본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해, 일도전형을 부여하는 불순물을 함유하는 고순도의 반응성 기체 분위기 중에서, 시료 반도체 표면에 대해 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 일도전형을 부여하는 불순물을 상기 시료 반도체중에 도핑하는 방법이다. The present invention, in order to solve the above problems, work in a reactive gas atmosphere of high purity containing an impurity which imparts the type, by irradiating laser light on the sample semiconductor surface, the work above the impurity which imparts a typical sample is a method of doping the semiconductor.

그러나, 본 발명자들의 경험에 의하면, 시료 반도체가 실온과 같은 저온이면,원소의 확산이 충분하지 않았다. However, according to the experience of the inventors, if the semiconductor sample is a low temperature such as room temperature, the diffusion of the element was not sufficient.

그리고, 본 발명의 하나는, 상기 레이저 조사시에, 시료를 가열하여, 적어도 200℃ 이상의 온도로 유지하는 것에 의해, 불순물원소의 확산을 촉진시키고, 또한, 고농도의 불순물도프를 행하려 하는 것이다. And, one of the present invention is that at the time of the laser irradiation, by heating the sample, by at least maintained at a temperature above 200 ℃, and facilitate the diffusion of the impurity element, and, want to perform the high-concentration impurity-doped.

기판의 가열온도는 반도체의 종류에 따라 다르지만, 폴리실리콘(다결정 실리콘), 세미 아모르퍼스 실리콘에 있어서는, 250~500℃, 바람직하게는 300~400℃가 가장 적합하다. The heating temperature of the substrate is different depending on the type of semiconductor, polysilicon in the (poly-Si), semi-amorphous silicon, it is best for the 250 ~ 500 ℃, preferably 300 ~ 400 ℃.

이와같이 시료를 가열하여 레이저를 조사하면, 불순물이 확산되기 쉬울 뿐아니라, 레이저의 조사에 의해 일시적으로 결정성이 저하된 반도체가, 열적으로 충분한 완화시간이 부여되기 때문에 결정성을 회복하기 쉽다. When in this way by heating the sample irradiated with a laser beam, as well as prone to impurity diffusion, the temporarily crystallinity by the laser irradiation decreases the semiconductor, it is easy to recover the crystallinity since a sufficient thermal relaxation time is given.

레이저 조사는, 특히 펄스 레이저의 조사에 있어서는, 시료가 적당한 온도로 가열되어 있지 않은 경우에는, 전형적인 급가열, 급냉이기 때문에, 반도체는 아모르퍼스 상태를 나타내기 쉽다. Laser irradiation, in particular in the pulses of the laser irradiation, because if the sample has not been heated to an appropriate temperature, the typical rapid heating, rapid cooling, the semiconductor is likely to indicate an amorphous state.

즉 순간적으로, 1,000℃ 이상까지 가열되지만, 수 100msec 후에는 실온까지 저하한다. I.e. momentarily, it is heated to above 1,000 ℃, can after 100msec is lowered to room temperature.

만일, 시료가 실리콘으로 상술한 범위로 가열되어 있는 경우에는, 실리콘의 결정화 온도의 하한인500℃부근까지 온도가 강하하는데 요하는 시간이, 실온의 경우의 10배 이상이라고 산출된다. If, when the sample which is heated in the above-described range has a silicon, are calculated the time required for the temperature is lowered to near the lower limit of 500 ℃ the crystallization temperature of silicon, that more than 10 times in the case of the room temperature. 이 단계에서 레이저의 조사기간이 어느 일정시간 이상 계속된 경우에는 실리콘이 용융되고, 불순물은 용액의 대류에 의해 내부에 침투한다. If in this step the irradiation period of the laser to keep at least a certain period of time, and the silicon is melted, the impurities will penetrate the interior by convection of the solution.

또한, 펄스가 일정시간 이상 계속되지 않는 경우에는, 실리콘은 고상(固相)적으로 결정화하여, 이른바 세미 아모르퍼스가 되지만, 그때에는 불순물은 고상적으로 내부에 확산된다. Further, when a pulse does not last for longer than a certain period of time, the silicon is crystallized by the solid phase (固 相) small, but the so-called semi-amorphous, then the impurity is diffused inside the solid state ever.

온도가 너무 높은 것은 바람직하지 않다. The temperature is too high undesirable.

왜냐하면, 고온에서는 반응성 가스자체가 분해되고, 시료 뿐만 아니라, 그 홀더등에도 부착되어, 가스의 이용효율이 저하되기 때문이다. Because, in the high-temperature reactive gas itself is decomposed, it is also attached to the sample, as well as the holder or the like, as it is used the efficiency of the gas is decreased.

또한,반도체의 결정화 온도 이상의 고온으로 유지하는 것도 바람직하지 않다. In addition, it is not preferable to keep the crystallization temperature or more of the semiconductor temperature.

특히 이것은 다결정 반도체나 아모르퍼스 반도체, 세미 아모르퍼스 반도체와 같은 결함이 많은 반도체에 있어서는 바람직하지 않다. In particular, this is undesirable in the number of defective semiconductor such as polycrystalline semiconductor or amorphous semiconductor, semi-amorphous semiconductor.

결정성의 반도체에 대하여 결정화 온도 이상의 온도로 가열하면서 도핑을 행하면, 준위의 발생에 기인하는 가전자제어의 곤란성 문제가 발생하기 때문이다. Performed in the doping while heating to a temperature above the crystallization temperature for the crystalline semiconductor, and is due to the difficulty of the problem, the valence control due to the occurrence of level occurred. 아모르퍼스 실리콘이, 열적으로 폴리실리콘으로 변화하는 것은 500~550℃라고 일컬어지기 때문에, 이 온도 이하, 바람직하게는 그 100℃이하 (즉,400~450℃, 혹은 그 이하)에서 행하는 것이 바람직하다. Since also known as amorphous as Perth silicon, is 500 ~ 550 ℃ to thermal changes of polysilicon with, is the extreme temperature or less, and preferably it is preferable to perform in a less 100 ℃ (i.e., 400 ~ 450 ℃, or less) .

또한 아모르퍼스 실리콘을 이용한 TFT(a-Si:TFT라고 한다.)에 있어서, 본 발명의 구성을 이용한 경우, a-Si:TFT를 350℃이상의 온도로 가열하면 소자가 파괴되어 버리기 때문에, 이 경우는 350℃ 이하의 온도로 가열하는 것이 적당하다. According to: (referred to as TFT a-Si.), The case of using the configuration of the present invention, a-Si: the TFT using the amorphous silicon, because when heating the TFT with a temperature above 350 ℃ dumping device is destroyed, and in this case is suitable to heat to a temperature below 350 ℃.

이점은 다른 반도체에서도 동일하다. Benefits are the same as in other semiconductors.

본 발명의 다른 한가지는,상기 레이저광, 특히 엑시머 레이저광을 이용한 기체상태에서의 도핑 기술에 있어서, 서로 다른 도핑가스를 이용하여 복수의 도핑을 행하려고 하는 경우, 단일 레이저광에서는 도핑가스의 흡광특성이 서로 다르고, 가스의 종류에 따라 분해특성이 달라지는 것에 의한 도핑효율이 저하되는 것을 과제로 하고, 이것을 해결하기 위한 것이다. One more of the present invention, in the laser light, in particular the doping technology in the gas phase using the excimer laser beam, with each other when attempting to line a plurality of doped by using another doping gas, the single laser light absorption of the doping gas different from each other characteristics, in that the doping efficiency due to the degradation characteristics differ according to the type of the gas down to a task, and to solve this.

그것을 위하여, 일도전형을 부여하는 불순물을 함유하는 반응성 기체 분위기 중에서, 레이저 조사시에, 상기 반응성 기체를 분해하기 위해 전자에너지가 가해지는 구성을 취하는 것이다. For it, work in a reactive gas atmosphere containing the impurity to impart typical, at the time of laser irradiation, it takes a constitution that the electromagnetic energy applied to decompose the reactive gas.

이때 다시 레이저 광을 조사할 때, 동시에 시료인 도핑을 행하려고 하는 반도체를 상기 제1의 발명과 동일하게, 적당한 온도로 가열하면, 한층 도핑율을 높일 수 있다. At this time, when re-irradiated with a laser beam, at the same time when heating the semiconductor attempting to line the sample is doped with the same manner as invention, the suitable temperature of the first, can be improved further doping rate.

본 발명에 있어서,열도전형을 부여하는 불순물은, 반도체로서 규소반도체(실리콘)를 이용한 경우에 있어서,P형을 부여하는 것이라면,3가(價)의 불순물, 대표적으로는 붕소(B)등을 이용할 수 있고, N형을 부여하는 것이라면,5가의 불순물,대표적으로는 인(P)나 비소(As)등을 이용할 수 있다. In the present invention, the impurity which imparts the heat type is, as the semiconductor for in the case of using a silicon semiconductor (silicon), if that gives the P-type, the trivalent (價) dopant, typically boron (B), etc. can be used, if that gives the N-type, pentavalent impurity, typically, it can be used phosphorus (P) or arsenic (as) or the like.

그리고 이들 불순물을 함유하는 반응성 기체로서 AsH₃,PH₂,BF₃,BCI₃,B(CH₃)₃등을 이용할 수 있다. And a reactive gas containing these impurities may be used AsH₃, PH₂, BF₃, BCI₃, B (CH₃) ₃ and the like.

반도체로서는,TFT를 제작하는 것이라면,기상성장법이나 스퍼터법등에 의해 성막한 비정질 실리콘 반도체 박막이 일반적으로 이용된다. As the semiconductor, to produce if the TFT, the a-Si semiconductor thin film formed by vapor deposition or sputtering beopdeung is generally used.

또한, 액상성장에 의해 제작된 다결정 또는 단결정의 실리콘 반도체라도 본 발명을 적용할 수 있다. In addition, any of a polycrystalline silicon semiconductor or a single crystal produced by a liquid phase growth can be applied to the present invention.

또한, 실리콘 반도체에 한정되지 않고, 그밖의 반도체라도 좋음은 말할 것도 없다. The present invention is not limited to silicon semiconductors and other semiconductor Even Good Not to mention.

레이저광으로서, 펄스발진형의 엑시머 레이저 장치를 이용하는 것이 유용하다. As the laser light, it is useful to use an excimer laser of the pulse oscillation type device. 이것은, 펄스발진 레이저에서는, 시료의 가열이 순간적이고, 게다가 표면에만 한정되어,기판에 영향을 주지 않기 때문이다. This is, in the pulse oscillation laser, and heating of the sample at this moment, addition is limited to the surface, because they do not affect the substrate. 레이저에 의한 가열은, 국소적인데 비해, 연속발진 레이저(알곤 이온레이저등)에 있어서는, 가열부분과 기판과의 열팽창의 현저한 차이등에 의해, 가열부분이 벗겨져 버리는 일이 있다. Heating by the laser, there is a continuous wave laser in the (Ar ion laser and the like), by a significant difference in thermal expansion between the heating portion and the substrate, and discard the heated portion to peel off work, compared to topical. 이점에서, 펼스레이저에서는, 열 완화시간은, 열팽창과 같은 기계적 응력의 반응시간에 비하여 압도적으로 짧아, 기계적인 손상을 주지 않는다. At this point, the pyeolseu laser, a thermal relaxation time is overwhelmingly short as compared with the response time of the mechanical stresses, such as thermal expansion, it does not give mechanical damage. 물론, 기판의 불순물이 열확산하는 일은 거의 없다. Of course, rarely to the impurity diffusion of the substrate.

특히, 액시머 레이저는 이미, 아모르퍼스 실리콘 박막을 레이저 조사하는 것에 의해 결정화 시키고, 결정성이 높은 다결정 실리콘 박막을 얻는다고 하는 실험에 사용된 실적이 있다. In particular, excimer lasers are already, amorphous silicon thin film on the results using the Perth experiments was crystallized by the laser irradiation, eotneundago the polycrystalline silicon thin film with high crystallinity. 구체적인 레이저의 종류로서는,ArF 엑시머 레이저(파장 193nm),XeCl 엑시머 레이저(파장 308nm),XeF 엑시머 레이저(파장 351nm),KrF 엑시머 레이저(248nm)등을 이용하는 것이 적당하다. The kinds of the specific laser, ArF is suitable to use an excimer laser (wavelength: 193nm), XeCl excimer laser (wavelength: 308nm), XeF excimer laser (wavelength: 351nm), KrF excimer laser (248nm) and the like.

본 발명의 구성에 있어서, 기판을 가열하는 수단으로서, 홀더에 직접 니크롬선이나 칸달선, 그 밖의 발열체를 편입시킨 전도형의 것을 이용해도 좋은데, 적외선 램프 이외의 방사형을 이용해도 된다. In the structure of the present invention, there is provided a means for heating the substrate, directly on the nichrome wire holder or compartment dalseon, good to be used in conducting incorporating the other heating element, it is also possible to use a radial outside of the infrared lamp.

그러나, 기판온도는 불순물 도핑 농도나 깊이에 큰 영향을 주기 때문에, 그 제어는 정밀하게 행하는 것이 바람직하다. However, the substrate temperature because a significant impact on the impurity doping concentration and depth, and the control is preferably carried out accurately. 따라서,시료로는 열전쌍등의 온도센서가 불가결하다. Thus, the sample is essential to the temperature sensors such as thermocouples.

본 발명의 구성에 있어서, 도핑용 반응성기체(도핑가스라고 한다)를 분해하기 위해 가해지는 전자에너지로서는, 13.56MHz의 고주파 에너지가 일반적이다. In the structure of the present invention, as the electron energy applied to decompose the doped reactive gas (referred to as doping gas) for a high-frequency energy of 13.56MHz general. 이 전자에너지에 의한 도핑가스의 분해에 의해, 도핑가스를 직접 분해할 수 없는 레이저 광을 이용하는 경우에도 효율적으로 도핑을 행할 수 있다. Even if by the decomposition of the doping gas due to the electron energy, using a laser beam that can not decompose the doping gas directly can be conducted efficiently doped. 전자에너지의 종류로서는,13.56MHz의 주파수로 한정되는 것이 아니고, 예를들면, 2.45㎓의 마이크로파와 875 가우스의 자장가의 자장과의 상호작용에서 발생하는 ECR 조건을 이용해도 좋다. The kinds of the electron energy not limited to a frequency of 13.56MHz, for example, may be used for ECR condition arising from interaction with the microwave and the 2.45㎓ of 875 Gauss magnetic field lullaby. 또한 도핑가스를 직접 분해 할 수 있는 광에너지를 이용하는 것도 유효하다. In addition, it is effective to utilize the light energy that can decompose the doping gas directly.

이상의 기술에서는,반도체중의 도핑기술에 관하여 서술했지만, 본 발명은 그것에 한정되지 않고,폭 넓은 응용이 가능하다. In the above technique, although described with respect to doping of semiconductor technology, the present invention is not limited to this, it is possible to wide applications. 예를들면, 금속중에,그 표면의 특정 두께의 부분에,표면재질을 향상시키는 미량원소를 수% 첨가하는 경우에도 경우에도 본 발명을 사용하는 것이 가능하다. For example, the metal, the portion of the particular thickness of the surface, it is possible to use the present invention, even when even when the% addition of trace elements to improve the surface material. 예를들면, 철의 표면에,암모니아중에서 본 발명을 실시하고, 질소를 도핑하여, 표면의 수~수백nm을 질화철로 해도 좋다. For example, the surface of the iron, the practice of the present invention in ammonia, and doped with nitrogen, may be a nitride of iron to several hundred nm of the surface.

혹은,산화물에 있어서도 본 발명을 실시하여 효과를 얻을 수 있다. Alternatively, the effect can be obtained by implementing the present invention also in the oxide.

예를들면, 비스머스계 산화물 고온 초전도체 박막에 염화납 증기중에서 본 발명을 실시하여, 납을 함유하도록 함으로써 초전도 임계온도를 높이는 것도 가능하다. For example, it is possible to practice the invention in a lead-chloride vapor in the bismuth-based oxide high temperature superconductor thin film, and increase the superconducting critical temperature by ensuring that contain lead. 종래, 비스머스계 산화물 고온 초전도체는, 몇 가지의 종류가 존재하는 것이 알려져 있고, 최고의 임계온도는 110K 정도였다. Conventionally, bismuth-containing oxide high temperature superconductor, it is known that some kind of presence, was about the best threshold temperature is 110K. 그런, 임계온도가 100K를 넘는 상은 얻기가 곤란했다. Then, the prize was difficult to get a critical temperature exceeding 100K.

납을 첨가하면 100K 를 넘는 상이 용이하게 얻어지는 것이 알려져 있지만, 박막 제작과정에 있어서는, 기판가열의 영향을 납은 외부에 증산해 버리는 경향이 있었다. The addition of lead is known to differ easily obtained over a 100K, in the thin film manufacturing process, lead to the influence of the substrate heating has had a tendency to increase production in the outside. 그러나, 본 발명은 비열평형 반응이기 때문에, 납을 유효하게 박막 형성재료로 포함할 수 있다. However, the present invention may be effectively included in the thin film forming materials for lead, because the non-thermal equilibrium reaction. 동일하게, 최근, 반도체 집적회로, 특히 반도체 메모리의 기능성 재료로서 주목되고, 납을 함유하는 강유전체인 PZT(납 지르코니아티탄 산화물)에 적용할 수 있다. Likewise, recently, the attention of the semiconductor integrated circuit, particularly a semiconductor memory as a functional material, can be applied to a ferroelectric PZT (lead zirconia, titanium oxide), which contains lead.

또한, 산화규소와 같은 절연물에 있어서도, 미량 불순물을 첨가할 때 사용할 수 있다. Further, in the insulating material such as silicon oxide, it may be used upon the addition of a trace amount of impurities. 산화규소에는 이미 반도체 공정에서 사용되고 있듯이, 인을 수 % 정도 함유시켜 인 유리로 하는 것이 자주 행해지고 있다. As silicon oxide has been used in semiconductor processing, there is frequently carried out to the extent of a few percent by containing the glass. 물론, 본 발명을 사용하여 산화규소에 인을 함유시키는 것도 가능하다. Of course, using this invention it is also possible to contain the phosphorus to silicon oxide. 예를 들면,1 ×10 20 ~3 ×10 20 cm -3 의 농도로 인을 확산하면 좋다. For example, it may be spread in a concentration of 1 × 10 20 ~ 3 × 10 20 cm -3.

이 인 유리는 반도체 내부에 외부로 부터 부터 나트륨의 가동이온이 침입하는 것을 방지하는 것으로 알려져 있다. This glass is known to prevent the penetration of mobile ions from the sodium to the exterior from inside the semiconductor. 종래에는, 인 유리(PSG)전용의 CVD챔버에 의해 성막했는데, 전용의 장치를 준비하지 않으면 안되기 때문에 단가가 상승한다. Since conventionally, a glass (PSG) was deposited by a CVD chamber of a dedicated, andoegi do not prepare a dedicated device increases the cost. 본 발명을 이용한 경우에는, 레이저 도핑장치를 반도체의 불순물 도프용과 인유리 형성으로 할 수 있고, 산화규소의 성막장치는,다른 용도로도 널리 사용할 수 있기 때문에, 전체적인 단가 상승을 초래하지 않아, 경제적이다. When using the present invention, it is possible to the laser doping apparatus with impurity doped and one for kernel oil re-formation of a semiconductor film formation apparatus of the silicon oxide, because they can well be used for other purposes, do not result in an overall cost increase and economic to be.

특히, 본 발명을 실시하는 것은 각종 유기실란(테트라 $에톡실 $실란(TEOS)등)을 재료로서 비교적 저온(600℃ 이하)으로 형성된 산화규소막의 특성을 향상시키는데 유효했다. In particular, the practice of the present invention was effective in improving the various organosilane relatively low temperature silicon oxide film formed in a characteristic (hereinafter referred to as 600 ℃) for ($ silane (TEOS), etc. Ethoxylated tetraethylene $) as a material. 즉, 이와같은 피막에 있어서는,원료중에 탄소가 많이 함유되어 있어, 절연성이 좋지 않고, 또한, 이것을 MOS 구조등의 절연막으로서 사용하는 경우에는, 트랩준위가 너무 많아, 양호한 재료가 아니였다. In other words, this in the same film, it is rich in the carbon in the raw materials, without insulation is good, and, in the case of using it as an insulating film such as a MOS structure, the trap level is too much, it was not a preferred material.

그러나, 본 발명에 의해 인의 레이저 도핑을 행하면 레이저 조사의 가열에 의해, 이들 탄소가 막에서 제거되어, 트랩준위가 현저하게 감소하여 절연 특성도 향상된다. However, by performing doping of phosphorus laser according to the present invention by heat of the laser irradiation, these carbon is removed from the film, it is also improved insulating property to trap level is significantly reduced. 앞서 설명한 바와 같이,레이저 도핑때에 기판 온도를 변화시킴으로서 불순물의 깊이 방향의 분포를 제어할 수 있다. As described above, it is possible to control the distribution in the depth direction of by changing the substrate temperature when the laser doping impurity. 따라서, 산화규소막중에 깊게 인을 분포시키기 위해서는 기판온도를 200℃이상, 바람직하게는 350~450℃로 유지하고, 또한 깊이100nm 이하에만 분포시키기 위해서는 기판을 실온 혹은 그 이하로 유지하면 좋다. Therefore, in order to may be distributed to a depth in the silicon oxide film remains over the substrate 200 ℃ temperature, preferably 350 ~ 450 ℃, and also keeps the substrate at room temperature or lower in order to the distribution depth of 100nm or less only.

또한,레이저 도핑때,기본막에 아모르퍼스의 실리콘등의 반도체 재료가 존대하는 경우에는, 동시에 이들 반도체 재료도 아닐되어 결정성이 향상된다. Further, when the laser doping, in the case of a semiconductor material such as amorphous silicon for the base film jondae, at the same time is not also these semiconductor materials, the crystallinity is improved. 즉, 산화규소막은, 자외선에 대하여 흡수율이 낮고, 레이저 광의 대부분이 그 밑의 반도체 재료에 흡수되기 때문이다. That is, the silicon oxide film, because with respect to the UV absorption is low, most of the laser light is absorbed in the semiconductor material of the bottom. 따라서 두가지 공정을 동시에 진행할 수 있어, 양산성의 향상에 유효하다. Therefore, it is possible to proceed two processes at the same time, it is effective in improvement in mass production.

본 발명의 장치의 개념도를 제 5도 및 제 6도에 나타낸다. It shows a conceptual diagram of the apparatus of the present invention in FIG. 5 and 6 of FIG. 제 5도는 기판가열장치를 구비한 것, 제 6도는,그것에 덧붙여 플라즈마를 발생시키기 위한 전자장치를 구비한 것을 나타내고 있다. The substrate heating apparatus will be provided with a turn 5, and the sixth turn, indicates that the addition to having an electronic device for generating a plasma in it.

이들 도면은 개념적인 것이기 때문에, 당연히, 실제의 장치에 있어서는, 필요에 따라 그 밖의 부품을 구비할 수 있다. These figures because conceptual will, of course, in the actual apparatus, may be provided with other components, as needed. 이하, 그 사용법에 대하여 개략 설명한다. It will now be schematically described with respect to its use.

제 5도에 있어서, 시료(24)는 시료홀더(25)상에 설치된다. The method of claim 5, also, the sample 24 is mounted on the sample holder (25).

최초로, 챔버(21)는 배기장치에 접속한 배기계(27)에 의해 진공 배기된다. First, the chamber 21 is exhausted by the exhaust system 27 is connected to the vacuum exhaust unit. 이 경우에는,가능한한 고진공으로 배기하는 것이 바람직하다.즉, 대기성분인 탄소나 질소, 산소는 반도체에 있어서는 일반적으로 바람직하지 않기 때문이다. In this case, to the exhaust in a high vacuum as possible it is preferred. That is, the atmospheric composition of the carbon, nitrogen, oxygen, because they do not generally preferred in the semiconductor. 이와같은 원소는, 반도체중에 포함되는데, 동시에 첨가된 불순물의 활성도를 저하시키는 일이 있다. Such elements, are included in the semiconductor, there is a lowering of the activity of the added impurity at the same time.

또한, 반도체의 결정성을 손상시키고,입계에 있어서 불포화결합의 원인이 된다. In addition, it is damaging the crystallinity of the semiconductor, causing an unsaturated bond in the grain boundary. 따라서,10 -6 otrr 이하,바람직하게는 10 -8 torr 이하까지 챔버내를 진공으로 하는 것이 바람직하다. Thus, to the vacuum in the chamber to 10 -6 otrr or less, preferably 10 -8 torr or less.

또한, 배기를 전후해서 히터(26)를 작동시켜, 챔버내부에 흡착된 대기성분을 배출하는 것도 바람직하다. Further, by operating the exhaust gas before and after the heater 26, it is also preferable to discharge the air component adsorbent within the chamber. 현재의 진공장치에서 사용되는 것과 같이, 챔버이외에 예비실을 설치하고, 챔버가 직접, 대게에 접촉하지 않는 구조로 하는 것도 바람직하다. As used in the present vacuum system, and installing the spare room in addition to the chamber, it is also preferable to a structure in the chamber are direct, it does not come into contact with the snow crab. 당연히,로타리 펌프나 기름확산 펌프에 비하여,탄소등의 오염이 적은 터보분자 펌프나 크라이오펌프를 이용하는 것이 바람직하다. Of course, it is preferred to use, a small turbo molecular pump or a cryopump pollution such as carbon compared to the rotary pump or the oil diffusion pump.

충분히 배기되었다면, 반응성가스를 가스계(28)에 의해, 챔버내에 도입한다.반응성 가스는 단독의 가스로 이루어져 있어도, 혹은 수수나 알곤, 헬륨, 네온등으로 회석되어도 좋다. If sufficiently evacuated, by a reactive gas in the gas system (28), is introduced into the chamber. Reactive gas which may consist of a single gas, or a dilution may be a cane or argon, helium, neon or the like. 또한,그 압력은 대기압에서도, 그 이하라도 좋다. In addition, the pressure is at atmospheric pressure, and may be less. 이들은, 목적으로 하는 반도체의 종류와,불순물 농도, 불순물 영역의 깊이, 기판온도등을 고려하여 선택된다. It is selected in consideration of the type of the semiconductor and for the purpose, the impurity concentration, the depth of the impurity region, and the substrate temperature and the like.

다음으로 창(22)을 통하여, 레이저광(23)이 시료에 조사된다.이때, 시료는 히터에 의해,일정한 온도로 가열되어 있다. Next, through the window 22, is irradiated with laser light 23, the sample this time, the sample has, are heated to a constant temperature by the heater. 레이저광은, 1개소에 통상 5~50펄스 정도 조사된다. The laser light is irradiated usually about 5 to 50 pulses in one place. 레이저펄스의 에너지의 편차는 충분히 크고, 따라서,너무 펄스수가 적은 경우에는 불량발생 확률이 크다. If the deviation of the energy of the laser pulse is sufficiently large, and therefore, too small number of pulses, the larger the probability of defects. 한편, 너무 많은 펄스를 1개소에 조사하는 것을 양산성(처리량)면에서 바람직하지 않다. On the other hand, mass productivity to irradiation so many pulses to the one position (throughput) is not preferable from the viewpoint. 본 발명자의 경험에 의하면,상기의 펄스수가 양산성에서도,제조효율면에서도 타당했다. According to the experience of the present inventors, in the number of the pulse mass productivity, and reasonable in production efficiency.

이 경우,예를 들면,레이저의 펄스가10mm(x방향)×30mm(y방향)의 특징의 장방형의 형상을 하고 있는 경우에, 동일한 영역에 레이저 펄스를 10펄스를 조사하고, 종료후에는, 다음 부분으로 이동한다고 하는 방법도 좋지만, 레이저를 1펄스에 대해,x방향으로 1mm씩 이동시켜도 좋다. In this case, after, for example, in the case where the laser pulse that is a rectangular shape of the feature of 10mm (x-direction) × 30mm (y direction), and the laser pulses on the same area irradiated with 10 pulses, termination, but also how that go to the next section, may for the laser pulse to the first, may be moved by 1mm in the x direction.

레이저 조사가 종료되었다면,챔버내를 진공배기하고, 시료를 실온까지 냉각하여 시료를 꺼낸다.이와같이, 본 발명에서는,도핑공정은 극히 간단하고,또한,고속이다. If the laser irradiation is completed, the sample exhaust vacuum in the chamber, cooled to room temperature, take out the sample. Thus, in the present invention, the doping process is extremely simple and, also, fast. 즉 종래의 이온주입공정에서는, In other words, in the conventional ion implantation step,

(1)도핑패턴의 형성(레지스트 도포, 노광,현상) (1) formation of a doped pattern (resist coating, exposure, development)

(2)이온주입(혹은 이온도핑) (2) an ion implantation (or ion doping)

(3)재결정화 3 recrystallized

라는 3공정이 필요하고,또한 종래의 레이저 조사에 의한 고상확산(固相擴散)에서도, Requires a third step of, and also in solid phase diffusion (固 相 擴散) by conventional laser irradiation,

(1)도핑패턴으 형성(레지그트 도포,노광,현상) (1) doped lead pattern formed (Reg geuteu coating, exposure, development)

(2)불순물피막 형성(스핀코팅 외) (2) forming an impurity coating (spin coating et al)

(3)레이저 조사 (3) laser

라고 하는,역시 3공정이 필요했다. That was also the third step is required. 그러나, 본 발명에서는, However, in the present invention,

(1)도핑패턴의 형성(레지스트 도포, 노광,현상) (1) formation of a doped pattern (resist coating, exposure, development)

(2)레이저 조사 (2) Laser

라고 하는 2공정으로 완료된다. It is completed in the second step, called.

제 6장치에 있어서도,제 5도의 경우와 거의 같다.최초로 챔버(31)내를 배기계(37)에 의해 진공배기하고,가스계(38)로 부터 반응성 가스를 도입한다. Also in the sixth device, nearly same as in the fifth degree., And the first exhaust by vacuum the interior of the chamber 31 to the exhaust system (37), and introducing a reactive gas from the gas meter (38). 그리고, 시료홀더(35)상의 시료(34)에 대해서,창(32)을 통하여, 레이저광(33)을 조사한다.그때에는 고주파 혹은 교류(혹은 직류) 전원(40)으로 부터,전극(39)에 전력을 투입하고,챔버내부에 플라즈마 등을 발생시켜서, 반응성 가스를 활성화한 상태로 한다. Then, the sample for the sample 34 on the holder 35, through the window 32 is irradiated with a laser beam 33. At that time since the high frequency or alternating current (or DC) power source 40, the electrode (39 ) in an electric power to, and thereby generating a plasma inside the chamber, etc., and a reactive gas into the active state. 도면에서 전극은 용량결합형으러 나타냈는데, 유도(인덕턴스)결합형이라도 좋다.또한, 용량결합형이라도, 시료홀더를 한쪽의 전극으로서 이용해도 좋다. In the drawing the electrodes are capacitively coupled to draw naetneunde shown, but may be derived (inductance) coupled Further, even if the capacitive coupling type, the sample holder may be used as one electrode. 또한,레이저조사시에는, 히터(36)에 의해 시료를 가열해도 좋다. In addition, during the laser irradiation, the sample may be heated by a heater 36.

이하에 실시예를 나타내고,보다 상세하게 본 발명을 설명한다. It represents an embodiment will now be described the present invention in more detail.

[실시예1] Example 1

본 실시예는, 유리기판상에 설치된 N채널 박막형 절연게이트 전계효과 트랜지스터(이하 NTFT라고 한다)의 제작에 본 발명의 구성인 도핑법을 적용한 예이다. The present embodiment is an example in which the configuration of the doping method of the present invention for the production of (hereinafter referred to as NTFT) N-channel thin-film insulated gate field effect transistors provided on a glass substrate. 본 실시예에 있어서는, 기판으로서 유리기판 또는 석영기판을 이용했다. In the present embodiment, as the substrate was used a glass substrate or a quartz substrate. 이것은, 본 실시예에서 제작한 TFT가 엑티브 매트릭스형의 액정표시장치 또는 이미지 센서의 스위칭소자나 구동소자로서 이용되는 것을 의도하고 있기 때문이다. This is because it is intended that a TFT produced in this embodiment is used as a switching device or the driving device of a liquid crystal display device or an image sensor of the active matrix type. 물론, 다른 반도체장치, 예를 들면, 광전변환장치의 P형 반도체층이나 N형 반도체층의 형성,또는 단결정 반도체 집적회로를 제작할 때의 도핑기술로서 본 발명의 구성을 적용해도 좋다. Of course, other semiconductor devices, for example, as the doping technique during the production of the P-type semiconductor layer and the N type formed in the semiconductor layer, or a single crystal semiconductor integrated circuit of a photoelectric conversion device may be applied to the configuration of the present invention. 따라서 기판으로서는,규소 또는 그밖의 반도체의 단결정 또는 다결정의 것을 이용해도 좋고, 다른 절연체를 이용해도 좋다. Therefore, As the substrate, use may be that of silicon or another semiconductor single crystal or polycrystalline, it may be used for different insulator.

우선 제1도에 있어서, 기판인 유리기판(11)상 SiO₂막 또는 질화규소막을 기본막의 보호막(12)으로서 형성한다. First, according to FIG. 1, to form a substrate of a glass substrate 11, a SiO₂ film or a silicon nitride film as a base film, a protective film (12). 본 실시예에서는, 산소 100% 분위기중에서 RF 스퍼터링에 의해 SiO₂막(12)을 200nm성막했다. In this embodiment, and forming the SiO₂ film 12 by RF sputtering in an oxygen atmosphere of 100% 200nm. 성막조건은, 이하와 같다. As film formation conditions, as described below.

O₂유량 50sccm O₂ flow 50sccm

압력 0.5㎩ Pressure 0.5㎩

RF전력 500W RF power 500W

기판온도 150℃ A substrate temperature of 150 ℃

다음으로, 플라즈마 CVD법에 의해 진성 또는 실질적으로 진성(인위적으로 불순물을 첨가하지 않은 것을 의미한다.)의 수소화 비정질 규소반도체층(13)을 100nm의 두께로 형성한다. Next, an intrinsic or substantially intrinsic by the plasma CVD method (which means that the artificial without addition of the impurity.) To form a hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer 13 to 100nm thick on. 이 수소화 비정질 규소 반도체층(13)은,채널형성영역 및 소스,드레인 영역을 구성하는 반도체층이 된다. The hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer 13 is a semiconductor layer constituting the channel forming region and source and drain regions. 성막조건은,이하와 같다. As film formation conditions, as described below.

분위기 실란(SiH₄)100% Atmosphere silane (SiH₄) 100%

성막온도 160℃(기판온도) Film-forming temperature 160 ℃ (substrate temperature)

성막압력 0.05Torr Film deposition pressure 0.05Torr

투입파워 20W(13.56㎒) Input power of 20W (13.56㎒)

또한, 본 실시예에서는, 비정질 규소의 성막원료가스로서 실란을 이용하고 있지만,열결정화에 의해 비정질 규소를 다결정화시킨 경우에는,결정화 온도를 낯추기 위해서, 디실란,또는 트리실란을 이용해도 좋다. Further, in this embodiment, although the use of silane as the film-forming raw material gas in the amorphous silicon, in the case where the crystallization of amorphous silicon by thermal crystallization, or may be to additionally face the crystallization temperature, with a disilane, or trisilane .

성막분위기를 실란 100%에서 행하는 것은,일반적으로 행해지는 수소로 희석된 실란 분위기중에서 성막한 비정질 규소막에 비하여, 실란100% 분위기중에서 성막한 비정질규소막은,결정화하기 쉽다고 하는 실험결과에 의거한 것이다. It performs the film-forming atmosphere in the silane 100%, usually done in is the basis of the experimental results that easy to crystallize film amorphous silicon deposition from silane 100% atmosphere, as compared to the amorphous silicon film formed from a silane atmosphere diluted with hydrogen . 또한, 성막온도가 낮은 것은, 성막된 비정질 규소막중에 수소를 다량으로 함유시켜 가능한한 규소의 결합수를 수소로 중화하기 위한 것이다. Also, the low film formation temperature, is to neutralize the number of silicon bonded hydrogen available to contain a large amount of the deposited amorphous silicon film with hydrogen.

또한, 고주파 에너지(13.56㎒)의 투입파워가 20W로 낮은 것은, 성막시에 있어서 규소의 클러스터 즉결성을 갖는 부분이 발생하는 것을 강력하게 막기 위한 것이다. Also, the input power of the high frequency energy (13.56㎒) low to 20W, at the time of film formation is to prevent a strong that the portion having a cluster that is formed in the silicon occurs. 이것도, 비정질 규소막 중에서 조금이라도 결정성을 갖고 있으면,차후의 레이저조사시에 결정화에 악영향을 준다고 하는 실험사실에 의거한 것이다. This also, if you have a little bit from crystalline amorphous silicon film is based on one experimental fact that bestows an adverse effect on the crystallization during the subsequent laser irradiation.

다음으로, 디바이스 분리 패너닝을 행하여 제1도의 형상을 얻었다. Next, by performing the separation device to obtain a first-degree L neoning shape. 그리고,시료를 진공중(10 -6 Torr 이하)에서,450℃,1시간 가열하고, 수소제거를 철저하게 행하여 막중의 불포화결합(dangling bond)을 고밀도에서 생성시켰다. Then, the sample in vacuum (10 -6 Torr or less), 450 ℃, 1 time Heating and conducting a thorough hydrogen removal was produced an unsaturated bond in the film (dangling bond) in a high density.

또한, 시료를 제5도에 나타낸 레이저 조사장치로 옮기고, 엑시머 레이저를 조사하여,시료의 다결정화를 행했다. Further, the sample was transferred to the laser irradiation apparatus shown in FIG. 5, by irradiating the excimer laser, and was subjected to the crystallization of the sample. 이 공정은, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm)를 이용했다. This process, KrF used the excimer laser (wavelength: 248nm). 조건은 다음과 같다. Conditions are as follows.

레이저조사 에너지 밀도 350mJ/㎠ Laser irradiation energy density of 350mJ / ㎠

펄스수 1~10쇼트 Pulse number 1-10 Short

기판온수 400℃ Heated substrate 400 ℃

레이저 조사후, 수소감암 분위기중(약 1 Torr)에서,100℃까지 온도를 올렸다. After the laser irradiation, in the hydrogen atmosphere under reduced pressure (approximately 1 Torr), it raised the temperature to 100 ℃.

또한 본 실시예에 있어서는 레이저광의 조사에 의한 비정질 규소막의 결정화를 나타냈지만, 이것을 가열에 의한 공정으로 치환해도 좋은 것은 말할 것도 없다. In addition, in the embodiment shown Despite the amorphous silicon film is crystallized by laser light irradiation, it is not to be replaced this process by heating a good talk. 이 가열공정이라는 것은, 유리의 내열온도이하의 온도인 450℃~700℃정도(일반적으로는 600℃)의 온도에서는 6시간~96시간 가열하여, 유리기판상에 설치된 비정질 규소 반도체막을 결정화시키는 공정을 공정을 말한다. This is called the heating step, the heat-resistant temperature of a temperature of 450 ℃ ~ 700 ℃ degree step crystallized at temperatures (typically 600 ℃) was heated 6-96 hours, crystal plate an amorphous silicon semiconductor film provided on a glass below the glass It refers to the process.

제 5도에 있어서,(21)은 진공챔버(21),(22)는 진공 챔버(21)의 외부로 부터 레이저를 조사하기 위한 석영(특히 엑시머 레이저의 경우에는,무수(無水) 석영이 바람직하다.) 창,(23)은 레이저가 조사된 경우에 있어서의 레이저광,(24)는 시료(샘플),(25)는 샘플 홀더,(26)은 시료가열용 히터,(27)은 배기계,(28)은 원료가스가 불황성가스 또한 캐리어가스의 도입계이고, 도면에서는 하나 밖에 나타나 있지 않지만 실제로는 복수로 설치되어 있는 것이다. The method of claim 5 Fig, 21 is a vacuum chamber 21, 22 in the case of quartz (in particular an excimer laser for irradiating a laser from the outside of the vacuum chamber 21, dry (無水) quartz are preferred it is.) window, (23) is laser light, in the case where the laser is irradiated (24) is a sample (sample), 25 is a sample holder, 26 is a sample heating heaters, 27 is an exhaust system , 28 will actually installed in a plurality of raw material gas does not present the introduction of only one type, and a view of the inert gas and carrier gas.

또한,배기계에서는,저진공용 로터리 펌프를,고진공용으로 터보분자 펌프를 이용하여,챔버내의 불순물(특히 산소)의 잔류 농도를 극히 적게 했다. Further, in the exhaust system, to a rotary pump for low vacuum, using a turbo-molecular pump to high vacuum, and the residue was extremely low concentration of impurities (particularly oxygen) in the chamber. 배기능력에 관해서는 10 -6 torr 이하, 바람직하에는 10 -8 torr 이하로 한다. As for the exhaust capacity is 10 -6 torr or less, under a preferably to less than 10 -8 torr.

제 5도의 진공챔버를 이용하여 엑시머 레이저에 의한 결정화를 행한 후,PF스퍼퍼법을 이용하여 게이트 절연막이 될 SiO₂막(14)을 100nm 성막하고,제 2도의 형상을 얻었다. The was subjected to crystallization by an excimer laser using a vacuum chamber of 5 degrees, forming the SiO₂ film 14 to be a gate insulating film by using the PF spur peobeop 100nm to obtain a first two-degree-shaped. 그리고 게이프 전극(15)이 될 비정질 규소 반도체층 또는 다결정 규소 반도체층(두께 150nm)을 N형의 도전형으로 하기 위해 인(P)을 첨가해 형성했다. And to form it to tape electrode 15, the addition of phosphorus (P) to the amorphous silicon semiconductor layer or a polycrystalline silicon semiconductor layer (150nm thickness) to be the conductivity type of the N type.

이후 게이트 영역을 패터닝에 의해 형성하여,제 3도의 형상을 얻었다.게이트 전극으로서는, 이것 이외에도, 알루미늄이나 크롬, 탄탈등의 금속재료를 이용해도 좋다. Since the gate region is formed by patterning, the degree to obtain a three-shape. As the gate electrode, which in addition, may be used a metal material such as aluminum, chromium, tantalum. 또한 알루미늄이나 탄탈을 이용하는 경우에는, 그 표면을 양극산화해 두면, 차후의 레이저 조사시에도 게이트 전극에 손상이 미치지 않는다. In addition, in the case of using aluminum or tantalum, Keeping anodizing the surface, it does not have damage to the gate electrode even when a subsequent laser irradiation. 게이트 전극에 양극산화를 행한 플레이너형 TFT에 대해서는 특원평 3-238713(이상 일본특허출원)에 기술되어 있기 때문에 여기서는 상술하지 않는다. Therefore it is not described because it is described in Patent Application No. 3-238713 (Japanese Patent Application above) for the play neohyeong TFT to the gate electrode was subjected to anodic oxidation.

여기에서,재차 제 5도에 나타낸 장치를 이용하여 본 발명의 구성인 레이저광에 의한 불순물의 도핑을 행한다. Here, again, the impurity doping is carried out according to a fifth schematic view of the laser beam of the invention using the apparatus shown in. 제 5도에 나타내는 장치에 있어서,PH₃분위기하에서, 시료(제 3도의 형상을 갖고 있다)를 가열하고, 레이저광을 조사하여 인(P)의 도핑을 행했다. In the apparatus shown in FIG. 5, PH₃ atmosphere, heating the sample (which has a shape the third degree), and was subjected to doping of phosphorus (P) is irradiated with laser light.

이때, 소스, 드레인 영역(제 4도에 나타낸 131,133)에는 인이 도핑되어 있기 때문에 N형화한다. At this time, the N-type forming Because there is a doped source and drain regions (4 131 133 shown in Fig.). 이것에 대하여 채널형성영역(제 4도에 나타낸 132)에는 게이트 절연막(14)과 게이트 전극(15)이 마스크가 되어 레이저가 조사되지 않고,그 부분의 온도가 상승하지 않기 때문에, 도핑이 행해지지 않는다. To this end (132 shown in FIG. 4), the gate insulating film 14 and the gate electrode 15, a channel forming region is a mask with respect to without the laser is not irradiated, not to increase the temperature of that portion, doping is performed no. 도핑 조건은 다음과 같다. Doping conditions are as follows.

분위기 PH₂5% 농도(H₂희석) Atmosphere PH₂5% concentration (H₂ diluted)

시료온도 350℃ Sample temperature 350 ℃

압력 0.02~1.00Torr Pressure 0.02 ~ 1.00Torr

레이저 KrF 엑시머 레이저(파장 248nm) Laser KrF excimer laser (wavelength: 248nm)

에너지 밀도 150~350mJ/㎠ Energy density 150 ~ 350mJ / ㎠

펄스수 10쇼트 Short pulses 10

상기 소스, 드레인 영역형성후,제 4도에 나타낸 바와같이 RF 스퍼터법에 의해 절연막으로서 SiO₂막(16)을 10nm의 두께로 성막했다. The source, after the drain region is formed, and forming the SiO₂ film 16 as the insulating film by an RF sputtering method, as shown in FIG. 4 with a thickness of 10nm. 성막조건은 게이트 산화막의 제작방법과 동일하다. Film forming conditions are the same as the manufacturing method of the gate oxide film.

그후, 콘택트용 구멍뚫기 패너닝을 행하고, 또한, 전극이 될 알루미늄을 중착하여 소스전극(17)과 드레인전극(18)을 형성하고, 또한 수소분위기중에서 350℃의 온도에서 수소 열아닐을 행하는 것에 의해, NTFT를 완성했다. Thereafter, it was made Perforation L neoning the contact, and also, to form an aluminum source electrode 17 and drain electrode 18 to jungchak to be an electrode, and to perform the heat not be hydrogen at a temperature of 350 ℃ in a hydrogen atmosphere by this, he completed a NTFT. 동일하게, 분위기를 B₂H 6 로 하는 것에 의해 P채널형 TFT(PTFT)로 형성할 수 있었다. Similarly, there can be formed an atmosphere of a P-channel type TFT (PTFT) by a B₂H 6.

특히, 본 발명의 효과를 비교하기 위해, 레이저 조사시에 시료를 가열하지않고, 완전히 같은 강도의 레이저를 조사했는데, 제9도 (b)에 나타낸 바와같이 시료가열이 없는 경우에는,불순물 농도도 1자리수 이상적고, 또한, 불순물의 분포도 표면근방에 한정되었다. In particular, in order to compare the effects of the present invention, without having to heat the sample at the time of laser irradiation, if completely free was irradiated with a laser beam of the same intensity, the sample is heated, as shown in FIG. 9 (b), the impurity concentration is also less than one digit, and was limited to the vicinity of the surface of the impurity distribution. 한편, 본 실시예에서는, 시료를 350℃로 가열하여 레이저 조사한 것은, 제9도(a)에 나타낸 바와같이, 불순물의 도핑농도가 크고, 또한 그 확산은 심부에 까지 미친다. On the other hand, in this embodiment, by heating the sample to 350 ℃ irradiated laser, as shown in FIG. 9 (a), the doping concentration of impurities greater, and that the deep diffusion extends to.

이상과 같이하여 NTFT와 PTFT를 제작할 수 있었다. By the NTFT and the PTFT it was produced as described above. 이들 TFT를 조합하여 CMOS인버터를 구성한결과, 제14도의 위쪽의 그래프로 나타낸 바와같은 양호한 특성이 얻어졌다. A combination of these TFT having good characteristics as a result of the CMOS inverter is configured, as shown in a graph of the top 14 degrees was obtained. 또한, 이 CMOS 회로를 다수접속하여 링오실레이터를 구성한 결과, 제14도의 밑쪽 그래프로 나타낸 바와같이 양호한 특성이 얻어졌다. In addition, a good characteristics were obtained as shown for this CMOS circuit to the plurality connected to configure the ring oscillator a result, the 14-degree mitjjok graph.

[실시예 2] Example 2

본 실시예는, 우리기판상에 설치된 NTFT의 제작에 본 발명의 구성인 도핑법을 적용한 예이다. The present embodiment is an example in which the configuration of the doping method of the present invention in the manufacture of our NTFT provided on a substrate. 본 실시예에서는, 기판으로서 실시예 1과 동일하게 유리기판 또는 석영기판을 이용했다. In this embodiment, in the same manner as in Example 1 as the substrate was used a glass substrate or a quartz substrate. 우선 실시예 1과 동일하게, 제 1도의 기판인 유리기판(11)위에 SiO₂막 도는 질화규소막을 기본막의 보호막(12)으로서 형성한다. First carried out in the same manner as in Example 1, to form a first separate the substrate is SiO₂ film turns a silicon nitride film on the glass substrate 11 as a base film, a protective film (12).

다음으로, 플라즈마 CVD법에 의해 진성 또는 실질적으로 진성의 수소화 비정질 규소반도체층(13)을 100nm의 두께로 형성한다. Next, formed in, a hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer 13 of intrinsic or substantially intrinsic by plasma CVD to a thickness of 100nm. 다음으로, 디바이스 분리 패터닝을 행하여 제 1도의 형상을 얻었다. Next, by performing the separation device to obtain a patterned shaped claim 1 degree. 그리고, 시료를 진공중(10 -6 Torr 이하)에서, 450℃,1시간 가열하여, 수소제거를 철저하게 행하여, 막중의 불포화결합을 고밀도로 생성시켰다. Then, the sample is heated during vacuum (10 -6 Torr or less) in, 450 ℃, 1 hour, subjected to thorough hydrogen removal, was produced an unsaturated bond in the film at a high density.

또한 상기 수소제거를 행한 챔버중에서, 진공상태를 유지한 채로 엑시머 레이저를 조사하고, 시료의 다결정화를 실시예 1과 동일한 조건으로 행했다. Also in the chamber subjected to the hydrogen removal, irradiation of an excimer laser while maintaining the vacuum state, and was carried out under the same conditions for the crystallization of the sample as in Example 1. 레이저 조사후, 수소 감압분위기 안(약 1Torr)에서,100℃까지 온도를 높였다. After the laser irradiation, it raised the temperature at not hydrogen pressure atmosphere (about 1Torr), up to 100 ℃.

본 실시예에 있어서는, 제6도에 나타낸 바와같은 장치를 이용하여 상기 시료의 수소제거를 위한 가열공정과 엑시머 레이저광의 조사에 의한 결정화, 또한 불순물의 도핑공정도 진공챔버에 의해 행했다. In the present embodiment, the sixth degree of crystallization in the heating step and the irradiation of excimer laser light for hydrogen removal of the sample using a device as shown in, and the doping step of the impurities was performed by the vacuum chamber. 이와같은 진공챔버를 이용하는 것에 의해, 가열공정에서 레이저 조사에 의한 결정화 공정에 걸쳐 진공상태를 유지하는 것이 용이해지고, 막중에 불순물(특히 산소)이 혼입되지 않은 막을 얻을 수 있다. Thus by using the same vacuum chamber, it becomes easy to maintain a vacuum throughout the crystallization step by laser irradiation in the heating step, it is possible to obtain a film that is a film of impurities (particularly oxygen) is not incorporated. 이 진공챔버에는,전자에너지를 분위기에 부여하기 위한 전극을 갖추고 있어 PCVD 장치도 겸하고 것이다. In this vacuum chamber, it is equipped with an electrode for applying the electrical energy to the atmosphere will doubles as a PCVD apparatus. 그러나. But. 각각 연속되는 공정을 멀티챔버 형식으로 구성한 장치를 이용하여, 각각의 공정을 별개의 반응로에서 행해도 좋음은 말할 것도 없다. Each of the continuous process that is using a device composed of a multi-chamber type, Good be carried out each step in a separate reaction, not to mention. 제 6도에 나타낸 반응로는 양광주(positive column)방식이 구성이지만, 그 밖의 형식이라도 좋고, 전자에너지를 가하는 방법도 특별히 한정되는 것은 아니다. Although in the reaction shown in Figure 6 is the positive column (positive column) how the configuration, may even other types, it is not the method of applying the electron energy is also limited. 또한, 특히높은 활성화율을 얻고 싶다면, ECR형식의 장치를 이용하는 것이 유용하다. Further, especially if you want to obtain a high activation rate, it is useful to use an apparatus of the ECR type.

제 6도에 있어서,(31)은 진공챔버, (32)는 진공챔버(31)의 외부에서 레이저를 조사하기 위한 석영창,(33)은 레이저가 조사된 경우에 있어서 레이저광,(34)는 시료(샘플),(35)는 샘플홀터,(36)은 시료가열용의 히터,(37)은 배기계,(38)은 원료가스나 불활성가스 또는 캐리어가스의 도입계이고, 도면에서는 하나밖에 나타내지 않았지만 실제로는 복수로 설치되어 있는 것이다. In Figure 6, 31 is a vacuum chamber, 32 is a laser beam, 34 in the case where a quartz window 33 for irradiating a laser from the outside of the vacuum chamber 31 are a laser is irradiated the sample (sample), 35 samples Holter, 36 are heaters for the sample heating, 37 is an exhaust system, 38 is based raw materials is introduced in seuna inert gas or the carrier gas, in the drawing only one in fact, that will be installed in multiple although not shown. 또한, 배기계에는, 저진공용으로 로터리펌프를, 고진공용으로 터보 분자 펌프를 이용하여,챔버내의 불순물(특히 산소)의 잔류 농도를 극히 적게 했다. In addition, the exhaust system has, to a rotary pump for low vacuum, using a turbo-molecular pump to high vacuum, and the residue was extremely low concentration of impurities (particularly oxygen) in the chamber. 그리고,(39)는 평행평판 전극이고,고주파 발진장치(40)로 부터 공급되는 13.56㎒의 전자에너지를 챔버내에 공급하는 것이다. And, 39 is a parallel plate electrode, to supply the 13.56㎒ supplied from the high-frequency oscillating unit (40) the electromagnetic energy into the chamber.

제 6도의 진공챔버를 이용하여 엑시머 레이저에 의한 결정화를 행한 후,RF 스퍼터법을 이용하여 게이트 절연막이 될 SiO₂막(14)을 100nm 성형하여, 제 2도의 형상을 얻었다. Then to claim 6 using a separate vacuum chamber was subjected to crystallization by an excimer laser, and a SiO₂ film 14 to be a gate insulating film formed using the RF sputtering method 100nm, to give a second two-degree-shaped. 그리고 게이트 전극(15)이 될 비정질 규소반도체층 또는 다결정 규소반도체층(두께 150nm)을 N형의 도전형으로 하기 위해 인(P)을 첨가하여 설치했다. And the gate electrode 15 was installed by adding a phosphorus (P) to the amorphous silicon semiconductor layer or a polycrystalline silicon semiconductor layer (150nm thickness) to be the conductivity type of the N type. 이후 게이트영역을 패터닝에 의해 형성하여 제 3도의 형상을 얻었다. After forming a gate region by patterning to obtain the shape 3 degrees.

여기서 재차 제 6도에 나타낸 장치를 이용하여 본 발명의 구성인 레이저광에 의한 불순물의 도핑을 행한다. Again performs the doping of the impurity of the sixth block diagram of the laser beam of the invention using the apparatus shown in here. 제 6도에 나타낸 장치에 있어서 전자에너지를 부여해분해된 PH₃분위기 하에서, 시료(제 3도의 형상을 하고 있다.)를 가열하고 레이저광을 조사하여 인(P)의 도핑을 했다. Under the sixth degree of decomposition PH₃ atmosphere grant the electron energy of the device shown in the sample (and the first shape 3 degrees.) Were the doping of phosphorous (P) is heated and irradiated with a laser beam the. 이때 소스, 드레인영역(제 4도에 나타낸 131,133)에는 인이 도프되기 때문에 N형화 된다. The source, the drain region is doped is in the (4 131 133 shown in Fig.) It is N-type forming. 이것에 비해 채널 형성 영역(제 4도에 나타낸 132)에는 게이트 절연막(14)과 게이트 전극(15)이 마스크가 되어 레이저가 조사되지 않아, 그 부분의 온도가 상승하지 않기 때문에,도핑이 행해지지 않는다. To this end (132 shown in FIG. 4), the gate insulating film 14 and the gate electrode 15, a channel forming region than is the mask because the laser is not irradiated, not to increase the temperature of that portion, doping is performed no. 도핑 조건은 다음과 같다. Doping conditions are as follows.

분위기 PH₃5%농도(H₂희석) Atmosphere PH₃5% concentration (H₂ diluted)

시료온도 350℃ Sample temperature 350 ℃

압력 0.02~1.00Torr Pressure 0.02 ~ 1.00Torr

투입파워 50~200W Input power of 50 ~ 200W

레이저 KrF 엑시머 레이저(파장 248nm) Laser KrF excimer laser (wavelength: 248nm)

에너지밀도 150~350mJ/㎠ Energy density 150 ~ 350mJ / ㎠

펄스수 10쇼트 Short pulses 10

상기 소스, 드레인영역 형성후, 실시예 1과 동일하도록, 제 4도에 나타낸 바와 같이 RF 스퍼터법에 의해 절연막으로서 SiO₂막(16)을 100nm 두께로 성막하고,콘텍트용의 구멍뚫기 패너닝을 행하고, 또한 전극이 되는 알루미늄을 증착하여 소스전극(17)과 드레인 전극(18)을 형성하고, 또한 수소분위기 중에서 350℃의 온도에서 수소 열아닐 행하는 것에 의해,NTFT를 완성했다. Said source, to be the same as after a drain region formed in Example 1, a, and forming the SiO₂ film 16 as the insulating film by an RF sputtering method, as shown in Figure 4 with 100nm thickness, and subjected to perforation L neoning for contact It was also formed by a deposition source electrode 17 and drain electrode 18, an aluminum electrode, and also to complete the, NTFT by performing heat not hydrogen at a temperature of 350 ℃ in a hydrogen atmosphere.

이 도핑공정에 있어서, 분위기를 B₂H 6 으로 하는 것에 의해 P채널형 TFT(PTFT)를 형성할 수 있었다. In the doping process, it was possible to form a P-channel type TFT (PTFT) by making the atmosphere in B₂H 6. 종래에는 레이저광의 파장에 의해 도핑가스의 분해 상황이 다르고, 이점에 의한 도핑의 불균일성의 문제였지만, 본 발명의 구성을 취한 경우, 레이저광에 의해서가 아니라, 전자에너지에 의해 도핑가스가 분해되기 때문에 PTFT라도 NTFT라도 레이저광의 파장에 제한되는 일 없이 도핑을 행할 수 있다. Conventionally, different from the decomposition conditions of the doping gas by the wavelength of laser light, but the problem of non-uniformity of the doping by the advantage, when taking the structure of the present invention, and it not by the laser light, since doping gas is decomposed by the electron energy PTFT any NTFT can be performed at any doping without being limited to the wavelength of laser light.

[실시예 3] Example 3

제 7도에는 본 발명의 도핑처리장치의 모양을 나타낸다. Claim 7 has also shows the shape of the doping treatment apparatus according to the present invention; 즉, 챔버(71)에는,무수(無水)석영유리로 이루어진 슬릿(silt)형의 창(72)이 설치되어 있다.레이저광은, 이 창에 맞추어 가늘고 긴 형상으로 성형된다. That is, the chamber 71, the anhydride (無水) has a slit (silt) window 72 of the type made of quartz glass is provided. The laser light is formed into an elongated shape to fit in the window. 레이저의 빔은, 예를들면 10nm S300mm의 장방형으로 하였다. Of the laser beam, for example, it was in a rectangular shape of 10nm S300mm. 또한, 레이저광의 위치는 고정되어 있다.챔버에는, 배기계(77) 및 반응성가스를 도입하기 위한 가스계(78)가 접곡되어 있다.또한 챔버내에는 시료홀더(75)가 설치되고, 그 위에는 시료(74)가 올려지고, 시료홀더의 밑에는 자외선 램프(히터로서 기능한다)(76)가 설치되어 있다. Further, the laser beam position is fixed. Chamber, a gas meter (78) for introducing the exhaust system 77 and the reactive gas is jeopgok Further and is installed, the sample holder 75 in the chamber, and above the sample that are raised (74), under the sample holder has a UV lamp (which functions as a heater) 76 is installed. 시료홀더는 가동되고,시료를 레이저의 쇼트에 맞추어 가동할 수 있다. The sample holder may be movable, movable according to a sample of a laser shot.

이와같이, 시료의 가동을 위한 기구가 챔버내에 조합되어 있을 때에는, 히터에 의한 시료홀더의 열팽창에 의해 기구의 이상이 발생하기 때문에,온도제어에는 세심한 주의가 필요하다.또한 시료이송기구에 의해 먼지가 발생하기 때문에, 챔버내의 유지보수는 번잡하다. In this way, when there is a mechanism for the operation of the sample are combined in the chamber, since the outside of the apparatus caused by the thermal expansion of the sample holder by a heater, temperature control, great care is required. In addition, the dust by the sample transfer mechanism because it occurs, it is troublesome maintenance of the chamber.

[실시예 4] Example 4

제 8도(A)에는 본 발명의 도핑처리장치의 모양을 나타낸다. Section 8 of Fig. (A) is shown the appearance of the doping treatment apparatus according to the present invention; 즉, 챔버(81)에는,무수석영유리로 이루어진 창(82)이 설치되어 있다. That is, in the chamber 81, a window 82 made of a dry silica glass is provided. 이 창은 실시예 3의 경우와 달리,시료 (84) 전면을 덮을 만큼 넓은 것이다. This window is different from that of Example 3, the sample 84 is large enough to cover the entire surface. 챔버에는, 배기계(87) 및 반응성가스를 도입하기 위한 가스계(88)가 접속되어 있다. Chamber provided with a gas meter (88) for introducing the exhaust system 87 and the reactive gas is connected. 또한 챔버내에는 시료홀더(85)가 설치되고, 그 위헤는 시료(84)가 올려지고, 시료홀더는 히터가 내장되어 있다. Also in the chamber is the sample holder 85 is installed, is raised above that heneun sample 84, the sample holder has a built-in heater. 시료홀더는 챔버에 고정되어 있다. The sample holder is fixed to the chamber. 챔버의 하부에는 챔버의 받침대(81a)가 설치되어 있고, 레이저의 펄스에 맞추어,챔버 전체를 이동시키는 것에 의해, 레이저조사를 행한다. According to the lower part and the base (81a) of the chamber of the chamber is provided, the laser pulse, by moving the entire chamber, the laser irradiation is carried out. 레이저의 빔은 실시예 3의 경우와 동일하게,가늘고 긴형상이다. The beam of the laser is the same as that in the case of Example 3, an elongated shape. 예를 들면 5mm ×100mm의 장방형으로 했다. For example it had a rectangular shape of 5mm × 100mm. 제 3도와 동일하게 레이저광의 위치가 고정되어 있다. 3 is equal to the fixed position of the laser beam assist. 본 실시예에서는, 실시예 3돠 달리, 챔버전체가 이동하는 구조를 채용한다. In this embodiment, unlike the third embodiment dwa, it employs a structure in which the entire movement chamber. 따라서, 챔버내에는 기계 부분이 존재하지 않고, 먼지들이 발생하지 않기 때문에 보수유지가 용이하다. Thus, without the machine part is present in the chamber, it is easy to maintain due to dust does not occur. 또한 이송기구가, 히터열의 영향을 받는 일은 적다. In addition, the transfer mechanism, less work subjected to heating influence of heat.

본 실시예에서는, 실시예 3에 비하여 상기한 바와같은 점에서 우수한 것 뿐만 아니라, 다음과 같은 점에서도 우수하다. In this embodiment, the third embodiment will be excellent in that the above-described, as well as compared to, and is excellent in the following points. 즉, 실시예 3의 방식에서는, 시료를 챔버에 넣고 나서,충분한 진공도까지 진공배기될 때까지 레이저방사를 행할 수 없다. That is, in the manner of Example 3, then put the sample into the chamber, can not be performed for the laser irradiation until the vacuum exhaust to a sufficient degree of vacuum. 즉 비작동시간이 많았다. That there were many non-working hours. 그러나, 본 실시예에서는,제 8도(A)와 같은 챔버를 다수 준비하고, 각각 순차적으로, 시료장진,진공배기,레이저조사,시료제거라고 하는 식으로 진행시키면 상기와 같은 비작동시간이 발생하지 않는다. However, in the present embodiment, the eighth also a chamber, such as a plurality prepared, and each sequence (A), sample Jangjin, the non-operating time as described above occurs when proceeding to the vacuum type, called evacuation, the laser irradiation, the sample removed I never do that. 이와같은 시스템을 제 8도 (B)에 나타낸다. Shows such a system in Claim 8 also (B).

즉,미처리의 시료를 내장한 챔버(97,96)는, 배기공정의 사이에 연속적인 반송기구(98)에 의해, 정밀한 이동을 행할 수 있는 시스템을 갖는 받침대(99)로 향한다. That is, the chamber (97,96) with a built-in sample of untreated is directed to a continuous transport device (98) base (99) having a system which can perform precise movement by between the evacuation process. 스테이지상의 챔버(95)에는, 레이저장치(91)로부터 방사되어, 적당한 광학장치(92,93)로 가공된 레이저광이 창을 통하여 안쪽으이 시료에 조사된다. Chamber (95) on the stage, the laser is emitted from the device 91, the laser machining with a suitable optical device (92,93), the light is irradiated to the inside euyi sample through the window. 스테이지를 움직이는 것에 의해, 필요한 레이저조사가 행해진 챔버(94)는 재차 연속적인 반송기구(100)에 의해 다음 단계로 보내지고, 그 사이에 챔버내의 히터는 꺼지고, 배기되어 충분히 온도가 내려간 다음,시료를 꺼낸다. By moving the stage, the laser is carried out chamber 94 irradiation required is by re-consecutive transport mechanism 100 is sent to the next stage, turn off the heater in the chamber therebetween, the exhaust is sufficiently temperature went down, then the sample take out.

이와같은, 본 실시예에서는 연속적인 처리를 행할 수 있고, 배기에 걸리는 시간을 줄일 수 있어, 처리량을 늘릴 수 있다. This, in the embodiment can carry out a continuous process, it is possible to reduce the time required for exhaust, it is possible to increase throughput. 물론, 본 실시예의 경우에는, 처리량은 향상되지만, 그 만큼 실시예 3의 경우보다 많은 챔버를 필요로 하기 때문에, 양산규모나 투자규모를 고려하여 실시해야 할 것이다. Of course, in the case of this embodiment, throughput is improved, but, because it is required that a number of chambers than in the case of the third embodiment as long as, it will be carried out in consideration of the size or mass production investment.

[실시예 5] Example 5

본 실시예는, 유리기판상에 설치된 NTFT의 제작에 본 발명의 구성도인 도핑법을 적용한 예이다. The present embodiment is an example of the application of a doping method is also the configuration of the present invention in the production of NTFT provided in a glass substrate. 본 실시예에 있어서는, 기판으로서 실시예 1과 동일하게, 유리기판 또는 석영기판을 이용했다. In the present embodiment, in the same manner as in Example 1 as the substrate was used a glass substrate or a quartz substrate. 우선 실시예 1과 동일하게, 제 1도의 기판인 유리기판(101)상에 SiO막을 기본막의 보호막(102)으로서 형성하고, 다음으로 플라즈마 CVD법에 의해 실질적으로 진성의 수소화 비정질 규소반도체층(103)을 100nm의 두께로 형성한다. First the same manner as in Example 1, a first-degree substrate of the glass substrate 101 onto the SiO film base film is a protective film 102, and a substantially hydrogenated amorphous silicon semiconductor layer (103 of intrinsic by following the plasma CVD method is formed as ) to form a 100nm thick. 이어서, 디바이스 분리 패터닝을 행했다. Then, patterning was carried out at a separate device. 그리고,시료를 진공중(10 -6 Torr이하)에서, 450℃,1시간 가열하여, 수소제거를 철저히 행하고, 막중의 불포화결합을 고밀도로 생성시켰다. Then, a sample of vacuum (10 -6 Torr or lower), heated 450 ℃, 1 hour at to, performing thorough hydrogen removal, was produced an unsaturated bond in the film at a high density. 그후,RF 스퍼터법을 이용하여 SiO₂막(104)을 100nm성막하고, 제 10도(A)의 형상을 얻었다. Then, using a RF sputtering method by forming the SiO₂ film (104) 100nm to obtain a shape of the road 10 (A). 그리고, 채널부분에만, 산화규소 마스크(105)를 남겨 두었다. Further, only the channel portion, leaving the silicon oxide mask 105.

여기에서, 제 6도에 나타낸 장치를 이용하여 본 발명의 구성인 레이저광에 의한 불순물의 도핑을 행한다. Here, by using the apparatus shown in Figure 6 it is carried out in the configuration of the impurity doped with the laser light of the present invention. 제 6도에 나타낸 장치에 있어서, 전자에너지를 부여하여 분해한 PH₃분위기하에서,시료(제10도(B)의 형상을 갖고 있다.)를 가열하고, 레이저광을 조사하여 인(P)을 도핑했다. In the apparatus shown in Figure 6, under the PH₃ atmosphere decomposed to give the electromagnetic energy, (which has the shape of a 10 degree (B).) Sample was heated and doped with phosphorus (P) is irradiated with laser light did. 이때, 소스, 드레인영역(도면에 나타난 106,108)에는 인이 도핑되기 때문에 N형화 한다. At this time, the N-type forming because of the doping, the source and drain regions (106 108 in the drawing). 이것에 대하여 채널형성 영역(도면에 나타난 107)에는 산화규소가 마스크(105)가 마스크가 되어 레이저는 조사되고, 결정화 되지만,마스크재료가 존재하기 때문에, 도핑은 이루어지지 않는다. This channel forming region (107 in the drawing), the silicon oxide mask 105 is irradiated with the laser the mask with respect to crystallization, but, because the mask material is present, the doping is not performed. 즉, 본 공정에서는, 레이저에 의한 결정화와, 도핑이 동시에 이루어진다. That is, in this process, the crystallization takes place and, at the same time by laser doping. 이때의 조건은 실시예 2와 동일하게 했다. The conditions were the same as those of the second embodiment.

상기 소스, 드레인영역 형성후, 게이트 산화막(110)과 게이트 전극(109)을 형성하고, 또한 층간절연막으로서 SiO₂막(111)을 100nm의 두께로 성막하고, 콘택트용의 구멍뚫기 패너닝을 행하고, 또한 전극이 될 알루미늄을 증 착하여 소스전극(112)과 드레인 전극(113)을 형성하고, 또한 수소분위기 중에서 350℃의 온도에서 열아닐을 행하는 것에 의해, 제10도(C)에 나타낸 바와같이, NTFT를 완성했다. The source, after the drain region is formed, forming a gate oxide film 110 and the gate electrode 109, and further subjected to perforation L neoning for forming the SiO₂ film 111 as an interlayer insulation film with 100nm thickness, and the contact, by also performing the heat is not at a temperature of 350 ℃ from aluminum deposition to the source electrode, and forming a (112) and the drain electrode 113. in addition, a hydrogen atmosphere is the electrode, 10 as shown in FIG. (C) It was completed NTFT.

본 실시예에서는, 셀프어라인적인 소스, 드레인의 형성은 할 수 없지만, 예를들면, 실시예 1과 동일하게 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성해 두고, 이면에서 레지저 조사를 행하면, 본 실시예와 같이, 채널영역의 결정화와 소스, 드레인의 도핑을 동시에 행할 수 있다. In this embodiment, formation of the self-Huh a source, a drain, but can, for example, carried out with to form a gate electrode in the example film 1 in the same manner as insulated gate, performed in the cash register that irradiation from the back, in this embodiment as shown, the crystallization can be carried out with the source, drain doping of the channel region at the same time.

[실시예 6] Example 6

코닝 7059(제품명) 유리기판상에 액티브 매트릭스를 형성한 예를 제11도에 나타낸다. Corning 7059 (product name) shows an example in which an active matrix on a glass substrate of claim 11 degrees. 제11도(A)에 나타낸 바와같이, 기판(201)으로는, 코닝 7059 유리기판(두께 1.1mm, 300x400mm)을 사용했다. Claim 11 is also as shown in (A), the substrate 201, the used a Corning 7059 glass substrate (thickness: 1.1mm, 300x400mm). 코닝 7059 유리에 함유된 나트륨등의 불순물이 TFT중에 확산되지 않도록 플라즈마 CVD법으로 전면에 두께 5~50nm, 바람직하게는 5~20nm의 질화규소막(202)을 형성했다. The impurities such as sodium contained in the Corning 7059 glass to a thickness in the front to the plasma CVD method so as not diffusing into the TFT 5 ~ 50nm, preferably to form a silicon nitride film 202 of 5 ~ 20nm. 이와같이, 기판을 질화규소 또는 산화알루미늄의 피막으로 코팅하여 이것을 블록킹층으로 하는 기술은, 본 발명자등의 출원인 특원평 3-238710, 동 3-238714에 기술되어 있다. Thus, by coating the substrate with a film of silicon nitride or aluminum oxide techniques to do this by a blocking layer, it is described in applicant Patent Application No. 3-238710, 3-238714, such as copper inventors.

이어서, 기본 산화막(203)(산화규소)을 형성한 후, LPCVD법 혹은 플라즈마 CVD법으로 실리콘막(204)(두께 30~150nm, 바람직하게는 30~50nm)을 형성하고, 또한 테트라·에톡시·실란(TEOS)을 원료로서, 산소분위기중의 플라즈마 CVD법에 의해, 산화규소의 게이트 절연막(두께 70~120nm, 전형적으로는 100nm)(205)을 형성했다. Then, after forming the base oxide film 203 (silicon oxide), to form a silicon film 204 (the 30 ~ 50nm to the thickness 30 ~ 150nm, preferably) by LPCVD method or a plasma CVD method, and tetra-ethoxy , silane (TEOS) as a raw material, by the plasma CVD method in an oxygen atmosphere, a gate insulating film of silicon oxide was formed (having a thickness of 70 ~ 120nm, typically at 100nm) (205). 기판온도는 유리의 위축이나 휘어짐을 방지하기 위해 400℃ 이하, 바람직하게는 200~350℃로 했다. The substrate temperature is 400 ℃ or less, and preferably to prevent shrinkage or warpage of the glass was set to 200 ~ 350 ℃. 그러나, 이 정도의 기판온도에서는, 산화막 중에서는 다량의 재결합중심이 존재하고, 예를들면, 계면준위 밀도는 10 12 cm -2 이상에서 게이트 절연막으로서 사용할 수 없는 수준의 것이었다. However, the substrate temperature of the oxide film is present in a large amount of recombination centers, and, for example, interface state density is 10 12 cm -2 or more of levels was not available as a gate insulating film on the.

그리고, 제11도(A)에 나타낸 바와같이, 수소희석 포스핀 PH(5%) 중에서, KrF 레이저광을 조사하여, 이 실리콘막(204)의 결정성을 개선함과 아울러, 게이트 산화막(205)의 재결합중심(트랩중심)을 감소시켰다. And, the 11 degrees as shown in (A), in a hydrogen diluted phosphine PH (5%), is irradiated with KrF laser light, the addition and also to improve the crystallinity of the silicon film 204, a gate oxide film (205 ) decreased the recombination centers (traps the center) of the. 이때에는 레이저광의 에너지밀도는 200~300mJ/cm 2 으로 했다. At this time, the laser light energy density was set to 200 ~ 300mJ / cm 2. 또한, 쇼트수도 10회로 했다. In addition, a short circuit may have 10. 바람직하게는 온도를 200~400℃, 대표적으로는 300℃로 유지하면 좋다. Preferably 200 ~ 400 ℃ temperature, typically may be maintained at 300 ℃. 그 결과, 실리콘막(204)은 결정성이 개선되고, 또한 게이트 산화막(205)nd에는, 1×10 20 ~3×10 20 cm -3 의 인이 도핑되고, 계면준위 밀도도 10 11 cm -2 이하로 감소했다. As a result, the silicon film 204, the crystallinity is improved, and also the gate oxide film (205) is nd, 1 × 10 20 ~ 3 × 10 20 cm -3 of phosphorus is doped, the interface state density of 10 11 cm - It was reduced to less than two.

다음으로, 제11도(B)에 나타낸 바와같이 알루미늄의 게이트전극(206)을 형성하여, 그 주위을 양극산화물(207)로 피복했다. Next, 11 to form a gate electrode 206 of aluminum, as shown in (B), it was coated with the anodic oxide juwieul 207.

그후, P형의 불순물로서, 붕소를 이온도핑법으로 실리콘층에 자기정합적으로 주입하고, TFT의 소스/드레인(208,209)을 형성하고, 또한, 제11도(C)에 나타낸 바와같이, 이것에 KrF 레이저광을 조사하여, 이 이온도핑 때문에 결정성이 악화된 실리콘막의 결정성을 개선했다. Then, as an impurity of the type P, showing the boron ion doping implantation in a self-aligning manner in the silicon layer to form a source / drain (208 209) of the TFT, and further, the 11 degrees (C), which the irradiated with KrF laser light, and improve the crystallinity of the silicon film is deteriorated because the crystalline ion doping. 그러나, 이때에는 레이저광의 에너지밀도는 25-~300mJ/cm 2 으로 높게 설정했다. However, at this time, the laser light energy density was set to be higher by 25- ~ 300mJ / cm 2. 이 때문에 이 TFT의 소스/드레인의 시트저항은 300~800Ω이 되었다. For this reason, the sheet resistance of the source / drain of this TFT was a 300 ~ 800Ω.

그후, 제11도(D)에 나타낸 바와같이, 폴리이미드에 의해 층간절연물(210)을 형성하고, 또한 화소전극(211)을 ITO에 의해 형성했다. Then, as shown in the FIG. 11 (D), and forming an interlayer insulator 210 by a polyimide, and also formed by the pixel electrode 211 of ITO. 그리고 제11도(E)에 나타낸 바와같이, 콘택트홀을 형성하여 TFT의 소스/드레인영역에 크롬전극(212,213)을 형성하고, 이중 한쪽의 전극(213)은 ITO에도 접속하도록 했다. And the 11 degrees, to form a contact hole, and the source / drain regions of the TFT form a chromium electrode (212 213), an electrode 213 of a double one, as shown in (E) it has to be connected to ITO. 최후로 수소중에서 300℃로 2시간 아닐하여, 실리콘의 수소화를 완료하여, 액정표시장치의 화소를 제작했다. The last is not 2 hours in 300 ℃ in hydrogen, to complete the hydrogenation of the silicon, to prepare a pixel of the liquid crystal display device.

[실시예 7] Example 7

실시예 6과 동일하게 산화규소막에 인을 도프하고, 이것을 게이트 절연막으로서 TFT를 형성한 예를 제11도에 나타낸다. Embodiment doped with phosphorus in the same manner as Example 6 and silicon oxide film, and it shows an example in which a TFT is formed as the gate insulating film of claim 11 degrees. 실시예 6과 동일하게, 제11도(A)에 나타낸 바와같은, 기판(201)의 전면에 플라즈마 CVD법으로 두께 5~50nm, 바람직하게는 5~20nm의 질화규소막(202)을 형성했다. Example 6 in the same manner, the 11 degrees (A) thickness in the as such, a plasma CVD method on the entire surface of the substrate 201 shown in Fig. 5 ~ 50nm, preferably to form a silicon nitride film 202 of 5 ~ 20nm. 이어서 기본산화막(203)(산화규소)을 형성한 후, LPCVD법 혹은 플라즈마 CVD법으로 실리콘막(204)(두께 30~150nm, 바람직하게는 30~50nm)을 형성하고, 또한 스퍼터법에 의해 산화규소막(두께 70~120nm, 전형적으로는 100nm)(205)을 형성했다. Then forming a base oxide film 203, after forming the (silicon oxide), LPCVD method or plasma CVD method, a silicon film 204 (with a thickness of 30 ~ 150nm, and preferably 30 ~ 50nm), also oxidation by sputtering silicon film was formed (having a thickness of 70 ~ 120nm, typically at 100nm) (205). 이 공정은 실시예 6과 같이, 테트라·에톡시·실란(TEOS)을 원료로서, 산소분위기중의 플라즈마 CVD법에 의해 행해도 좋다. The process is as in Example 6, a tetra-ethoxy-silane (TEOS) as a raw material, may be carried out by the plasma CVD method in an oxygen atmosphere. 기판온도는 유리의 위축이나 휘어짐을 방지하기 위해 400℃ 이하, 바람직하게는 200~350℃로 했다. The substrate temperature is 400 ℃ or less, and preferably to prevent shrinkage or warpage of the glass was set to 200 ~ 350 ℃.

그리고, 제11도(A)에 나타낸 바와같이, 수소희석 포스핀 PH(5%) 중에서, KrF 레이저광을 조사하여, 이 실리콘막(204)의 결정성을 개선함과 동시에, 게이트 산화막(205)의 재결합중심(트랩중심)을 감소시켰다. And, the 11 degrees as shown in (A), and at the same time in a hydrogen diluted phosphine PH (5%), is irradiated with KrF laser light to improve the crystallinity of the silicon film 204, a gate oxide film (205 ) decreased the recombination centers (traps the center) of the. 이때에는 레이저광의 에너지밀도는 200~300mJ/cm 2 으로 했다. At this time, the laser light energy density was set to 200 ~ 300mJ / cm 2. 또한 쇼트수도 10회로 했다. In addition, a short circuit may have 10. 기판온도는 실온으로 했다. The substrate temperature was room temperature. 이 때문에 인의 도프는 산화규소막의 표면에서 70% 이하의 부분에 한정되었다. For this reason, phosphorous-doped portion was limited to less than 70% of the silicon oxide film surface.

다음으로, 제11도(B)에 나타낸 바와같이 알루미늄의 게이트 전극(206)을 형성하여, 그 주위를 양극산화물(207)로 피복했다. Next, as shown in the FIG. 11 (B) to form a gate electrode 206 of aluminum, was coated around the oxide as the positive electrode 207. The 양극산화공정이 종료된 후에, 역으로 부(-)의 전압을 인가했다. After the anodization process is finished, the unit in the reverse-was applied a voltage of (). 예를들면 -100~-200V의 전압을 0.1~5시간 인가했다. For example had a voltage of -100 ~ -200V is 0.1 to 5 hours. 바람직하게는 기판온도는 100~250℃, 대표적으로 150℃로 했다. Preferably, the substrate temperature was set to 100 ~ 250 ℃, typically between 150 ℃. 이 공정에 의해, 산화규소중 혹은 산화규소와 실리콘 계면에 있었던 가동이온이 게이트 전극(AI)으로 당겨지고, 그 도중에 존재하는 인의 농도가 큰 영역(인유리화되어 있다고 추정된다)에 트랩된다. By this process, being a mobile ions were of silicon oxide or silicon oxide on the silicon surface by pulling the gate electrode (AI), are trapped in the middle of the phosphorous present is greater region (it is estimated that there is a vitrified). 이와같이 양극산화후, 혹은 양극산화중에 게이트 전극에 부(-)의 전압을 인가하는 기술은, 본 발명자들의 출원한 특원평 4-115503(1992년 4월 7일 일본특허출원)에 기술되어 있다. Thus after the anodic oxidation, or the portion to the gate electrode during the anodic oxidation (-) technique for applying the voltage is, is described in the present inventor filed a Patent Application No. 4-115503 of the (4, 1992 May 7, Japanese Patent Application).

그후, N형의 불순물로서, 인을 공지의 이온도핑법으로 실리콘층에 자기 정합적으로 주입하여, TFT의 소스/드레인(208,209)을 형성하고, 또한 제11도(C)에 나타낸 바와같이, 이것에 KrF 레이저광을 조사하여, 이 이온도핑으로 인해 결정성이 악화된 실리콘막의 결정성을 개선했다. Then, as described as the N-type impurity, by implanting phosphorus by ion doping method in self-alignment with the silicon layer by a known small, to form a source / drain (208 209) of the TFT, as shown also in Claim 11 degrees (C), this by the irradiation of KrF laser light, and improve the crystallinity of the silicon film is deteriorated crystallinity due to the ion doping. 그후 제11도(D)에 나타낸 바와같이, 폴리이미드에 의해 층간절연물(210)을 형성하고, 또한 화소전극(211)을 ITO에 의해 형성했다. Then, as shown in the FIG. 11 (D), and forming an interlayer insulator 210 by a polyimide, and also formed by the pixel electrode 211 of ITO. 그리고, 제11도(E)에 나타낸 바와같이, 콘택트 홀을 형성하여, TFT의 소스/드레인영역에 크롬으로 전극(212,213)을 형성하고, 그중 한쪽의 전극(213)은 ITO에도 접속하도록 했다. Then, the first 11 degrees, forming a contact hole, as shown in (E), form the electrodes (212 213) of chromium in the source / drain regions of the TFT, and electrode 213 of which one end has to be connected to ITO. 최후로 수소중에서 300℃로 2시간 아닐하여 실리콘의 수소화를 완료하여, TFT를 제작했다. The last is not 300 ℃ 2 hours in a hydrogen to complete the hydrogenation of the silicon, to prepare a TFT.

[실시예 8] Example 8

본 실시예에서는, 단결정 기판상에 산화규소막을 형성하고, 이것에 인의 레이저도핑을 행하고, 이것을 게이트 산화막으로 한 MOS 캐퍼시터(capacitor)를 제적하여, 그 특성(CV 특성)을 측정했다. In this embodiment, by forming a silicon oxide film on a single crystal substrate, it was made of phosphorus-doped laser in which, to this expulsion a MOS capacitor (capacitor) as a gate oxide film was measured and the characteristics (CV characteristics).

단결정 실리콘(100)면상에 테트라·에톡시·실란(TEOS)을 원료로서, 산소분위기중의 플라즈마 CVD법에 의해, 산화규소의 게이트 절연막(두께 70~120nm, 전형적으로는 100nm)을 형성했다. On the surface single crystal silicon 100, the tetra-ethoxy-silane (TEOS) as a raw material, by the plasma CVD method in an oxygen atmosphere, a gate insulating film of silicon oxide was formed (having a thickness of 70 ~ 120nm, typically at 100nm). 기판온도는 400℃이하, 바람직하게는 200~350℃로 했다. The substrate temperature was set to 400 ℃ or less, preferably 200 ~ 350 ℃. 그러나, 이 정도의 기판온도에선,s 산화막 중에는 탄소를 포함한 클러스터가 다수 조내하고, 또한 다량의 재결합중심이 존재하고, 예를들면, 계면준위밀도는 10 12 cm -2 이상에서 게이트 절연막으로서 사용할 수 없는 수준의 것이었다. However, a substrate temperature of about In, s oxidized film during the cluster including the number of carbon jonae, and also there is a large amount of recombination centers, and, for example, interface state density can be used as the gate insulating film at least 10 12 cm -2 It was not level.

그 점에서, 실시예 1에서 사용한 장치를 이용하여 수소희석 포스핀 PH(5%) 중에서, KrF 레이저광을 조사하여, 이 산화규소막의 재결합중심(트랩중심)을 감소시켰다. From that point in Example 1, hydrogen-diluted phosphine PH (5%) by using the device used in, is irradiated with KrF laser light, a silicon oxide film and reduced the recombination centers (traps center). 이때에는 레이저광의 에너지밀도는 200~300mJ/cm 2 으로 했다. At this time, the laser light energy density was set to 200 ~ 300mJ / cm 2. 또한, 쇼트수도 10회로 했다. In addition, a short circuit may have 10. 바람직하게는, 온도를 200~400℃, 대표적으로는 300℃로 유지하면 좋다. Preferably, the temperature of 200 ~ 400 ℃, typically, may be maintained at 300 ℃. 그 결과, 산화막중에는, 1×10 20 ~3×10 20 cm -3 의 인이 도핑되고, 계면준위 밀도도 10 11 cm -2 이하로 감소했다. As a result, while the oxide film, this is of a 1 × 10 20 ~ 3 × 10 20 cm -3 is doped, the interface state density was reduced to less than even 10 11 cm -2. 다음으로 알루미늄의 게이트 전극을 형성했다. Next, a gate electrode was formed of aluminum.

예를들면, 레이저 도핑처리를 행하지 않으면, 얻어지는 MOS 캐퍼시터의 CV 특성은 제12도(A)에 나타내는 것과 같은 자기이력(磁氣履歷 ; hysteresis)이 큰 것이 된다. For example, if performing the laser doping process, CV characteristics of the MOS capacitor is obtained 12th hysteresis as shown in Fig (A) (磁 氣 履歷; hysteresis) is to be larger. 여기에서, 횡축은 전압, 종축은 정전용량이다. Here, the horizontal axis is voltage and the vertical axis indicates the capacitance. 그러나, 본 실시에와 같은 레이저 도핑처리에 의해 제12도(b)와 같은 양호한 CV 특성이 얻어진다. However, a good CV characteristics, such as the FIG. 12 (b) by a laser doping process, such as in this embodiment can be obtained.

이때 막중의 각 원소의 분포는 제12도(C)에 나타낸 바와같다. The distribution of the elements of the film are shown in Figure No. 12 (C). 즉, 본 실시예의 레이저 도핑에 의해 산화 규소막의 도중까지 인이 도프되었다. That is, a dope was halfway through the silicon oxide film according to the present embodiment, laser doping. 그리고, 이것에 의해, 나트륨 원소는 이 인에 의해 제거되어 있음을 알 수 있다. And, Thus, the sodium element it can be seen that it is removed by the person. 또한 탄소는 산화막의 모든 영역에서 아주 조금밖에 존재하지 않았는데, 이것은 레이저조사에 의해, 막밖으로 방출되었기 때문이다. In addition, carbon did not present a little bit out in all areas of the oxide film, and this is because, out of the release film by the laser irradiation. 또한 본 실시예에 있어서도, 실시예 7과 같이, 게이트 전극(AI)에 부(-)의 전압을 인가하여, 막중에 존재하는, 나트륨등의 가동이온을 전극적으로 인이 많은 영역으로 끌어당기면 한층 더 큰 효과가 얻어진다. In addition, even Example 7, steps, sub-gate electrode (AI) in the present embodiment - by pulling pull in by applying a voltage of, many of the mobile ions such as sodium present in the film, around the dramatic area () an even greater effect can be obtained.

[실시예 9] Example 9

유리기판상에 형성된 두께 500nm의 아모르퍼스 실리콘 박막에 본 발명에 의해 불순물 도프를 행하고, 그 특성에 대하여 조사한 예를 제13도~제15도에 나타낸다. Subjected to impurity doping by the present invention to the amorphous silicon thin film having a thickness of 500nm is formed on a glass substrate, an example investigated with respect to their characteristics to claim 13 degrees to the 15 degree. 엑시머 레이저로서는 KrF 레이저(파장 248nm)를 사용했다. As the excimer laser used a KrF laser (wavelength: 248nm). 또한 챔버는 제5도에 나타난 바와같은 형상은 하고 있다. In addition, the chamber has the shape as shown in FIG. 5. 이 챔버에서는, 유리의 종류를 바꿈으로써 도핑되는 불순물의 종류를 바꾸는 것을 시험했다. In this chamber, and tested to change the type of impurity is doped by varying the type of glass. 즉, N형 불순물을 도핑할 때에는 챔버내에 포스핀을 5% 함유하는 수소가스를 도입하고, 레이저를 조사하여, P형 불순물을 도핑할 때에는 디보란응 5% 함유하는 수소가스를 도입하여, 레이저를 조사했다. That is, when doped with an N type impurity is introduced to the hydrogen gas containing phosphine 5% in the chamber and irradiated with a laser beam, and when doped with a P-type impurity diborane introducing hydrogen gas containing 5% Yes, a laser the investigated.

챔버내의 압력은 100Pa로 했다. Pressure in the chamber was set to 100Pa. 또한, 레이저의 에너지밀도는 190~340mJ/cm 2 으로, 그 쇼트순는 1~100으로 했다. In addition, the energy density of the laser is a 190 ~ 340mJ / cm 2, in that said short sunneun 1-100. 기판온도는 실온 혹은 300℃로 했다. The substrate temperature was set to room temperature or 300 ℃.

제13도, 제14도에는 불순물 확산의 기판온도 의존성을 나타낸다. The 13 degree, 14 degree, the substrate shows a temperature dependence of the impurity diffusion. 여기에서, 레이저의 에너지밀도는 300mJ/cm 2 이고, 그 쇼트수는 50으로 했다. Here, the energy density of the laser is 300mJ / cm 2, the short number was set to 50. 제13도는 붕소의 깊이 방향의 확산모양을 나타내고 있다. Claim 13 degrees it shows the scattering pattern in the depth direction of the boron. 데이터는 2차 이온 질량분석법에 의해 얻었다. The data were obtained by a secondary ion mass spectrometry. 도면에서 분명한 바와같이 기판온도가 실온일때에 비교하여, 300℃로 가열되어 있을 때에는, 불순물 농도가 1자리수 이상 크고, 또한 불순물의 확산깊이도 2배 정도 컸다. When there is a clear substrate temperature as in the figure when compared to room temperature, heated to 300 ℃, an impurity concentration greater than one digit, and great degree twice the diffusion depth of the impurity.

제14도에는 인의 깊이방향의 확산모양을 나타냈는데, 붕소와 동일한 경향을 나타냈다. 14 also has naetneunde that the scattering pattern of the phosphorus depth direction exhibited the same tendency as boron. 특히 인의 경우에는 붕소이상으로 기판가열의 효과가 현저했다. In particular, the case of being made a remarkable effect of the substrate heating more than the boron.

제15도에는, 레이저의 에너지밀도, 쇼트수와 피막의 시트저항치의 관계를 나타낸 것이다. Claim 15 has also, shows the relationship between the laser energy density, the sheet resistance value of the short number and the film. 불순물로서 붕소를 이용했다. Boron as an impurity was used. 도면에서 알 수 있듯이, 에너지밀도가 높아짐에 따라 시트저항은 저하하고 불순물 농도가 높아졌음이 추측된다. As can be seen from the figure, the energy density becomes higher sheet resistance is reduced and assume a jyeoteum increase the impurity concentration in accordance with the. 그러나, 시트저항치는 어떤 값으로 수렴되는 것처럼 보인다. However, the sheet resistance appears to converge to a certain value.

또한, 레이저의 쇼트수가 많아짐에 따라, 시트저하은 저하하지만, 레이저의 에너지밀도가 220mJ/cm 2 이상에서는, 50쇼트에서도 100쇼트에서도 특별히 시트저항의 현저한 저하는 발견되지 않았다. In addition, as the number of laser many, short, reduced sheet jeohaeun However, the energy density of the laser is 220mJ / cm 2 or more, a remarkable decrease in the specific sheet resistance in the 50 shot in the shot 100 was found. 그러나, 1쇼트와 5쇼트에서는 큰 차이가 있었기 때문에, 적어도 5쇼트의 레이저조사는 필요함을 확인했다. However, one short and because there was a big difference in a short five, confirmed the need for laser irradiation of at least five shots.

본 발명의 구성인, 시료를 가열한 상태, 혹은 반응성가스에 전자에너지를 부여하는 것에 의해 분해된 일도전형을 부여하는 불순물을 함유한 분위기에 있어서, 반도체에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 반도체중에 상기 일도전형을 부여하는 불순물을 효율적으로 도핑할 수 있었다. Work of the configuration of the invention, the decomposition by heating the sample state or assigned the electron energy to the reactive gas in the atmosphere containing the impurity which imparts a type, by irradiating laser light to the semiconductor, the semiconductor the work was to efficiently doped with a dopant that gives the typical. 특히, 유리기판에 열손상을 주지않고 또한 레이저광의 파장이나 도핑가스의 종류에 좌우되지 않고 도핑을 행할 수 있다는 효과를 얻을 수 있었다. In particular, without giving thermal damage to the glass substrate could be obtained an effect that can be performed without being influenced by the doping type of the laser light wavelength or the doping gas.

또한, 앞서 기술한 바와같이, 본 발명은 반도체에 불순물 도프라고 하는 한정된 목적 뿐만 아니라, 금속재료나 세라믹재료 표면의 개질이나, 금속 박막, 세라믹 박막, 절연체 박막에 미량원소의 첨가라고 하는 폭넓은 목적으로 사용할 수 있어, 공업적으로 유익한 발명이다. Further, as previously discussed, the present invention provides a wide range of purposes that the addition of trace elements as well as the limited purpose of said impurity-doped semiconductor, a metal material or a ceramic-modified or of a material surface, a thin metal film, a ceramic thin film, an insulator thin film as it can be used, the invention is industrially beneficial.

Claims (7)

  1. 불순물을 도프할 반도체, 금속 절연체의 어느것, 혹은 이들이 조합으로 이루어지는 물체를 그 융점 이하로 가열하고, 불순물을 함유한 반응성 기체분위기 중에서, 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 물체중에 불순물을 물리적 혹은 화학적으로 확산, 화합, 침입시키는 것을 특징으로 하는 물체의 레이저 처리방법. One of a semiconductor, a metal insulator to be doped with an impurity which, or by which they irradiating from heating the object formed by the combination to below the melting point of the reactive gas atmosphere containing the impurity, with a laser beam, impurities physically or in the object the laser processing method of an object, comprising a step of chemical spread, combined, intrusion.
  2. 일도전형을 부여하는 불순물을 함유한 반응성 기체분위기 중에서, 반도체 표면에 대하여 레이저광을 조사하는 것에 의해, 상기 일도전형을 부여하는 불순물을 상기 반도체중에 도핑하는 방법으로, 상기 레이저 조사시에 상기 반도체는, 실온보다 높고, 반응성 기체가 분해되지 않고, 또한, 상기 반도체의 결정화 온도를 넘지 않은 온도로 유지되고 있는 점을 특징으로 하는 반도체의 레이저 처리방법. Work in a reactive gas atmosphere containing the impurity which imparts type, by irradiating laser beam to the semiconductor surface, the impurity which imparts a typical the work in a way that the doping in the semiconductor, the semiconductor at the time of the laser irradiation , higher than room temperature, the reactive gas does not break down, and the laser processing of a semiconductor characterized in that which is maintained at a temperature not exceeding the crystallization temperature of the semiconductor.
  3. 내부에 시료홀더와 시료가열기구로서 기능하는 장치와, 레이저광을 투과하는데 충분히 투명한 재료로 이루어진 창고, 진공배기장치 및 불순물 원소를 함유하는 반응성가스를 도입하기 위한 장치를 구비한 챔버와, 그 챔버에 펄스형 레이저광을 조사하기 위한 레이저장치와, 그 챔버를 레이저광의 조사에 동기하여 이동시키기 위한 수단을 갖고 있는 점을 특징으로 하는 레이저 처리장치. And a chamber with a device for introducing inside the sample holder and the sample is a reactive gas containing an apparatus and a storage, the vacuum exhaust apparatus, and an impurity element made of a fully transparent material for transmitting a laser beam which functions as a hot air balloon, and the chamber the laser processing apparatus for a laser device and the chamber for irradiating a pulsed laser light, characterized in that has a means for moving in synchronization with the laser light irradiation.
  4. 레이저광을 투과하는데 충분히 투명한 재료로 이루어진 창고, 불순물 원소를 함유하는 반응성가스를 도입하기 위한 장치를 구비한 챔버를 적어도 2개와, 상기 챔버중의 제1의 챔버에 펄스형의 레이저광을 조사하기 위한 레이저장치와, 상기 제1의 챔버를 레이저광의 조사에 동기하여 이동시키기 위한 수단과, 상기 챔버중의 다른 챔버의 적어도 하나의 챔버를 반송하기 위한 수단을 갖는 점을 특징으로 하는 레이저 처리장치. Irradiating at least two and a chamber with a device for introducing a reactive gas to fully contain a warehouse, an impurity element made of a transparent material for transmitting a laser beam, the laser beam of the pulse-like to the chamber of a first of said chambers a laser device, a laser processing apparatus characterized in that with the means for moving in synchronization with the chamber of the first irradiation of the laser beam and, at least one means for conveying the chamber of the other chamber of the chamber.
  5. 인을 함유하는 반응성 기체분위기 중에서, 산화규소 표면에 대하여 레이저광을 조사하는 것에 의해, 인을 상기 산화규소중에 도핑하는 방법으로, 상기 레이저 조사시에 있어서, 산화규소는 가열되는 점을 특징으로 하는 산화규소의 레이저 처리방법. To the in reactive gas atmosphere containing phosphorus, wherein by irradiating a laser beam with respect to the silicon oxide surface, doped in the silicon oxide by, at the time of the laser irradiation, the silicon oxide is characterized by the fact that the heating laser treatment method of the silicon oxide.
  6. 유기실란가스를 재료로 이용하여 600℃ 이하의 기판온도에서 기상반응법에 의해 제작된 산화규소피막에 인을 도핑하는 방법에 있어서, 인을 함유하는 반응성 기체분위기 중에서, 상기 산화규소 표면에 대하여 레이저광을 조사하는 것에 의해, 인을 상기 산화규소중에 도핑하는 점을 특징으로 하는 산화규소의 레이저 처리방법. A method of using an organic silane gas as a material doped with phosphorus in the silicon oxide film produced by the gas phase reaction method at a substrate temperature below 600 ℃, in a reactive gas atmosphere containing a laser with respect to the silicon oxide surface laser treatment of the silicon oxide to the method by irradiating the light, characterized in that the doping in the silicon oxide.
  7. 제6항에 있어서, 그 산화규소피막의 밑에는 실리콘막이 존재하는 점을 특징으로 하는 산화규소의 레이저 처리방법. 7. The method of claim 6, under the silicon oxide film is a laser processing method of a silicon oxide, it characterized in that the silicon film is present.
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Families Citing this family (152)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6344116B2 (en) 1985-11-19 2002-02-05 Raymond M. Warner, Jr. Monocrystalline three-dimensional integrated-circuit technology
JP2700277B2 (en) * 1990-06-01 1998-01-19 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a thin film transistor
US6964890B1 (en) 1992-03-17 2005-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
US5650338A (en) * 1991-08-26 1997-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming thin film transistor
KR960008503B1 (en) * 1991-10-04 1996-06-26 Semiconductor Energy Lab Kk Manufacturing method of semiconductor device
JP2651972B2 (en) * 1992-03-04 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal electro-optical device
KR960008499B1 (en) * 1992-03-26 1996-06-26 순페이 야마자끼 Laser treatment method and laser treatment apparatus
JPH06124913A (en) 1992-06-26 1994-05-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser treatment
JP2912506B2 (en) * 1992-10-21 1999-06-28 シャープ株式会社 The method for forming a transparent conductive film
JP3431647B2 (en) 1992-10-30 2003-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 Making and laser doping processing method of a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and a memory device
US5643801A (en) * 1992-11-06 1997-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method and alignment
CN1052566C (en) * 1993-11-05 2000-05-17 株式会社半导体能源研究所 Method for processing semiconductor device
US6897100B2 (en) 1993-11-05 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for processing semiconductor device apparatus for processing a semiconductor and apparatus for processing semiconductor device
US6410374B1 (en) 1992-12-26 2002-06-25 Semiconductor Energy Laborartory Co., Ltd. Method of crystallizing a semiconductor layer in a MIS transistor
US6544825B1 (en) * 1992-12-26 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a MIS transistor
JPH06232069A (en) * 1993-02-04 1994-08-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of semiconductor device
US6090646A (en) 1993-05-26 2000-07-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
US5830784A (en) * 1993-05-26 1998-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. Method for producing a semiconductor device including doping with a group IV element
US5481121A (en) * 1993-05-26 1996-01-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having improved crystal orientation
US5962871A (en) * 1993-05-26 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
JPH0766152A (en) * 1993-08-30 1995-03-10 Sony Corp Fabrication of semiconductor device
US6051453A (en) * 1993-09-07 2000-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for fabricating semiconductor device
JPH07109573A (en) * 1993-10-12 1995-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Glass substrate and heat treatment
US6482752B1 (en) * 1993-10-26 2002-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method and a manufacturing method of a thin film semiconductor device
US5529951A (en) * 1993-11-02 1996-06-25 Sony Corporation Method of forming polycrystalline silicon layer on substrate by large area excimer laser irradiation
US6798023B1 (en) * 1993-12-02 2004-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first insulating film, second insulating film comprising organic resin on the first insulating film, and pixel electrode over the second insulating film
US5616935A (en) 1994-02-08 1997-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit having N-channel and P-channel transistors
US6884698B1 (en) * 1994-02-23 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device with crystallization of amorphous silicon
JP3150840B2 (en) * 1994-03-11 2001-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a semiconductor device
US6700133B1 (en) 1994-03-11 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing semiconductor device
US6943764B1 (en) 1994-04-22 2005-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit for an active matrix display device
JP3402400B2 (en) 1994-04-22 2003-05-06 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a semiconductor integrated circuit
US5635408A (en) * 1994-04-28 1997-06-03 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing a semiconductor device
JPH07302912A (en) * 1994-04-29 1995-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US5976919A (en) * 1994-06-10 1999-11-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus and method of manufacturing semiconductor element
US5641707A (en) * 1994-10-31 1997-06-24 Texas Instruments Incorporated Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus
JP3535241B2 (en) * 1994-11-18 2004-06-07 シャープ株式会社 Semiconductor device and a manufacturing method thereof
US6008101A (en) * 1994-11-29 1999-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device
JP3469337B2 (en) 1994-12-16 2003-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a semiconductor device
CN1134831C (en) * 1995-02-02 2004-01-14 应用材料有限公司 Laser annealing method
JP3778456B2 (en) 1995-02-21 2006-05-24 株式会社半導体エネルギー研究所 A manufacturing method of the insulating gate type thin film semiconductor device
US5963823A (en) * 1995-05-19 1999-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film semiconductor device
US5893990A (en) * 1995-05-31 1999-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Laser processing method
US5556806A (en) * 1995-06-28 1996-09-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Spin-on-glass nonetchback planarization process using oxygen plasma treatment
JPH1056180A (en) * 1995-09-29 1998-02-24 Canon Inc Manufacture of semiconductor device
US6027960A (en) 1995-10-25 2000-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing method and laser annealing device
US5817548A (en) * 1995-11-10 1998-10-06 Sony Corporation Method for fabricating thin film transistor device
JPH09146108A (en) 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Liquid crystal display device and its driving method
US6800875B1 (en) 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
CN1137519C (en) * 1995-11-17 2004-02-04 株式会社半导体能源研究所 Display devices
KR100351777B1 (en) 1995-12-14 2003-01-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Semiconductor device
KR100193348B1 (en) * 1996-02-12 1999-07-01 구자홍 Fabrication method of thin film transistor for lcd
US5817550A (en) * 1996-03-05 1998-10-06 Regents Of The University Of California Method for formation of thin film transistors on plastic substrates
US7118996B1 (en) 1996-05-15 2006-10-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus and method for doping
US6555449B1 (en) * 1996-05-28 2003-04-29 Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods for producing uniform large-grained and grain boundary location manipulated polycrystalline thin film semiconductors using sequential lateral solidfication
JP3067641B2 (en) * 1996-05-31 2000-07-17 日本電気株式会社 Method for producing a dielectric film
JPH09320961A (en) * 1996-05-31 1997-12-12 Nec Corp Semiconductor manufacturing apparatus and manufacture of thin film transistor
US6821710B1 (en) 1998-02-11 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US6165824A (en) * 1997-03-03 2000-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6291837B1 (en) 1997-03-18 2001-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof
JP3024589B2 (en) * 1997-04-23 2000-03-21 日本電気株式会社 A method of manufacturing a semiconductor device
JP4271268B2 (en) * 1997-09-20 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 Image sensor and the image sensor integrated type active matrix display device
JP4044187B2 (en) * 1997-10-20 2008-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 The active matrix type display device and a manufacturing method thereof
JP3185869B2 (en) * 1997-10-21 2001-07-11 日本電気株式会社 Laser processing method
JPH11186189A (en) * 1997-12-17 1999-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser irradiation equipment
JPH11204434A (en) * 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6187616B1 (en) * 1998-02-13 2001-02-13 Seiko Epson Corporation Method for fabricating semiconductor device and heat treatment apparatus
US6444390B1 (en) 1998-02-18 2002-09-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for producing semiconductor thin film devices using group 14 element and high temperature oxidizing treatment to achieve a crystalline silicon film
JP3980159B2 (en) * 1998-03-05 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a semiconductor device
US6482684B1 (en) 1998-03-27 2002-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a TFT with Ge seeded amorphous Si layer
JPH11326954A (en) * 1998-05-15 1999-11-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device
US6061115A (en) * 1998-11-03 2000-05-09 International Business Machines Incorporation Method of producing a multi-domain alignment layer by bombarding ions of normal incidence
KR20000053428A (en) 1999-01-08 2000-08-25 이데이 노부유끼 Process for producing thin film semiconductor device and laser irradiation apparatus
US6475836B1 (en) 1999-03-29 2002-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100321728B1 (en) * 1999-06-30 2002-01-26 박종섭 Method for forming feram by using plasma pulse
US6952020B1 (en) 1999-07-06 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6777254B1 (en) 1999-07-06 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
US7242449B1 (en) * 1999-07-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus
US6830993B1 (en) * 2000-03-21 2004-12-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Surface planarization of thin silicon films during and after processing by the sequential lateral solidification method
US6555457B1 (en) * 2000-04-07 2003-04-29 Triquint Technology Holding Co. Method of forming a laser circuit having low penetration ohmic contact providing impurity gettering and the resultant laser circuit
US6432804B1 (en) * 2000-05-22 2002-08-13 Sharp Laboratories Of America, Inc. Sputtered silicon target for fabrication of polysilicon thin film transistors
US6905920B2 (en) * 2000-09-04 2005-06-14 Seiko Epson Corporation Method for fabrication of field-effect transistor to reduce defects at MOS interfaces formed at low temperature
CA2389607A1 (en) 2000-10-10 2002-04-18 The Trustees Of Columbia University Method and apparatus for processing thin metal layers
US20030148565A1 (en) * 2001-02-01 2003-08-07 Hideo Yamanaka Method for forming thin semiconductor film, method for fabricating semiconductor device, system for executing these methods and electrooptic device
JP3997731B2 (en) * 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 A method of forming a crystalline semiconductor thin film on a substrate
US6905928B2 (en) * 2001-05-09 2005-06-14 Hitachi, Ltd. MOS transistor apparatus and method of manufacturing same
US7087504B2 (en) * 2001-05-18 2006-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device by irradiating with a laser beam
KR100885904B1 (en) * 2001-08-10 2009-02-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US7844346B2 (en) * 2002-05-23 2010-11-30 Biocontrol Medical Ltd. Electrode assembly for nerve control
JP3536832B2 (en) * 2001-09-17 2004-06-14 ソニー株式会社 A solid-state imaging device and manufacturing method thereof
US6716727B2 (en) * 2001-10-26 2004-04-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Methods and apparatus for plasma doping and ion implantation in an integrated processing system
US20030081906A1 (en) * 2001-10-26 2003-05-01 Filhaber John F. Direct bonding of optical components
JP4101533B2 (en) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 The method for manufacturing a transflective liquid crystal display device
CN1757093A (en) * 2002-08-19 2006-04-05 纽约市哥伦比亚大学托管会 Single-shot semiconductor processing system and method having various irradiation patterns
JP4873858B2 (en) * 2002-08-19 2012-02-08 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク Laser crystallization method and apparatus as well as the structure of such a film areas of the substrate of the film area to the edge area to a minimum
JP4387091B2 (en) * 2002-11-05 2009-12-16 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a thin film transistor
US7247812B2 (en) * 2002-11-22 2007-07-24 Au Optronics Corporation Laser annealing apparatus
US7341928B2 (en) * 2003-02-19 2008-03-11 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York System and process for processing a plurality of semiconductor thin films which are crystallized using sequential lateral solidification techniques
EP1457865B1 (en) * 2003-03-12 2017-11-08 Asulab S.A. Substrate with transparent electrodes and corresponding fabrication process
JP2004296558A (en) * 2003-03-26 2004-10-21 Hosiden Corp Method for manufacturing insulator padding type single crystal silicon carbide substrate, and its manufacturing equipment
WO2005029549A3 (en) * 2003-09-16 2005-10-27 James S Im Method and system for facilitating bi-directional growth
US7318866B2 (en) * 2003-09-16 2008-01-15 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for inducing crystallization of thin films using multiple optical paths
WO2005029546A3 (en) * 2003-09-16 2009-06-18 James S Im Method and system for providing a continuous motion sequential lateral solidification for reducing or eliminating artifacts, and a mask for facilitating such artifact reduction/elimination
WO2005029547A3 (en) 2003-09-16 2005-07-14 Univ Columbia Enhancing the width of polycrystalline grains with mask
US7364952B2 (en) * 2003-09-16 2008-04-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for processing thin films
US7164152B2 (en) * 2003-09-16 2007-01-16 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Laser-irradiated thin films having variable thickness
WO2005029551A3 (en) 2003-09-16 2005-12-22 Univ Columbia Processes and systems for laser crystallization processing of film regions on a substrate utilizing a line-type beam, and structures of such film regions
WO2005034193A3 (en) * 2003-09-19 2006-12-14 Univ Columbia Single scan irradiation for crystallization of thin films
US20070063147A1 (en) * 2004-06-14 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Doping device
US7745293B2 (en) * 2004-06-14 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Method for manufacturing a thin film transistor including forming impurity regions by diagonal doping
US7504327B2 (en) * 2004-06-14 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film semiconductor device
WO2006017510A3 (en) * 2004-08-02 2006-10-12 J P Sercel Associates Inc System and method for laser machining
US8569277B2 (en) * 2004-08-11 2013-10-29 Palo Alto Investors Methods of treating a subject for a condition
JP5122818B2 (en) * 2004-09-17 2013-01-16 シャープ株式会社 Method of manufacturing a thin film semiconductor device
FR2877591B1 (en) * 2004-11-09 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique SYSTEM AND METHOD powder production nanometric or sub-micrometric continuous flow under the action of laser pyrolysis
US7645337B2 (en) 2004-11-18 2010-01-12 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for creating crystallographic-orientation controlled poly-silicon films
US20060108585A1 (en) * 2004-11-22 2006-05-25 Au Optronics Corp. Thin film transistors and fabrication methods thereof
US8106594B2 (en) 2005-02-28 2012-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic apparatus using the same
US8221544B2 (en) * 2005-04-06 2012-07-17 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Line scan sequential lateral solidification of thin films
JP2009505432A (en) * 2005-08-16 2009-02-05 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク High throughput crystallization of the thin film
KR100671159B1 (en) * 2005-08-25 2007-01-17 동부일렉트로닉스 주식회사 Method for arranging semiconductor wafer to ion-beam in disk-type implant
WO2007067541A3 (en) * 2005-12-05 2009-04-30 Univ Columbia Systems and methods for processing a film, and thin films
KR20070071968A (en) * 2005-12-30 2007-07-04 삼성전자주식회사 Methods for fabrication silicon layer and thin film transistor adopting the same
US8314009B2 (en) * 2007-09-14 2012-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device
KR20100074193A (en) * 2007-09-21 2010-07-01 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 Collections of laterally crystallized semiconductor islands for use in thin film transistors
US8415670B2 (en) 2007-09-25 2013-04-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Methods of producing high uniformity in thin film transistor devices fabricated on laterally crystallized thin films
US7800081B2 (en) * 2007-11-08 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus
US9498845B2 (en) 2007-11-08 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Pulse train annealing method and apparatus
WO2009067688A1 (en) 2007-11-21 2009-05-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
KR20100105606A (en) 2007-11-21 2010-09-29 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 Systems and methods for preparation of epitaxially textured thick films
US8012861B2 (en) 2007-11-21 2011-09-06 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for preparing epitaxially textured polycrystalline films
JP2011515834A (en) * 2008-02-29 2011-05-19 ザ トラスティーズ オブ コロンビア ユニヴァーシティ イン ザ シティ オブ ニューヨーク Lithography process for producing a uniform crystal silicon thin film
US8569155B2 (en) * 2008-02-29 2013-10-29 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Flash lamp annealing crystallization for large area thin films
KR101413370B1 (en) * 2008-02-29 2014-06-30 더 트러스티이스 오브 콜롬비아 유니버시티 인 더 시티 오브 뉴욕 Flash light annealing for thin films
CN102232239A (en) 2008-11-14 2011-11-02 纽约市哥伦比亚大学理事会 Systems and methods for the crystallization of thin films
JP2011035371A (en) * 2009-07-07 2011-02-17 Toshiba Corp Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
US9646831B2 (en) 2009-11-03 2017-05-09 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Advanced excimer laser annealing for thin films
US9087696B2 (en) 2009-11-03 2015-07-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse partial melt film processing
JP5706670B2 (en) 2009-11-24 2015-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a Soi board
US8440581B2 (en) * 2009-11-24 2013-05-14 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for non-periodic pulse sequential lateral solidification
US20110185971A1 (en) * 2009-11-30 2011-08-04 Uvtech Systems, Inc. Laser doping
DE102011007544A1 (en) * 2011-04-15 2012-10-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Method and apparatus for thermal treatment of substrates
US9250178B2 (en) * 2011-10-07 2016-02-02 Kla-Tencor Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US20150198775A1 (en) * 2012-08-31 2015-07-16 Gurtej Sandhu Method of forming photonics structures
US9059079B1 (en) * 2012-09-26 2015-06-16 Ut-Battelle, Llc Processing of insulators and semiconductors
CN103014672B (en) * 2012-12-21 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 Method and apparatus for coating
US20150270421A1 (en) * 2014-03-20 2015-09-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Advanced Back Contact Solar Cells
JP6132072B2 (en) * 2014-06-12 2017-05-24 富士電機株式会社 Doping apparatus, a manufacturing method of doping method and a semiconductor device
JP2016018816A (en) * 2014-07-04 2016-02-01 富士電機株式会社 Method for introducing impurity, device for introducing impurity and method for manufacturing semiconductor element
CN107078061A (en) * 2015-03-16 2017-08-18 富士电机株式会社 Semiconductor device manufacturing method
WO2017019384A1 (en) * 2015-07-29 2017-02-02 Applied Materials, Inc. Rotating substrate laser anneal

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50117374A (en) 1974-02-28 1975-09-13
JPS541613B2 (en) * 1976-05-26 1979-01-26
JPS54131866A (en) 1978-04-05 1979-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Heat treatment device
JPS55150238A (en) * 1979-05-10 1980-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of irradiating laser beam
JPS5630721A (en) * 1979-08-21 1981-03-27 Nec Corp Diffusing device of selected impurity
US4370175A (en) * 1979-12-03 1983-01-25 Bernard B. Katz Method of annealing implanted semiconductors by lasers
JPH0133937B2 (en) 1979-12-05 1989-07-17 Cho Eru Esu Ai Gijutsu Kenkyu Kumiai
JPS5694386A (en) * 1979-12-27 1981-07-30 Suwa Seikosha Kk Liquiddcrystal display unit
JPS56111258A (en) 1980-01-07 1981-09-02 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Thin film semiconductor device
JPS5794482A (en) 1980-12-05 1982-06-11 Hitachi Ltd Pattern forming device by laser
JPS57162339A (en) 1981-03-31 1982-10-06 Fujitsu Ltd Manufacture of semiconductor device
DE3118785C2 (en) * 1981-05-12 1992-04-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De
JPH0335825B2 (en) 1981-06-05 1991-05-29 Mitsubishi Electric Corp
DE3221180C2 (en) * 1981-06-05 1989-11-23 Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp
JPS5893273A (en) 1981-11-30 1983-06-02 Toshiba Corp Thin film semiconductor device
JPS58103140A (en) * 1981-12-16 1983-06-20 Fujitsu Ltd Laser annealing
JPS58127318A (en) 1982-01-25 1983-07-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method for single-crystal film on insulating layer
US4436557A (en) * 1982-02-19 1984-03-13 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Modified laser-annealing process for improving the quality of electrical P-N junctions and devices
JPS58164268A (en) 1982-03-25 1983-09-29 Seiko Epson Corp Thin film silicon transistor
JPH0614512B2 (en) 1983-09-26 1994-02-23 理化学研究所 Laser cvd apparatus
JPS60170972A (en) 1984-02-15 1985-09-04 Sony Corp Thin film semiconductor device
US5296405A (en) * 1985-08-02 1994-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co.., Ltd. Method for photo annealing non-single crystalline semiconductor films
JP2660243B2 (en) * 1985-08-08 1997-10-08 株式会社半導体エネルギー研究所 The semiconductor device manufacturing method
JPS6240986A (en) 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd Laser beam machining method
JPS62130562A (en) 1985-11-30 1987-06-12 Nippon Gakki Seizo Kk Manufacture of field effect transistor
JPH065778B2 (en) * 1985-12-17 1994-01-19 株式会社富士電機総合研究所 Method of manufacturing an optical semiconductor device
JPS631071A (en) 1986-06-20 1988-01-06 Hitachi Ltd Thin-film semiconductor device
US4851363A (en) 1986-07-11 1989-07-25 General Motors Corporation Fabrication of polysilicon fets on alkaline earth alumino-silicate glasses
US4859908A (en) 1986-09-24 1989-08-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing apparatus for large area ion irradiation
US6261856B1 (en) 1987-09-16 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and system of laser processing
JPH07101268B2 (en) 1987-02-25 1995-11-01 日本電信電話株式会社 Thin film transistor array
JP2611236B2 (en) 1987-07-03 1997-05-21 ソニー株式会社 Semiconductor manufacturing equipment
JPH068271Y2 (en) 1987-07-09 1994-03-02 トヨタ自動車株式会社 Engine coolant temperature warning device
KR930003857B1 (en) * 1987-08-05 1993-05-14 다니이 아끼오 Plasma doping method
US4861729A (en) * 1987-08-24 1989-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of doping impurities into sidewall of trench by use of plasma source
US5032883A (en) * 1987-09-09 1991-07-16 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor and method of manufacturing the same
JPS6476715A (en) 1987-09-17 1989-03-22 Nec Corp Manufacture of polycrystalline semiconductor thin film
JPH01101625A (en) 1987-10-15 1989-04-19 Komatsu Ltd Manufacture of semiconductor device
DE3835636A1 (en) * 1987-10-23 1989-05-03 Galram Technology Ind Ltd Method and system for completely removing photoresist
JP2682997B2 (en) 1987-11-14 1997-11-26 株式会社日立製作所 Manufacturing process of the storage capacitor with the liquid crystal display device and the auxiliary capacitor with the liquid crystal display device
JPH01156725A (en) 1987-12-15 1989-06-20 Seiko Epson Corp Display device
US5229081A (en) * 1988-02-12 1993-07-20 Regal Joint Co., Ltd. Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process
JP2628064B2 (en) 1988-04-11 1997-07-09 東京エレクトロン株式会社 Processing apparatus of the workpiece
JP2641101B2 (en) 1988-04-12 1997-08-13 株式会社日立製作所 Method and apparatus for producing a semiconductor device
US5017277A (en) * 1988-07-07 1991-05-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser sputtering apparatus
US5205036A (en) * 1988-10-17 1993-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame
DE68921567D1 (en) 1988-11-30 1995-04-13 Nec Corp Liquid crystal display panel with reduced pixel defects.
JPH02157827A (en) 1988-12-12 1990-06-18 Nec Corp Thin film transistor array device
JP2535610B2 (en) 1989-02-22 1996-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a thin film transistor
JPH02222545A (en) 1989-02-23 1990-09-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JP2764425B2 (en) 1989-02-27 1998-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a thin film transistor
JP2805321B2 (en) 1989-02-28 1998-09-30 株式会社半導体エネルギー研究所 A method for manufacturing a thin film transistor
JPH02234134A (en) 1989-03-07 1990-09-17 Nec Corp Active matrix substrate for liquid crystal display device
US4979181A (en) * 1989-04-28 1990-12-18 Nissan Motor Co., Ltd. Vacuum laser irradiating apparatus
JPH03179778A (en) 1989-05-08 1991-08-05 Ricoh Co Ltd Insulating board for forming thin film semiconductor
US5272361A (en) * 1989-06-30 1993-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Field effect semiconductor device with immunity to hot carrier effects
JP2811762B2 (en) 1989-07-04 1998-10-15 セイコーエプソン株式会社 Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor
US5252498A (en) * 1989-08-28 1993-10-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming electronic devices utilizing diamond
DE4022090A1 (en) * 1989-12-18 1991-06-20 Forschungszentrum Juelich Gmbh Electro-optical component-manufacturing and process for its
JPH03280435A (en) 1990-03-28 1991-12-11 Seiko Epson Corp Manufacture of thin film semiconductor device
JPH03285325A (en) 1990-03-31 1991-12-16 Ii & S:Kk Film forming device using laser annealing process
JP3033120B2 (en) 1990-04-02 2000-04-17 セイコーエプソン株式会社 The method of manufacturing a semiconductor thin film
JPH0411226A (en) 1990-04-27 1992-01-16 Seiko Epson Corp Manufacture of display device
US5056895A (en) * 1990-05-21 1991-10-15 Greyhawk Systems, Inc. Active matrix liquid crystal liquid crystal light valve including a dielectric mirror upon a leveling layer and having fringing fields
DE69125886T2 (en) * 1990-05-29 1997-11-20 Semiconductor Energy Lab Thin-film transistors
JP3109674B2 (en) 1990-06-08 2000-11-20 セイコーエプソン株式会社 The liquid crystal display device
KR950001360B1 (en) 1990-11-26 1995-02-17 순페이 야마자끼 Electric optical device and driving method thereof
US5521107A (en) * 1991-02-16 1996-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming a field-effect transistor including anodic oxidation of the gate
US5946561A (en) 1991-03-18 1999-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JPH0824104B2 (en) 1991-03-18 1996-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor material and a manufacturing method thereof
US5578520A (en) 1991-05-28 1996-11-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for annealing a semiconductor
US5485019A (en) * 1992-02-05 1996-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for forming the same
JP2845303B2 (en) 1991-08-23 1999-01-13 株式会社 半導体エネルギー研究所 Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2794678B2 (en) 1991-08-26 1998-09-10 株式会社 半導体エネルギー研究所 Insulated gate semiconductor device and a manufacturing method thereof
KR960008503B1 (en) 1991-10-04 1996-06-26 Semiconductor Energy Lab Kk Manufacturing method of semiconductor device
JP3119693B2 (en) * 1991-10-08 2000-12-25 エム・セテック株式会社 The semiconductor substrate manufacturing method and apparatus
JP2651972B2 (en) 1992-03-04 1997-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Liquid crystal electro-optical device
JPH05326429A (en) 1992-03-26 1993-12-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method and apparatus for laser treatment
KR960008499B1 (en) 1992-03-26 1996-06-26 순페이 야마자끼 Laser treatment method and laser treatment apparatus
US5372836A (en) 1992-03-27 1994-12-13 Tokyo Electron Limited Method of forming polycrystalling silicon film in process of manufacturing LCD
US5323013A (en) * 1992-03-31 1994-06-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of rapid sample handling for laser processing
KR970010652B1 (en) 1992-07-06 1997-06-30 순페이 야마자끼 Semiconductor device and method of for forming the same
US5346850A (en) * 1992-10-29 1994-09-13 Regents Of The University Of California Crystallization and doping of amorphous silicon on low temperature plastic
US5316969A (en) * 1992-12-21 1994-05-31 Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of shallow junction formation in semiconductor devices using gas immersion laser doping
US5756364A (en) * 1994-11-29 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing method of semiconductor device using a catalyst
US5766989A (en) * 1994-12-27 1998-06-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor
US5854803A (en) * 1995-01-12 1998-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser illumination system
CN1134831C (en) * 1995-02-02 2004-01-14 应用材料有限公司 Laser annealing method
JP3301054B2 (en) * 1996-02-13 2002-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 Laser irradiation apparatus and the laser irradiation method
US5871826A (en) * 1996-05-30 1999-02-16 Xerox Corporation Proximity laser doping technique for electronic materials
JP3580033B2 (en) * 1996-06-20 2004-10-20 ソニー株式会社 Thin film semiconductor device and a manufacturing method and a laser annealing device
US5988547A (en) * 1997-11-26 1999-11-23 Koelewyn; Robert W. Adjustable drag system for fishing spool with clutch members between spool-supporting bearings

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