JPH0447541A - 微細パターン付き基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は微細パターン付き基板の製造方法に関し、とり
わけ光デイスク用の溝付き基板２回折格子などに使用す
るのに適した微細パターン付き基板を製造する方法に関
する。

［従来の技術〕 基板上に金属有機化合物を含む溶液から可塑性を有する
塗布膜を形成した後、型を押し当てて前記塗布膜上に型
の峰形状に対応する溝型を転写し、その後前記塗布膜を
焼成して硬化させる溝付き基板の製造方法としては、特
開昭６２−１０２４４５号や特開平１−１１９５４５号
に開示されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前記した特開昭６２−１０２４４５号に
開示されている従来の技術によれば、情報記録用の光デ
イスク基板として用いられる溝付き基板を比較的簡単に
製作できると利点を有するものの、塗布膜の表面に型を
押し当てておこなう塗布膜の固化を大気中でおこなうの
で、型と塗布膜の界面に大きな気泡が混入し、塗布膜の
表面にくぼみが生じ、この膜を硬化しても表面にくぼみ
が多数あるものができるという問題があった。

上記問題点を解決するために、金属有機化合物に増粘剤
を混入して増粘剤を含む溶液を塗布液として、この塗布
液を基板に塗布した塗布膜に、減圧下で型を押し当てる
という方法が、特開平１−１１９５４５に開示されてい
る。しかしこの方法によれば、基板表面と型の間に大き
なサイズの泡が閉じ込められることはないが、サブミク
ロンオーダーの微小泡が閉じ込められるため、この方法
により光デイスク基板の如き高品質の表面が要求される
基板を製作するには問題があり、さらに塗布膜を押圧に
より固化するのに長時間を要するというプロセス上の問
題もあった。

本発明は上記した問題点を解決するためになされたもの
であって、基板上のサブミクロンオーダーの大きさのく
ぼみを生じることがない微細なパターンを、短時間に形
成する方法を有する提供するにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、基板上に金属有機化合物と増粘剤とを含む溶
液の塗布膜を形成し、その後圧力が０．０１３３Ｐａ以
下の雰囲気下で前記基板上の塗布膜に型を押圧するとと
もに前記塗布膜を５０〜１００℃に加熱して前記型の凸
形状に対応する凹形状を有する膜に固化し、しかるのち
前記型を前記固化された塗布膜から分離し、前記基板上
の固化された塗布膜を３００℃以上の温度で焼成する、
微細パターン付き基板の製造方法である。

本発明においては、基板上に形成した塗布膜を型で押圧
するときの雰囲気の圧力は、０．０１３３Ｐｍ（パスカ
ル）以下であることが必要である。

押圧するときの圧力を０．０１３３Ｐａ以下にすること
により、残留ガスに起因する表面凹凸の欠陥の大きさを
、情報記録用の光ディスク、基板として許容できる０、
１〜０２μｍにすることができる。

また塗布膜に型を押圧するときの雰囲気の圧力を、さら
に小さい０．００１３３Ｐａ以下にすることは、前記の
残留ガスに起因する表面凹凸を０．０５μｍ以下にする
ことができるので好ましい。さらに塗布膜に型を押圧す
るときの圧力が０．０１３３〜０．１３３Ｐａの範囲で
は、前記の残留ガスに起因する表面凹凸の欠陥の大きさ
は、０．３〜１μｍとなり、記録の読み出し、書き込み
に通常用いられる光スポットの大きさである０　８μｍ
と同程度になり、エラーの原因になるので好ましくない
。

塗布液には金属有機化合物と増粘剤が含まれる。

かかる塗布液が基板表面に壁布されて得られる塗布膜は
、０．０１３３Ｐａ以下の圧力でかつ室温では、金属有
機金属の加水分解速度が小さい。したがって本発明にお
いては、０．０１３３Ｐａ以下の圧力で塗布膜に型を押
しつけるときに、迅速に塗布膜を固化させるために５０
〜１００”Ｃ１：、好１しくは５０〜８０℃に加熱され
る。この加熱により短時間に塗布膜を寸法精度よく成形
することができる。塗布膜を固化するときの加熱温度は
、塗布液に含まれる増粘剤の含有量と関係して、上記範
囲内で最適に決めることができる。

上記の比較的低温で塗布膜を固化したのち、型を基板上
の固化した塗布膜より離し、塗布膜中の有機成分をほぼ
完全になくすために、３００℃以上の温度で、かつ、基
板が加熱により劣化しない温度以下で焼成される。この
高温度の焼成は、通常大気圧中でおこなわれるが、減圧
した雰囲気中で前記の低温度の加熱に引き続いておこな
うこともできる。

本発明に用いる金属有機化合物としては、重縮合あるい
は架橋反応により塗布液の粘度が大きくなり、基板上に
被膜を形成する化合物であればとくに限定されるもので
ない。

たとえばＳ　Ｉ　（ＯＣＨａ）４．　　Ｓ　ｉ　（ＯＣ
２Ｈ５）ａ、　Ｔ　Ｉ　　（ＯＣ３Ｈ７）４．　　Ｚｒ
　（○ＣａＨ９）ａ　　Ｚｒ（ＯＣａＨｖ）ｊ、Ａｌ　
　（ＯＣ４Ｈ９）３．ＡＩ　　（ＱＣ３ＨＴ）　３．　
　Ｎ　ａ　ＯＣ２）（Ｓ、　　などのＭ　（ＯＲ）’ｎ
（Ｍは８１．　　ＴＩ、　　Ｚｒ、　　Ｃａ、　　ＡＩ
、　　Ｎａ、　　Ｐｂ。

Ｂ、Ｓｎ、Ｇｅなどの元素、Ｒはメチル、エチルなどの
アル牛ル基、ｎは１〜４の整数）で示される通常ゾルゲ
ル法と呼ばれる方法に用いられる、金属アルコラード、
キレート錯体および−ＣＩなどのハロゲン元素、−ＣＯ
ＯＨ（カルボキシル基）ＣＯｏＲ（エステル基）、−Ｎ
Ｈ２（７ミノ基）　　Ｈ３ ０−Ｃ−Ｃ−Ｃ−Ｈ、−０−Ｃ−Ｃ＝　　ＣＨ２＼／ Ｈ０ （エポキシプロパノール基）（メタクリロイルオキシ基
） などの重縮合あるいは架橋反応を行う公知の官能基を含
む金属有機化合物などが例示できる。なかでも金属アル
コラードが好んで用いられる。上記した金属有機化合物
は、いずれも低温度に加熱することにより加水分解、重
縮合が生じるが、０．０１３３Ｐａ以下の圧力の雰囲気
下で基板と型とを押合した状態で、上記した温度範囲に
加熱することにより基板の表面形状と型の表面形状とに
より定まる形状に迅速に固化する。

上記金属有機化合物の単一または混合物は、水、アルコ
ールなどの有機溶媒、上記増粘剤、必要に応じて酸また
はアルカリなどの加水分解触媒と混合されて塗布液とさ
れる。

本発明にかかる贈粘剤は、前記金属有機化合物を含む溶
液の粘度を増加させ、基板上へ塗布膜を所定の厚みに形
成するのを容易にするとともに、減圧した室温の状態で
前記塗布膜を適度の粘性状態に維持させ、微細な凹凸を
形成しやすくする。

本発明に用いられる増粘剤としては、水溶性であり、か
つ有機溶媒に可溶な高分子からなる物質を用いることが
でき、とりわけポリエチレングリコール、ポリテトラメ
チレンエーテルグリコール、などの鎖状のポリエーテル
が好んで用いることができる。

増粘剤の塗布液への添加重量は、前記塗布液により生成
される酸化物重量の０．２５〜１．８倍程度にするのが
好ましい。増粘剤の添加量が、０．２５倍より少ないと
減圧時に塗布膜が急速に固化してしまい寸法精度良くパ
ターンを形成するのが困難となる。逆に添加量が約１８
倍を越えると塗布膜が柔らかくなりすぎて、残留ガスに
起因する欠陥が大きくなったり、型くずれが生じるので
好ましく　ない。

本発明においては、基板に塗布された塗布膜を型で押圧
するときの圧力は、９．８Ｎにュートン）７０ｍ２以上
が好ましく、好ましくは５０　Ｎ　／　ｃ　ｍ２以上が
、残留ガスの体積をより小さくする上で好ましい。

本発明に用いられる基板としては、光学的性質、機械的
性質から、ガラス板が好ましく、なかでも化学強化が可
能なナトリウムイオン、カリウムイオンなどのアルカリ
金属イオンを含んだガラス板が好ましい。

また型の材質としては、金属、ガラス、樹脂などが使用
され、なかでも寸法精度を向上させろう上からは、ニッ
ケル製の型、２Ｐ法で製作されたガラスおよび樹脂製の
型、射出成形法で製作された樹脂製の型、キャスト法に
より製作された樹脂製の型を好ましく用いることができ
る。そして型の微細パターンとしては種々のものが適用
でき、たとえば情報記録用の光デイスク基板の案内溝と
して使用可能な１μｍ程度の幅を持ち溝の深さが５０〜
２００ｎｍの微細パターンや光の回折格子、グレーティ
ングレンズとして使用可能な数１１００ｎの形状の凹凸
状のパターンのものが使用できる。

［作用コ 本発明によれば、基板上に塗布された塗布膜の表面に蟹
を形成するのは、減圧された雰囲気中で塗布膜上に型を
押しつけておこなうので、塗布膜と型との間に気泡がは
さみ込まれることがない。

したがって塗布膜の表面には気泡に起因するくぼみが生
じない。

本発明の塗布液に含まれる増粘剤は、基板上に塗布され
た塗布膜が、減圧された雰囲気下で急激に固化するのを
防止し、適度の柔らかさを維持して固化させる。

本発明の、減圧した雰囲気中で型に押しつけられておこ
われる塗布膜の固化は、金属有機化合物の重縮合あるい
は架橋反応が促進される温度に加熱されておこなわれる
ので、迅速におこなうことができる。

［実施例］ 本発明を実施例に基づいて以下に説明する。第１図は本
発明の詳細な説明する図である。ガラス基板ｌの上に塗
布膜２が形成され、その後減圧された雰囲気下で塗布膜
２を加熱しながら型３を押しっけ、あるいは型３を押し
つけてから塗布膜２を所定時間加熱し、しかるのち型３
を塗布膜２より離して、表面に凹凸がつけられた箆布膜
が形成されたガラス基板を高温で焼成して、溝付きガラ
スディスク基板５を得る。

実施例１ シリコンテトラエトキシド０．０５モルを秤ｔし、これ
にモル比で５倍のエタノールと６倍の水（３重量％のＨ
ＣＩを含む）を加え、約５０℃で１時間攪拌する。この
溶液に分子量が６００のポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）の、塗布膜を焼成して得られる最終生成物である５
ｉ０２に対する重量比で（Ｐ　ＥＧ）／　（Ｓ　１０２
）＝　１．０の！苓加え、均一に溶かしたものを塗布溶
液とした。

この塗布液をスピンコード法により、外形１３０　ｍ　
ｍ、　　厚さ１．２　ｍｍの化学強化ガラス製のガラス
基板１上に塗布し、０３μｍ厚の塗布膜２を形成した。

次いで、この塗布膜付きガラス基板を峰高さ０．１４μ
ｍ、時幅０７μｍ、時間隔１．６μｍのスパイラル状の
篩部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲に有する外
形１３０ｍｍ、厚さ１２ｍｍのポリカーボネート製型３
とともに、加熱ヒーターを有する真空プレス装置内にセ
ットし、槽内を０．０１３３Ｐａとした。そして、この
ガラス基板上の塗布膜にプレス圧５ＯＮ／ｃｍ２で、前
記の型を真空槽内で押圧し、そのままの状態で１００℃
で１０分間加熱し塗布膜の固化をおこなった。真空槽を
大気圧に戻し、塗布膜から型を離した。固化した塗布膜
が形成されたガラス基板をその後大気中で４００℃、１
０分間の焼成をおこない、エタノール、増粘剤および水
等をほぼ完全に飛散させた。以上により塗布膜３は、ガ
ラス体類似の約０２μｍ厚の非晶質の溝付き被膜４とな
りた。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、溝深さ約０．１μｍ、　　
満幅約０．７μｍ、　　溝間隔約１．６μｍの良好な溝
形状が全面に得られており、気泡の混入に起因する欠陥
はほとんど観察されなかった。

実施例２ シリコンテトラエトキシド０，０５モルを秤量し、これ
にモル比で４倍のエタノールと４倍の水（３重量％のＨ
ＣＪを含むンを加え、約５０”Ｃで１時Ｍ攪拌する。こ
の溶液にチタニウムテトラノルマルブトキシド０．０１
モルをエタノールで希釈した溶液を徐々に加え、さらに
約５０”Ｃで３０分間攪拌する。この溶液に体積で２倍
のエタノールを加えて希釈し、さらに分子量が６００の
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）の、塗布膜を焼成し
て得られる最終生成物である（Ｓ　１０２＋Ｔ　ｉ　０
２）に対する重量比で（Ｐ　ＥＧ）　／　（Ｓ　１０２
＋７１０２）＝１．０の量を加え、均一に溶かしたもの
を塗布液とした。

この塗布液をスピンコード法により、外形１３０ｍｍ、
　　厚さ１．２ｍｍの化学強化ガラス製のガラス基板ｌ
上に塗布し、０．３μｍ厚の塗布膜２を形成した。次い
で、この塗布膜付きガラス基枦を、峰高さ０．１４μｍ
、　　時幅０．７μｍ、　　時間隔１６μｍのスパイラ
ル状の篩部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲に有
する外形１３０ｍｍ、　　厚さ１．２ｍｍのポリカーボ
ネート製型３とともに、加熱ヒーターを有する真空プレ
ス装置内にセットし、槽内を０．０１３３Ｐａに減圧し
た。そして、このガラス基板上の塗布膜にプレス圧９．
８Ｎ／ａｍ２で、前記の型を真空槽内で押圧し、そのま
まの状態で１００℃で１０分間加熱し塗布膜の固化をお
こなった。真空槽を大気圧に戻し、塗布膜から型を離し
た。固化した塗布膜が形成されたガラス基板をその後大
気中で４００℃、１０分間の焼成をおこない、エタノー
ル、増粘剤および水等をほぼ完全に飛散させた。以上に
より塗布膜３は、ガラス体類似の約０．２μｍ厚の非晶
質の溝付き被膜４となった。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、溝深さ約０１μｍ１　　溝
幅約０．７μｍ１　　溝間隔絶１．６μｍの良好な溝形
状が全面に得られており、気泡の混入に起因する欠陥は
ほとんど観察されなかった。

実施例３ ノリコンテトラエトキシド０．０５モルを秤ｔし、これ
にモル比で５倍のエタノールと６倍の水（３重量％のＭ
ＣＩを含む）を加え、約５０℃で１時間攪拌する。この
溶液に分子量が６００のポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）の、塗布膜を焼成して得られる最終生成物である５
１０２に対する重量比で（ＰＥＧ）／　（Ｓ　ｊｏ２）
＝１．０の量を加え、均一に溶かしたものを塗布溶液と
した。

この塗布液をスピンコード法により、外形１３０ｍｍ、
　　厚さ１．２ｍｍの化学強化ガラス製のガラス基板１
上に塗布し、０．３μｍ厚の塗布膜２を形成した。次い
で、この塗布膜付きガラス基板を峰高さ０．１４μｍ、
　　峰部０　、７　μｍ、　　峰間隔１．６μｍのスパ
イラル状の篩部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲
に有する外形１３０ｍｍ、　　厚さ１．２ｍｍのポリカ
ーボネート製型３とともに、加熱ヒーターを有する真空
プレス装置内にセットし槽内を０．０１３３Ｐａとした
。そして、このガラス基板上の塗布膜にプレス圧５ＯＮ
／ｃｍ２で、前記の型を真空槽内で押圧し、そのままの
状態で５０℃で３０分間加熱し塗布膜の固化をおこなっ
た。

真空槽を大気圧に戻し、塗布膜から型を離した。

固化した塗布膜が形成されたガラス基板をその後大気中
で３００℃、１０分間の焼成をおこない、エタノール、
増粘剤および水等をほぼ完全に飛散させた。以上により
塗布膜３は、ガラス体類似の約０．２μｍ厚の非晶質の
溝付き被膜４となった。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、溝深さ約ＯＩμｍ、　　満
幅約０．７ｐｍ、　　溝間隔絶１．６μｍの良好な溝形
状が全面に得られており、気泡の混入に起因する欠陥は
ほとんど観察されなかった。

実施例４ ンリコンテトラエトキンド０．０５モルを秤量し、これ
にモル比で５倍のエタノールと６倍の水（３重量％のＨ
ＣＩを含む）を加え、約５０°Ｃで１時間攪拌する。こ
の溶液に分子量が６００のポリエチレングリコール（Ｐ
ＥＧ）の、塗布膜を焼成して得られる最終生成物である
ＳｉＯ２に対する重量比で（Ｐ　ＥＧ）／　（Ｓ　１０
２）＝　１．０の量を加え、均一に溶かしたものを塗布
溶液とした。

この塗布液をスピンフート法により、外形１３０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの化学強化ガラス製のガラス基板ｌ上に
塗布し、０．３μｍ厚の塗布膜２を形成した。次いで、
この塗布膜付きガラス基板を峰高さ０．１４μｍ、峰部
０．７μｍ１　　峰間隔１．６μｍのスパイラル状の篩
部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲に有する外形
１３０ｍｍ、　　厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製
型３とともに、加熱ヒーターを有する真空ブレス装蓋内
にセットし槽内をＯ，０Ｏ１３３Ｐａとした。そして、
このガラス基板上の塗布膜にプレス圧９．８Ｎ／ｃｍ２
ｍ’、前記の型を真空槽内で押圧し、そのままの状態で
８０℃で１０分間加熱し塗布膜の固化をおこなった。真
空槽を大気圧に戻し、塗布膜から型を離した。固化した
塗布膜が形成されたガラス基板をその後大気中で３００
℃、１０分間の焼成をおこない、エタノール、増粘剤お
よび水等をほぼ完全に飛散させた。以上により塗布膜３
は、ガラス体類似の約０２μｍ厚の非晶質の被膜４とな
った。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、溝深さ約０１μｍ、満幅約
０７μｍ１　　溝間隔絶１．６μｍの良好な溝形状が全
面に得られており、気泡の混入に起因する欠陥はまった
く観察されなかった。

比較例１ シリコンテトラエトキン１０．０５モルを秤量し、これ
にモル比で５倍のエタノールと６倍の水（３重量％のＨ
ＣＩを含む）を加え、約５０℃で１時間攪拌する。この
溶液に分子量が６００のポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）の、塗布膜を硬化して得られる最終生成物である５
１０２に対する重量比で（Ｐ　ＥＧ）／　（Ｓ　１０２
）＝　１．０の量を加え、均−に溶かしたものを塗布溶
液とした。

この塗布液をスピンコード法により、外形１３０ｍｍ、
厚さ１．２ｍｍの化学強化ガラス製のガラス基板１上に
塗布し、０３μｍ厚の塗布膜２を形成した。次いで、こ
の塗布膜付きガラス基板を峰高さ０．１４μｍ１　　時
幅０，７μｍ１　　峰間隔１．６μｍのスパイラル状の
篩部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲に有する外
形１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート製型
３とともに、加熱ヒーターを有する真空プレス装置内に
セットし槽内を０．１３３Ｐａとした。そして、このガ
ラス基板上の塗布膜にプレス圧５ＯＮ／ｃｍ２で、前記
の型を真空槽内で押圧し、そのままの状態で１００℃で
１０分間加熱し塗布膜の固化をおこなった。

真空槽を大気圧に戻し、塗布膜から型を離した。

固化した塗布膜が形成されたガラス基板をその後大気中
で４００℃、１０分間の焼成をおこない、エタノール、
増粘剤および水等をほぼ完全に飛散させた。以上により
塗布膜３は、ガラス体類似の約０．２μｍ厚の非晶質の
被膜４となった。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、溝深さ約０、　ｌ　μｍ、
　　満幅約０．７ｕｍ、溝間隔絶ｔ、６μｍの良好な溝
形状が全面に得られてＬＡた力く、残留ガスに起因する
くぼみが表面全体にわたって観察された。

比較例２ シリコンテトラエトキシド０．０５モルを秤量し、これ
にモル比で５倍のエタノールと６倍の水（３重量％のＨ
ＣＩを含む）を加え、約５０℃で１時間攪拌する。この
溶液に分子量力（６００のポリエチレングリコール（Ｐ
ＥＧ）の、塗布膜を硬イヒして得られる最終生成物であ
る５１０２１こ対する重量比で（Ｐ　ＥＧ）／　（Ｓ　
１０２）＝　１．０の量を加え、均一に溶かしたものを
塗布溶液とした。

この塗布液をスピンコード法により、外形１３０ｍｍ、
　　厚さ１．２　ｍｍの化学強化ガラス製のガラス基板
１上に塗布し、０３μｍ厚の塗布膜２を形成した。次い
で、この塗布膜付きガラス基板を峰高さＱ、１４／ｌＺ
ｍ、　　時幅０．７ｐｍ、　　峰間隔１．６μｍのスパ
イラル状の篩部を半径２５ｍｍから半径６０ｍｍの範囲
に有する外形１３０ｍｍ、　　厚さ１．２ｍｍのポリカ
ーボネート製型３とともに、真空プレス装置内にセット
し槽内を０．０１３３Ｐａとした。そして、加熱せずに
室温（２５℃）の状態で、このガラス基板上の塗布膜に
プレス圧５ＯＮ／　ｃ　ｍ　２で、前記の型を３０分間
押圧し固化をおこなった。真空槽を大気圧に戻し、塗布
膜から型を離した。固化した塗布膜が形成されたガラス
基板をその後大気中で４００℃、１０分間の焼成をおこ
ない、エタノール、増粘剤および水等をほぼ完全に飛散
させた。以上により塗布膜３は、ガラス体類似の約０．
２μｍ厚の非晶質の被膜４となった。

製作した溝付きガラスディスク基板５の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、気泡の混入に起因する欠陥
はほとんど観察されなかったが、全面にわたって乱れが
なく、かつ、寸法精度が良い溝を得ることができなかっ
た。この原因としては、押圧により塗布膜を固化すると
きの時間が不十分であることが考えられた。すなわち室
温で、かつ、減圧された雰囲気下で塗布膜を固化するζ
こは長時間を要することを示唆した。

上記に示すように、本発明は表面に微小欠陥力；きわめ
て少ない光デイスク用基板を、塗布膜の固化に要する時
間を短（して製作すること力（できる。

［発明の効果］ 本発明によれば、情報記録用の光デイスク基板などに要
求される微細な表面凹凸／でターンを、型の押圧に起因
する表面欠陥を生ずることなく形成することができる。

また塗布膜の固化を短時間で寸法精度よくおこなうこと
ができるので、生産性良く表面凹凸パターンを形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明の手順を示す概略図である。 １・・・ガラス基板、２・・・塗布膜、３・・・型、４
・・・被膜、５・・・溝付きガラスディスク基板 手続補正書 １．事件の表示 特願平２−１５６４８２号 ２、発明の名称 微細パターン付き基板の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　　大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番１１号名
称（４００）日本板硝子株式会社 代表者　中島連二 ４゜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上に金属有機化合物と増粘剤とを含む溶液の塗
   布膜を形成し、その後圧力が０．０１３３Ｐａ以下の雰
   囲気下で前記基板上の塗布膜に型を押圧するとともに前
   記塗布膜を５０〜１００℃に加熱することにより固化し
   、しかるのち前記型を前記固化された塗布膜から分離し
   、前記基板上の固化された塗布膜を３００℃以上の温度
   で焼成する、微細パターン付き基板の製造方法。 ２）前記増粘剤の含有重量が、前記溶液を前記焼成する
   ことにより生成される酸化物重量の０．２５〜１．８倍
   である特許請求範囲の第１項記載の方法。 ３）前記増粘剤が鎖状ポリエーテルであることを特徴と
   する特許請求範囲の第１項または第２項記載の方法。 ４）前記押圧を９．８ニュートン／ｃｍ＾２以上の圧力
   でおこなう特許請求範囲の第１項ないし第３項のいずれ
   かの項に記載の方法。