JPH0447656A - イオン注入装置用帯電検出器 - Google Patents

イオン注入装置用帯電検出器

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Publication number
JPH0447656A
JPH0447656A JP2154538A JP15453890A JPH0447656A JP H0447656 A JPH0447656 A JP H0447656A JP 2154538 A JP2154538 A JP 2154538A JP 15453890 A JP15453890 A JP 15453890A JP H0447656 A JPH0447656 A JP H0447656A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
charge
wafer
disk
ion beam
Prior art date
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Pending
Application number
JP2154538A
Other languages
English (en)
Inventor
Shintaro Matsuda
信太郎 松田
Yuichi Nakajima
裕一 中島
Hirohisa Yamamoto
裕久 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0447656A publication Critical patent/JPH0447656A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はイオン注入装置用帯電検出器に関し、特にイ
オン注入時に目標物表面に蓄積される電荷を検出し、注
入条件にフィードバックをかけるようにしたイオン注入
装置用帯電検出器の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図(a)は例えば、特開昭62−15745号公報
に示された従来のイオン注入装置用帯電検出器の一部平
面図、図(b)はその概略構成図を示し、図において、
1は目標物であるウェハ、2はウェハ1を装着する為の
ディスク、3はウェハ1をディスク2に保持するだめの
クランパ、4はディスク2を回転させる為の回転用モー
タ、5はディスク2を並進させる為のねし棒、6はねじ
棒5を駆動させディスク2を並進運動させる為の並進用
モータ、7はこの並進用モータ6を制御する為の制御系
、8はイオンビーム、9はイオンビーム8がウェハ1に
照射されて発生する電荷、10はウェハ1と平行に固定
された電荷プローブ、11はこの電荷プローブ10上に
誘起される電荷、15は電荷プローブ10に誘起された
電荷11を検出する為のアンプ、16はイオビーム8の
照射領域を示す。
次に動作について説明する。
ディスク2にウェハ1が10枚程度装着され、500〜
11000rp前後で回転用モータ4によりディスク2
が回転するとともに、制御系7からの駆動信号により並
進用モータ6がねじ棒5を駆動させることによりディス
ク2を並進運動(図面左右方向)させる。ウェハ1がイ
オンビーム8の照射領域16を通過するとイオンが照射
される。
次いでイオンビーム8が照射されたウェハ1はディスク
2の回転運動により約I Qms後にウェハ1の中心軌
道上に固定された電荷プローブ10の近傍を横切る。こ
の時、電荷プローブ10にウェハ1上の電荷9とは逆極
性の電荷11が誘起される。そしてこの誘起された電荷
11の流れが電圧としてアンプ15により帯電量として
検出される。
第4図にウェハ1と電荷プローブ10の位置関係および
それに対応して検出される電流波形を示す。図(a)は
、ウェハ1と電荷プローブの時間経過■〜■における位
置関係を示し、図(b)はその時の電荷量の変化を、ま
た図(C)はその電流波形を示すものである。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のイオン注入装置用帯電検出器は以上のように構成
されているので、ウェハ中心軌道上の電荷を検出するの
みであるが、イオン照射時にはディスクが並進運動する
為、第2図に示す様にウェハ周辺部にもイオンビームが
照射されており、ウェハ表面上の電荷を正確に測定する
ことができなかった。特にウェハ周辺部では第2図(b
)に示されるようにディスク2から発生する二次電子1
7がウェハ1表面上の電荷に大きく影響する為、ウェハ
周辺部での電荷検出は重要な課題である。
この発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、ディスクの並進運動によりウェハ上の中心軌道以外の
各位置にイオンビームが照射されても、ウェハ上の電荷
を検出することができるイオン注入装置用電荷検出器を
得ることを目的とする。
〔課題を解決するだめの手段〕
この発明に係るイオン注入装置用電荷検出器は、ウェハ
の中心軌道上に位置する電荷プローブに駆動装置を設け
、ディスク駆動用信号を変換して上記電荷プローブ駆動
装置に供給し、電荷プローブをディスクの並進運動と同
期させて駆動するようにしたものである。
〔作用〕
この発明においては、ウェハの中心軌道上に位置する電
荷プローブに駆動装置を設け、電荷プローブ駆動装置に
ディスクを並進させる制御信号をフィードバックして供
給するようにしたので、ウェハの中心軌道上以外のウェ
ハ周辺部に照射されたイオンビームによって生じた電荷
を正確に測定することができる。
〔実施例〕
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第1図は本発明の一実施例によるイオン注入装置用電荷
検出器の一部平面図および概略構成図であり、第2図お
よび第3図と同一符号は同一または相当部分を示し、1
2は電荷プローブ10を駆動する為の電荷プローブ駆動
用ねし棒、13はこのねじ棒12を駆動させる為のプロ
ーブ駆動用モータ、14は並進用モータ6を制御する制
御系7からの信号を、電荷プローブ10の駆動モータ1
3への信号に交換して伝えるプローブ制御系を示す。
次に動作について説明する。
ディスク2にウェハ1が10枚程度装着され、500〜
11000rp前後でモータ4によりディスク2が回転
するとともに、並進用モータ6がその制御系7から駆動
信号により、ねじ棒15を並進駆動させることによりデ
ィスク2を並進運動させる。ウェハ1がイオンビーム8
の照射領域16を通過するとイオンが照射される。この
時イオンビーム8は、ディスク2の並進により第2図(
a)。
[有])に示す様にウェハIの両端にも照射される。イ
オンビーム8が照射されたウェハ1は照射後約IQms
後に電荷プローブ10の近傍を横切る。この際、先に述
べた様にイオンビーム8の照射領域16が移動する為、
電荷プローブ10をディスク2の並進と同期させて、プ
ローブ駆動用ねじ棒12をプローブ駆動用モータ13に
より並進運動させる。この際の制御方法は、駆動用モー
タ13に、ディスク2の並進を制御する制御系7と駆動
用モータ13との間に設けられたプローブ用制御系14
で、制御系7からの信号を変換し、これをプローブ駆動
用モータ13の駆動信号として用いてイオンビーム8の
照射領域16に応じた位置へ電荷プローブ10を並進さ
せる。
そしてウェハ1が電荷プローブ10を横切ると電荷プロ
ーブ10に、ウェハ1上の電荷9と逆極性の電荷11が
誘起され、この誘起された電荷11の流れが電圧として
アンプ15により帯電量として検出される。
このように本実施例では、ウェハ1の中心軌道上に位置
する電荷プローブ10に、ネジ棒12とこのネジ棒12
を駆動するモータ13を設け、このモータ13に、ディ
スク2を並進させる制御信号をプローブ用制御系14を
用いてフィードバックして供給するようにしたので、ウ
ェハの周辺部に照射されたイオンビームによって生じた
電荷を正確に測定することができる。
なお上記実施例では、電荷プローブ10を並進させるの
にねじ棒12とモータ13とを使用したが、電荷プロー
ブ10の並進機構はこれに限るものではなく、例えばラ
ックアンドビニオン方式やシリンダーによる直動方式を
使用してもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係るイオン注入装置用帯電検
出器によれば、ウェハの中心軌道上に位置する電荷プロ
ーブに駆動装置を設け、ディスク駆動用信号を変換して
上記電荷プローブ駆動装置に供給し、電荷プローブをデ
ィスクの並進運動と同期させて駆動するようにしたので
、イオンビームがウェハ中心を外れて照射された場合に
も、ウェハ面内の電荷を正確に検出することができ、こ
の検出信号を電子中和器にフィードバックすることによ
りイオン注入を低ダメージで行うことができるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はこの発明の一実施例によるイオン注入装
置用電荷検出器を示す平面図、第1図(b)はその概略
構成図、第2図はイオンビームとディスクの相対位置関
係を説明するための図、第3図(a)は従来のイオン注
入装置用電荷検出器を示す平面図、第3図(b)はその
概略構成図、第4図はウェハと電荷プローブ位置に対応
して検出される電荷の電流波形を説明するための図であ
る。 1・・・ウェハ、2・・・ディスク、4回転用モータ、
5・・・ねじ棒、6並進用モータ、8・・・イオンビー
ム、9・・・ウェハ上電荷、10・・・電荷プローブ、
11・・・電荷プローブ上電荷、12・・・プローブ駆
動用ねじ棒、13・・・プローブ駆動用モータ、14・
・・プローブ用制御系、15・・・電荷検出用アンプ、
16・・・イオンビーム照射領域。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)イオンビームが照射される目標物表面の電荷を検
    出する電荷プローブと、 該電荷プローブに誘起される電荷を検出する検出回路と
    を備えたイオン注入装置用帯電検出器において、 上記電荷プローブをイオンビームの照射位置に応じて移
    動する駆動系を備えたことを特徴とするイオン注入装置
    用帯電検出器。
JP2154538A 1990-06-12 1990-06-12 イオン注入装置用帯電検出器 Pending JPH0447656A (ja)

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JP2154538A JPH0447656A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 イオン注入装置用帯電検出器

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JP2154538A JPH0447656A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 イオン注入装置用帯電検出器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0447656A true JPH0447656A (ja) 1992-02-17

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ID=15586448

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JP2154538A Pending JPH0447656A (ja) 1990-06-12 1990-06-12 イオン注入装置用帯電検出器

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1261022A1 (en) * 2000-02-25 2002-11-27 Hitachi, Ltd. Apparatus for detecting defect in device and method of detecting defect

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1261022A1 (en) * 2000-02-25 2002-11-27 Hitachi, Ltd. Apparatus for detecting defect in device and method of detecting defect
EP1261022A4 (en) * 2000-02-25 2005-06-08 Hitachi Ltd APPARATUS FOR TRACKING ERRORS IN AN ARRANGEMENT AND METHOD FOR FINDING ERRORS
US6970004B2 (en) 2000-02-25 2005-11-29 Hitachi, Ltd. Apparatus for inspecting defects of devices and method of inspecting defects

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