JPH0447888B2 - - Google Patents
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- JPH0447888B2 JPH0447888B2 JP59081549A JP8154984A JPH0447888B2 JP H0447888 B2 JPH0447888 B2 JP H0447888B2 JP 59081549 A JP59081549 A JP 59081549A JP 8154984 A JP8154984 A JP 8154984A JP H0447888 B2 JPH0447888 B2 JP H0447888B2
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- thin film
- test pattern
- magnetic head
- film magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
- G11B5/314—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure where the layers are extra layers normally not provided in the transducing structure, e.g. optical layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に情報を記録し又は再
生する多トラツク型の薄膜磁気ヘツドの層間絶縁
等の確認用として用いられる薄膜磁気ヘツド用テ
ストパターンに関する。
生する多トラツク型の薄膜磁気ヘツドの層間絶縁
等の確認用として用いられる薄膜磁気ヘツド用テ
ストパターンに関する。
薄膜磁気ヘツドを構成するヘツド素子は物理的
蒸着法等を用いて基材となるウエハ上に複数素子
形成される。この際、通常、複数枚のウエハが同
時に処理されるため、ウエハの位置あるいはウエ
ハ上の素子の位置によつて、各素子を形成する薄
膜の厚さにバラツキが生ずる。
蒸着法等を用いて基材となるウエハ上に複数素子
形成される。この際、通常、複数枚のウエハが同
時に処理されるため、ウエハの位置あるいはウエ
ハ上の素子の位置によつて、各素子を形成する薄
膜の厚さにバラツキが生ずる。
また薄膜磁気ヘツドでは、絶縁層や導体層が何
層にも積み重なつており、例えば第１，２図に示
す様に薄膜導線１０，１２のクロス部分等で段差
が生ずる。
層にも積み重なつており、例えば第１，２図に示
す様に薄膜導線１０，１２のクロス部分等で段差
が生ずる。
この様な膜厚のバラツキおよび段差により、薄
膜導線間の絶縁が不充分となつて絶縁破壊や断線
が発生する。これら絶縁破壊や断線は理論的には
各導線間の抵抗を測定することにより検出するこ
とが可能である。しかしながら、実際にはプロー
ブを微細な薄膜導線に当接させることは困難であ
り、また、プローブの当接によつて薄膜に傷がつ
くことにもなる。
膜導線間の絶縁が不充分となつて絶縁破壊や断線
が発生する。これら絶縁破壊や断線は理論的には
各導線間の抵抗を測定することにより検出するこ
とが可能である。しかしながら、実際にはプロー
ブを微細な薄膜導線に当接させることは困難であ
り、また、プローブの当接によつて薄膜に傷がつ
くことにもなる。
さらに、配線パターンは一般にイオンビームエ
ツチング法によりエツチングされるが、選択性エ
ツチングでない為、配線の下層の絶縁膜をもエツ
チングしてしまうことがある。このため、従来で
はモニタ用としてガラス板等の透明基板上に実物
と同じ導体層を蒸着させ、これを目視によりモニ
タリングしながら実物のエツチング終了点の確認
を行つていたが、この方法ではモニタ用基板を別
個に必要とするため、コストおよび作業効率とい
う点で問題があつた。
ツチング法によりエツチングされるが、選択性エ
ツチングでない為、配線の下層の絶縁膜をもエツ
チングしてしまうことがある。このため、従来で
はモニタ用としてガラス板等の透明基板上に実物
と同じ導体層を蒸着させ、これを目視によりモニ
タリングしながら実物のエツチング終了点の確認
を行つていたが、この方法ではモニタ用基板を別
個に必要とするため、コストおよび作業効率とい
う点で問題があつた。
さらに、薄膜導体の段差部の状態を走査顕微鏡
で調べる場合、適当な段差部をカツトして断面を
形成する必要があるが、薄膜磁気ヘツドが微細構
造であるために当該作業が容易でない。
で調べる場合、適当な段差部をカツトして断面を
形成する必要があるが、薄膜磁気ヘツドが微細構
造であるために当該作業が容易でない。
本発明は上記事実を考慮し、ヘツド素子を傷つ
けることなく、かつ、容易に導体層間の絶縁不良
を検査することができ、しかも、別個のモニタ用
を用いることなくエツチング終了点を確認するこ
とができ、さらに薄膜導体の段差部の状態を調べ
ることが容易な薄膜磁気ヘツド用テストパターン
を得ることが目的である。
けることなく、かつ、容易に導体層間の絶縁不良
を検査することができ、しかも、別個のモニタ用
を用いることなくエツチング終了点を確認するこ
とができ、さらに薄膜導体の段差部の状態を調べ
ることが容易な薄膜磁気ヘツド用テストパターン
を得ることが目的である。
本発明に係る薄膜磁気ヘツド用テストパターン
は、基材となるウエハ上に薄膜磁気ヘツド素子を
形成する過程において、同時に、テストパターン
も形成するものである。このテストパターンは、
薄膜磁気ヘツドの導線を構成する蒸着された導体
層に相当する導体層がエツチングにより形成さ
れ、さらに導線部と、導線部の端部にプローブ当
て部を設けている。
は、基材となるウエハ上に薄膜磁気ヘツド素子を
形成する過程において、同時に、テストパターン
も形成するものである。このテストパターンは、
薄膜磁気ヘツドの導線を構成する蒸着された導体
層に相当する導体層がエツチングにより形成さ
れ、さらに導線部と、導線部の端部にプローブ当
て部を設けている。
このプローブ当て部へプローブを当てて抵抗を
測定することにより、薄膜導線の層間絶縁不良、
断線及びエツチング終了点等を確認することが可
能となる。
測定することにより、薄膜導線の層間絶縁不良、
断線及びエツチング終了点等を確認することが可
能となる。
第３図は本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘツド
用テストパターンが形成されるウエハ上の位置を
説明するためのものである。ウエハ１４は例えば
フエライト等の非導電性の軟磁性材料であり、こ
の上面には複数個のPCMテープレコーダ用多ト
ラツク型薄膜磁気ヘツド１６がマトリツクス状に
形成されており、各薄膜磁気ヘツド１６の領域内
もしくはその付近又は独立した領域（例えば第３
図斜線部分）へテストパターンが形成される。ウ
エハ１４は薄膜磁気ヘツド１６が形成された後に
各ヘツドが切り取られて図示されないヘツドホル
ダーへ装着されることになる。
用テストパターンが形成されるウエハ上の位置を
説明するためのものである。ウエハ１４は例えば
フエライト等の非導電性の軟磁性材料であり、こ
の上面には複数個のPCMテープレコーダ用多ト
ラツク型薄膜磁気ヘツド１６がマトリツクス状に
形成されており、各薄膜磁気ヘツド１６の領域内
もしくはその付近又は独立した領域（例えば第３
図斜線部分）へテストパターンが形成される。ウ
エハ１４は薄膜磁気ヘツド１６が形成された後に
各ヘツドが切り取られて図示されないヘツドホル
ダーへ装着されることになる。
第４図には第１実施例が示されており、薄膜磁
気ヘツド１６の領域付近へテストパターン１８が
形成されている。
気ヘツド１６の領域付近へテストパターン１８が
形成されている。
この薄膜磁気ヘツド１６は再生用の複数個の磁
気抵抗素子（以下MR素子）２０が並設されてお
り、磁気テープ上の各トラツクに対応している。
各MR素子２０には薄膜リード線２２が接続され
ている。このような薄膜磁気ヘツド１６の断面構
造を説明すると、第５図に示す如く、ウエハ１４
の上面２６へ帯状の共通バイアス線２８がテープ
摺接面２４Ａに沿つて蒸着され、複数個のMR素
子２０に対する磁気バイアス用となつている。共
通バイアス線２８は絶縁膜３０（例えばアルミ
ナ）で被膜され、MR素子２０（例えばNi−Fe
合金）が蒸着された後、前記と同質の絶縁膜３０
で被膜されている。すなわち、MR素子２０が絶
縁膜３０の中に埋設され、共通バイアス線２８と
絶縁されている。絶縁膜３０の上面には、共通バ
イアス線２８と平行状に帯状の磁気シールド膜３
２が蒸着されており、各MR素子２０の分解能向
上用となつている。磁気シールド膜３２は磁性体
（例えばパーマロイ）である。磁気シールド膜３
２の上面は保護膜３４（例えばアルミナ）で被膜
される構造となつている。
気抵抗素子（以下MR素子）２０が並設されてお
り、磁気テープ上の各トラツクに対応している。
各MR素子２０には薄膜リード線２２が接続され
ている。このような薄膜磁気ヘツド１６の断面構
造を説明すると、第５図に示す如く、ウエハ１４
の上面２６へ帯状の共通バイアス線２８がテープ
摺接面２４Ａに沿つて蒸着され、複数個のMR素
子２０に対する磁気バイアス用となつている。共
通バイアス線２８は絶縁膜３０（例えばアルミ
ナ）で被膜され、MR素子２０（例えばNi−Fe
合金）が蒸着された後、前記と同質の絶縁膜３０
で被膜されている。すなわち、MR素子２０が絶
縁膜３０の中に埋設され、共通バイアス線２８と
絶縁されている。絶縁膜３０の上面には、共通バ
イアス線２８と平行状に帯状の磁気シールド膜３
２が蒸着されており、各MR素子２０の分解能向
上用となつている。磁気シールド膜３２は磁性体
（例えばパーマロイ）である。磁気シールド膜３
２の上面は保護膜３４（例えばアルミナ）で被膜
される構造となつている。
これに対してテストパターン１８は、第４図に
示す如く、導線部３６，３８及びこれらの両端部
に形成されるプローブ当て部４０，４２を有して
いる。導線部３８、プローブ当て部４２、及び導
線部３６、プローブ当て部４０は、それぞれ第５
図に示す共通バイアス薄膜導線２８、MR素子２
０と同一層かつ同一材料となつており、これらと
同時に形成される。導線部３６と３８は細線で平
行状になつており、導線部３８の真上に導線部３
６が配置されているまたプローブ当て部４０，４
２はプローブ当接に充分な広さ（例えば100μm×
100μm）となつている。
示す如く、導線部３６，３８及びこれらの両端部
に形成されるプローブ当て部４０，４２を有して
いる。導線部３８、プローブ当て部４２、及び導
線部３６、プローブ当て部４０は、それぞれ第５
図に示す共通バイアス薄膜導線２８、MR素子２
０と同一層かつ同一材料となつており、これらと
同時に形成される。導線部３６と３８は細線で平
行状になつており、導線部３８の真上に導線部３
６が配置されているまたプローブ当て部４０，４
２はプローブ当接に充分な広さ（例えば100μm×
100μm）となつている。
このテストパターン１８は、エツチング終了点
及び共通バイアス薄膜導線とMR素子２０との間
の絶縁確認用として用いられる。すなわち、蒸着
された薄膜をエツチングして共通バイアス線２８
を形成するときに、プローブ当て部４２へ図示さ
れない抵抗測定器のプローブを当接させて導線部
３８の抵抗を測定する。エツチングの処理が進む
に従つて抵抗値が減少していくので、この抵抗値
を読取ることによつてエツチング終了点を確認す
ることができる。また、MR素子２０の形成後に
おいて、ブロープ当て部４２の上部の絶縁膜３０
をエツチングして除き、窓４４を形成する。次い
で、プローブ当て部４０と４２の間の抵抗値を測
定し、導線部３６と３８の間が絶縁不良でないか
否かを検査する。
及び共通バイアス薄膜導線とMR素子２０との間
の絶縁確認用として用いられる。すなわち、蒸着
された薄膜をエツチングして共通バイアス線２８
を形成するときに、プローブ当て部４２へ図示さ
れない抵抗測定器のプローブを当接させて導線部
３８の抵抗を測定する。エツチングの処理が進む
に従つて抵抗値が減少していくので、この抵抗値
を読取ることによつてエツチング終了点を確認す
ることができる。また、MR素子２０の形成後に
おいて、ブロープ当て部４２の上部の絶縁膜３０
をエツチングして除き、窓４４を形成する。次い
で、プローブ当て部４０と４２の間の抵抗値を測
定し、導線部３６と３８の間が絶縁不良でないか
否かを検査する。
このようにして、共通バイアス線２８、MR素
子２０のエツチング終了点及び絶縁不良を間接的
に確認することができる。テストパターン１８は
MR素子２０に近設されているので、正確な確認
を行うことができる。また、薄膜磁気ヘツド１６
自体にはプローブを当てないので、薄膜磁気ヘツ
ド１６はこの確認作業によつて損傷されない。
子２０のエツチング終了点及び絶縁不良を間接的
に確認することができる。テストパターン１８は
MR素子２０に近設されているので、正確な確認
を行うことができる。また、薄膜磁気ヘツド１６
自体にはプローブを当てないので、薄膜磁気ヘツ
ド１６はこの確認作業によつて損傷されない。
次に、第６，７図に従つて本発明の第２実施例
を説明する。この第２実施例では、テストパター
ン１８Ａが薄膜磁気ヘツド１６Ａの領域内（一体
的にウエハ１４から切り取られる範囲内）に形成
されている。また、薄膜磁気ヘツド１６Ａは記録
用電磁誘導型となつている。
を説明する。この第２実施例では、テストパター
ン１８Ａが薄膜磁気ヘツド１６Ａの領域内（一体
的にウエハ１４から切り取られる範囲内）に形成
されている。また、薄膜磁気ヘツド１６Ａは記録
用電磁誘導型となつている。
すなわち、ヘツド素子２０Ａの断面構造は、第
７図に示す如く、ウエハ１４の上面２６Ａへ、共
通バイアス線２８Ａ、絶縁膜３０Ａが配設されて
いる。絶縁膜３０Ａの上面には磁性膜であるヨー
ク４６が配設されている。このヨーク４６は一部
がウエハ１４と接続され、軟磁性材であるウエハ
１４とともに磁気回路を構成している。前記絶縁
膜３０Ａには薄膜巻線４８，５０が異なる層とし
て埋設されている。この薄膜巻線４８，５０は１
個のコイルを構成していて、ウエハ１４とヨーク
４６内に磁束を発生させるようになつている。テ
ープ摺接面２４Ｂ側のウエハ１４とヨーク４６の
間は磁気キヤツプとなつており、磁気ループの磁
束が磁気テープを貫通するようなつている。
７図に示す如く、ウエハ１４の上面２６Ａへ、共
通バイアス線２８Ａ、絶縁膜３０Ａが配設されて
いる。絶縁膜３０Ａの上面には磁性膜であるヨー
ク４６が配設されている。このヨーク４６は一部
がウエハ１４と接続され、軟磁性材であるウエハ
１４とともに磁気回路を構成している。前記絶縁
膜３０Ａには薄膜巻線４８，５０が異なる層とし
て埋設されている。この薄膜巻線４８，５０は１
個のコイルを構成していて、ウエハ１４とヨーク
４６内に磁束を発生させるようになつている。テ
ープ摺接面２４Ｂ側のウエハ１４とヨーク４６の
間は磁気キヤツプとなつており、磁気ループの磁
束が磁気テープを貫通するようなつている。
したがつて、テープ摺接面２４Ｂへ磁気テープ
を当接走行させ、薄膜巻線４８，５０へ信号電流
を流すと磁気テープへ信号が磁気的に記録される
ようになつている。
を当接走行させ、薄膜巻線４８，５０へ信号電流
を流すと磁気テープへ信号が磁気的に記録される
ようになつている。
なお、ヨーク４６の上面には保護膜３４Ａが被
膜されている。
膜されている。
テストパターン１８Ａは、第６図に示す如く、
導線部５２，５４が薄膜巻線４８と同一層に、導
線部５６，５８が薄膜巻線５０と同一層に形成さ
れている。導線部５２，５４，５６，５８の各両
端にはプローブ当て部６０，６２，６４，６８が
各導線部と同一の層へ形成されている。各導線部
はコ字状で、導線部５４と５８はクロス部７０，
７２を有している。また、上層と下層の隣り合う
導線部の辺がウエハ上方から見た場合に、一致す
る部分を有するように配置されている。したがつ
て、絶縁不良や断線が最も生じやすい条件となつ
ており、ヘツド素子２０Ａの絶縁不良や断線の間
接的な確認を厳密に行うことが可能となつてい
る。他の点については第１実施例の場合と同様で
ある。
導線部５２，５４が薄膜巻線４８と同一層に、導
線部５６，５８が薄膜巻線５０と同一層に形成さ
れている。導線部５２，５４，５６，５８の各両
端にはプローブ当て部６０，６２，６４，６８が
各導線部と同一の層へ形成されている。各導線部
はコ字状で、導線部５４と５８はクロス部７０，
７２を有している。また、上層と下層の隣り合う
導線部の辺がウエハ上方から見た場合に、一致す
る部分を有するように配置されている。したがつ
て、絶縁不良や断線が最も生じやすい条件となつ
ており、ヘツド素子２０Ａの絶縁不良や断線の間
接的な確認を厳密に行うことが可能となつてい
る。他の点については第１実施例の場合と同様で
ある。
次に、第８図に従つて本発明の第３実施例を説
明する。この第３実施例では、テストパターン１
８Ｃが薄膜磁気ヘツドと独立した領域（例えば第
３図の斜線部）へ形成されている。
明する。この第３実施例では、テストパターン１
８Ｃが薄膜磁気ヘツドと独立した領域（例えば第
３図の斜線部）へ形成されている。
第１導体層（例えば第７図の４８に相当する
層）には導線部７４〜８２及びこれらの両端部に
形成されるプローブ当て部８４Ａ〜８８Ａ，８４
Ｂ〜８８Ｂが配設されている。また、第２導体層
（例えば第７図の５０に相当する層）には導線部
９４〜９８及びこれらの両端部に形成されるプロ
ーブ当て部１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１１
０Ｂが配設されている。各導線部は略Ｓ字状とな
つており、その線幅７４から７８へと順次狭くな
つている。また導線部９４〜９８は導線部７４〜
７８を90度回転移動させた形状となつており、互
いにクロスするように配置されている。したがつ
て、線幅の異なる導線のクロス部分が多種類形成
され、どのような条件下で断線や絶縁不良が生じ
ているかをも確認することが可能となつている。
また、クロス部分が多数個形成されているので、
ヘツド素子での断線等の間接的検出をより正確に
行うことができるようになつている。さらに、線
幅が順次狭くなつているので、エツチング終了点
をより正確に確認可能となつている。
層）には導線部７４〜８２及びこれらの両端部に
形成されるプローブ当て部８４Ａ〜８８Ａ，８４
Ｂ〜８８Ｂが配設されている。また、第２導体層
（例えば第７図の５０に相当する層）には導線部
９４〜９８及びこれらの両端部に形成されるプロ
ーブ当て部１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１１
０Ｂが配設されている。各導線部は略Ｓ字状とな
つており、その線幅７４から７８へと順次狭くな
つている。また導線部９４〜９８は導線部７４〜
７８を90度回転移動させた形状となつており、互
いにクロスするように配置されている。したがつ
て、線幅の異なる導線のクロス部分が多種類形成
され、どのような条件下で断線や絶縁不良が生じ
ているかをも確認することが可能となつている。
また、クロス部分が多数個形成されているので、
ヘツド素子での断線等の間接的検出をより正確に
行うことができるようになつている。さらに、線
幅が順次狭くなつているので、エツチング終了点
をより正確に確認可能となつている。
なお、抵抗の測定は、層間についてはすべての
組合せについて行い、同一層のものについては各
導線部及び隣り合う導線部の間について行う（例
えば８４Ａと１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１
１０Ｂの間、８４Ａと８４Ｂの間、８４Ａと８６
Ａの間、８４Ａと８６Ｂの間等）。
組合せについて行い、同一層のものについては各
導線部及び隣り合う導線部の間について行う（例
えば８４Ａと１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１
１０Ｂの間、８４Ａと８４Ｂの間、８４Ａと８６
Ａの間、８４Ａと８６Ｂの間等）。
便宜上２層の場合を説明したが、薄膜磁気ヘツ
ドを構成する各導体層に対応した導体層に導線部
及びプローブ当て部を形成した構造であつてもよ
い。
ドを構成する各導体層に対応した導体層に導線部
及びプローブ当て部を形成した構造であつてもよ
い。
本発明に係る薄膜磁気ヘツド用テストパターン
では、薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ薄
膜磁気ヘツドの導体層に対応した導体層がエツチ
ングされてテストパターンが形成されるようにな
つており、このテストパターンの導線部の抵抗を
測定することによりヘツド素子の断線、絶縁不良
又はエツチング終了点を間接的に、薄膜磁気ヘツ
ドを損傷することなく、しかも正確に確認するこ
とが可能となつている。また、従来例の如く別個
のモニターを用いる必要がなく、かつ、薄膜磁気
ヘツドの製造工程中において容易に形成すること
ができるという優れた効果を有する。
では、薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ薄
膜磁気ヘツドの導体層に対応した導体層がエツチ
ングされてテストパターンが形成されるようにな
つており、このテストパターンの導線部の抵抗を
測定することによりヘツド素子の断線、絶縁不良
又はエツチング終了点を間接的に、薄膜磁気ヘツ
ドを損傷することなく、しかも正確に確認するこ
とが可能となつている。また、従来例の如く別個
のモニターを用いる必要がなく、かつ、薄膜磁気
ヘツドの製造工程中において容易に形成すること
ができるという優れた効果を有する。
第１図は薄膜導線のクロス部分を示す正面図、
第２図は第１図の−線断面図、第３図は本発
明の実施例に係る薄膜磁気ヘツド用テストパター
ンの配置の説明図、第４図は本発明の第１実施例
を示す一部省略正面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ
線断面拡大図、第６図は本発明の第２実施例に係
る正面図、第７図は第６図の−線断面拡大
図、第８図は本発明の第３実施例を示す正面図で
ある。 １０，１２……薄膜導線、１４……ウエハ、１
６，１６Ａ……薄膜磁気ヘツド、１８，１８Ａ，
１８Ｂ，１８Ｃ……テストパターン、２８……共
通バイアス線、３０……絶縁膜、３６，３８，５
２〜５８，７４〜７８，９４〜９８……導線部、
４０，４２，６０〜６８，８４Ａ〜８８Ａ，８４
Ｂ〜８８Ｂ，１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１
１０Ｂ……プローブ当て部。
第２図は第１図の−線断面図、第３図は本発
明の実施例に係る薄膜磁気ヘツド用テストパター
ンの配置の説明図、第４図は本発明の第１実施例
を示す一部省略正面図、第５図は第４図のＶ−Ｖ
線断面拡大図、第６図は本発明の第２実施例に係
る正面図、第７図は第６図の−線断面拡大
図、第８図は本発明の第３実施例を示す正面図で
ある。 １０，１２……薄膜導線、１４……ウエハ、１
６，１６Ａ……薄膜磁気ヘツド、１８，１８Ａ，
１８Ｂ，１８Ｃ……テストパターン、２８……共
通バイアス線、３０……絶縁膜、３６，３８，５
２〜５８，７４〜７８，９４〜９８……導線部、
４０，４２，６０〜６８，８４Ａ〜８８Ａ，８４
Ｂ〜８８Ｂ，１０６Ａ〜１１０Ａ，１０６Ｂ〜１
１０Ｂ……プローブ当て部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ前記
薄膜磁気ヘツドの導体層に対応した導体層がエツ
チングされて形成されるテストパターンを有し、
該テストパターンは二つの導線部と、該導線部の
各々の端部に形成されるプローブ当て部と、を有
することを特徴とする薄膜磁気ヘツド用テストパ
ターン。 ２ 薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ前記
薄膜磁気ヘツドの複数の導体層の各々に対応した
導体層がエツチングされて形成されるテストパタ
ーンを有することを特徴とする特許請求の範囲第
一項記載の薄膜磁気ヘツド用テストパターン。 ３ 前記導体層において、第一の導体層と対応す
るテストパターンの第一の導線部と、第二の導体
層に対応するテストパターンの第二の導線部が交
差していることを特徴とする特許請求の範囲第二
項記載の薄膜磁気ヘツド用テストパターン。 ４ 前記テストパターンの各プローブ当て部を接
続する導線部は一方のプローブ当て部から他方の
プローブ当て部に行くに従い、順次線幅が狭く、
且つ略Ｓ字状に形成されることを特徴とする特許
請求の範囲第三項記載の薄膜磁気ヘツド用テスト
パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154984A JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154984A JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226009A JPS60226009A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0447888B2 true JPH0447888B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=13749371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8154984A Granted JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226009A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003127A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Coulisse a tete magnetique et entrainement de support d'enregistrement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108728A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 成膜終点検知方法 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP8154984A patent/JPS60226009A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108728A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 成膜終点検知方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60226009A (ja) | 1985-11-11 |
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