JPH0447888B2 - - Google Patents

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JPH0447888B2
JPH0447888B2 JP59081549A JP8154984A JPH0447888B2 JP H0447888 B2 JPH0447888 B2 JP H0447888B2 JP 59081549 A JP59081549 A JP 59081549A JP 8154984 A JP8154984 A JP 8154984A JP H0447888 B2 JPH0447888 B2 JP H0447888B2
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thin film
test pattern
magnetic head
film magnetic
conductor
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JP59081549A
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JPS60226009A (ja
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Hideo Kato
Tomomi Matsumura
Hirochika Nagumo
Hiroichi Iida
Tatsuo Shimizu
Kazuo Odaka
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Kenwood KK
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Kenwood KK
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    • G11B5/3109Details
    • G11B5/313Disposition of layers
    • G11B5/3133Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
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    • G11B5/3166Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed

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  • Magnetic Heads (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に情報を記録し又は再
生する多トラツク型の薄膜磁気ヘツドの層間絶縁
等の確認用として用いられる薄膜磁気ヘツド用テ
ストパターンに関する。
〔背景技術〕
薄膜磁気ヘツドを構成するヘツド素子は物理的
蒸着法等を用いて基材となるウエハ上に複数素子
形成される。この際、通常、複数枚のウエハが同
時に処理されるため、ウエハの位置あるいはウエ
ハ上の素子の位置によつて、各素子を形成する薄
膜の厚さにバラツキが生ずる。
また薄膜磁気ヘツドでは、絶縁層や導体層が何
層にも積み重なつており、例えば第1,2図に示
す様に薄膜導線10,12のクロス部分等で段差
が生ずる。
この様な膜厚のバラツキおよび段差により、薄
膜導線間の絶縁が不充分となつて絶縁破壊や断線
が発生する。これら絶縁破壊や断線は理論的には
各導線間の抵抗を測定することにより検出するこ
とが可能である。しかしながら、実際にはプロー
ブを微細な薄膜導線に当接させることは困難であ
り、また、プローブの当接によつて薄膜に傷がつ
くことにもなる。
さらに、配線パターンは一般にイオンビームエ
ツチング法によりエツチングされるが、選択性エ
ツチングでない為、配線の下層の絶縁膜をもエツ
チングしてしまうことがある。このため、従来で
はモニタ用としてガラス板等の透明基板上に実物
と同じ導体層を蒸着させ、これを目視によりモニ
タリングしながら実物のエツチング終了点の確認
を行つていたが、この方法ではモニタ用基板を別
個に必要とするため、コストおよび作業効率とい
う点で問題があつた。
さらに、薄膜導体の段差部の状態を走査顕微鏡
で調べる場合、適当な段差部をカツトして断面を
形成する必要があるが、薄膜磁気ヘツドが微細構
造であるために当該作業が容易でない。
〔発明の目的〕
本発明は上記事実を考慮し、ヘツド素子を傷つ
けることなく、かつ、容易に導体層間の絶縁不良
を検査することができ、しかも、別個のモニタ用
を用いることなくエツチング終了点を確認するこ
とができ、さらに薄膜導体の段差部の状態を調べ
ることが容易な薄膜磁気ヘツド用テストパターン
を得ることが目的である。
〔発明の要旨〕
本発明に係る薄膜磁気ヘツド用テストパターン
は、基材となるウエハ上に薄膜磁気ヘツド素子を
形成する過程において、同時に、テストパターン
も形成するものである。このテストパターンは、
薄膜磁気ヘツドの導線を構成する蒸着された導体
層に相当する導体層がエツチングにより形成さ
れ、さらに導線部と、導線部の端部にプローブ当
て部を設けている。
このプローブ当て部へプローブを当てて抵抗を
測定することにより、薄膜導線の層間絶縁不良、
断線及びエツチング終了点等を確認することが可
能となる。
〔発明の実施例〕
第3図は本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘツド
用テストパターンが形成されるウエハ上の位置を
説明するためのものである。ウエハ14は例えば
フエライト等の非導電性の軟磁性材料であり、こ
の上面には複数個のPCMテープレコーダ用多ト
ラツク型薄膜磁気ヘツド16がマトリツクス状に
形成されており、各薄膜磁気ヘツド16の領域内
もしくはその付近又は独立した領域(例えば第3
図斜線部分)へテストパターンが形成される。ウ
エハ14は薄膜磁気ヘツド16が形成された後に
各ヘツドが切り取られて図示されないヘツドホル
ダーへ装着されることになる。
第4図には第1実施例が示されており、薄膜磁
気ヘツド16の領域付近へテストパターン18が
形成されている。
この薄膜磁気ヘツド16は再生用の複数個の磁
気抵抗素子(以下MR素子)20が並設されてお
り、磁気テープ上の各トラツクに対応している。
各MR素子20には薄膜リード線22が接続され
ている。このような薄膜磁気ヘツド16の断面構
造を説明すると、第5図に示す如く、ウエハ14
の上面26へ帯状の共通バイアス線28がテープ
摺接面24Aに沿つて蒸着され、複数個のMR素
子20に対する磁気バイアス用となつている。共
通バイアス線28は絶縁膜30(例えばアルミ
ナ)で被膜され、MR素子20(例えばNi−Fe
合金)が蒸着された後、前記と同質の絶縁膜30
で被膜されている。すなわち、MR素子20が絶
縁膜30の中に埋設され、共通バイアス線28と
絶縁されている。絶縁膜30の上面には、共通バ
イアス線28と平行状に帯状の磁気シールド膜3
2が蒸着されており、各MR素子20の分解能向
上用となつている。磁気シールド膜32は磁性体
(例えばパーマロイ)である。磁気シールド膜3
2の上面は保護膜34(例えばアルミナ)で被膜
される構造となつている。
これに対してテストパターン18は、第4図に
示す如く、導線部36,38及びこれらの両端部
に形成されるプローブ当て部40,42を有して
いる。導線部38、プローブ当て部42、及び導
線部36、プローブ当て部40は、それぞれ第5
図に示す共通バイアス薄膜導線28、MR素子2
0と同一層かつ同一材料となつており、これらと
同時に形成される。導線部36と38は細線で平
行状になつており、導線部38の真上に導線部3
6が配置されているまたプローブ当て部40,4
2はプローブ当接に充分な広さ(例えば100μm×
100μm)となつている。
このテストパターン18は、エツチング終了点
及び共通バイアス薄膜導線とMR素子20との間
の絶縁確認用として用いられる。すなわち、蒸着
された薄膜をエツチングして共通バイアス線28
を形成するときに、プローブ当て部42へ図示さ
れない抵抗測定器のプローブを当接させて導線部
38の抵抗を測定する。エツチングの処理が進む
に従つて抵抗値が減少していくので、この抵抗値
を読取ることによつてエツチング終了点を確認す
ることができる。また、MR素子20の形成後に
おいて、ブロープ当て部42の上部の絶縁膜30
をエツチングして除き、窓44を形成する。次い
で、プローブ当て部40と42の間の抵抗値を測
定し、導線部36と38の間が絶縁不良でないか
否かを検査する。
このようにして、共通バイアス線28、MR素
子20のエツチング終了点及び絶縁不良を間接的
に確認することができる。テストパターン18は
MR素子20に近設されているので、正確な確認
を行うことができる。また、薄膜磁気ヘツド16
自体にはプローブを当てないので、薄膜磁気ヘツ
ド16はこの確認作業によつて損傷されない。
次に、第6,7図に従つて本発明の第2実施例
を説明する。この第2実施例では、テストパター
ン18Aが薄膜磁気ヘツド16Aの領域内(一体
的にウエハ14から切り取られる範囲内)に形成
されている。また、薄膜磁気ヘツド16Aは記録
用電磁誘導型となつている。
すなわち、ヘツド素子20Aの断面構造は、第
7図に示す如く、ウエハ14の上面26Aへ、共
通バイアス線28A、絶縁膜30Aが配設されて
いる。絶縁膜30Aの上面には磁性膜であるヨー
ク46が配設されている。このヨーク46は一部
がウエハ14と接続され、軟磁性材であるウエハ
14とともに磁気回路を構成している。前記絶縁
膜30Aには薄膜巻線48,50が異なる層とし
て埋設されている。この薄膜巻線48,50は1
個のコイルを構成していて、ウエハ14とヨーク
46内に磁束を発生させるようになつている。テ
ープ摺接面24B側のウエハ14とヨーク46の
間は磁気キヤツプとなつており、磁気ループの磁
束が磁気テープを貫通するようなつている。
したがつて、テープ摺接面24Bへ磁気テープ
を当接走行させ、薄膜巻線48,50へ信号電流
を流すと磁気テープへ信号が磁気的に記録される
ようになつている。
なお、ヨーク46の上面には保護膜34Aが被
膜されている。
テストパターン18Aは、第6図に示す如く、
導線部52,54が薄膜巻線48と同一層に、導
線部56,58が薄膜巻線50と同一層に形成さ
れている。導線部52,54,56,58の各両
端にはプローブ当て部60,62,64,68が
各導線部と同一の層へ形成されている。各導線部
はコ字状で、導線部54と58はクロス部70,
72を有している。また、上層と下層の隣り合う
導線部の辺がウエハ上方から見た場合に、一致す
る部分を有するように配置されている。したがつ
て、絶縁不良や断線が最も生じやすい条件となつ
ており、ヘツド素子20Aの絶縁不良や断線の間
接的な確認を厳密に行うことが可能となつてい
る。他の点については第1実施例の場合と同様で
ある。
次に、第8図に従つて本発明の第3実施例を説
明する。この第3実施例では、テストパターン1
8Cが薄膜磁気ヘツドと独立した領域(例えば第
3図の斜線部)へ形成されている。
第1導体層(例えば第7図の48に相当する
層)には導線部74〜82及びこれらの両端部に
形成されるプローブ当て部84A〜88A,84
B〜88Bが配設されている。また、第2導体層
(例えば第7図の50に相当する層)には導線部
94〜98及びこれらの両端部に形成されるプロ
ーブ当て部106A〜110A,106B〜11
0Bが配設されている。各導線部は略S字状とな
つており、その線幅74から78へと順次狭くな
つている。また導線部94〜98は導線部74〜
78を90度回転移動させた形状となつており、互
いにクロスするように配置されている。したがつ
て、線幅の異なる導線のクロス部分が多種類形成
され、どのような条件下で断線や絶縁不良が生じ
ているかをも確認することが可能となつている。
また、クロス部分が多数個形成されているので、
ヘツド素子での断線等の間接的検出をより正確に
行うことができるようになつている。さらに、線
幅が順次狭くなつているので、エツチング終了点
をより正確に確認可能となつている。
なお、抵抗の測定は、層間についてはすべての
組合せについて行い、同一層のものについては各
導線部及び隣り合う導線部の間について行う(例
えば84Aと106A〜110A,106B〜1
10Bの間、84Aと84Bの間、84Aと86
Aの間、84Aと86Bの間等)。
便宜上2層の場合を説明したが、薄膜磁気ヘツ
ドを構成する各導体層に対応した導体層に導線部
及びプローブ当て部を形成した構造であつてもよ
い。
〔発明の効果〕
本発明に係る薄膜磁気ヘツド用テストパターン
では、薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ薄
膜磁気ヘツドの導体層に対応した導体層がエツチ
ングされてテストパターンが形成されるようにな
つており、このテストパターンの導線部の抵抗を
測定することによりヘツド素子の断線、絶縁不良
又はエツチング終了点を間接的に、薄膜磁気ヘツ
ドを損傷することなく、しかも正確に確認するこ
とが可能となつている。また、従来例の如く別個
のモニターを用いる必要がなく、かつ、薄膜磁気
ヘツドの製造工程中において容易に形成すること
ができるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は薄膜導線のクロス部分を示す正面図、
第2図は第1図の−線断面図、第3図は本発
明の実施例に係る薄膜磁気ヘツド用テストパター
ンの配置の説明図、第4図は本発明の第1実施例
を示す一部省略正面図、第5図は第4図のV−V
線断面拡大図、第6図は本発明の第2実施例に係
る正面図、第7図は第6図の−線断面拡大
図、第8図は本発明の第3実施例を示す正面図で
ある。 10,12……薄膜導線、14……ウエハ、1
6,16A……薄膜磁気ヘツド、18,18A,
18B,18C……テストパターン、28……共
通バイアス線、30……絶縁膜、36,38,5
2〜58,74〜78,94〜98……導線部、
40,42,60〜68,84A〜88A,84
B〜88B,106A〜110A,106B〜1
10B……プローブ当て部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ前記
    薄膜磁気ヘツドの導体層に対応した導体層がエツ
    チングされて形成されるテストパターンを有し、
    該テストパターンは二つの導線部と、該導線部の
    各々の端部に形成されるプローブ当て部と、を有
    することを特徴とする薄膜磁気ヘツド用テストパ
    ターン。 2 薄膜磁気ヘツドが形成されるウエハ上へ前記
    薄膜磁気ヘツドの複数の導体層の各々に対応した
    導体層がエツチングされて形成されるテストパタ
    ーンを有することを特徴とする特許請求の範囲第
    一項記載の薄膜磁気ヘツド用テストパターン。 3 前記導体層において、第一の導体層と対応す
    るテストパターンの第一の導線部と、第二の導体
    層に対応するテストパターンの第二の導線部が交
    差していることを特徴とする特許請求の範囲第二
    項記載の薄膜磁気ヘツド用テストパターン。 4 前記テストパターンの各プローブ当て部を接
    続する導線部は一方のプローブ当て部から他方の
    プローブ当て部に行くに従い、順次線幅が狭く、
    且つ略S字状に形成されることを特徴とする特許
    請求の範囲第三項記載の薄膜磁気ヘツド用テスト
    パターン。
JP8154984A 1984-04-23 1984-04-23 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン Granted JPS60226009A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58108728A (ja) * 1981-12-22 1983-06-28 Fujitsu Ltd 成膜終点検知方法

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