JPH0446330Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の目的〕 （産業上の利用分野） 本考案は開閉装置等に用いられるブツシングに
関する。

（考案が解決しようとする問題点） 開閉装置等に用いられるブツシングは、一般に
完全に絶縁分離した各区分間の離隔部や、外部に
口出し線を引き出す引き出し部に用いられ、開閉
装置等の性能向上と小形化のために電気的特性の
向上と小形化が要求される。従つて、電位分布の
調整可能なコンデンサ形ブツシングにしてまで電
界制御を行う必要はなく、構造の簡単な単一形ブ
ツシングでも電気的特性のうち部分放電特性を満
足させることができる。

従来のブツシングを示す第３図において、中心
導体１の周囲にエポキシ樹脂等の絶縁材料の注形
で形成した絶縁層２の内には、ブツシング接地側
の電界を緩和するため、金網のシールド３と必要
に応じシールド３の端部にリング４を設けて共に
埋め込んでいる。また、絶縁層２の中央部外周の
フランジ状の取り付け端部６はボルト７で取り付
け板８に取り付けられている。又、シールド３は
取り付け金具５を通じてボルト７に接続されてい
る。

従つて、この構成のブツシングでは、高圧側で
ある導体１の電界よりも接地側の取り付け板８に
集中する電界の方が２〜３倍大きくなるが、絶縁
層２の中にシールド３とリング４を埋め込み電界
を緩和したので、接地側の電界が取り付け板８に
集中しない。

しかし、このブツシングで、絶縁層２の表面か
らシールド３までの寸法Ｈを一定にし、絶縁層の
成形に際してシールド３とリング４が傾かないよ
うにするのはむつかしい。そこで従来絶縁材料の
注形時には、金型を３〜４に分割してシールド３
とリング４が動かないように数回に分けて注形し
なければならなかつた。

そこで、特公昭60−16689に示すようにシール
ド，リングおよび取り付け金具等の埋め込み部品
を省いて、１回の注形で絶縁層を形成したものが
ある。すなわち、第４図に示すように、取り付け
端部６の両側の絶縁層表面部に、電界緩和に必要
なだけの間隔を残して深さＨで断面小半円状の溝
９を設ける。そして、その一方の溝内から取り付
け端部を通り他方の溝内に至る絶縁層表面全体に
亘つて、導電材料やメタリコンを塗布して接地層
１０を設ける。

このように構成された単一形ブツシングでは、
接地側となる取り付け板８に電界が集中するのを
防ぐことができる。

しかしこれではブツシングの部分放電特性はよ
くなるが、耐電圧特性は上がらない。

（考案が解決しようとする問題点） ブツシングの定格電圧を上げるには、断面小半
円状の溝９から中心導体１までの絶縁距離を増や
す必要がある。すると、部分放電特性は満足する
が長さが長くなる。

本考案は耐電圧特性がよく、長さの短かいブツ
シングを得ることを目的とする。

〔考案の構成〕

（問題点を解決するための手段） 上記目的を達成するために本考案は、導体の周
囲に形成される絶縁層と、絶縁層表面の略中央部
の取り付け端部の両側に電界緩和に必要な間隔を
残して導体の軸心方向に設けられる第１の溝部
と、底部が断面半円状の円弧として第１の溝部に
連続して形成され、導体の軸の長手方向で且つ取
り付け端部とは反対側に向けて設けられる第２の
溝部と、一方の第２の溝部の底部内から取り付け
端部を介し他方の第２の溝部の底部内に至る絶縁
層表面に形成される導電性の接地層とを有し、第
１の溝部の深さを第２の溝部の円弧の曲率半径よ
りも大きくしたことを特徴とする。

（作用） 電界緩和に必要なだけの間隔を残して深さＨの
第１の溝部と、第１の溝部に連続して形成され中
心導体１の軸の長手方向で且つ取り付け板８とは
反対側に設けられる底部が断面半円状の第２の溝
部とからなる溝１１のためのブツシングの部分放
電特性は満足し、更に、溝１１における第２の溝
部を設けたことにより生じる中心導体１の軸の長
手方向で且つ取り付け板８側へ向いている突起部
１２により、溝１１の第２の溝部から絶縁層２の
表面部を介した中心導体１までの間で隔壁効果が
期待でき、沿面方向の絶縁耐力を約２倍以上増や
し、その結果長さ方向の絶縁距離を短くできる。

（実施例） 本考案の一実施例を示す第１図において、取り
付け部６の両側の絶縁表面部に電界緩和に必要な
だけの間隔を残して深さＨで軸方向に外側向きの
断面小半円状の溝１１を設け、導電材料で接地層
１０を設けている。更に溝１１を拡大した第２図
において、溝１１の第２の溝部を設けたことによ
り突起部１２が生じる。突起部１２の絶縁厚さｔ
は、溝１１における第１の溝部の深さＨとの間に
Ｈ＞ｔの関係があり、この厚さｔは、ブツシング
の定格電圧に耐える程度あればよい。例えば定格
電圧を66kVとすれば、一般に絶縁層２の絶縁耐
力は10kV／mmであり、これにより６〜７mm程度
あればよい。また、絶縁層表面の距離ｌは、断面
小半円状の曲率半径ｒと同等以上ある。つまり、
絶縁厚さｔの絶縁層表面は、断面小半円状の先端
からの距離が、半円状の曲率半径ｒと同等以上の
長さがある。この長さｌは長い程絶縁層２から外
部に突出している中心導体１との間の隔壁効果が
大きくなるが、溝１１と外部に突出している中心
導体１との間の絶縁層２の貫通方向の絶縁距離が
小さくなり、貫通方向の絶縁耐力が下がるため、
絶縁層表面の距離ｌは数mm〜数十mmあれば充分隔
壁効果がある。

この結果、部分放電特性は電界緩和に必要な溝
１１の深さＨで効果があり、耐電圧特性も上が
る。

これは、溝１１の最大電界強度ＥをＡ部で示す
が、最短絶縁距離となる軸方向の中心導体１から
絶縁層２より突出する中心導体１の間に分布して
いるため、先ず最初の破壊しようとする領域はＡ
部となる。しかし、絶縁層２の貫通方向の絶縁耐
力は非常に強く、破壊は起きず、貫通方向より絶
縁耐力の劣る表面で破壊しようとするが、絶縁層
表面はｔとｌを持つた突出部１２が形成されてい
るので破壊しない。つまり、溝１１と絶縁層２よ
り外部に突出した中心導体１との間には、沿面絶
縁耐力を上げる隔壁効果が期待できる。この隔壁
効果は、絶縁層表面の距離ｌの寸法で異なるが、
溝１１の小半円状の曲率半径ｒと同等以上あれ
ば、溝１１部の最大電界強度から求まる耐電圧値
より約２倍の耐電圧向上が図れる。

これらの耐電圧向上で、ブツシングの円軸方向
の寸法は短くできる。つまり、ブツシングの沿面
絶縁距離を短くできる。

〔考案の効果〕

本考案によれば、ブツシングの略中央部に位置
する取り付け部の両側の絶縁層表面に電界緩和に
必要な間隔を残して導体の軸心方向に設けられる
第１の溝部と、底部が断面半円状の円弧として第
１の溝部に連続して形成され導体の軸の長手方向
で且つ取り付け端部とは反対側に向けて設けられ
る第２の溝部と、一方の第２の溝部の底部内から
取り付け端部を介し他方の第２の溝部の底部内に
至る絶縁層表面に形成される導電性の接地層とを
有し、第１の溝部の深さを第２の溝部の円弧の曲
率半径よりも大きくしたことにより、部分放電特
性を満足させると共に、耐電圧特性が上がり長さ
の短かいブツシングを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例を示すブツシングの
半断面図、第２図は第１図の要部拡大断面図、第
３図、第４図は従来のブツシングの半断面図であ
る。 １……中心導体、２……絶縁層、８……取り付
け板、１０……接地層、１１……溝、１２……突
起部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 導体の周囲に形成される絶縁層と、この絶縁層
   表面の略中央部の取り付け端部の両側に電界緩和
   に必要な間隔を残して前記導体の軸心方向に設け
   られる第１の溝部と、底部が断面半円状の円弧と
   して前記第１の溝部に連続して形成され、前記導
   体の軸の長手方向で且つ前記取り付け端部とは反
   対側に向けて設けられる第２の溝部と、一方の第
   ２の溝部の底部内から前記取り付け端部を介し他
   方の第２の溝部の底部内に至る前記絶縁層表面に
   形成される導電性の接地層とを有し、前記第１の
   溝部の深さを前記第２の溝部の円弧の曲率半径よ
   りも大きくしたことを特徴とするブツシング。