JPH0446897B2 - - Google Patents
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- JPH0446897B2 JPH0446897B2 JP57169870A JP16987082A JPH0446897B2 JP H0446897 B2 JPH0446897 B2 JP H0446897B2 JP 57169870 A JP57169870 A JP 57169870A JP 16987082 A JP16987082 A JP 16987082A JP H0446897 B2 JPH0446897 B2 JP H0446897B2
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- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はBa−フエライト磁性粉末の製造方法
に関し、更に詳しくは、磁気記録用媒体などに適
するBa−フエライト磁性粉末をプラズマ処理工
程を経て製造する方法に関する。
に関し、更に詳しくは、磁気記録用媒体などに適
するBa−フエライト磁性粉末をプラズマ処理工
程を経て製造する方法に関する。
磁気記録媒体として、特に高周波特性及び高
S/N比などが要求される場合には、小粒径で均
一な形状を有し、かつ粒度分布巾が狭くて上記の
磁気特性に優れた磁性粉末を製造することが必要
である。従来、Ba−フエライト粉末の製造方法
としては、 a BaイオンとFeイオンとを含むPH8以上の水
溶液をオートクレーブ中にて加熱する方法(水
熱合成法)、 b BaイオンとFeイオンとを含む水溶液をPH8
以上の状態にしてBaイオンとFeイオンとを沈
殿(共沈)せしめ、得られた沈殿物を900℃以
上の温度で焼成する方法(共沈法)、 が知られている。
S/N比などが要求される場合には、小粒径で均
一な形状を有し、かつ粒度分布巾が狭くて上記の
磁気特性に優れた磁性粉末を製造することが必要
である。従来、Ba−フエライト粉末の製造方法
としては、 a BaイオンとFeイオンとを含むPH8以上の水
溶液をオートクレーブ中にて加熱する方法(水
熱合成法)、 b BaイオンとFeイオンとを含む水溶液をPH8
以上の状態にしてBaイオンとFeイオンとを沈
殿(共沈)せしめ、得られた沈殿物を900℃以
上の温度で焼成する方法(共沈法)、 が知られている。
しかし、a)の方法では、得られるBa−フエ
ライト磁性粉末中に粒径数μm程度の粒子が含ま
れるため、粒子径が不均一である。従つて、粒径
0.2μm以下で、かつ均一な形状を有する微結晶
Ba−フエライト粉末が得難いという欠点があつ
た。
ライト磁性粉末中に粒径数μm程度の粒子が含ま
れるため、粒子径が不均一である。従つて、粒径
0.2μm以下で、かつ均一な形状を有する微結晶
Ba−フエライト粉末が得難いという欠点があつ
た。
また、b)の方法では、焼成過程において、微
粒子の焼結が進行し、粒径が粗大になり易いた
め、粒度巾の狭い分布を有する微結晶Ba−フエ
ライト粉末を得ることが困難であつた。
粒子の焼結が進行し、粒径が粗大になり易いた
め、粒度巾の狭い分布を有する微結晶Ba−フエ
ライト粉末を得ることが困難であつた。
そこで、小粒径で均一な形状を有し、かつ粒度
分布巾の狭い微結晶Ba−フエライト粉末を得る
方法として、例えば、 c BaイオンとFeイオンとを含むPH12以上の水
溶液をオートクレーブ中にて比較的低温で加温
して前駆体沈殿物を生成させ、この前駆体沈殿
物を800℃以上の温度で焼成する方法(オート
クレーブ法)、 が試みられている。
分布巾の狭い微結晶Ba−フエライト粉末を得る
方法として、例えば、 c BaイオンとFeイオンとを含むPH12以上の水
溶液をオートクレーブ中にて比較的低温で加温
して前駆体沈殿物を生成させ、この前駆体沈殿
物を800℃以上の温度で焼成する方法(オート
クレーブ法)、 が試みられている。
しかし、この方法によれば、a)及びb)の方
法よりは良好な微結晶Ba−フエライト粉末が得
られるが、まだ所望の特性を有するBa−フエラ
イト粉末を得るまでには至つていない。その理由
は、優れた磁気特性を有するBa−フエライト粉
末を得るためには、焼成工程で800℃以上という
高温で加熱しなければならないため、b)の方法
の場合と同様に粒子間の焼結が進行して粒径が粗
大化するという欠点があつたためである。
法よりは良好な微結晶Ba−フエライト粉末が得
られるが、まだ所望の特性を有するBa−フエラ
イト粉末を得るまでには至つていない。その理由
は、優れた磁気特性を有するBa−フエライト粉
末を得るためには、焼成工程で800℃以上という
高温で加熱しなければならないため、b)の方法
の場合と同様に粒子間の焼結が進行して粒径が粗
大化するという欠点があつたためである。
従つて、沈殿物を直接、高温で焼成する前記
b)の共沈法及びc)のオートクレーブ法にあつ
ては、いずれも焼成温度を粒子の焼結が進行しな
い温度まで低くすることが望まれるが、これらの
従来技術においては、得られるBa−フエライト
磁性粉末に所望の磁気特性を付与するために、ど
うしても前記の温度で加熱焼成して結晶化を進め
なければならず、その結果焼成、工程中の粒子の
焼結はさけ難かつた。
b)の共沈法及びc)のオートクレーブ法にあつ
ては、いずれも焼成温度を粒子の焼結が進行しな
い温度まで低くすることが望まれるが、これらの
従来技術においては、得られるBa−フエライト
磁性粉末に所望の磁気特性を付与するために、ど
うしても前記の温度で加熱焼成して結晶化を進め
なければならず、その結果焼成、工程中の粒子の
焼結はさけ難かつた。
このため、上記した欠点のないBa−フエライ
ト磁性粉末の製造方法の開発が望まれていた。
ト磁性粉末の製造方法の開発が望まれていた。
本発明は、オートクレーブ法及び共沈法におけ
る前記欠点を解消し、もつて、磁気特性が優れ、
かつ粒径0.2μm以下で均一な形状を有し、粒度分
布巾の狭いBa−フエライト磁性粉末の製造方法
を提供することを目的とする。
る前記欠点を解消し、もつて、磁気特性が優れ、
かつ粒径0.2μm以下で均一な形状を有し、粒度分
布巾の狭いBa−フエライト磁性粉末の製造方法
を提供することを目的とする。
本発明の最大の特徴は、Ba−フエライト磁性
粉末の製造過程で得られる沈殿物を、プラズマ中
の活性種と接触させながら、粒子間の焼結が進行
しない温度で加熱焼成することである。
粉末の製造過程で得られる沈殿物を、プラズマ中
の活性種と接触させながら、粒子間の焼結が進行
しない温度で加熱焼成することである。
即ち、オートクレーブ法を改良した本発明の
Ba−フエライト磁性粉末の製造方法は、磁性粉
末の各構成元素イオンを含む水溶液をオートクレ
ーブ中にて加熱し、得られた前駆体沈殿物をプラ
ズマ中で生成される活性種と接触させながら加熱
焼成することを特徴とする(以下、この方法をオ
ートクレーブプラズマ法という)。
Ba−フエライト磁性粉末の製造方法は、磁性粉
末の各構成元素イオンを含む水溶液をオートクレ
ーブ中にて加熱し、得られた前駆体沈殿物をプラ
ズマ中で生成される活性種と接触させながら加熱
焼成することを特徴とする(以下、この方法をオ
ートクレーブプラズマ法という)。
また、共沈法を改良した本発明のBa−フエラ
イト磁性粉末の製造方法は、該磁性粉末の各構成
元素イオンを含む水溶液から沈殿を生成せしめ、
得られた沈殿物をプラズマ中で生成される活性種
と接触させながら加熱焼成することを特徴とする
(以下、この方法を共沈プラズマ法という)。
イト磁性粉末の製造方法は、該磁性粉末の各構成
元素イオンを含む水溶液から沈殿を生成せしめ、
得られた沈殿物をプラズマ中で生成される活性種
と接触させながら加熱焼成することを特徴とする
(以下、この方法を共沈プラズマ法という)。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明方法は、各種の磁性粉末を製造する上に
おいて有用であるが、特に前記した粒径、粒度分
布、磁気特性の問題があつた次式: BaO・n(Fe1-nMm)2O3 (式中、M,n,mは前記と同様の意味を有す
る。) で示されるBa−フエライト粉末の製造に有用で
ある。
おいて有用であるが、特に前記した粒径、粒度分
布、磁気特性の問題があつた次式: BaO・n(Fe1-nMm)2O3 (式中、M,n,mは前記と同様の意味を有す
る。) で示されるBa−フエライト粉末の製造に有用で
ある。
初めに、本発明のオートクレーブプラズマ法に
ついて説明する。この方法では、前駆体沈殿物を
生成せしめる工程までは、従来のオートクレーブ
法に準じて行なわれる。即ち、まず、所定の化学
組成を有するBa−フエライト粉末となるように、
該粉末の各構成元素イオンを含む水溶液を調製し
(通常、各構成元素の塩化物を含む水溶液を混合
する)、この水溶液をアルカリ水溶液(通常、
NaOHで調製)に加えて沈殿を析出せしめる。
次に、得られた沈殿物(共沈物)をオートクレー
ブ中に投入して、通常100〜250℃にて0.2〜10時
間加熱した後、乾燥して所定の化学組成を有する
前駆体沈殿物を得る。
ついて説明する。この方法では、前駆体沈殿物を
生成せしめる工程までは、従来のオートクレーブ
法に準じて行なわれる。即ち、まず、所定の化学
組成を有するBa−フエライト粉末となるように、
該粉末の各構成元素イオンを含む水溶液を調製し
(通常、各構成元素の塩化物を含む水溶液を混合
する)、この水溶液をアルカリ水溶液(通常、
NaOHで調製)に加えて沈殿を析出せしめる。
次に、得られた沈殿物(共沈物)をオートクレー
ブ中に投入して、通常100〜250℃にて0.2〜10時
間加熱した後、乾燥して所定の化学組成を有する
前駆体沈殿物を得る。
一方、本発明の共沈プラズマ法においては、上
記のオートクレーブプラズマ法と同様にして水溶
液から得られた共沈物を、オートクレーブ中で処
理することなく、例えば、直ちに純水にて水洗を
繰り返し十分水洗した後、乾燥して沈殿物粉体を
得る。
記のオートクレーブプラズマ法と同様にして水溶
液から得られた共沈物を、オートクレーブ中で処
理することなく、例えば、直ちに純水にて水洗を
繰り返し十分水洗した後、乾燥して沈殿物粉体を
得る。
次に、オートクレーブプラズマ法及び共沈プラ
ズマ法共に、得られた沈殿物をプラズマ中の活性
種と接触させながら加熱焼成する。
ズマ法共に、得られた沈殿物をプラズマ中の活性
種と接触させながら加熱焼成する。
処理に用いるプラズマの発生方法としては特に
制約はなく、マイクロ波放電プラズマ、高周波放
電プラズマ、交流グロー放電プラズマ、直流グロ
ー放電プラズマなどを利用することができるが、
特に、マイクロ波放電プラズマにより処理する
と、沈殿物の粒子を均一かつ効率的に処理するこ
とができるために好ましい。
制約はなく、マイクロ波放電プラズマ、高周波放
電プラズマ、交流グロー放電プラズマ、直流グロ
ー放電プラズマなどを利用することができるが、
特に、マイクロ波放電プラズマにより処理する
と、沈殿物の粒子を均一かつ効率的に処理するこ
とができるために好ましい。
放電用のガスとしては、酸素;酸素と希ガス
(Ar,He,Ne,Kr,Xe等)の混合ガス;酸素
と窒素の混合ガス;二酸化炭素;二酸化炭素と希
ガス(Ar,Ne,Kr,Xe等)の混合ガス;二酸
化炭素と窒素の混合ガス;一酸化炭素;一酸化炭
素と希ガスの混合ガス;一酸化炭素と窒素の混合
ガス;ハロゲン化メタン;ハロゲン化メタンと希
ガスの混合ガス;ハロゲン化メタンと窒素の混合
ガスなどを利用することができるが、このうち、
酸素もしくは希ガス又は窒素と酸素との混合ガス
を利用することが好ましい。
(Ar,He,Ne,Kr,Xe等)の混合ガス;酸素
と窒素の混合ガス;二酸化炭素;二酸化炭素と希
ガス(Ar,Ne,Kr,Xe等)の混合ガス;二酸
化炭素と窒素の混合ガス;一酸化炭素;一酸化炭
素と希ガスの混合ガス;一酸化炭素と窒素の混合
ガス;ハロゲン化メタン;ハロゲン化メタンと希
ガスの混合ガス;ハロゲン化メタンと窒素の混合
ガスなどを利用することができるが、このうち、
酸素もしくは希ガス又は窒素と酸素との混合ガス
を利用することが好ましい。
これらのガス圧は、一般に0.1〜10Torr更には
0.5〜5Torr程度が望ましい。0.1Torr未満では放
電を安定に持続することが困難である場合が多
く、10Torrを超えるとプラズマが収束し易くな
るため均一な処理が困難になる。
0.5〜5Torr程度が望ましい。0.1Torr未満では放
電を安定に持続することが困難である場合が多
く、10Torrを超えるとプラズマが収束し易くな
るため均一な処理が困難になる。
また、加熱焼成する際の温度は、通常800℃よ
り低い温度で本発明の効果を奏することができ
る。
り低い温度で本発明の効果を奏することができ
る。
尚、参考のために、マイクロ波放電によりプラ
ズマを発生せしめて試料(沈殿物)を加熱焼成す
るための装置の1例を第1図に示した。該装置に
おいて、マイクロ波発振器1によつて発振された
マイクロ波は、導波管2に導かれ、さらにアンテ
ナ3によつて処理室5へ伝送される。伝送するア
ンテナ3の先端は石英管4で保護されている。処
理される試料6は処理室5に入れられる。この処
理室5は回転装置7に連結され、回転可能な状態
にある。処理室5には、ガス供給口8から所定の
ガスが導入され、ガス排出口9からこのガスが排
気されて、処理室5は所定圧力に保たれる。更に
処理室5の内部は、該室5の周縁に設けられたヒ
ーター10(電動機11と接続)により加熱され
るようになつている。
ズマを発生せしめて試料(沈殿物)を加熱焼成す
るための装置の1例を第1図に示した。該装置に
おいて、マイクロ波発振器1によつて発振された
マイクロ波は、導波管2に導かれ、さらにアンテ
ナ3によつて処理室5へ伝送される。伝送するア
ンテナ3の先端は石英管4で保護されている。処
理される試料6は処理室5に入れられる。この処
理室5は回転装置7に連結され、回転可能な状態
にある。処理室5には、ガス供給口8から所定の
ガスが導入され、ガス排出口9からこのガスが排
気されて、処理室5は所定圧力に保たれる。更に
処理室5の内部は、該室5の周縁に設けられたヒ
ーター10(電動機11と接続)により加熱され
るようになつている。
このような装置を使用し、マイクロ波発振器1
を作動させて、マイクロ波を発生せしめることに
より、処理室5にプラズマが発生し、更にヒータ
ー10の加熱により試料6は加熱焼成されて所望
の磁気粉末となる。
を作動させて、マイクロ波を発生せしめることに
より、処理室5にプラズマが発生し、更にヒータ
ー10の加熱により試料6は加熱焼成されて所望
の磁気粉末となる。
実施例
Feイオンとして126.5g含んだFeCl3・6H2O水
溶液1.5とBaイオンとして33.6g含んだ
BaCl2・2H2O水溶液0.5と置換元素としてCoイ
オンとして12.0g含んだCoCl2・6H2O水溶液0.25
及びTiイオンとして9.8g含んだTiCl4水溶液
0.25を混合し、該混合液をあらかじめ調製して
あるNaOH1.2Kgを溶解した水溶液3に撹拌し
ながら加え反応せしめた。得られた共沈物を2分
し、一方の共沈物は、共沈プラズマ法に供し、純
水にて水洗を繰り返し十分水洗した後、乾燥して
沈殿物粉体(共沈粉)を得た。もう一方の共沈物
は、オートクレーブプラズマ法に供し、オートク
レーブに投入して150℃1時間加熱したのち、乾
燥して沈殿物粉体(オートクレーブ粉)を得た。
これら2種の沈殿物の化学組成は、BaO・6
(Fe0.34Co0.07)2O3であつた。
溶液1.5とBaイオンとして33.6g含んだ
BaCl2・2H2O水溶液0.5と置換元素としてCoイ
オンとして12.0g含んだCoCl2・6H2O水溶液0.25
及びTiイオンとして9.8g含んだTiCl4水溶液
0.25を混合し、該混合液をあらかじめ調製して
あるNaOH1.2Kgを溶解した水溶液3に撹拌し
ながら加え反応せしめた。得られた共沈物を2分
し、一方の共沈物は、共沈プラズマ法に供し、純
水にて水洗を繰り返し十分水洗した後、乾燥して
沈殿物粉体(共沈粉)を得た。もう一方の共沈物
は、オートクレーブプラズマ法に供し、オートク
レーブに投入して150℃1時間加熱したのち、乾
燥して沈殿物粉体(オートクレーブ粉)を得た。
これら2種の沈殿物の化学組成は、BaO・6
(Fe0.34Co0.07)2O3であつた。
次に、これら2種類の粉末を、それぞれ第1図
に示したプラズマ発生装置において酸素ガス
0.5Torr、500Wのプラズマ条件で種々の加熱条
件にて活性種と接触させながら焼成し、それぞれ
Ba−フエライト粉末を得た。
に示したプラズマ発生装置において酸素ガス
0.5Torr、500Wのプラズマ条件で種々の加熱条
件にて活性種と接触させながら焼成し、それぞれ
Ba−フエライト粉末を得た。
比較例
実施例と同様に処理して得た2種類の沈殿物粉
末をプラズマのない状態で種々の温度にて焼成
し、Ba−フエライト粉末を得た。
末をプラズマのない状態で種々の温度にて焼成
し、Ba−フエライト粉末を得た。
得られた各種のBa−フエライトの磁気特性を
V.S.M測定器にて各種熱処理温度における飽和磁
化Ms(emu/g)を測定したところ、第2,3図
に示した結果が得られた。図中、Aは実施例を表
わし、Bは比較例を表わす(第4,5図において
同じ)。さらに実施例、比較例で得られた各種Ba
−フエライト粉末の中から磁気特性の良好なもの
に対して電顕写真から粒度分布を測定したとこ
ろ、第4,5図に示した結果が得られた。
V.S.M測定器にて各種熱処理温度における飽和磁
化Ms(emu/g)を測定したところ、第2,3図
に示した結果が得られた。図中、Aは実施例を表
わし、Bは比較例を表わす(第4,5図において
同じ)。さらに実施例、比較例で得られた各種Ba
−フエライト粉末の中から磁気特性の良好なもの
に対して電顕写真から粒度分布を測定したとこ
ろ、第4,5図に示した結果が得られた。
第2〜5図から明らかなように、本発明によつ
て得られたBa−フエライト粉末は、比較例に比
べ磁気特性及び粒度分布が大巾に改善されている
ことがわかる。
て得られたBa−フエライト粉末は、比較例に比
べ磁気特性及び粒度分布が大巾に改善されている
ことがわかる。
尚、プラズマ条件を酸素と希ガスの混合ガス、
及び圧力を0.5〜5Torrに変化させても特性的に
差はなく、同様の効果が認められた。
及び圧力を0.5〜5Torrに変化させても特性的に
差はなく、同様の効果が認められた。
本発明方法によれば、粒子の焼結が進行しない
程度の温度で沈殿物を加熱焼成することができる
ため、磁気特性に優れ、かつ粒径0.2μm以下で均
一な形状を有し、粒度分布巾の狭いBa−フエラ
イト磁性粉末を製造することが可能となる。
程度の温度で沈殿物を加熱焼成することができる
ため、磁気特性に優れ、かつ粒径0.2μm以下で均
一な形状を有し、粒度分布巾の狭いBa−フエラ
イト磁性粉末を製造することが可能となる。
第1図はプラズマを発生して試料を加熱焼成す
る装置の概略図、第2図はオートクレーブ粉を用
いた実施例及び比較例において各々得られたBa
−フエライト磁性粉末の飽和磁化を熱処理温度の
関数として表わした図、第3図は共沈粉を用いた
場合について第2図と同様の関数として表わした
図、第4図はオートクレーブ粉を用いた実施例及
び比較例において各々得られたBa−フエライト
磁性粉末の粒子径の分布を表わした図、第5図は
共沈粉を用いた場合について第4図と同様の分布
を表わした図である。 1…マイクロ波発振器、2…導波管、3…アン
テナ、4…石英管、5…処理室、6…試料、7…
回転装置、8…ガス供給口、9…ガス排出口、1
0…ヒーター、11…電動機。
る装置の概略図、第2図はオートクレーブ粉を用
いた実施例及び比較例において各々得られたBa
−フエライト磁性粉末の飽和磁化を熱処理温度の
関数として表わした図、第3図は共沈粉を用いた
場合について第2図と同様の関数として表わした
図、第4図はオートクレーブ粉を用いた実施例及
び比較例において各々得られたBa−フエライト
磁性粉末の粒子径の分布を表わした図、第5図は
共沈粉を用いた場合について第4図と同様の分布
を表わした図である。 1…マイクロ波発振器、2…導波管、3…アン
テナ、4…石英管、5…処理室、6…試料、7…
回転装置、8…ガス供給口、9…ガス排出口、1
0…ヒーター、11…電動機。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Ba−フエライト磁性粉末の各構成元素イオ
ンを含む水溶液をオートクレーブ中にて加熱し、
得られた前駆体沈殿物をプラズマ中で生成させる
活性種と接触させながら、800℃より低い温度で
加熱焼成することを特徴とするBa−フエライト
磁性粉末の製造方法。 2 前記Ba−フエライト磁性粉末が、次式: BaO・n(Fe1-nMm)2O3 〔式中、Mは、Co,Ti,Ni,Mn,Cu,Zn,
In,Ge,Nbから選ばれる1種以上の元素を表わ
し;nは5.4〜6.0、mは0〜0.2(但し、mは0を
含まず)を表わす。〕 で示されるBa−フエライト粉末である特許請求
の範囲第1項記載のBa−フエライト磁性粉末の
製造方法。 3 前記プラズマをマイクロ波放電により発生さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のBa−フエライト磁性粉末の製造方法。 4 プラズマ放電用ガスが酸素もしくは希ガス又
は窒素と酸素との混合ガスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のBa−フエライト
磁性粉末の製造方法。 5 Ba−フエライト磁性粉末の各構成元素イオ
ンを含む水溶液から沈殿を生成せしめ、得られた
沈殿物をプラズマ中で生成される活性種と接触さ
せながら800℃より低い温度で加熱焼成すること
を特徴とするBa−フエライト磁性粉末の製造方
法。 6 前記Ba−フエライト磁性粉末が、次式: BaO・n(Fe1-nMm)2O3 〔式中、Mは、Co,Ti,Ni,Mn,Cu,Zn,
In,Ge,Nbから選ばれる1種以上の元素を表わ
し;nは5.4〜6.0、mは0〜0.2(但し、mは0を
含まず)を表わす。〕 で示されるBa−フエライト粉末である特許請求
の範囲第5項記載のBa−フエライト磁性粉末の
製造方法。 7 前記プラズマをマイクロ波放電により発生さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第5項記載
のBa−フエライト磁性粉末の製造方法。 8 プラズマ放電用ガスが酸素もしくは希ガス又
は窒素と酸素との混合ガスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第5項記載のBa−フエライト
磁性粉末の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169870A JPS5964531A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ba―フェライト磁性粉末の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57169870A JPS5964531A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ba―フェライト磁性粉末の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5964531A JPS5964531A (ja) | 1984-04-12 |
JPH0446897B2 true JPH0446897B2 (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=15894474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57169870A Granted JPS5964531A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | Ba―フェライト磁性粉末の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5964531A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69201579T2 (de) * | 1991-03-15 | 1995-11-02 | Sony Corp | Polykristalline Ferrite. |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5690505A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic powder for high density magnetic recording |
JPS56160328A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-10 | Toshiba Corp | Manufacture of ba-ferrite powder |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP57169870A patent/JPS5964531A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5690505A (en) * | 1979-12-24 | 1981-07-22 | Toshiba Corp | Manufacture of magnetic powder for high density magnetic recording |
JPS56160328A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-10 | Toshiba Corp | Manufacture of ba-ferrite powder |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5964531A (ja) | 1984-04-12 |
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