JPS60226009A - 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン - Google Patents
薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ンInfo
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- JPS60226009A JPS60226009A JP8154984A JP8154984A JPS60226009A JP S60226009 A JPS60226009 A JP S60226009A JP 8154984 A JP8154984 A JP 8154984A JP 8154984 A JP8154984 A JP 8154984A JP S60226009 A JPS60226009 A JP S60226009A
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
- G11B5/314—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure where the layers are extra layers normally not provided in the transducing structure, e.g. optical layers
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気記録媒体に情報を記録し又は再生する多
トラツク型の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁等の確認用とし
て用いられる薄膜磁気ヘッド用テストパターンに関する
。
トラツク型の薄膜磁気ヘッドの層間絶縁等の確認用とし
て用いられる薄膜磁気ヘッド用テストパターンに関する
。
薄膜磁気ヘッドを構成するヘッド素子は物理的蒸着法等
を用いて基材となるウエノ・上に複数素子形成される。
を用いて基材となるウエノ・上に複数素子形成される。
この際、通常、複数枚のウェハが同時に処理されるため
、ウエノ・の位置あるいはウェハ上の素子の位置によっ
て、各素子を形成する薄膜の厚さにバラツキが生ずる。
、ウエノ・の位置あるいはウェハ上の素子の位置によっ
て、各素子を形成する薄膜の厚さにバラツキが生ずる。
まえ薄膜磁気ヘッドでは、絶縁層や導体層が何層にも積
み重なっておシ、例えば第１．２図に示す様に薄膜導線
１０．１２のクロス部分等で段差が生ずる。
み重なっておシ、例えば第１．２図に示す様に薄膜導線
１０．１２のクロス部分等で段差が生ずる。
この様な膜厚のバラツキおよび段差によシ、薄膜導線間
の絶縁が不充分となって絶縁破壊や断線が発生する。こ
れら絶縁破壊や断線は理論的には各導線間の抵抗を測定
することにより検出することが可能である。しかしなが
ら、実際にはグローブを微細な薄膜導線に当接させるこ
とは困難であシ、また、グローブの当接によって薄膜に
傷がつくことにもなる。
の絶縁が不充分となって絶縁破壊や断線が発生する。こ
れら絶縁破壊や断線は理論的には各導線間の抵抗を測定
することにより検出することが可能である。しかしなが
ら、実際にはグローブを微細な薄膜導線に当接させるこ
とは困難であシ、また、グローブの当接によって薄膜に
傷がつくことにもなる。
サラに、配線ハターンは一般にイオンビームエツチング
法によシエッチングされるが、選択性エツチングでない
為、配線の下層の絶縁膜をもエツチングしてしまうこと
がある。このため、従来ではモニタ用としてガラス板等
の透明基板上に実物と同じ導体層を蒸着させ、これを目
視によシモニタリングしながら実物のエツチング終了点
の確認を行っていたが、この方法ではモニタ用基板を別
個に必要とするため、コストおよび作業効率という点で
問題があった。
法によシエッチングされるが、選択性エツチングでない
為、配線の下層の絶縁膜をもエツチングしてしまうこと
がある。このため、従来ではモニタ用としてガラス板等
の透明基板上に実物と同じ導体層を蒸着させ、これを目
視によシモニタリングしながら実物のエツチング終了点
の確認を行っていたが、この方法ではモニタ用基板を別
個に必要とするため、コストおよび作業効率という点で
問題があった。
さらに、薄膜導体の段差部の状態を走査顕微鏡で調べる
場合、適当な段差部をカットして断面を形成する必要が
あるが、薄膜磁気ヘッドが微細構造であるために当該作
業が容易でない。
場合、適当な段差部をカットして断面を形成する必要が
あるが、薄膜磁気ヘッドが微細構造であるために当該作
業が容易でない。
本発明は上記事実を考慮し、ヘッド素子を傷つけること
なく、かつ、容易に導体層間の絶縁不良を検査すること
ができ、しかも、別個のモニタ用を用いることなくエツ
チング終了点を確認することができ、さらに薄膜導体の
段差部の状態を調べることが容易な薄膜磁気ヘッド用テ
ストパターンを得ることが目的である。
なく、かつ、容易に導体層間の絶縁不良を検査すること
ができ、しかも、別個のモニタ用を用いることなくエツ
チング終了点を確認することができ、さらに薄膜導体の
段差部の状態を調べることが容易な薄膜磁気ヘッド用テ
ストパターンを得ることが目的である。
〔発明の要旨〕
本発明に係る薄膜磁気ヘッド用テストパターンは、基材
となるウェハ上に薄膜磁気ヘッド素子を形成する過程に
おいて、同時に、テストパターンも形成するものである
。このテストパターンは、薄膜磁気ヘッドの導線を構成
する蒸着された導体層に和尚する導体層がエッチ／グに
よ多形成され、さらに導線部と、導線部の端部にプロー
ブ当て部を設けている。
となるウェハ上に薄膜磁気ヘッド素子を形成する過程に
おいて、同時に、テストパターンも形成するものである
。このテストパターンは、薄膜磁気ヘッドの導線を構成
する蒸着された導体層に和尚する導体層がエッチ／グに
よ多形成され、さらに導線部と、導線部の端部にプロー
ブ当て部を設けている。
このプローブ当て部へプローブを当てて抵抗を測定する
ことによシ、薄膜導線の層間絶縁不良、断線及びエツチ
ング終了点等を確認することが可能となる。
ことによシ、薄膜導線の層間絶縁不良、断線及びエツチ
ング終了点等を確認することが可能となる。
第３図は本発明の実施例に係る薄膜磁気ヘッド用テスト
パターンが形成されるウェハ上の位置を説明するための
ものである。ウェハ１４は例えばフェライト等の非導電
性の軟磁性材料であシ、この上面には複数個のＰＣＭテ
ープレコーダ用多トラック減薄膜磁気ヘッド１６がマト
リックス状に形成されておシ、各薄膜磁気ヘッド１６の
領域内もしくはその付近又は独立し死領域（例えば第３
図斜線部分）へテストパターンが形成される。ウェハ１
４は薄膜磁気ヘッド１６が形成された後に各ヘッドが切
シ取られて図示されないヘッドホルダーへ装着されるこ
とになる。
パターンが形成されるウェハ上の位置を説明するための
ものである。ウェハ１４は例えばフェライト等の非導電
性の軟磁性材料であシ、この上面には複数個のＰＣＭテ
ープレコーダ用多トラック減薄膜磁気ヘッド１６がマト
リックス状に形成されておシ、各薄膜磁気ヘッド１６の
領域内もしくはその付近又は独立し死領域（例えば第３
図斜線部分）へテストパターンが形成される。ウェハ１
４は薄膜磁気ヘッド１６が形成された後に各ヘッドが切
シ取られて図示されないヘッドホルダーへ装着されるこ
とになる。
′ｓ４図には第１実施例が示されてお少、薄膜磁気ヘッ
ド１６の領域付近へテストパターン１８が形成されてい
る。
ド１６の領域付近へテストパターン１８が形成されてい
る。
この薄膜磁気ヘッド１６は再生用の複数個の磁気抵抗素
子（以下ＭＲ素子）２０が並設されておシ、磁気テープ
上の各トラックに対応している。
子（以下ＭＲ素子）２０が並設されておシ、磁気テープ
上の各トラックに対応している。
各ＭＲ素子２０には薄膜リード線２２が接続されている
。このような薄膜磁気ヘッド１６の断面構造を説明する
と、第５図に示す如く、ウエノＳ１４の上面２６へ帯状
の共通バイアス線２８がテープ摺接面２４Ａに沿って蒸
着され、複数個のＭＲ素子２０に対する磁気バイアス用
となっている。共通バイアス線２８は絶縁膜３０（例え
ばアルミナフで被膜され、ＭＲ素子２０（例えばＮｉ−
Ｆｅ合金）が蒸着され死後、前記と同質の絶縁膜３０で
被膜されている。すなわち、ＭＲ素子２０が絶縁膜３０
の中に埋設され一共通バイアス線２８と絶縁されている
。絶縁ｇａｏの上面には、共通バイアス線２８と平行状
に帯状の磁気シールド［３２が蒸着されておシ、各ＭＲ
素子２０の分解能向上用となっている。磁気シールド膜
３２は磁性体（例えばパーマロイ）である。磁気シール
ド膜３２の上面は保護Ｊ［３４（例えばアルミナ）で被
膜される構造となっている。
。このような薄膜磁気ヘッド１６の断面構造を説明する
と、第５図に示す如く、ウエノＳ１４の上面２６へ帯状
の共通バイアス線２８がテープ摺接面２４Ａに沿って蒸
着され、複数個のＭＲ素子２０に対する磁気バイアス用
となっている。共通バイアス線２８は絶縁膜３０（例え
ばアルミナフで被膜され、ＭＲ素子２０（例えばＮｉ−
Ｆｅ合金）が蒸着され死後、前記と同質の絶縁膜３０で
被膜されている。すなわち、ＭＲ素子２０が絶縁膜３０
の中に埋設され一共通バイアス線２８と絶縁されている
。絶縁ｇａｏの上面には、共通バイアス線２８と平行状
に帯状の磁気シールド［３２が蒸着されておシ、各ＭＲ
素子２０の分解能向上用となっている。磁気シールド膜
３２は磁性体（例えばパーマロイ）である。磁気シール
ド膜３２の上面は保護Ｊ［３４（例えばアルミナ）で被
膜される構造となっている。
これに対してテストパターン１８は、第４図に示す如く
、導線部３６．３８及びこれらの両端部（二形成される
プローブ当て部４０．４２を有している。導線部３８、
プローブ当て部４２、及び導線部３６、グローブ当て部
４０は、それぞれ第５図１−示す共通バイアス薄膜導線
２８、ＭＲ索子２゜と同一層かつ同一材料となっておシ
、これらと同時に形成、される。導線部３６と３８は細
線で平行状書ニなっており、導線部３８の真上に導線部
３６が配置されているまたプローブ当て部４０．４２は
グローブ当接に充分な広さく例えば１００ ａｍＸ１０
０＃ｍ）となっている。
、導線部３６．３８及びこれらの両端部（二形成される
プローブ当て部４０．４２を有している。導線部３８、
プローブ当て部４２、及び導線部３６、グローブ当て部
４０は、それぞれ第５図１−示す共通バイアス薄膜導線
２８、ＭＲ索子２゜と同一層かつ同一材料となっておシ
、これらと同時に形成、される。導線部３６と３８は細
線で平行状書ニなっており、導線部３８の真上に導線部
３６が配置されているまたプローブ当て部４０．４２は
グローブ当接に充分な広さく例えば１００ ａｍＸ１０
０＃ｍ）となっている。
このテストパターン１８は、エツチング終了点及び共通
バイアス薄膜導線とＭＲ素子２０との間の絶縁確認用と
して用いられる。すなわち、蒸着された薄膜をエツチン
グして共通バイアス線２８を形成するときに、グローブ
当て部４２へ図示されない抵抗測定器のプローブを当接
させて導線部３８の抵抗を測定する。エツチングの処理
が進むに従って抵抗値が減少していくので、この抵抗値
を読取ることによってエツチング終了点を確認すること
ができる。また、ＭＲ素子２０の形成後において、プロ
ーブ当て部４２の上部の絶縁膜３０をエツチングして除
き、窓４４を形成する。次いで、プローブ当て部４０と
４２の間の抵抗値を測定し、導線部３６と３８の間が絶
縁不良でないか否かを検査する。
バイアス薄膜導線とＭＲ素子２０との間の絶縁確認用と
して用いられる。すなわち、蒸着された薄膜をエツチン
グして共通バイアス線２８を形成するときに、グローブ
当て部４２へ図示されない抵抗測定器のプローブを当接
させて導線部３８の抵抗を測定する。エツチングの処理
が進むに従って抵抗値が減少していくので、この抵抗値
を読取ることによってエツチング終了点を確認すること
ができる。また、ＭＲ素子２０の形成後において、プロ
ーブ当て部４２の上部の絶縁膜３０をエツチングして除
き、窓４４を形成する。次いで、プローブ当て部４０と
４２の間の抵抗値を測定し、導線部３６と３８の間が絶
縁不良でないか否かを検査する。
このようにして、共通バイアス＃２８、ＭＲ素子２０の
エツチング終了点及び絶縁不良を間接的に確認すること
ができる。テストパターン１８はＭＲ素子２０に近設さ
れているので、正確な確認を行うことができる。また、
薄膜磁気ヘッド１６自体にはグローブを当てないので、
薄膜磁気ヘッド１６はこの確認作業によって損傷されな
い。
エツチング終了点及び絶縁不良を間接的に確認すること
ができる。テストパターン１８はＭＲ素子２０に近設さ
れているので、正確な確認を行うことができる。また、
薄膜磁気ヘッド１６自体にはグローブを当てないので、
薄膜磁気ヘッド１６はこの確認作業によって損傷されな
い。
次に、第６．７図に従って本発明の第２実施例を説明す
る。この第２実施例では、テストノくターン１８Ａが薄
膜磁気ヘッド１６Ａの領域内（一体的にフェノ・１４か
ら切シ取られる範囲内）に形成されている。また、薄膜
磁気ヘッド１６Ａは記録用電磁誘導型となっている。
る。この第２実施例では、テストノくターン１８Ａが薄
膜磁気ヘッド１６Ａの領域内（一体的にフェノ・１４か
ら切シ取られる範囲内）に形成されている。また、薄膜
磁気ヘッド１６Ａは記録用電磁誘導型となっている。
すなわち、ヘッド素子２０Ａの断面構造は、第７図に示
す如く、ウェハ１４の上面２６Ａへ、共通バイアス線２
８人、絶縁膜３０Ａが配設されている。絶縁膜３０Ａの
上面には磁性膜であるヨーク４６が配設されている。こ
のヨーク４６は一部がウェハ１４と接続され、軟磁性材
であるフェノ・１４とともに磁気回路を構成している。
す如く、ウェハ１４の上面２６Ａへ、共通バイアス線２
８人、絶縁膜３０Ａが配設されている。絶縁膜３０Ａの
上面には磁性膜であるヨーク４６が配設されている。こ
のヨーク４６は一部がウェハ１４と接続され、軟磁性材
であるフェノ・１４とともに磁気回路を構成している。
前記絶縁膜３０Ａには薄膜巻線４８．５０が異なる層と
して埋設されている。この薄膜巻線４８．５０は１個の
コイルを構成していて、ウェハ１４とヨーク４６内に磁
束を発生させるようになっている。テープ摺接面２４Ｂ
側のウェハ１４とヨーク４６の間は磁気ギャップとなっ
ており、磁気ループの磁束が磁気テープを貫通するよう
に々っている。
して埋設されている。この薄膜巻線４８．５０は１個の
コイルを構成していて、ウェハ１４とヨーク４６内に磁
束を発生させるようになっている。テープ摺接面２４Ｂ
側のウェハ１４とヨーク４６の間は磁気ギャップとなっ
ており、磁気ループの磁束が磁気テープを貫通するよう
に々っている。
したがって、テープ摺接面２４Ｂへ磁気テープな当接走
行させ、薄膜巻線４８．５０へ信号電流を流すと磁気テ
ープへ信号が磁気的に記録されるようになっている。
行させ、薄膜巻線４８．５０へ信号電流を流すと磁気テ
ープへ信号が磁気的に記録されるようになっている。
なお、ヨーク４６の上面には保護膜３４Ａが被膜されて
いる。
いる。
テストパターン１８Ａは、第６図に示す如く、導線部５
２．５４が薄膜巻線４８と同一層に、導線部５６．５８
が薄膜巻線５０と同一層は形成されている。導線部５２
，５４，５６．５８の各両端にはプローブ当て部６０．
６２．６４．６８が各導線部と同一の層へ形成されてい
る。各導線部はコ字状で、導線部５４と５８はり日ス部
７０゜７２を有している。また、上層と下層の隣シ合う
導線部の辺がウェハ上方から見た場合に、一致する部分
を有するように配置されている。したがって、絶縁不良
や断線が最も生じやすい条件となっておシ、ヘッド素子
２０Ａの絶縁不良や断線の間鉢酷も肱四ル番索ｌ−餌へ
とＬ礒！面韻ふうつイ１へスー他の点については第１実
施例の場合と同様である。
２．５４が薄膜巻線４８と同一層に、導線部５６．５８
が薄膜巻線５０と同一層は形成されている。導線部５２
，５４，５６．５８の各両端にはプローブ当て部６０．
６２．６４．６８が各導線部と同一の層へ形成されてい
る。各導線部はコ字状で、導線部５４と５８はり日ス部
７０゜７２を有している。また、上層と下層の隣シ合う
導線部の辺がウェハ上方から見た場合に、一致する部分
を有するように配置されている。したがって、絶縁不良
や断線が最も生じやすい条件となっておシ、ヘッド素子
２０Ａの絶縁不良や断線の間鉢酷も肱四ル番索ｌ−餌へ
とＬ礒！面韻ふうつイ１へスー他の点については第１実
施例の場合と同様である。
次国、第８図に従って本発明の第３実施例を説明する。
この第３実施例では、テストパターン１８Ｃが薄膜磁気
ヘッドと独立した領域（例えば第１図の斜線部）へ形成
されている。
ヘッドと独立した領域（例えば第１図の斜線部）へ形成
されている。
第１導体層（例えば第７図の４８に相当する層）には導
線部７４〜８２及びこれらの両端部に形成されるプロー
ブ当て部８４Ａ〜８８Ａ、８４Ｂ〜８８Ｂが配設されて
いる。ま九、第２導体層（例えば第７図の５０に相当す
る層）には導線部９４〜９８及びこれらの両端部に形成
されるプローブ当て部１０６Ａ〜ｌｌ０Ａ、１０６Ｂ〜
１１０Ｂが配設されている。各導線部は略Ｓ字状となっ
ておシ、その線幅は７４から７８へと順次狭くなってい
る。また導線部９４〜９８は導線部７４〜７８を９０度
何回転動させ丸形状となってシシ、互いにクロスするよ
うに配置されている。したがって、線幅の異なる導線の
クロス部分が多種類形成され、どのような条件下で断線
や絶縁不良が生じているかをも確認することが可能とな
っている。また、クロス部分が多数個形成されているの
で、ヘッド素子での断線等の間接的検出をより正確に行
うことができるようになっている７、さらに、線幅が順
次狭くなっているので、エツチング終了点をよシ正確に
確認可能となっている。
線部７４〜８２及びこれらの両端部に形成されるプロー
ブ当て部８４Ａ〜８８Ａ、８４Ｂ〜８８Ｂが配設されて
いる。ま九、第２導体層（例えば第７図の５０に相当す
る層）には導線部９４〜９８及びこれらの両端部に形成
されるプローブ当て部１０６Ａ〜ｌｌ０Ａ、１０６Ｂ〜
１１０Ｂが配設されている。各導線部は略Ｓ字状となっ
ておシ、その線幅は７４から７８へと順次狭くなってい
る。また導線部９４〜９８は導線部７４〜７８を９０度
何回転動させ丸形状となってシシ、互いにクロスするよ
うに配置されている。したがって、線幅の異なる導線の
クロス部分が多種類形成され、どのような条件下で断線
や絶縁不良が生じているかをも確認することが可能とな
っている。また、クロス部分が多数個形成されているの
で、ヘッド素子での断線等の間接的検出をより正確に行
うことができるようになっている７、さらに、線幅が順
次狭くなっているので、エツチング終了点をよシ正確に
確認可能となっている。
なお、抵抗の測定は、層間についてはすべての組合せに
ついて行い、同一層のものについては各導線部及び隣シ
合う導線部の間について行う（例えば８４Ａと１０６Ａ
−１１ＯＡ、１０６Ｂ〜１１０Ｂの間、８４Ａと８４Ｂ
の間、８４Ａと８６Ａの間、８４Ａと８６Ｂの間等）。
ついて行い、同一層のものについては各導線部及び隣シ
合う導線部の間について行う（例えば８４Ａと１０６Ａ
−１１ＯＡ、１０６Ｂ〜１１０Ｂの間、８４Ａと８４Ｂ
の間、８４Ａと８６Ａの間、８４Ａと８６Ｂの間等）。
便宜上２層の場合を説明したが、薄膜磁気ヘッドを構成
する各導体層に対応した導体層に導線部及びプローブ当
て部を形成した構造であってもよ〔発明の効果〕 本発明に係る薄膜磁気ヘッド用テストパターンでは、薄
膜磁気ヘッドが形成されるウェハ上へ薄膜磁気ヘッドの
導体層に対応した導体層がエッチ、イ（−されてテスト
パターンが形成されるように鼾つており、このテストパ
ターンの導線部の抵抗を測定することによシヘッド素子
の断線、絶縁不良又はエツチング終了点を間接的に、薄
膜磁気ヘッドを損傷することなく、しかも正確に確認す
ることが可能となっている。また、従来例の如く別個の
モニターを用いる必要がなく、かつ、薄膜磁気ヘッドの
製造工程中において容易に形成することができるという
優れた効果を有する。
する各導体層に対応した導体層に導線部及びプローブ当
て部を形成した構造であってもよ〔発明の効果〕 本発明に係る薄膜磁気ヘッド用テストパターンでは、薄
膜磁気ヘッドが形成されるウェハ上へ薄膜磁気ヘッドの
導体層に対応した導体層がエッチ、イ（−されてテスト
パターンが形成されるように鼾つており、このテストパ
ターンの導線部の抵抗を測定することによシヘッド素子
の断線、絶縁不良又はエツチング終了点を間接的に、薄
膜磁気ヘッドを損傷することなく、しかも正確に確認す
ることが可能となっている。また、従来例の如く別個の
モニターを用いる必要がなく、かつ、薄膜磁気ヘッドの
製造工程中において容易に形成することができるという
優れた効果を有する。
第１図は薄膜導線のクロス部分を示す正面図、第２図は
第１図のＩｆ−１線断面図、第３図は本発明の実施例に
係る薄膜磁気ヘッド用テストパターンの配置の説明図、
第４図は本発明の第１実施例を示す一部省略正面図、第
５図は第４図のｖ−ｖ線断面拡大図、第６図は本発明の
第２実施例に係る正面図、第７図は第６図の■−■線断
面拡大図、第８図は本発明の第３実施例を示す正面図で
ある。 １０．１２・・・薄膜導線、 １４・・・ウェハ、 １
６゜１６Ａ・・・薄膜磁気ヘッド、１８，１８Ａ、１Ｂ
−η、１８Ｃ・・・テストパターン、 ２８・・・共通
バイアス線、 ３０・・・絶縁膜、 ３６，３８．５２
〜５８．７４〜７８．９４〜９８・・・導線部、 ４０
゜４２．６０〜６８．８４Ａ〜８８Ａ、８４Ｂ〜８８Ｂ
、１０６Ａ〜ｌｌ０Ａ、１０６Ｂ〜１１０Ｂ・・・グロ
ーブ当て部。 代理人 弁理士 中 島 淳 第１図 第２図
第１図のＩｆ−１線断面図、第３図は本発明の実施例に
係る薄膜磁気ヘッド用テストパターンの配置の説明図、
第４図は本発明の第１実施例を示す一部省略正面図、第
５図は第４図のｖ−ｖ線断面拡大図、第６図は本発明の
第２実施例に係る正面図、第７図は第６図の■−■線断
面拡大図、第８図は本発明の第３実施例を示す正面図で
ある。 １０．１２・・・薄膜導線、 １４・・・ウェハ、 １
６゜１６Ａ・・・薄膜磁気ヘッド、１８，１８Ａ、１Ｂ
−η、１８Ｃ・・・テストパターン、 ２８・・・共通
バイアス線、 ３０・・・絶縁膜、 ３６，３８．５２
〜５８．７４〜７８．９４〜９８・・・導線部、 ４０
゜４２．６０〜６８．８４Ａ〜８８Ａ、８４Ｂ〜８８Ｂ
、１０６Ａ〜ｌｌ０Ａ、１０６Ｂ〜１１０Ｂ・・・グロ
ーブ当て部。 代理人 弁理士 中 島 淳 第１図 第２図
Claims (1)
- 薄膜磁気ヘッドが形成されるウエノ・上へ薄膜磁気ヘッ
ドの導体層に対応した導体層がエツチングされて形成さ
れるテストパターンを有し、該テストパターンは導線部
と、導線部の端部に形成されるグローブ当て部と、を有
することを特徴とする薄膜磁気ヘッド用テストパターン
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154984A JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8154984A JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226009A true JPS60226009A (ja) | 1985-11-11 |
| JPH0447888B2 JPH0447888B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=13749371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8154984A Granted JPS60226009A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 薄膜磁気ヘツド用テストパタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60226009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003127A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Coulisse a tete magnetique et entrainement de support d'enregistrement |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108728A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 成膜終点検知方法 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP8154984A patent/JPS60226009A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108728A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Fujitsu Ltd | 成膜終点検知方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003127A1 (fr) * | 1999-07-05 | 2001-01-11 | Fujitsu Limited | Coulisse a tete magnetique et entrainement de support d'enregistrement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447888B2 (ja) | 1992-08-05 |
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