JPH0447884B2 - - Google Patents
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- JPH0447884B2 JPH0447884B2 JP59233126A JP23312684A JPH0447884B2 JP H0447884 B2 JPH0447884 B2 JP H0447884B2 JP 59233126 A JP59233126 A JP 59233126A JP 23312684 A JP23312684 A JP 23312684A JP H0447884 B2 JPH0447884 B2 JP H0447884B2
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- JP
- Japan
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- magnetic
- film
- pole
- thin film
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 50
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 25
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気ヘツドを用いた磁気記録装置に係
特に垂直磁気記録装置に好適な媒体下地膜の厚さ
に関するものである。
特に垂直磁気記録装置に好適な媒体下地膜の厚さ
に関するものである。
次世代の磁気記録方式として垂直磁化記録によ
る高記録密度化が有望視されている。この記録媒
体である垂直磁化膜に記録する磁気ヘツドとし
て、当初第４図に示したようなヘツドが考えられ
た。（「高密度磁気記録技術集成」総合技術センタ
ー（1983）参照）第４図において、１は主磁極、
２は補助磁極、３は膜面に垂直方向に磁化容易軸
を有する垂直磁化膜、４は励磁コイルである。こ
の方式において主磁極１と補助磁極２とで作られ
る磁場は、垂直磁化膜３の膜面に垂直な強い成分
を持ち、垂直磁化記録にとつて最も好ましい。し
かしながら、主磁極１と補助磁極２との位置合わ
せが困難であり、また媒体の両側に磁極を配置し
なければならず実用化には適さない。
る高記録密度化が有望視されている。この記録媒
体である垂直磁化膜に記録する磁気ヘツドとし
て、当初第４図に示したようなヘツドが考えられ
た。（「高密度磁気記録技術集成」総合技術センタ
ー（1983）参照）第４図において、１は主磁極、
２は補助磁極、３は膜面に垂直方向に磁化容易軸
を有する垂直磁化膜、４は励磁コイルである。こ
の方式において主磁極１と補助磁極２とで作られ
る磁場は、垂直磁化膜３の膜面に垂直な強い成分
を持ち、垂直磁化記録にとつて最も好ましい。し
かしながら、主磁極１と補助磁極２との位置合わ
せが困難であり、また媒体の両側に磁極を配置し
なければならず実用化には適さない。
第４図を改良して第５図に示したような方式が
考案された。５は高透磁率磁性下地膜、６は非磁
性基板である。補助磁極２に巻いた励磁コイル４
により、主磁極１、高透磁率膜５を磁化し、垂直
磁化膜３に垂直磁場を形成するものである。しか
し、これもまた媒体の両側に磁極を配置しなけれ
ばならず、基板６の厚い、例えばリジツドデイス
クのようなものには適さない。
考案された。５は高透磁率磁性下地膜、６は非磁
性基板である。補助磁極２に巻いた励磁コイル４
により、主磁極１、高透磁率膜５を磁化し、垂直
磁化膜３に垂直磁場を形成するものである。しか
し、これもまた媒体の両側に磁極を配置しなけれ
ばならず、基板６の厚い、例えばリジツドデイス
クのようなものには適さない。
そこで、媒体片側のみに磁極を有する第６図に
示すしたような磁気ヘツドが考案されている。第
６図において７は高透磁率膜５中に発生する反磁
場、８は主磁極１、補助磁極２、高透磁率膜５と
で作られる磁束線、９は垂直磁性膜３中の磁化で
ある。しかしながら、この方式では高透磁率膜５
中に発生する反磁場７のため主磁極下での磁束線
は図のように広がつてしまい、垂直磁化に望まし
い細い強い磁場が得られない。またこの広がる傾
向は垂直性膜３中の磁化が逆向きであることによ
りさらに強くなる。
示すしたような磁気ヘツドが考案されている。第
６図において７は高透磁率膜５中に発生する反磁
場、８は主磁極１、補助磁極２、高透磁率膜５と
で作られる磁束線、９は垂直磁性膜３中の磁化で
ある。しかしながら、この方式では高透磁率膜５
中に発生する反磁場７のため主磁極下での磁束線
は図のように広がつてしまい、垂直磁化に望まし
い細い強い磁場が得られない。またこの広がる傾
向は垂直性膜３中の磁化が逆向きであることによ
りさらに強くなる。
本発明の目的は、高透磁率下地膜を厚くするこ
とにより、主磁極下で細く強い垂直方向の磁場を
得、垂直磁化膜への記録ビツト長を最小限に抑え
高い記録密度を実現するようにしたことにある。
とにより、主磁極下で細く強い垂直方向の磁場を
得、垂直磁化膜への記録ビツト長を最小限に抑え
高い記録密度を実現するようにしたことにある。
本発明は、基板上に高透磁率磁性薄膜を形成
し、その上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ
磁性薄膜を形成し、その膜面に垂直方向に磁化容
易軸を持つ磁性薄膜を磁化するための主磁極を有
する磁気ヘツドと基板駆動機構とを備え付けた垂
直磁気記録装置であつて、高透磁率磁性薄膜の厚
さを高透磁率磁性薄膜と磁気ヘツド主磁極との間
隔の２倍以上にしたことを特徴とするものであ
る。また本発明は上記垂直磁気記録装置におい
て、基板そのものを高透率磁性体とし、高透磁率
磁性薄膜を除去したことを特徴とするものであ
る。
し、その上に膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ
磁性薄膜を形成し、その膜面に垂直方向に磁化容
易軸を持つ磁性薄膜を磁化するための主磁極を有
する磁気ヘツドと基板駆動機構とを備え付けた垂
直磁気記録装置であつて、高透磁率磁性薄膜の厚
さを高透磁率磁性薄膜と磁気ヘツド主磁極との間
隔の２倍以上にしたことを特徴とするものであ
る。また本発明は上記垂直磁気記録装置におい
て、基板そのものを高透率磁性体とし、高透磁率
磁性薄膜を除去したことを特徴とするものであ
る。
また本発明は上記垂直磁気記録装置における磁
気ヘツドとして補助磁極を主磁極と同じ側に設け
たことを特徴とするものである。
気ヘツドとして補助磁極を主磁極と同じ側に設け
たことを特徴とするものである。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて説明
する。
する。
第１図は、高透率下地膜厚を無限大にした場合
を示す。１０は、主磁極１の鏡像である。高透磁
率膜厚を無限大にした場合、主磁極１とその鏡像
１０とによる磁場８が垂直磁化膜３に働らき、第
１図に示した場合と同様、垂直磁化記録にとつて
最も望ましい磁場分布を与えることがわかる。
を示す。１０は、主磁極１の鏡像である。高透磁
率膜厚を無限大にした場合、主磁極１とその鏡像
１０とによる磁場８が垂直磁化膜３に働らき、第
１図に示した場合と同様、垂直磁化記録にとつて
最も望ましい磁場分布を与えることがわかる。
従つて、実際の第６図のような場合における磁
束線の広がりは、高透率下地膜厚が薄いことによ
り発生する反磁場７の効果と考えられる。
束線の広がりは、高透率下地膜厚が薄いことによ
り発生する反磁場７の効果と考えられる。
従つて、この下地膜厚を厚く、さらには基板そ
のものを高透磁率材料で形成することにより、こ
の磁束線の広がりは低減でき、記録密度を向上で
きると考えられる。
のものを高透磁率材料で形成することにより、こ
の磁束線の広がりは低減でき、記録密度を向上で
きると考えられる。
（実施例 １）
第２図は、高透磁率下地膜としてフエライト系
を用い、その膜厚δを変えて周波数特性を測定し
た場合の低周波における出力が50％になる周波数
D50（KFRPI：Flux Reversal／Inchで表わし、
以後記録密度と呼ぶ）との関係を示す。下地膜と
主磁極との距離ｄをパラメータとしてある。図中
矢印はD50が飽和値の80％になる膜厚を示す。右
端の点は基板としてフエライト基板を用いた場合
である。
を用い、その膜厚δを変えて周波数特性を測定し
た場合の低周波における出力が50％になる周波数
D50（KFRPI：Flux Reversal／Inchで表わし、
以後記録密度と呼ぶ）との関係を示す。下地膜と
主磁極との距離ｄをパラメータとしてある。図中
矢印はD50が飽和値の80％になる膜厚を示す。右
端の点は基板としてフエライト基板を用いた場合
である。
詳細な条件は下記の通り。
○ 下地膜：Ni−Zn系フエライト膜（比透磁率
〜200） ○ 垂直磁化膜：Co〜Cr膜0.3μm ○ 磁気ヘツド：パーマロイ薄膜ヘツド、ポール
厚0.3μm（第３図に示したようなタイプ） このように下地膜厚を増加すると記録密度D50
は予想通り著しく向上し飽和する傾向を示すこと
がわかつた。磁気ヘツド浮上量を高めｄを増加す
るとD50の飽和値は減少するが、下地膜の薄いと
ころでの減少の度合の方が大きい。これは磁束線
が、磁気ヘツドの浮上量の大きい時の方が広がり
易くなるためと考えられる。
〜200） ○ 垂直磁化膜：Co〜Cr膜0.3μm ○ 磁気ヘツド：パーマロイ薄膜ヘツド、ポール
厚0.3μm（第３図に示したようなタイプ） このように下地膜厚を増加すると記録密度D50
は予想通り著しく向上し飽和する傾向を示すこと
がわかつた。磁気ヘツド浮上量を高めｄを増加す
るとD50の飽和値は減少するが、下地膜の薄いと
ころでの減少の度合の方が大きい。これは磁束線
が、磁気ヘツドの浮上量の大きい時の方が広がり
易くなるためと考えられる。
一方D50が飽和値の80％になる下地膜厚δと主
磁極−下地膜間隔ｄとの間にはδ／ｄ〜２の関係
があることがわかつた。
磁極−下地膜間隔ｄとの間にはδ／ｄ〜２の関係
があることがわかつた。
（実施例 ２）
第３図は、高透磁率下地膜としてパーマロイ膜
を用いた場合及び、下地膜としてフエライト膜を
用い、磁気ヘツドに主磁極のみとし補助磁極部に
非磁性体を用いた場合の下地膜厚と主磁極−下地
膜間隔との比δ／ｄと記録密度D50との関係を示
す。
を用いた場合及び、下地膜としてフエライト膜を
用い、磁気ヘツドに主磁極のみとし補助磁極部に
非磁性体を用いた場合の下地膜厚と主磁極−下地
膜間隔との比δ／ｄと記録密度D50との関係を示
す。
ｄ＝0.5μmとし、他の条件は実施例１と同様で
ある。
ある。
パーマロイ下地膜の場合、実施例１と同様δ／
ｄが増加すると増加し飽和する。しかしその飽和
値は非常に小さい。これはパーマロイ膜の渦電流
損失によると考えられる。
ｄが増加すると増加し飽和する。しかしその飽和
値は非常に小さい。これはパーマロイ膜の渦電流
損失によると考えられる。
フエライト下地膜と主磁極のみの場合、やはり
実施例１同様にδ／ｄを増加するとD50も増加し
飽和する。このように、主磁極のみでも多少D50
の増加の度合がゆつくりであるが、下地膜が十分
に厚ければ記録密度は補助磁極のある場合と同じ
である。
実施例１同様にδ／ｄを増加するとD50も増加し
飽和する。このように、主磁極のみでも多少D50
の増加の度合がゆつくりであるが、下地膜が十分
に厚ければ記録密度は補助磁極のある場合と同じ
である。
以上実施例により具体的に示したように、高透
磁率下地膜厚を厚くすることにより記録密度向上
の効果がある。
磁率下地膜厚を厚くすることにより記録密度向上
の効果がある。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、下地膜を
厚くすることにより鏡像磁場を有効に活用し、理
想的な細束磁場を得られるので、記録密度をさら
に向上できる効果がある。
厚くすることにより鏡像磁場を有効に活用し、理
想的な細束磁場を得られるので、記録密度をさら
に向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するために主
磁極の鏡像の位置を示す断面図、第２図は下地膜
がフエライトの場合の膜厚と記録密度の関係を示
した図、第３図は下地膜がパーマロイの場合と、
フエライト下地膜で主磁極のみの場合の膜厚と記
録密度の関係を示した図、第４図は理想的な磁気
ヘツドと媒体の配置を示す図、第５図及び第６図
は従来の磁気ヘツドと媒体との配置を示す断面図
である。 １……主磁極、２……補助磁極、３……垂直記
録媒体、４……コイル、５……高透磁率下地膜、
６……基板、７……反磁場、８……磁束線、９…
…媒体内磁化の向き、１０……主磁極の鏡像。
磁極の鏡像の位置を示す断面図、第２図は下地膜
がフエライトの場合の膜厚と記録密度の関係を示
した図、第３図は下地膜がパーマロイの場合と、
フエライト下地膜で主磁極のみの場合の膜厚と記
録密度の関係を示した図、第４図は理想的な磁気
ヘツドと媒体の配置を示す図、第５図及び第６図
は従来の磁気ヘツドと媒体との配置を示す断面図
である。 １……主磁極、２……補助磁極、３……垂直記
録媒体、４……コイル、５……高透磁率下地膜、
６……基板、７……反磁場、８……磁束線、９…
…媒体内磁化の向き、１０……主磁極の鏡像。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に高透磁率磁性薄膜を形成し、その上
に膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ磁性薄膜を
形成し、その膜面に垂直方向に磁化容易軸を持つ
磁性薄膜を磁化するための主磁極を有する磁気ヘ
ツドと基板駆動機構とを備え付けた垂直磁気記録
装置であつて高透磁率磁性薄膜の厚さを高透磁率
磁性薄膜と磁気ヘツド主磁極との間隔の２倍以上
にしたことを特徴とする垂直磁気記録装置。 ２ 基板そのものを高透磁率磁性体とし、高透磁
率磁性薄膜を除去したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の垂直磁気記録装置。 ３ 上記磁気ヘツドにおいて磁束を拡散するため
の補助磁極を主磁極と同じ側に設けたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233126A JPS61113101A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233126A JPS61113101A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113101A JPS61113101A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0447884B2 true JPH0447884B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=16950155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233126A Granted JPS61113101A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113101A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758226A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233126A patent/JPS61113101A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5758226A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-07 | Toshiba Corp | Magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61113101A (ja) | 1986-05-31 |
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