JPH0445063B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0445063B2 JPH0445063B2 JP60046632A JP4663285A JPH0445063B2 JP H0445063 B2 JPH0445063 B2 JP H0445063B2 JP 60046632 A JP60046632 A JP 60046632A JP 4663285 A JP4663285 A JP 4663285A JP H0445063 B2 JPH0445063 B2 JP H0445063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- magnification
- monitor
- camera
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、カメラと画像用のモニターを含む光
学系及びパターン認識部を有するワイヤボンダ
ー、ダイボンダー、テープボンダー等の半導体
IC製造装置において、パターン認識部によつて
半導体ICの位置検出を行うに当たり、その画像
を取り込むための光学系の正確なる倍率を測定す
る方法に関するものである。
学系及びパターン認識部を有するワイヤボンダ
ー、ダイボンダー、テープボンダー等の半導体
IC製造装置において、パターン認識部によつて
半導体ICの位置検出を行うに当たり、その画像
を取り込むための光学系の正確なる倍率を測定す
る方法に関するものである。
半導体IC製造装置、例えば、ボンデイング装
置でインナーリードボンデイング済のICチツプ
をアウターリードに重ね合わせるべく位置決定す
る場合には、ICチツプの位置ズレ量を検出する
ために、光学系より取り込んでモニターに映し出
された画像における位置ズレ量をパターン認識部
で光学系の倍率を基準として演算処理し、ICチ
ツプの正確なる位置決定を行つていた。
置でインナーリードボンデイング済のICチツプ
をアウターリードに重ね合わせるべく位置決定す
る場合には、ICチツプの位置ズレ量を検出する
ために、光学系より取り込んでモニターに映し出
された画像における位置ズレ量をパターン認識部
で光学系の倍率を基準として演算処理し、ICチ
ツプの正確なる位置決定を行つていた。
そして、この位置決定の基準となる光学系の倍
率は、その設計値をそのまま用いるか、或いはモ
ニター上に映し出された画像の寸法を物差し又は
モニター上にマークされた目盛りなどによつて測
定し、これとICチツプの実際寸法との比をとつ
て倍率としていた。
率は、その設計値をそのまま用いるか、或いはモ
ニター上に映し出された画像の寸法を物差し又は
モニター上にマークされた目盛りなどによつて測
定し、これとICチツプの実際寸法との比をとつ
て倍率としていた。
しかしながら、近年ICチツプは極めて小型化
され、製造装置でのIC位置の決定は数μｍの精
度で行われており、パターン認識部にて演算処理
するために光学系の正確な倍率が要求されている
にも係わらず、光学系の倍率は依然として前述の
設計値、又はモニター上の画像の寸法を誤差の生
じ易い物差しやモニター上にマークされた目盛り
によつて測定し、これとICチツプの実際の寸法
との比を取つて倍率としており、製作誤差或いは
モニター上の画像の測定誤差をそのままパターン
認識部にて検出することになり、ICチツプの基
準位置に対するズレ量にこれらの誤差に比例した
誤差を生じ、正確な位置決定精度を得ることが困
難であつた。
され、製造装置でのIC位置の決定は数μｍの精
度で行われており、パターン認識部にて演算処理
するために光学系の正確な倍率が要求されている
にも係わらず、光学系の倍率は依然として前述の
設計値、又はモニター上の画像の寸法を誤差の生
じ易い物差しやモニター上にマークされた目盛り
によつて測定し、これとICチツプの実際の寸法
との比を取つて倍率としており、製作誤差或いは
モニター上の画像の測定誤差をそのままパターン
認識部にて検出することになり、ICチツプの基
準位置に対するズレ量にこれらの誤差に比例した
誤差を生じ、正確な位置決定精度を得ることが困
難であつた。
本発明は、このような問題点を解決し、各装置
で使用している光学系の個々の倍率を、各装置毎
に正確かつ簡易に測定し、ICチツプの位置決定
精度を向上させようとするものである。
で使用している光学系の個々の倍率を、各装置毎
に正確かつ簡易に測定し、ICチツプの位置決定
精度を向上させようとするものである。
本発明は、カメラと画像用のモニターを含む光
学系及び該光学系によるパターン認識部を有する
半導体IC製造装置において、前記光学系のカメ
ラと被認識物との相対的移動距離と、該相対的移
動距離に対応する前記モニター上の画像の該モニ
ターにおける画素数によつて測定した移動距離と
の比を求め、これを光学系の倍率とすることを特
徴とする半導体IC製造装置における光学系の倍
率測定方法である。
学系及び該光学系によるパターン認識部を有する
半導体IC製造装置において、前記光学系のカメ
ラと被認識物との相対的移動距離と、該相対的移
動距離に対応する前記モニター上の画像の該モニ
ターにおける画素数によつて測定した移動距離と
の比を求め、これを光学系の倍率とすることを特
徴とする半導体IC製造装置における光学系の倍
率測定方法である。
本発明の一実施例を図面を参照しながら説明す
れば、次の通りである。
れば、次の通りである。
第１図はテープボンダーの概略構成図であつ
て、１はパルスモータなどでXY方向に移動され
るXYステージ２上に設けられたボンデイングヘ
ツドで受台（ワーク載置台）３上に位置決めされ
たICチツプのボンデイングを行うものであり、
ボンデイングツール４と受台３上のICチツプの
位置を検出するためのITVカメラ５のレンズ部
６が固定されている。
て、１はパルスモータなどでXY方向に移動され
るXYステージ２上に設けられたボンデイングヘ
ツドで受台（ワーク載置台）３上に位置決めされ
たICチツプのボンデイングを行うものであり、
ボンデイングツール４と受台３上のICチツプの
位置を検出するためのITVカメラ５のレンズ部
６が固定されている。
ITVカメラ５は、カメラ制御部７に連結され、
カメラ制御部７はパターン認識部８を経由しモニ
ターTV９に連なつている。１０はパターン認識
部８よりの信号によつてボンデイングヘツド１及
びXYステージ２の操作を制御するボンダー制御
部、１１はモニター画面を示す。
カメラ制御部７はパターン認識部８を経由しモニ
ターTV９に連なつている。１０はパターン認識
部８よりの信号によつてボンデイングヘツド１及
びXYステージ２の操作を制御するボンダー制御
部、１１はモニター画面を示す。
しかして、受台３上にICチツプを載置し、こ
れをITVカメラ５によつてモニターTV９上に映
し出し、例えば第２図のようにモニター画面１１
上にICチツプ１２の一部が映し出され、ICチツ
プ１２上の基準点Ｐ、例えばパツド又はパターン
１３の角などを利用した基準点Ｐをモニター画面
１１上のＸ軸基準線１４、Ｙ軸基準線１５の交点
と一致するように、XYステージ２を移動させな
がら定める。そして、この位置にITVカメラ５
の視野があるときを、第３図のＸ軸、Ｙ軸の交点
０の位置とし、パターン認識部８での位置ズレ検
出量を零に設定する。
れをITVカメラ５によつてモニターTV９上に映
し出し、例えば第２図のようにモニター画面１１
上にICチツプ１２の一部が映し出され、ICチツ
プ１２上の基準点Ｐ、例えばパツド又はパターン
１３の角などを利用した基準点Ｐをモニター画面
１１上のＸ軸基準線１４、Ｙ軸基準線１５の交点
と一致するように、XYステージ２を移動させな
がら定める。そして、この位置にITVカメラ５
の視野があるときを、第３図のＸ軸、Ｙ軸の交点
０の位置とし、パターン認識部８での位置ズレ検
出量を零に設定する。
図中、１６はモニター画面１１のリフアレンス
エリアを示すウインドである。
エリアを示すウインドである。
次に、ボンダー制御部１０によりXYステージ
２を破線に示す移動方向線１７に沿つて移動さ
せ、第３図の０の位置からＡ点（x1，y1）の位置
までITVカメラ５を移動させると、移動完了後
のモニター画面１１は第４図に示すような画面と
なる。ここで基準点ＰのＸ軸基準線１４とＹ軸基
準線１５からの画素数を測り、該画素数を単位と
した移動距離x1′，y1′を得る。その後、第３図の
Ｂ点（x2，y2）までITVカメラ５を移動させて同
様にＢ点における画素数を単位とした移動距離
x2′，y2′を得、以後Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ点にて同様の
測定を行う。
２を破線に示す移動方向線１７に沿つて移動さ
せ、第３図の０の位置からＡ点（x1，y1）の位置
までITVカメラ５を移動させると、移動完了後
のモニター画面１１は第４図に示すような画面と
なる。ここで基準点ＰのＸ軸基準線１４とＹ軸基
準線１５からの画素数を測り、該画素数を単位と
した移動距離x1′，y1′を得る。その後、第３図の
Ｂ点（x2，y2）までITVカメラ５を移動させて同
様にＢ点における画素数を単位とした移動距離
x2′，y2′を得、以後Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ点にて同様の
測定を行う。
しかるのちに、
mx1＝x1′／x1 my1＝y1′／y1
mx2＝x2′／x2 my2＝y2′／y2
… …
mx6＝x6′／x6 my6＝y6′／y6
を計算すれば、これらmx1〜mx6及びmy1〜my6は
ｘ及びｙの倍率を示すことになるが、これらの平
均値をｘ、ｙの倍率とするのが好ましい。
ｘ及びｙの倍率を示すことになるが、これらの平
均値をｘ、ｙの倍率とするのが好ましい。
このようにして、モニター画面１１における画
像の画素数単位の移動距離x1′，x2′……、y1′，
y2′……と、ITVカメラ５の移動距離x1，x2……、
y1，y2……との比を求めれば、ICチツプ１２の実
際の移動量と画像における移動量の正しい比すな
わち倍率が求められ、ICチツプ１２の正確な位
置決定精度を得ることができる。
像の画素数単位の移動距離x1′，x2′……、y1′，
y2′……と、ITVカメラ５の移動距離x1，x2……、
y1，y2……との比を求めれば、ICチツプ１２の実
際の移動量と画像における移動量の正しい比すな
わち倍率が求められ、ICチツプ１２の正確な位
置決定精度を得ることができる。
また、モニター画面１１における画像の画素数
はパターン認識部８の中で電気的に容易に得るこ
とができ、またICチツプ１２の実際の移動量は、
XYステージ２を移動させるパルスモータのパル
数を単位として求めることもできる。
はパターン認識部８の中で電気的に容易に得るこ
とができ、またICチツプ１２の実際の移動量は、
XYステージ２を移動させるパルスモータのパル
数を単位として求めることもできる。
なお、上記実施例ではITVカメラ５の移動が
Ａ点〜Ｆ点の６点を移動した場合について説明し
たが、この数は任意でよく、またITVカメラ５
の移動は必ずしも直線的に移動させる必要はない
が、直線、等間隔に移動させれば操作が容易とな
る。
Ａ点〜Ｆ点の６点を移動した場合について説明し
たが、この数は任意でよく、またITVカメラ５
の移動は必ずしも直線的に移動させる必要はない
が、直線、等間隔に移動させれば操作が容易とな
る。
さらに、このような倍率測定のシーケンスをプ
ログラムしておくことによつて、レンズやITV
カメラを交換した時その他の必要な時に、短時間
で倍率測定を行うことができる。
ログラムしておくことによつて、レンズやITV
カメラを交換した時その他の必要な時に、短時間
で倍率測定を行うことができる。
以上述べたように本発明によれば、個々の装置
に実装された光学系の倍率の測定を、モニター画
像の画素数単位の移動距離と被認識物とカメラの
実際の相対的移動距離との比で求めるものである
から、光学系の製作誤差に関係なく、実際の倍率
を正確、容易に求めることができ、半導体IC製
造装置における位置決定精度を向上させることが
できる。
に実装された光学系の倍率の測定を、モニター画
像の画素数単位の移動距離と被認識物とカメラの
実際の相対的移動距離との比で求めるものである
から、光学系の製作誤差に関係なく、実際の倍率
を正確、容易に求めることができ、半導体IC製
造装置における位置決定精度を向上させることが
できる。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図はテー
プボンダーの概略構成図、第２図〜第４図は測定
操作の説明図である。 １……ボンデイングヘツド、２……XYステー
ジ、３……受台、４……ボンデイングツール、５
……ITVカメラ、６……レンズ部、７……カメ
ラ制御部、８……パターン認識部、９……モニタ
ーTV、１０……ボンダー制御部、１１……モニ
ター画面、１２……ICチツプ、１３……パツド
又はパターン、１４……Ｘ軸基準線、１５……Ｙ
軸基準線、１６……ウインド、１７……移動方向
線、Ｐ……基準点。
プボンダーの概略構成図、第２図〜第４図は測定
操作の説明図である。 １……ボンデイングヘツド、２……XYステー
ジ、３……受台、４……ボンデイングツール、５
……ITVカメラ、６……レンズ部、７……カメ
ラ制御部、８……パターン認識部、９……モニタ
ーTV、１０……ボンダー制御部、１１……モニ
ター画面、１２……ICチツプ、１３……パツド
又はパターン、１４……Ｘ軸基準線、１５……Ｙ
軸基準線、１６……ウインド、１７……移動方向
線、Ｐ……基準点。
Claims (1)
- １ カメラと画像用のモニターを含む光学系及び
該光学系によるパターン認識部を有する半導体
IC製造装置において、前記光学系のカメラと被
認識物との相対的移動距離と、該相対的移動距離
に対応する前記モニター上の画像の該モニターに
おける画素数によつて測定した移動距離との比を
求め、これを光学系の倍率とすることを特徴とす
る半導体IC製造装置における光学系の倍率測定
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046632A JPS61205837A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 半導体ｉｃ製造装置における光学系の倍率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60046632A JPS61205837A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 半導体ｉｃ製造装置における光学系の倍率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205837A JPS61205837A (ja) | 1986-09-12 |
| JPH0445063B2 true JPH0445063B2 (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=12752666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60046632A Granted JPS61205837A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 半導体ｉｃ製造装置における光学系の倍率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205837A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6194697B1 (en) * | 1999-04-13 | 2001-02-27 | Hewlett-Packard Company | Calibration system for an imaging apparatus and method |
| CN105158877B (zh) * | 2015-09-30 | 2017-11-14 | 合肥芯碁微电子装备有限公司 | 一种直写式光刻机缩影物镜的倍率标定方法 |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP60046632A patent/JPS61205837A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61205837A (ja) | 1986-09-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |