JPH0445167A - アゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 - Google Patents
アゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光体Info
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、電子写真感光体における電荷発生材料とし
て好適なアゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光
体に関する。
て好適なアゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光
体に関する。
〈従来の技術〉
近年、複写機なとの画像形成装置における電子写真感光
体として、加工性に優れ、製造コストの面て有利である
とともに、機能設計の自由度が大きい有機感光体が使用
されている。
体として、加工性に優れ、製造コストの面て有利である
とともに、機能設計の自由度が大きい有機感光体が使用
されている。
また、電子写真感光体を用いて複写画像を形成する場合
には、カールソンプロセスが広く利用されている。カー
ルソンプロセスは、コロナ放電により感光体を均一・に
帯電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光
し、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工程と、
静電潜像をトナーを含有する現像剤で現像し、トナー像
を形成する現像工程と、トナー像を紙などの基材に転写
する転写工程と、基材に転写されたトナー像を定着させ
る定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留するトナ
ーを除去するクリーニング工程とを含んでいる。このカ
ールソンプロセスにおいて高品質の画像を形成するには
、電子写真感光体が帯電特性及び感光特性に優れている
こと及び、露光後の残留電位が低いことが要求される。
には、カールソンプロセスが広く利用されている。カー
ルソンプロセスは、コロナ放電により感光体を均一・に
帯電させる帯電工程と、帯電した感光体に原稿像を露光
し、原稿像に対応した静電潜像を形成する露光工程と、
静電潜像をトナーを含有する現像剤で現像し、トナー像
を形成する現像工程と、トナー像を紙などの基材に転写
する転写工程と、基材に転写されたトナー像を定着させ
る定着工程と、転写工程の後、感光体上に残留するトナ
ーを除去するクリーニング工程とを含んでいる。このカ
ールソンプロセスにおいて高品質の画像を形成するには
、電子写真感光体が帯電特性及び感光特性に優れている
こと及び、露光後の残留電位が低いことが要求される。
従来より、セレンや硫化カドミウム等の無機光導電体が
電子写真感光体材料として公知ではあるが、これらは毒
性があり、しかも生産コストが高く望ましくない。
電子写真感光体材料として公知ではあるが、これらは毒
性があり、しかも生産コストが高く望ましくない。
そこで、これらの無機物質に代えて、種々の有機物質を
用いた、いわゆる有機電子写真感光体が提案されている
。かかる有機電子写真感光体は、通常、露光により電荷
を発生する電荷発生材料と。
用いた、いわゆる有機電子写真感光体が提案されている
。かかる有機電子写真感光体は、通常、露光により電荷
を発生する電荷発生材料と。
発生した電荷を輸送する機能を有する電荷輸送材料とか
らなる感光層を有する。
らなる感光層を有する。
かかる有機電子写真感光体に望まれる各種の条件を満足
させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送材料
との選択を適切に行う必要がある。
させるためには、これらの電荷発生材料と電荷輸送材料
との選択を適切に行う必要がある。
このうち電荷発生材料として、ポリビニルカルバゾール
等の有機光導電性ポリマー ヒドラゾン系化合物等の低
分子有機光導電体、フタロシアニン系化合物、ペリレン
系化合物、キナクリドン系化合物、アンサンスロン系化
合物、アゾ系化合物等多くの化合物が提案されている。
等の有機光導電性ポリマー ヒドラゾン系化合物等の低
分子有機光導電体、フタロシアニン系化合物、ペリレン
系化合物、キナクリドン系化合物、アンサンスロン系化
合物、アゾ系化合物等多くの化合物が提案されている。
例えばアゾ系化合物としては、特開昭47−37543
号公報に開示のものが知られている。
号公報に開示のものが知られている。
〈発明か解決しようとする課題〉
しかし、上記従来の電荷発生材料は、感光波長領域が狭
かったり、近赤外領域に強い吸収を有するものが多く、
可視光領域全体にわたる感光波長特性を有していない。
かったり、近赤外領域に強い吸収を有するものが多く、
可視光領域全体にわたる感光波長特性を有していない。
したがって、上記従来の電荷発生材料を用いた電子写真
感光体は、感光体の吸収波長特性によってはカラー原稿
を忠実に再現することが困難であり、全体として感度が
十分でないという問題があった。
感光体は、感光体の吸収波長特性によってはカラー原稿
を忠実に再現することが困難であり、全体として感度が
十分でないという問題があった。
特に、電荷発生材料としての従来公知のアゾ系化合物は
、長期間使用していると感光体の感光特性か変化し、耐
久性が充分でないと共に感度も低下するという欠点があ
るため、実用化に至ったものはほとんどなかった。
、長期間使用していると感光体の感光特性か変化し、耐
久性が充分でないと共に感度も低下するという欠点があ
るため、実用化に至ったものはほとんどなかった。
この発明は上記の問題点を解決するものであり、より優
れた感光特性を有し、かつ繰返し特性にも優れ、また光
に対しても安定した感度を有する新規なアゾ系化合物と
それを用いた電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
れた感光特性を有し、かつ繰返し特性にも優れ、また光
に対しても安定した感度を有する新規なアゾ系化合物と
それを用いた電子写真感光体を提供することを目的とす
る。
〈課題を解決するための手段及び作用〉この発明のアゾ
系化合物は、−船蔵(I):[式中、Aはカップラー残
基を示し、Zは酸素原子またはイオウ原子を示す。]で
表されるアゾ系化合物である。
系化合物は、−船蔵(I):[式中、Aはカップラー残
基を示し、Zは酸素原子またはイオウ原子を示す。]で
表されるアゾ系化合物である。
かかる本発明のアゾ系化合物を含有した感光層を導電性
基材上に設けて、電子写真感光体が得られる。
基材上に設けて、電子写真感光体が得られる。
このアゾ系化合物を含有する本発明の電子写真感光体は
、可視光領域、特に450〜600nmの可視域に高感
度で、繰返使用による表面電位の低下か防止できる。さ
らに、長時間の光露光や高温下での光露光に対して、安
定した高感度を有し、光安定性に優れている。
、可視光領域、特に450〜600nmの可視域に高感
度で、繰返使用による表面電位の低下か防止できる。さ
らに、長時間の光露光や高温下での光露光に対して、安
定した高感度を有し、光安定性に優れている。
本発明のアゾ系化合物がこのような高い耐久性と安定し
た感度とを有する理由としては以下のようなことが考え
られる。
た感度とを有する理由としては以下のようなことが考え
られる。
すなわち、この発明のアゾ系化合物は、例えば、前記し
た特開昭47−37543号に例示の下記−船蔵(■)
: で示される従来のジスアゾ系化合物に比して、共役した
π結合が中心構造全体に広がっており、化合物の分子構
造の平面化がより一層促進されて、分子間の重なり合い
等による分子間相互作用が強まるからであると推定され
る。
た特開昭47−37543号に例示の下記−船蔵(■)
: で示される従来のジスアゾ系化合物に比して、共役した
π結合が中心構造全体に広がっており、化合物の分子構
造の平面化がより一層促進されて、分子間の重なり合い
等による分子間相互作用が強まるからであると推定され
る。
前記一般式(I)で表されるこの発明のアゾ系化合物に
おける、カップラー残基は種々のカップラー成分から構
成することかでき、例えば、下記一般式(ω〜((11
で示されるカップラー残基が例示される。
おける、カップラー残基は種々のカップラー成分から構
成することかでき、例えば、下記一般式(ω〜((11
で示されるカップラー残基が例示される。
上記各式中、R1はヒドロキシル基、基ニーNR7R8
(式中、R7およびR8は同一または異なって、水素原
子またはアルキル基を示す。)または基ニーNHSO2
R9(式中、R9は水素原子、アルキル基、アルケニル
基またはアリール基を示す。)を示す。
(式中、R7およびR8は同一または異なって、水素原
子またはアルキル基を示す。)または基ニーNHSO2
R9(式中、R9は水素原子、アルキル基、アルケニル
基またはアリール基を示す。)を示す。
R2は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カル
バモイル基、アリール基またはスルファモイル基を示し
、アルキル基またはアルコキシ基はハロゲン原子、フェ
ニル基、ナフチル基、ニトロ基、シアノ基等の置換基を
有してもよい。
シ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、カル
バモイル基、アリール基またはスルファモイル基を示し
、アルキル基またはアルコキシ基はハロゲン原子、フェ
ニル基、ナフチル基、ニトロ基、シアノ基等の置換基を
有してもよい。
また、カルバモイル基またはスルファモイル基はハロゲ
ン原子、フェニル基、ナフチル基、アルキル基、アルケ
ニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有
してもよい。
ン原子、フェニル基、ナフチル基、アルキル基、アルケ
ニル基、カルボニル基、カルボキシル基等の置換基を有
してもよい。
R3はR1およびR2を有するベンゼン環と縮合して芳
香族環、脂肪族環または複素環を形成するのに必要な原
子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有して
もよい。
香族環、脂肪族環または複素環を形成するのに必要な原
子団を表し、これらの環は前記と同様な置換基を有して
もよい。
R4は水素原子、アミノ基、N−置換アミノ基、アルキ
ル基、アルケニル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基
、カルボキシル基またはアルコキシカルボニル基を示す
。またアルキル基、アルケニル基、カルバモイル基は前
記と同様な置換基を有してもよい。
ル基、アルケニル基、ヒドロキシル基、カルバモイル基
、カルボキシル基またはアルコキシカルボニル基を示す
。またアルキル基、アルケニル基、カルバモイル基は前
記と同様な置換基を有してもよい。
R5は水素原子、アルキル基またはアリール基を示し、
アルキル基またはアリール基は前記と同様な置換基を有
してもよい。
アルキル基またはアリール基は前記と同様な置換基を有
してもよい。
R6はフェニレン基またはナフチレン基を示す。
これらのフェニレン基またはナフチレン基も前記と同様
な置換基を有してもよい。
な置換基を有してもよい。
前記アルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロプル、ブチル、イソブチル、tert−
ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級ア
ルキル基があげられる。
ピル、イソプロプル、ブチル、イソブチル、tert−
ブチル、ペンチル、ヘキシル等の炭素数1〜6の低級ア
ルキル基があげられる。
前記アルケニル基としては、例えばビニル、アリル、2
−ブテニル、3−ブテニル、1−メチルアリル、2−ペ
ンテニル、2−へキセニル等の炭素数2〜6の低級アル
ケニル基があげられる。
−ブテニル、3−ブテニル、1−メチルアリル、2−ペ
ンテニル、2−へキセニル等の炭素数2〜6の低級アル
ケニル基があげられる。
前記ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ
素原子、フッ素原子があげられる。
素原子、フッ素原子があげられる。
前記アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等のアルコキシ部
分の炭素数が1〜6の低級アルコキシ基があげられる。
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等のアルコキシ部
分の炭素数が1〜6の低級アルコキシ基があげられる。
前記アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、
イソブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、
ヘキシルオキシヵルボニル等のアルコキシ部分の炭素数
が1〜6の低級アルコキシカルボニル基があげられる。
カルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニ
ル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、
イソブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、
ヘキシルオキシヵルボニル等のアルコキシ部分の炭素数
が1〜6の低級アルコキシカルボニル基があげられる。
また、R3において、RIおよびR2を有するベンゼン
環と縮合して脂肪族環を形成するのに必要な原子団とし
ては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基があげられ
る。
環と縮合して脂肪族環を形成するのに必要な原子団とし
ては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、
ブチレン基等の炭素数1〜4のアルキレン基があげられ
る。
R3においてR1およびR2を有するベンゼン環と縮合
して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例え
ばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、
IH−インドリル、ベゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、IH−イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、クロメ
ニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソ
キノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリ
ル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル
、キサンテニル、アクリジニル、フェノキサジニル、フ
タラジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があ
げられる。
して複素環を形成するのに必要な原子団としては、例え
ばベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、インドリル、
IH−インドリル、ベゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリ
ル、IH−イミダゾリル、ベンゾイミダゾリル、クロメ
ニル、クロマニル、イソクロマニル、キノリニル、イソ
キノリニル、シンノリニル、フタラジニル、キナゾニリ
ル、キノキサリニル、ジベンゾフラニル、カルバゾリル
、キサンテニル、アクリジニル、フェノキサジニル、フ
タラジニル、フェノキサジニル、チアントレニル等があ
げられる。
上記−船蔵(Ilで表される本発明のアゾ系化合物は、
種々の方法で合成することができる。例えば、下記反応
式に示すように、ジアミンをジアゾ化してテトラジアゾ
ニウム塩とし、次いでこれを所定のカップラーと有機溶
媒中でカップリングさせることにより容易に製造するこ
とができる。
種々の方法で合成することができる。例えば、下記反応
式に示すように、ジアミンをジアゾ化してテトラジアゾ
ニウム塩とし、次いでこれを所定のカップラーと有機溶
媒中でカップリングさせることにより容易に製造するこ
とができる。
+ 2HX
[式中、AおよびZは前記と同じ、XはCJ−B r
”−N O3−B F 2−等の陰イオンを示す。
”−N O3−B F 2−等の陰イオンを示す。
〕
ジアゾ化は、ジアミン(1)の酸性水溶液に亜硝酸ナト
リウムまたは亜硝酸を攪拌しながら低温下(通常、−1
0〜5℃)で滴下し、次いでホウフッ化水素、ハロゲン
化水素、硫酸等を加えて結晶化したテトラゾニウム塩0
を得る。
リウムまたは亜硝酸を攪拌しながら低温下(通常、−1
0〜5℃)で滴下し、次いでホウフッ化水素、ハロゲン
化水素、硫酸等を加えて結晶化したテトラゾニウム塩0
を得る。
カップリング反応は、有機溶媒中にて前記テトラゾニウ
ム塩(2)に所定量のカップラーを加え、反応させる。
ム塩(2)に所定量のカップラーを加え、反応させる。
有機溶媒としては、例えばジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等があげられる。
チルスルホキシド等があげられる。
この発明のアゾ系化合物は、電荷発生材料として単独で
用いられるほか、従来公知の他の電荷発生材料と組み合
わせて使用することができる。
用いられるほか、従来公知の他の電荷発生材料と組み合
わせて使用することができる。
この電荷発生材料としては、例えばアモルファスシリコ
ン、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、フタロシア
ニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン系顔
料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔
料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料等があげられ
る。
ン、ピリリウム塩、アンサンスロン系顔料、フタロシア
ニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン系顔
料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系顔
料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料等があげられ
る。
これらの電荷発生材料は、所望の領域に吸収波長域を有
するように、1種または2種以上混合して用いられる。
するように、1種または2種以上混合して用いられる。
このアゾ系化合物は、いわゆる単層型及び積層型の電子
写真感光体のいずれにも適用することができる。
写真感光体のいずれにも適用することができる。
単層型電子写真感光体とするには、電荷発生材であるこ
の発明のアゾ系化合物、電荷輸送材料、結着樹脂等を含
有する感光層を塗布等の手段により導電性基村上に形成
すればよい。
の発明のアゾ系化合物、電荷輸送材料、結着樹脂等を含
有する感光層を塗布等の手段により導電性基村上に形成
すればよい。
また、積層型の電子写真感光体とするには、導電性基村
上に、塗布等の手段によりこの発明のアゾ系化合物を含
有する電荷発生材料を含有する電荷発生層を形成し、こ
の電荷発生層上に、電荷輸送材料と結合材樹脂とを含有
する電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に
、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、次
いで塗布等の手段により電荷発生材料を含有する電荷発
主層を形成してもよい。さらに、電荷発生層は電荷発生
材料と電荷輸送材料とを結着剤樹脂中に分散して塗布す
ることにより形成してもよい。
上に、塗布等の手段によりこの発明のアゾ系化合物を含
有する電荷発生材料を含有する電荷発生層を形成し、こ
の電荷発生層上に、電荷輸送材料と結合材樹脂とを含有
する電荷輸送層を形成すればよい。また、上記とは逆に
、導電性基材上に上記と同様の電荷輸送層を形成し、次
いで塗布等の手段により電荷発生材料を含有する電荷発
主層を形成してもよい。さらに、電荷発生層は電荷発生
材料と電荷輸送材料とを結着剤樹脂中に分散して塗布す
ることにより形成してもよい。
前記電荷輸送材料としては、従来公知の材料を用いるこ
とができ、例えば2,5−ジ(4〜メチルアミノフエニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾ
ール系化合物、9−(4−ジエチルアミノスチリル)ア
ントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾ
ール等のカルバゾール系化合物、1−フェニル−3−(
p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン等のピラゾリ
ン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン
系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物
、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チ
アジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾ
ール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化
合物、縮合多環式化合物があげられる。
とができ、例えば2,5−ジ(4〜メチルアミノフエニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾ
ール系化合物、9−(4−ジエチルアミノスチリル)ア
ントラセン等のスチリル系化合物、ポリビニルカルバゾ
ール等のカルバゾール系化合物、1−フェニル−3−(
p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリン等のピラゾリ
ン系化合物、ヒドラゾン系化合物、トリフェニルアミン
系化合物、インドール系化合物、オキサゾール系化合物
、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チ
アジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾ
ール系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化
合物、縮合多環式化合物があげられる。
これらの電荷輸送材料は、1種または2種以上混合して
用いられる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を
有する電荷輸送材料を用いる場合には、結着樹脂は必ず
しも必要ではない。
用いられる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を
有する電荷輸送材料を用いる場合には、結着樹脂は必ず
しも必要ではない。
また、上記単層型や積層型の感光体において使用される
結着樹脂としては、種々の樹脂を使用することができ、
例えばスチレン系重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−ア
クリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル
共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
プロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエ
ステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジ
アリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリ
コーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂
、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、および
エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光
硬化性樹脂等種々の重合体があげられる。
結着樹脂としては、種々の樹脂を使用することができ、
例えばスチレン系重合体、スチレン−ブタジェン共重合
体、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−
マレイン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−ア
クリル系共重合体、ポリエチレン、エチレン酢酸ビニル
共重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
プロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエ
ステル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジ
アリルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラ
ール樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリ
コーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂
、メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、および
エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光
硬化性樹脂等種々の重合体があげられる。
これらの結着剤樹脂は1種または2種以上混合して用い
られる。
られる。
また、塗布手法等により電荷発生層や電荷輸送層を形成
する場合には溶剤が使用される。この溶剤としては、種
々の有機溶剤を使用することが可能であり、例えばメタ
ノール、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等
のアルコール類、n−へキサン、オクタン、シクロヘキ
サン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエ
タン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、エチレングリフールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジ
メチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の種々の溶剤が例示される。
する場合には溶剤が使用される。この溶剤としては、種
々の有機溶剤を使用することが可能であり、例えばメタ
ノール、エタノール、イソプロパツール、ブタノール等
のアルコール類、n−へキサン、オクタン、シクロヘキ
サン等の脂肪族系炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロエ
タン、四塩化炭素、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化
水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、エチレングリフールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、
アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等の
ケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等のエステル類、ジ
メチルホルムアルデヒド、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド等の種々の溶剤が例示される。
これらの溶剤は1種または2種以上混合して用いること
ができる。
ができる。
また、上記電荷発生層の感度をよくするために、例えば
、ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン
等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材料の分散性、
染工性等をよくするために界面活性剤、レベリング剤等
を使用してもよい。
、ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン
等の公知の増感剤を上記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには、電荷輸送材料や電荷発生材料の分散性、
染工性等をよくするために界面活性剤、レベリング剤等
を使用してもよい。
上記導電性基材としては、導電性を有する種々の材料を
使用することができる。例えば、アルミニウム、銅、ス
ズ、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、
カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウ
ム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸
着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化ア
ルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆された
ガラス等が例示される。
使用することができる。例えば、アルミニウム、銅、ス
ズ、白金、金、銀、バナジウム、モリブデン、クロム、
カドミウム、チタン、ニッケル、パラジウム、インジウ
ム、ステンレス鋼、真鍮等の金属単体や、上記金属が蒸
着またはラミネートされたプラスチック材料、ヨウ化ア
ルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム等で被覆された
ガラス等が例示される。
上記導電性基材はシート状、ドラム状のいずれでもよく
、基材自体が導電性を有するが、あるいは基材の表面か
導電性を有していればよい。この基材としては、使用に
際し、十分な機械的強度を有するものが好ましい。
、基材自体が導電性を有するが、あるいは基材の表面か
導電性を有していればよい。この基材としては、使用に
際し、十分な機械的強度を有するものが好ましい。
単層型および積層型の各有機感光層には、増感剤、フル
オレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの劣化
防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させることができる。
オレン系化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの劣化
防止剤、可塑剤等の添加剤を含有させることができる。
単層型の感光層における電荷輸送材料の添加量は、結着
樹脂100重量部に対して40〜200重量部、好まし
くは50〜100重量部であるのが適当である。また、
積層型の電荷輸送層における前記電荷輸送材料の添加量
は、結着樹脂100重量部に対して10〜500重量部
、好ましくは25〜200重量部であるのが適当である
。
樹脂100重量部に対して40〜200重量部、好まし
くは50〜100重量部であるのが適当である。また、
積層型の電荷輸送層における前記電荷輸送材料の添加量
は、結着樹脂100重量部に対して10〜500重量部
、好ましくは25〜200重量部であるのが適当である
。
単層型の感光層における電荷発生材料の添加量は、結着
重量100重量部に対して2〜20重量部、好ましくは
3〜15重量部であるのが適当である。また、積層型の
電荷発生層における前記電荷発生材料の添加量は、結着
樹脂100重量部に対して5〜500重量部、好ましく
は10〜250重量部であるのが適当である。
重量100重量部に対して2〜20重量部、好ましくは
3〜15重量部であるのが適当である。また、積層型の
電荷発生層における前記電荷発生材料の添加量は、結着
樹脂100重量部に対して5〜500重量部、好ましく
は10〜250重量部であるのが適当である。
形成される感光層の厚さは、単層型の場合で10〜50
μm程度、なかんづく15〜25μm程度であるのが好
ましい。一方、積層型の場合は、電荷発生層の厚さか0
.01〜58℃程度、好ましくは0.1〜3μm程度、
電荷輸送層の厚さが2〜100μm程度、なかんづく5
〜30μm程度であるのが好ましい。
μm程度、なかんづく15〜25μm程度であるのが好
ましい。一方、積層型の場合は、電荷発生層の厚さか0
.01〜58℃程度、好ましくは0.1〜3μm程度、
電荷輸送層の厚さが2〜100μm程度、なかんづく5
〜30μm程度であるのが好ましい。
また、単層型電子写真用感光体にあっては、上記基材と
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあっ
ては、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層
との間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層か形成されていてもよい
。
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体にあっ
ては、上記基材と電荷発生層との間や基材と電荷輸送層
との間及び電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体の
特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていてもよ
く、感光体の表面には、保護層か形成されていてもよい
。
上記電荷発生層及び電荷輸送層を、塗布の方法により形
成する場合には、電荷発生材料等と結着樹脂なとを公知
の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ
、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて
分散混合して調製し、これを公知の手段により塗布、乾
燥すればよい。
成する場合には、電荷発生材料等と結着樹脂なとを公知
の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ
、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて
分散混合して調製し、これを公知の手段により塗布、乾
燥すればよい。
なお上述のように、電荷発生層は上記電荷発生材料を蒸
着することにより形成してもよい。
着することにより形成してもよい。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
〈実施例〉
(1)電荷発生材料の合成例
実施例1
10%塩酸75mJに式oI:
で表されるジアミン13.17g (0,023モル)
を加え、氷水浴で冷却しながら攪拌し、液温を一1℃に
保った。次に、この溶液に亜硝酸ソーダ3.54g (
0,0051モル)を水10mノに溶解した水溶液を、
液温−2〜1℃に保ったまま30分間で滴下し、さらに
滴下終了後1時間攪拌して冷却放置した。次いてこれに
42%ホウフッ化水素20mjを加え、生成した結晶を
濾過し、エタノールで洗浄後乾燥してテトラゾニウムジ
フルオロボレート12.42g (収率70.2%)を
得た。
を加え、氷水浴で冷却しながら攪拌し、液温を一1℃に
保った。次に、この溶液に亜硝酸ソーダ3.54g (
0,0051モル)を水10mノに溶解した水溶液を、
液温−2〜1℃に保ったまま30分間で滴下し、さらに
滴下終了後1時間攪拌して冷却放置した。次いてこれに
42%ホウフッ化水素20mjを加え、生成した結晶を
濾過し、エタノールで洗浄後乾燥してテトラゾニウムジ
フルオロボレート12.42g (収率70.2%)を
得た。
次にこのテトラゾニウム塩1.54g (0,002モ
ル)と式ffV): て表されるカップラー1.06g (0,004モル)
をN、N−ジメチルホルムアミド100mj中に溶解し
、これに酢酸ソーダ0.35g (0,0043モル)
を水5mJに溶解した液を17〜21℃に保ったまま5
分間で滴下した。さらに3時間攪拌後、生成した沈澱物
を濾過し、N。
ル)と式ffV): て表されるカップラー1.06g (0,004モル)
をN、N−ジメチルホルムアミド100mj中に溶解し
、これに酢酸ソーダ0.35g (0,0043モル)
を水5mJに溶解した液を17〜21℃に保ったまま5
分間で滴下した。さらに3時間攪拌後、生成した沈澱物
を濾過し、N。
N−ジメチルホルムアミド200mJで5回洗浄した。
次に、2回水で洗浄した後、減圧乾燥して下記一般式凹
: で表されるジスアゾat−11,61g(収率71.8
%)を得た。
: で表されるジスアゾat−11,61g(収率71.8
%)を得た。
得られたアゾ系化合物の元素分析結果を以下に記す。
C7゜H4゜N808として
計算値(%) C74,99H3,60N9.99実
験値(%) C74,78H3,72N9.83実施
例2 カップラーとしてp−クレゾールを用いた他は、上記実
施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
験値(%) C74,78H3,72N9.83実施
例2 カップラーとしてp−クレゾールを用いた他は、上記実
施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
C5゜Hl。N606として
計算値(%) C74,07)13.73 N10
.36実験値(%) C73,59H3,91NlO
,30実施例3 カップラーとして4−ヒドロキシインドリンを用いた他
は、上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
.36実験値(%) C73,59H3,91NlO
,30実施例3 カップラーとして4−ヒドロキシインドリンを用いた他
は、上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
C52H36N 606として
計算値(%’) C74,28H4,32N9.99
実験値(%) C74,82H4,20N9.57実
施例4 カップラーとしてN−メチルアニリンを用いた他は、上
記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
実験値(%) C74,82H4,20N9.57実
施例4 カップラーとしてN−メチルアニリンを用いた他は、上
記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
C5QH32N 804として
計算値(%) C74,25H3,99N13.85
実験値(%) C74,76H4,lON13.62
実施例5 カップラーとして1−メチル−5−ヒドロキシピラゾー
ルを用いた他は、上記実施例1と同様にしてアゾ系化合
物を得た。
実験値(%) C74,76H4,lON13.62
実施例5 カップラーとして1−メチル−5−ヒドロキシピラゾー
ルを用いた他は、上記実施例1と同様にしてアゾ系化合
物を得た。
C44H26N +006として
計算値(%) CEi6.83 H3,31N17
.71実験値(%) C66,981(3,15N1
7.86実施例6 カップラーとして下記式で表される物質を用いた他は、
上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
.71実験値(%) C66,981(3,15N1
7.86実施例6 カップラーとして下記式で表される物質を用いた他は、
上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
H3
C62H32N 801゜として
計算値(%) C70,99
実験値(%) C71,03
H3,07
NIQ、68
H3,01N10.75
実施例7
カップラーとして下記式で表される物質を用いた他は、
上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
上記実施例1と同様にしてアゾ系化合物を得た。
O
C72H34N g
として
計算値
(%)
C75,92
H3,OL
実験値
(%)
7B
H3,L6
N9.73
実施例8
上記式■て表される化合物に代えて、
式(11110:
で表される化合物を用いた他は、
実施例1と同様
にしてアゾ系化合物を得た。
C70H4ON 11
として
計算値
(%)
C70,93
83,4O
実験値(%) C71,21H3,32N9.53(
2)電子写真感光体の調製 単層型電子写真感光体の調製 電荷発生材料として上記実施例1〜8で合成した本発明
化合物8重量部、電荷輸送材料として3゜3′−ジメチ
ル−N、N、N’ 、N’ −テトラキス−4−メチル
フェニル(1,1’ −ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン100重量部、結着樹脂としてポリ−(4,4’
−シクロへキシリデンジフ工二ル)カー、ボネート(三
菱瓦斯化学社製、ポリカーボネート2200)100重
量部及び所定量のテトラヒドロフランを、超音波分散器
にて混合分散し、単層型感光層用塗布液を調製した。こ
の塗布液をアルミニウム素管上に塗布した後、暗所にて
100℃で30分間加熱乾燥させて、厚み24μmの単
層型感光層を有するドラム型の電子写真感光体を作製し
た。
2)電子写真感光体の調製 単層型電子写真感光体の調製 電荷発生材料として上記実施例1〜8で合成した本発明
化合物8重量部、電荷輸送材料として3゜3′−ジメチ
ル−N、N、N’ 、N’ −テトラキス−4−メチル
フェニル(1,1’ −ビフェニル)−4,4’−ジア
ミン100重量部、結着樹脂としてポリ−(4,4’
−シクロへキシリデンジフ工二ル)カー、ボネート(三
菱瓦斯化学社製、ポリカーボネート2200)100重
量部及び所定量のテトラヒドロフランを、超音波分散器
にて混合分散し、単層型感光層用塗布液を調製した。こ
の塗布液をアルミニウム素管上に塗布した後、暗所にて
100℃で30分間加熱乾燥させて、厚み24μmの単
層型感光層を有するドラム型の電子写真感光体を作製し
た。
積層型電子写真感光体の調製
結着樹脂としてポリビニルブチラール(接水化学社製、
商品名工スレツクBLI)100重量部と、電荷発生材
料として上記合成例1〜9で合成した本発明化合物10
0重量部と、所定量のテトラヒドロフランとをボールミ
ルに仕込み、24時間撹拌混合して電荷発生層用塗布液
を調製し、この塗布液をアルミニウム素管上に浸漬法に
よって塗布し、110℃で30分間熱風乾燥して硬化さ
せることにより膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した
。
商品名工スレツクBLI)100重量部と、電荷発生材
料として上記合成例1〜9で合成した本発明化合物10
0重量部と、所定量のテトラヒドロフランとをボールミ
ルに仕込み、24時間撹拌混合して電荷発生層用塗布液
を調製し、この塗布液をアルミニウム素管上に浸漬法に
よって塗布し、110℃で30分間熱風乾燥して硬化さ
せることにより膜厚0.5μmの電荷発生層を形成した
。
次いで、結着樹脂としてポリカーボネート樹脂(三菱瓦
斯化学社製、商品名ニーピロン)100重量部と、電荷
輸送材料として3.3’−ジメチル−N、N、N’ 、
N’ −テトラキス−4−メチルフェニル(1,1’−
ビフェニル)−4,4’−ジアミン100重量部と、所
定量のトルエンとをホモミキサで撹拌混合して電荷輸送
層用塗布液を調製した。この塗布液を上記電荷発生層の
表面に浸漬法により塗布し、90℃で30分間熱風乾燥
することにより膜厚約20μmの電荷輸送層を形成して
、 積層型電子写真感光体を作成した。
斯化学社製、商品名ニーピロン)100重量部と、電荷
輸送材料として3.3’−ジメチル−N、N、N’ 、
N’ −テトラキス−4−メチルフェニル(1,1’−
ビフェニル)−4,4’−ジアミン100重量部と、所
定量のトルエンとをホモミキサで撹拌混合して電荷輸送
層用塗布液を調製した。この塗布液を上記電荷発生層の
表面に浸漬法により塗布し、90℃で30分間熱風乾燥
することにより膜厚約20μmの電荷輸送層を形成して
、 積層型電子写真感光体を作成した。
比較例
電荷発生材料として下記−船蔵(Vl:で示されるクロ
ロジアンブルーを用いた以外は上記と同様にして単層型
及び積層型の電子写真感光体を作成した。
ロジアンブルーを用いた以外は上記と同様にして単層型
及び積層型の電子写真感光体を作成した。
G)電子写真感光体の評価
表面電位VSPの測定
上記各単層型電子写真感光体を、静電複写試験装置(ジ
エンチック社製、ジエンチックシンシア30M)に装填
し、その表面を正または負に帯電させて各感光体の表面
電位Vsp(V)を測定した。
エンチック社製、ジエンチックシンシア30M)に装填
し、その表面を正または負に帯電させて各感光体の表面
電位Vsp(V)を測定した。
半減露光量E172および残留電位Vr、の測定上記帯
電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験装置の
露光光源であるノ10ゲンランプを用いて101uxて
露光させ、表面電位Vsp(V)が172となるまでの
時間を求めて、半減露光量El/2 (lux−se
c)を算出した。
電状態の各電子写真感光体を、上記静電複写試験装置の
露光光源であるノ10ゲンランプを用いて101uxて
露光させ、表面電位Vsp(V)が172となるまでの
時間を求めて、半減露光量El/2 (lux−se
c)を算出した。
また、上記露光開始後0.15秒を経過した後の表面電
位を残留電位Vrp(V)とした。
位を残留電位Vrp(V)とした。
上記実施例1〜8及び比較例で得られた電子写真感光体
の電子写真特性の測定結果を第1表に示す。
の電子写真特性の測定結果を第1表に示す。
(以下余白)
第1表
第1表に示すように、本発明のアゾ系化合物を電荷発生
材料として用いた感光体は単層型および積層型のいずれ
も、残留電位VPPか比較例よりも小さく、光に対する
安定性に優れていることが判る。また、半減露光量E1
72も少なく、安定した感度を有していた。さらに、繰
返特性にも優れていた。
材料として用いた感光体は単層型および積層型のいずれ
も、残留電位VPPか比較例よりも小さく、光に対する
安定性に優れていることが判る。また、半減露光量E1
72も少なく、安定した感度を有していた。さらに、繰
返特性にも優れていた。
〈発明の効果〉
以上のように、この発明のアゾ系化合物は、可視光領域
において高感度であり、かつ光安定性に優れている。
において高感度であり、かつ光安定性に優れている。
このアゾ系化合物を用いることにより、高感度で光安定
性に優れ、繰返特性にも秀でた電子写真感光体を得るこ
とができる。
性に優れ、繰返特性にも秀でた電子写真感光体を得るこ
とができる。
(他2名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、Aはカップラー残基を示し、Zは酸素原子また
はイオウ原子を示す。]で表されるアゾ系化合物。 2、導電性基材上に、請求項1記載のアゾ系化合物を含
む感光層を設けたこと特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15576390A JP2938149B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | アゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15576390A JP2938149B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | アゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0445167A true JPH0445167A (ja) | 1992-02-14 |
JP2938149B2 JP2938149B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=15612878
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15576390A Expired - Fee Related JP2938149B2 (ja) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | アゾ系化合物およびそれを用いた電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2938149B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009013258A1 (de) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Basf Se | Verwendung von rylenderivaten als aktive komponenten in solarzellen und photodetektoren |
JP2009507941A (ja) * | 2005-08-03 | 2009-02-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 多重発色団 |
CN102933581A (zh) * | 2009-12-29 | 2013-02-13 | 破立纪元有限公司 | 作为有机半导体的硫代硫酸芳香二酰亚胺以及使用它们的器件 |
-
1990
- 1990-06-12 JP JP15576390A patent/JP2938149B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009507941A (ja) * | 2005-08-03 | 2009-02-26 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 多重発色団 |
WO2009013258A1 (de) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Basf Se | Verwendung von rylenderivaten als aktive komponenten in solarzellen und photodetektoren |
US8083971B2 (en) | 2007-07-23 | 2011-12-27 | Basf Se | Use of rylene derivatives as active components in solar cells and photodetectors |
CN102933581A (zh) * | 2009-12-29 | 2013-02-13 | 破立纪元有限公司 | 作为有机半导体的硫代硫酸芳香二酰亚胺以及使用它们的器件 |
US8440828B2 (en) | 2009-12-29 | 2013-05-14 | Polyera Corporation | Organic semiconductors and devices incorporating same |
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---|---|
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |