JPS6321088Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6321088Y2 JPS6321088Y2 JP1981048761U JP4876181U JPS6321088Y2 JP S6321088 Y2 JPS6321088 Y2 JP S6321088Y2 JP 1981048761 U JP1981048761 U JP 1981048761U JP 4876181 U JP4876181 U JP 4876181U JP S6321088 Y2 JPS6321088 Y2 JP S6321088Y2
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- JP
- Japan
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- charged particle
- target plate
- rotating target
- particle beam
- plate
- Prior art date
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- Expired
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は回転ターゲツト板面に対し、荷電粒子
ビーム入射方向と反対側の部分に荷電粒子ビーム
捕集用のキヤツチプレートを配置した荷電粒子加
速によるイオン注入装置に係わるものである。回
転ターゲツト板の周縁上に形成されたウエハー保
持孔にイオン注入を行うウエハーを装着し、真空
容器中において、回転ターゲツト板を回転させ且
つ並進させながら、荷電粒子ビームを前記回転タ
ーゲツト板に照射し、これによつて回転ターゲツ
ト板上に保持した前記ウエハーにイオンの注入を
行うようにした荷電粒子加速によるイオン注入装
置の使用時に、各ウエハーは荷電粒子ビームの照
射により、予定されたイオン量の注入を受けなけ
ればならない。このため照射中の荷電粒子ビーム
量を測定し、これと注入時間より注入される量を
求めるような方式をとつている。そしてこの荷電
粒子ビーム量の測定には第4図において概略的に
示すような測定方法によつている。図において、
1は回転ターゲツト板であり、2は回転軸であ
り、真空中において矢印aの方向により荷電粒子
ビームの照射があつたとき、回転ターゲツト板1
に衝突した荷電粒子ビームは電荷を失い、この電
流は回転軸2を通して流れるから、これを計器A
によつて測定できる。
ビーム入射方向と反対側の部分に荷電粒子ビーム
捕集用のキヤツチプレートを配置した荷電粒子加
速によるイオン注入装置に係わるものである。回
転ターゲツト板の周縁上に形成されたウエハー保
持孔にイオン注入を行うウエハーを装着し、真空
容器中において、回転ターゲツト板を回転させ且
つ並進させながら、荷電粒子ビームを前記回転タ
ーゲツト板に照射し、これによつて回転ターゲツ
ト板上に保持した前記ウエハーにイオンの注入を
行うようにした荷電粒子加速によるイオン注入装
置の使用時に、各ウエハーは荷電粒子ビームの照
射により、予定されたイオン量の注入を受けなけ
ればならない。このため照射中の荷電粒子ビーム
量を測定し、これと注入時間より注入される量を
求めるような方式をとつている。そしてこの荷電
粒子ビーム量の測定には第4図において概略的に
示すような測定方法によつている。図において、
1は回転ターゲツト板であり、2は回転軸であ
り、真空中において矢印aの方向により荷電粒子
ビームの照射があつたとき、回転ターゲツト板1
に衝突した荷電粒子ビームは電荷を失い、この電
流は回転軸2を通して流れるから、これを計器A
によつて測定できる。
ウエハーの単位面積あたりに注入されるイオン
の数を表わすドーズ量φは面積をS、電荷をq、
電流をI、注入時間をtとしたとき、φ=It/qSで 表わされる。
の数を表わすドーズ量φは面積をS、電荷をq、
電流をI、注入時間をtとしたとき、φ=It/qSで 表わされる。
今半導体等よりなるウエハーを回転ターゲツト
板1のウエハー保持孔3のすべてに装着すること
なく、回転ターゲツト板1の保持孔3に空がある
状態で、イオン注入を行うとすると、本来ならウ
エハーがあるべきところに空があるので、この空
を通過する荷電粒子ビームは測定されず、この測
定されない量だけビーム量Itがすくなくなるた
め、これに捉らわれ、注入時間tを長くすると装
着されたウエハーには設定よりも多くの荷電粒子
ビームが打込まれることになる。
板1のウエハー保持孔3のすべてに装着すること
なく、回転ターゲツト板1の保持孔3に空がある
状態で、イオン注入を行うとすると、本来ならウ
エハーがあるべきところに空があるので、この空
を通過する荷電粒子ビームは測定されず、この測
定されない量だけビーム量Itがすくなくなるた
め、これに捉らわれ、注入時間tを長くすると装
着されたウエハーには設定よりも多くの荷電粒子
ビームが打込まれることになる。
そこで、本考案においては、このようなウエハ
ーの空による荷電粒子ビーム測定誤差を減少させ
るため、荷電粒子ビームが回転ターゲツト板1の
ウエハー保持孔を通過する方向にキヤツチプレー
トを設置し、これに衝突する荷電粒子ビームと回
転ターゲツト板に衝突する荷電粒子ビームによる
電流を加算し、これより照射される荷電粒子ビー
ム量またはドーズ量を求め得るようにしたもので
ある。
ーの空による荷電粒子ビーム測定誤差を減少させ
るため、荷電粒子ビームが回転ターゲツト板1の
ウエハー保持孔を通過する方向にキヤツチプレー
トを設置し、これに衝突する荷電粒子ビームと回
転ターゲツト板に衝突する荷電粒子ビームによる
電流を加算し、これより照射される荷電粒子ビー
ム量またはドーズ量を求め得るようにしたもので
ある。
以下図面に示す実施例について説明する。
第1図は本考案の一実施例の断面図を示し、第
3図は第1図回転ターゲツト板の駆動部分を示
し、第2図はキヤツチプレートと回転ターゲツト
板との位置関係を示す図である。
3図は第1図回転ターゲツト板の駆動部分を示
し、第2図はキヤツチプレートと回転ターゲツト
板との位置関係を示す図である。
第1図において、1は回転ターゲツト板であ
り、2は回転軸である。また3は回転ターゲツト
板1の周縁上に設けられた複数のウエハー保持孔
であり、保持孔3は図示のように段部4を有し、
ウエハー18はこの段部4に装着される。回転軸
2は第3図に示すスピンモーター7にカツプリン
グ8を介して連結されたスプラインシヤフト6、
このスプラインシヤフト6に係合されたギヤ5′,
5によりスピンモーター7に係合される。
り、2は回転軸である。また3は回転ターゲツト
板1の周縁上に設けられた複数のウエハー保持孔
であり、保持孔3は図示のように段部4を有し、
ウエハー18はこの段部4に装着される。回転軸
2は第3図に示すスピンモーター7にカツプリン
グ8を介して連結されたスプラインシヤフト6、
このスプラインシヤフト6に係合されたギヤ5′,
5によりスピンモーター7に係合される。
回転ターゲツト板1はチヤンバー9内に絶縁体
11を介して基台12上に並進自在に支持されて
おり、並進用のステツピングモーター13にカツ
プリング14を介して連結されたボールスクリユ
ー15と回転軸2とが係合され、矢印bで示す方
向に並進させることができる。
11を介して基台12上に並進自在に支持されて
おり、並進用のステツピングモーター13にカツ
プリング14を介して連結されたボールスクリユ
ー15と回転軸2とが係合され、矢印bで示す方
向に並進させることができる。
本実施例においてはチヤンバー9の内部、例え
ばチヤンバーの蓋10に絶縁体16を介してキヤ
ツチプレート17が固定され、キヤツチプレート
17は回転ターゲツト板1に対し、矢印Cで示す
荷電粒子ビーム入射方向と反対側に位置すること
になる。第2図にキヤツチプレート17と回転タ
ーゲツト板1との上面よりみた配置が示される
が、下方よりの荷電粒子ビームが回転ターゲツト
板1のウエハー18のない空の保持孔3を通過し
たとき、キヤツチプレート17に衝突する。
ばチヤンバーの蓋10に絶縁体16を介してキヤ
ツチプレート17が固定され、キヤツチプレート
17は回転ターゲツト板1に対し、矢印Cで示す
荷電粒子ビーム入射方向と反対側に位置すること
になる。第2図にキヤツチプレート17と回転タ
ーゲツト板1との上面よりみた配置が示される
が、下方よりの荷電粒子ビームが回転ターゲツト
板1のウエハー18のない空の保持孔3を通過し
たとき、キヤツチプレート17に衝突する。
イオン注入作業はシールリング19を間にして
蓋10を閉じ、チヤンバー9内を排気して真空に
して行われる。
蓋10を閉じ、チヤンバー9内を排気して真空に
して行われる。
この場合、回転ターゲツト板1はすでに説明し
たように、回転し、且つ並進の状態で運動する
が、保持孔3に装着されたウエハー18はその間
に荷電粒子ビームによりイオンの注入を受ける。
ウエハー18および回転ターゲツト板1に衝突し
た荷電粒子ビームは電荷を失い、前述のように回
転軸2を通して測定することができ、回転ターゲ
ツト板1を通過した荷電粒子ビームもキヤツチプ
レート17と衝突して電荷を失うので、これを捕
集し、導体によりこれを導けば、ビーム電流を測
定することができる。以上の回転ターゲツト板1
およびキヤツチプレート17によるビーム電流を
加算すれば、保持孔3に空があつても比較的正確
に照射された荷電粒子ビームを測定することがで
きる。従つてこの電流値によりドース量あるいは
荷電粒子ビーム量を求めることができる。
たように、回転し、且つ並進の状態で運動する
が、保持孔3に装着されたウエハー18はその間
に荷電粒子ビームによりイオンの注入を受ける。
ウエハー18および回転ターゲツト板1に衝突し
た荷電粒子ビームは電荷を失い、前述のように回
転軸2を通して測定することができ、回転ターゲ
ツト板1を通過した荷電粒子ビームもキヤツチプ
レート17と衝突して電荷を失うので、これを捕
集し、導体によりこれを導けば、ビーム電流を測
定することができる。以上の回転ターゲツト板1
およびキヤツチプレート17によるビーム電流を
加算すれば、保持孔3に空があつても比較的正確
に照射された荷電粒子ビームを測定することがで
きる。従つてこの電流値によりドース量あるいは
荷電粒子ビーム量を求めることができる。
イオン注入する場合、回転ターゲツト板1のす
べての保持孔3にウエハー18を装着しないこと
もあり、特に試験的な使用の場合は、むしろ数枚
のウエハー18を用いて打込むことが多い。この
点本考案によれば、装着されるウエハー18の枚
数が変つても照射される荷電粒子ビームが一定で
あるなら、保持孔3の空の数によつて、測定され
る電流に変化はあまり生じないので、注入の調整
が容易になる。
べての保持孔3にウエハー18を装着しないこと
もあり、特に試験的な使用の場合は、むしろ数枚
のウエハー18を用いて打込むことが多い。この
点本考案によれば、装着されるウエハー18の枚
数が変つても照射される荷電粒子ビームが一定で
あるなら、保持孔3の空の数によつて、測定され
る電流に変化はあまり生じないので、注入の調整
が容易になる。
第1図は本考案の実施例の断面図である。第2
図は本考案のキヤツチプレートと回転ターゲツト
板の配置を示す上面図である。第3図は回転ター
ゲツト板の駆動部を示す。第4図は従来のイオン
注入装置における荷電粒子ビーム電流の測定方法
を示す。 1……回転ターゲツト板、2……回転軸、3…
…ウエハー保持孔、5,5′……ギヤー、6……
スプラインシヤフト、7……スピンモーター、9
……チヤンバー、10……蓋、13……ステツピ
ングモーター、15……ボールスクリユー、17
……キヤツチプレート。
図は本考案のキヤツチプレートと回転ターゲツト
板の配置を示す上面図である。第3図は回転ター
ゲツト板の駆動部を示す。第4図は従来のイオン
注入装置における荷電粒子ビーム電流の測定方法
を示す。 1……回転ターゲツト板、2……回転軸、3…
…ウエハー保持孔、5,5′……ギヤー、6……
スプラインシヤフト、7……スピンモーター、9
……チヤンバー、10……蓋、13……ステツピ
ングモーター、15……ボールスクリユー、17
……キヤツチプレート。
Claims (1)
- 周縁上にウエハー保持孔を有し、回転、且つ並
進する回転ターゲツト板を収納したチエンバー内
に、前記回転ターゲツト板に対し荷電粒子ビーム
入射方向と反対側で、しかも前記ウエハー保持孔
を通過した荷電粒子が入射する位置にキヤツチプ
レートを絶縁して配置し、前記回転ターゲツト板
とキヤツチプレートに流入したビーム電流を加算
し、これより注入される荷電粒子ビーム量を調整
することを特徴とする荷電粒子加速によるイオン
注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981048761U JPS6321088Y2 (ja) | 1981-04-04 | 1981-04-04 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981048761U JPS6321088Y2 (ja) | 1981-04-04 | 1981-04-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS57161857U JPS57161857U (ja) | 1982-10-12 |
JPS6321088Y2 true JPS6321088Y2 (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=29845489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1981048761U Expired JPS6321088Y2 (ja) | 1981-04-04 | 1981-04-04 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6321088Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55160427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-13 | Nova Ass Inc | Beam machining apparatus |
-
1981
- 1981-04-04 JP JP1981048761U patent/JPS6321088Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55160427A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-13 | Nova Ass Inc | Beam machining apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS57161857U (ja) | 1982-10-12 |
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