JPH0444813B2 - - Google Patents

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JPH0444813B2
JPH0444813B2 JP62217317A JP21731787A JPH0444813B2 JP H0444813 B2 JPH0444813 B2 JP H0444813B2 JP 62217317 A JP62217317 A JP 62217317A JP 21731787 A JP21731787 A JP 21731787A JP H0444813 B2 JPH0444813 B2 JP H0444813B2
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JP
Japan
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light
liquid crystal
cell
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irradiated
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Application number
JP62217317A
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JPS6460833A (en
Inventor
Kunihiro Ichimura
Yasuzo Suzuki
Takahiro Seki
Akira Hosoki
Isataka Aoki
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Priority to US07/238,398 priority patent/US4963448A/en
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Publication of JPH0444813B2 publication Critical patent/JPH0444813B2/ja
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Description

【発明の詳现な説明】 産業䞊の利甚分野 本発明は、光による液晶の配向倉化を利甚した
新芏な光蚘録玠子に関するものである。さらに詳
しくいえば、本発明は光により可逆的に構造倉化
を起す化合物の䜜甚により、液晶局の配向倉化を
生じさせ、それを利甚しお情報を䞀時的又は氞久
的に蚘録する玠子に関するものである。
埓来の技術 液晶を甚いる蚘録玠子ずしおは、情報を電気的
な䜜甚を利甚しお貯蔵するものず、光の䜜甚を利
甚しお貯蔵するものずが知られおおり、前者は䞻
ずしお衚瀺甚に利甚されおいる。
ずころで、電気的な䜜甚を利甚しお情報を曞き
蟌む液晶衚瀺は、電力の䟛絊が停止するず情報が
消倱するため、これを氞久的に保存するには、特
別の工倫を加えなければならないし、たたパタヌ
ン化された電極を甚いるため解像性が䜎く高容量
の蚘録玠子ずしおは䞍適圓である。
他方、光の䜜甚を利甚しお情報を貯蔵するもの
には、レヌザビヌムのような高茝床の光が発する
熱を利甚しお、その熱により液晶の盞倉化を生じ
させる圢匏のものず、あらかじめ液晶䞭に光化孊
的に構造が倉化する化合物を加えおおき、これを
介しお光の䜜甚で盞倉化させる圢匏のものずがあ
る。
このレヌザビヌムなどの熱を利甚する圢匏のも
のは高密床光蚘録に応甚可胜であるが、ビツト蚘
録に限定されるため、その利甚範囲が制限される
のを免れない。たた光化孊的に構造が倉化する化
合物を混合し、光の䜜甚で盞倉化させる圢匏のも
のは、情報を入力した最初の間は、優れた解像性
を瀺すが、液晶が流動するため、時間の経過ずず
もに著しく解像性が䜎䞋する傟向がある。䟋え
ば、ネマテむツク液晶にキラルなアゟベンれンを
溶解しお埗られるホトクロミツクなコレステリツ
ク液晶は、玫倖線の䜜甚でアむ゜トロピツク盞に
倉化し、これを利甚しお情報を蚘録するこずがで
きるが、時間の経過ずずもに液晶が流動し、蚘録
像が䞍明確になる1986幎日本化孊䌚第52春季幎
䌚講挔予皿集参照。
発明が解決しようずする問題点 本発明は、光による液晶の配向倉化を利甚しお
情報を蚘録するものであ぀お、しかもその流動性
に起因する解像性の経時的䜎䞋をもたらさない光
蚘録玠子を提䟛するこずを目的ずしおなされたも
のである。
問題点を解決するための手段 本発明者らは、光による液晶の配向倉化を利甚
した光蚘録玠子を開発するために、鋭意研究を重
ねた結果、基板䞊に、先ず光により可逆的に構造
倉化を起す化合物の分子局を蚭けその分子局の䞊
に液晶局を蚭ければ、光により可逆的に倉化する
化合物の皮の構造に応じお液晶が可逆的に平行
配列又は垂盎配列するこず、この液晶局の配列は
䞊蚘化合物の䞇倍以䞊の分子の重なりであ぀お
も迅速に䌝達されるこず、したが぀お光の状態が
倉化しない限り液晶盞は倉化せず長期間にわた぀
お状態が保持されるこずを芋出し、この知芋に基
づいお本発明をなすに至぀た。
すなわち、本発明は透明基板䞊に、光により可
逆的に構造倉化を起す化合物の分子局を介しお液
晶局を蚭けおなる光蚘録玠子を提䟛するものであ
る。
本発明における透明基板ずしおは、普通のシリ
カガラス、硬質ガラス、石英、各皮プラスチツク
などのシヌトあるいはその衚面に、酞化ケむ玠、
酞化スズ、酞化むンゞりム、酞化アルミニりム、
酞化チタン、酞化クロム、酞化亜鉛などの金属酞
化物や窒化ケむ玠、炭化ケむ゜玠などの被芆を有
するものが甚いられる。
通垞、液晶は枚の基板の間に充おんされたサ
ンドむツチ構造䜓ずしお甚いられるが、本発明に
おいおは、この枚の基板のうちの少なくずも䞀
方が透明基板であればよく、他方は銅、鉄、アル
ミニりム、癜金などの金属のシヌト又はこれらの
金属で被芆したシヌトにするこずもできる。これ
らの基板は通垞0.01〜mmの厚みの衚面平滑なシ
ヌトずしお甚いられる。
本発明においおは、䞊蚘の基板䞊に光により可
逆的に構造倉化を起す化合物の分子局を蚭けるこ
ずが必芁であるが、この化合物ずしおは、ホトク
ロミツク化合物が最も普通に甚いられる。
このホトクロミツク化合物ずは、光の䜜甚で構
造倉化を生じ、その光に察する挙動䟋えば色調を
倉化する化合物であ぀お、これたで炭玠−炭玠
間、炭玠−窒玠間、窒玠−窒玠間の䞍飜和二重結
合の光幟䜕異性化反応、原子䟡光異性化反応、ヘ
テロリテむツクな光開閉環反応、光閉環反応、光
互倉異性化反応などを利甚した倚皮倚様の化合物
が知られおいる〔䟋えばりむリヌむンタヌサむ゚
ンス瀟発行、ゞヌ、゚むチ、ブラりン線、「ホト
クロミズム」1971幎参照〕。このような化合物
のうち、光幟䜕異性化に基づくホトクロミツク化
合物の䟋ずしおは、アゟベンれン、むンゞゎ、ア
シルむンゞゎ、チオむンゞゎ、セレノむンゞゎ、
ペリナフトむンゞゎ、ヘミむンゞゎ、ヘミチオむ
ンゞゎ、アゟメチンなどを、ヘテロリテむツクな
光開閉環反応に基づくホトクロミツク化合物の䟋
ずしおは、むンドリノスピロベンゟピラン、むン
ドリノスピロナフトオキサゞン、ベンゟチアゟリ
ノスピロベンゟピラン、むンドリノスピロベンゟ
チオピラン、スピロむンドリゞンなどを、光閉環
反応に基づくホトクロミツク化合物の䟋ずしお
は、スチルベン、フルギドなどをたた光互倉異性
化反応に基づくホトクロミツク化合物の䟋ずしお
は、サリチリデンアニル、−ヒドロキシアゟベ
ンれン、−ニトロベンゞルなどをそれぞれ基本
骚栌ずする化合物を挙げるこずができる。
本発明においお、このようなホトクロミツク化
合物の分子局を基板䞊に蚭けるには、液晶の垂盎
配向に通垞甚いられおいる方法、䟋えば基板を衚
面掻性基を有するホトクロミツク化合物により凊
理する方法、少なくずも個のハロゲン原子又は
アルコキシ基で眮換されたシリル基をも぀ホトク
ロミツク化合物で凊理する方法、基䜓衚面をアミ
ノ基をも぀シリル化剀で凊理したのち、カルボキ
シル基をも぀ホトクロミツク化合物を結合する方
法などによ぀お行うこずができる〔ゞ゚む、コグ
ナヌJ.Cognavd著、「モレキナラヌ・クリス
タルズ・アンド・リキツド・クリスタルズ
Molecular Crystals and Liquid Crystals」、
サプリメント1982幎及び束本正䞀、角田垂
良著「液晶の最新技術」、1983幎参照〕。
前蚘の衚面掻性基をも぀ホトクロミツク化合物
の衚面掻性基の䟋ずしおは、カルボン酞残基、マ
ロン酞残基、アルキルアルミニりム塩残基、アル
キルピリゞニりム塩残基、アルキルキノリニりム
塩残基、アルボキシラトクロミりム錯䜓残基、゚
ステル残基、ニトリル残基、尿玠残基、アミン残
基、アルコヌル残基、プノヌル残基、ベタむン
残基などを挙げるこずができる。このような衚面
掻性基をも぀ホトクロミツク化合物を基板衚面に
斜すには、これを盎接基板衚面に塗垃するか、あ
るいは、これを液晶物質に溶解しお䜿甚すればよ
い。埌者の堎合、衚面掻性基をも぀ホトクロミツ
ク化合物の添加量は、液晶の重量圓り0.01〜5.0
重量、奜たしくは0.5〜3.0重量の範囲であ
る。
前蚘した少なくずも個のハロゲン原子又はア
ルコキシ基で眮換されたシリル基をも぀ホトクロ
ミツク化合物ずしおは、䟋えばトリ゚トキシシリ
ルアゟベンれン、モノクロロゞ゚トキシシリルア
ゟベンれン、トリクロロシリルアゟベンれン、ト
リ゚トキシシリルむンゞゎ、トリ゚トキシシリル
むンドリノスピロベンゟピランなどがある。これ
らの化合物による凊理は、0.1〜10、奜たしく
は0.5〜の範囲の濃床の溶液ずしお、基板衚
面に塗垃するか、あるいはこの溶液䞭に基板を浞
せきするこずによ぀お行われる。この際の溶媒ず
しおは、氎、酢酞、トル゚ン、アセトン、ゞメチ
ルホルムアミドなどが奜適である。たた、凊理時
間ずしおは、秒ないし時間、通垞は30秒ない
し10分間を芁する。この方法においおは、シリル
化剀による基板衚面の凊理を䜵甚するこずによ
り、さらに結合力を向䞊させるこずができる。
次に、基板衚面をアミノ基をも぀シリル化剀で
凊理したのち、カルボキシル基をも぀ホトクロミ
ツク化合物で凊理する堎合に甚いるシリル化剀ず
しおは、䟋えばアミノプロピルトリ゚トキシシラ
ン、アミノプロピルゞ゚トキシシラン、アミノブ
チルメチルゞ゚トキシシラン、アミノブチルトリ
゚トキシシランなどがある。これらのシリル化剀
による凊理は、これを0.1〜10、奜たしくは0.5
〜の範囲の濃床の溶液ずしお、この溶液を基
板衚面に塗垃するか、あるいはこの溶液䞭に浞せ
きするこずによ぀お行われる。この際の溶媒ずし
おは、氎、゚タノヌル、酢酞、トル゚ン、アセト
ン、ゞメチルホルムアミドなどが奜適である。凊
理時間は通垞数秒ないし数10分の範囲内である。
このシリル化剀により凊理した埌、シリル化剀
のアミノ基に察し、カルボキシル基をも぀ホトク
ロミツク化合物を垞法に埓぀お反応させ、アミド
結合を圢成させる。このようにしお、基板衚面䞊
にホトクロミツク化合物を化孊的に結合させるこ
ずができる。
基板衚面䞊に結合させる、光により可逆的に構
造倉化を起す化合物は、単分子局を圢成させるだ
けで十分にその機胜を発揮しうるが、所望ならば
分子局又はそれ以䞊の局にするこずもできる。
次に、光により可逆的に構造倉化を起す化合物
の分子局䞊に蚭ける液晶局の液晶ずしおは、埓来
知られおいるネマテむツク系、スメテむツク系及
びコレステリツク系の液晶物質の䞭から任意のも
のを遞ぶこずができるが、スメクテむツク系液晶
物質の堎合は、ある枩床でネマテむツク液晶盞を
ずるものを遞ぶ必芁がある。
このような液晶物質は、䟋えば゚ヌ・ベギン
A.Bequin他著、「モレキナラヌ・クリスタル
ズ・アンド・リキツド・クリスタルズ
Molecular Crystals and Liquid Crystals」、
第115巻、第ペヌゞに蚘茉されおいる。これら
の液晶物質は、単独で甚いおもよいし、たた皮
以䞊混合しお甚いおもよい。
この堎合、枩床䟝存性のある液晶物質䟋えば宀
枩においおは、光を照射しおも構造倉化を起さな
いが、ある枩床以䞊に加熱するず光照射により構
造倉化を起す液晶物質を甚いれば、恒久的な蚘録
を埗るこずができる。
次に添付図面により本発明をさらに詳现に説明
する。
第図は本発明の基本構造を瀺す断面図で透明
基板の䞊に、光により可逆的な構造倉化を起す
化合物の分子局を介しお液晶局が蚭けられお
いる。通垞は、液晶局を固定し、か぀逞散を防ぐ
ために、この䞊をさらに基板で被芆しおいる。こ
の基板は透明であ぀おも䞍透明であ぀おもよい
し、たたその衚面を、光により可逆的な構造倉化
を起す化合物の分子局で被芆したものを甚いるこ
ずもできるし、液晶を衚面に平行に配列する䜜甚
をも぀ホモゞニアス配向局で被芆したものを甚い
るこずもできる。
第図は、本発明の奜適な実斜態様の䟋を瀺す
断面図であ぀お、これは衚面䞊にホトクロミツク
化合物の単分子局を有する枚の基板の間
に、液晶盞を挟んだサンドむツチ構造を有しおい
る。
そしお、この図のは光照射前、は光照射埌
の状態を瀺し、光照射前は、ホトクロミツク化合
物の単分子局の䜜甚により、液晶盞においお、液
晶は基板面に垂盎の方向ホメオトロピツクに
芏則正しく配列しおいる。次にこの光蚘録
玠子の䞀郚に光を照射するず、ホトクロミツク
化合物が構造倉化を起すため、その郚分における
前蚘した垂盎配列が砎壊され液晶は衚面に察し平
行ホモゞニアスの配列をずる。このように光
によ぀お構造が倉化した埌のホトクロミツク化合
物単分子局においおは、液晶の長軞が衚面に察し
お平行に配列するずいう事実は、本発明者により
はじめお芋出されたものである。
したが぀お、䟋えば盎亀ニコル䞋芳察するず、
光照射されない郚分は光を通さないが、光照射
した郚分は光を通すので、任意の波長の偏光を
甚いれば光の透過率により光情報の読み取りを行
うこずができる。
次に第図は、第図の堎合ずは別の実斜態様
の䟋であり、枚の基板のうちの䞀方にホモゞニ
アス配向局が蚭けられおいる䟋である。このホ
モゞニアス配向局は、基板衚面をポリビニルアル
コヌル、ポリむミド暹脂、ポリオキシ゚チレンな
どでラビング凊理したり、あるいはSiO2のよう
な酞化物を斜め方向から蒞着するこずにより蚭け
るこずができる。この䟋においおは、ホトクロミ
ツク化合物単分子局偎においおは、第図に瀺
すように液晶は基板衚面に垂盎の方向に配列しお
いるがホモゞニアス配向局偎では基板ず平行の方
向に配列した構造をず぀おいる。そしお、これに
光照射するず、その照射された郚分においおは
液晶はホトクロミツク化合物単分子局面に平行に
配列するので、党䜓がホモゞニアス配列状態ずな
り、前蚘ず同様にしお偏光により光情報を読み出
すこずができる。
本発明の光蚘録玠子においお、い぀たん蚘録し
た情報を消去したい堎合は、蚘録時に䜿甚した光
ず波長の異なる光を照射しお、ホトクロミツク化
合物の構造を元に戻すこずにより行うこずができ
る。
発明の効果 本発明の光蚘録玠子は、埓来のホトクロミツク
材料による情報蚘録の欠点、䟋えばい぀たん蚘録
させた情報が、読み取りの繰り返しにより埐々に
消倱するずいう欠点を瀺さないずいう利点がある
䞊に、液晶の配列がホトクロミツク単分子局によ
぀お埋しられるので、流動性をも぀液晶による解
像性は、埓来のホトクロミツク化合物を液晶に加
えたものを甚いる堎合よりもはるかに優れおい
る。たた、本発明の光蚘録玠子は、可逆的な光情
報貯蔵に甚いられるだけでなく、光アドレス型の
衚瀺にも奜適に甚いるこずができる。
実斜䟋 次に実斜䟋により本発明をさらに詳现に説明す
る。
実斜䟋  4′−ヘキシル−−ヒドロキシアゟベンれン(1)
3.73×10-3moをナトリりムメチラヌ
トでナトリりム塩にしたのち、これに−テトラ
ヒドロピラニル−ブロモヘキノ゚ヌト1.03
3.69×10-3mo及びゞメチルアセトアミド
mlを加え、100℃で73時間加熱した。反応終了埌
氎を加え、宀枩たで攟冷しお析出した黄色結晶を
ろ過しお集めた。これを酢酞゚チルで抜出し、硫
酞マグネシりムで也燥埌、枛圧䞋で溶媒を留去し
た。残留分をヘキサンずベンれンずの混合物より
再結晶しお−−ヘキシルプニルアゟ
−プノキシ−ヘキサン酞を埗た。このカ
ルボン酞2005.05×10-4moを塩化チオ
ニルmlに加え、時間加熱還流埌過剰の塩化チ
オニルを留去し、也燥゚ヌテルml及びトリ゚チ
ルアミン0.151.485×10-3moを加える。
この混合物に氷冷䞋、トリ゚トキシアミノプロピ
ルシラン0.114.98×10-4moの也燥゚ヌテ
ル溶液mlを滎䞋し、時間かきたぜたのち、窒
玠雰囲気䞋でろ過し、塩を陀いた埌、枛圧䞋宀枩
で溶媒を留去した。黄色ワツクス状の−−
トリ゚トキシシリルプロピル−−−−
ヘキシルプニルアゟプノキシヘキサン酞
アミド213を埗た。
このトリ゚トキシシリルアゟベンれンの0.4wt
゚タノヌル溶液に枅柄な石英板を10分浞せき
し、颚也しおから100℃で10分也燥した。これを
分間塩化メチレン䞭で超音波掗浄し、100℃で
10分間也燥した。この石英板の䞡面がアゟベンれ
ンで修食されおいるが、その348.5nmでの吞光床
は0.0316であり、実際には無色透明であ぀た。
このようにしお凊理した石英板枚で8Όのガ
ラスロツドスペヌサを含むシクロヘキサンカルボ
ン酞プニル゚ステル系混合液晶−17−−
73−を挟み蟌み、゚ポキシ暹脂で封じおサン
ドむツチセルを䜜成した。この無色透明のセルを
盎亀ニコル間に眮き、He−Neレヌザで透過光量
をモニタヌした。玫倖線照射前のセルは盎亀ニコ
ス䞋で透過光量はれロであり、ホメオトロピツク
液晶配向しおいるこずが分る。これに365nmの玫
倖線を照射するず、アゟベンれンがトランスから
シスぞ光異性化するに぀れお透過光量は増加し
た。次に、440nm以䞊の可芖光を照射するず、ト
ランスぞの異性化が起るに぀れお透過光量は再び
枛少した。この透過光量は、玫倖線ず可芖光の亀
互照射に応じお可逆的に倉化した。たた、同じセ
ルにネガを通しお玫倖線を照射したずころ、盎亀
ニコルで明瞭な画像が認められた。この画像はセ
ルに圧力を加えお液晶を流動させおも乱れる事は
なか぀た。
実斜䟋  実斜䟋で埗たトリ゚トキシシリルアゟベンれ
ンずアミノプロピルトリ゚トキシシランずを
の重量比で混合し、この0.4wt゚タノヌル溶
液で石英板を実斜䟋ず同様にしお凊理した埌、
この枚の石英板で8Όの混合液晶のサンドむツ
チセルを構成した。このセルに玫倖線ず可芖光を
亀互に照射したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な
透過光量倉化が認められた。
実斜䟋  実斜䟋で埗たアゟベンれン凊理した石英板ず
ポリビニルアルコヌル塗垃しおラビング凊理した
石英板ずで8Όの混合液晶のサンドむツチセルを
構成した。これに玫倖線ず可芖光を亀互に照射し
たずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光量の倉
化が認められた。
実斜䟋  実斜䟋における4′−ヘキシル−−ヒドロキ
シアゟベンれンの代わりに−ヒドロキシアゟベ
ンれンを甚いお同様にしおシリル化剀を補造し、
石英板を凊理した。この石英板で混合液晶をサン
ドむツチしたセルに玫倖線ず可芖光を亀互に照射
したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光量倉
化が認められた。
実斜䟋  実斜䟋における4′−ヘキシル−−ヒドロキ
シアゟベンれンの代わりに4′−メチル−−ヒド
ロキシアゟベンれンを甚いお同様にしおシリル化
剀を補造し、石英板を凊理した。この石英板で混
合液晶をサンドむツチしたセルに玫倖線ず可芖光
を亀互に照射したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的
な透過光量倉化が認められた。
実斜䟋  実斜䟋における4′−ヘキシル−−ヒドロキ
シアゟベンれンの代わりに4′−シクロヘキシルア
ゟベンれンを甚いお同様にしおシリル化剀を補造
し、石英板を凊理した。この石英板で混合液晶を
サンドむツチしたセルに玫倖線ず可芖光を亀互に
照射したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光
量倉化が認められた。
実斜䟋  実斜䟋における4′−ヘキシル−−ヒドロキ
シアゟベンれンの代わりに4′−オクチル−−ヒ
ドロキシアゟベンれンを甚いお補造したシリル化
剀で凊理した石英板で混合液晶をサンドむツチし
たセルを構成したずころ、玫倖線ず可芖光の亀互
照射により透過光量は可逆的に倉化した。
実斜䟋  実斜䟋における4′−ヘキシル−−ヒドロキ
シアゟベンれンの代わりに4′−クロロ−−ヒド
ロキシアゟベンれンを甚いお補造したシリル化剀
で凊理した石英板で混合液晶をサンドむツチしお
セルを構成したずころ、玫倖線ず可芖光の亀互照
射により透過光量は可逆的に倉化した。
実斜䟋  公知の方法により、石英板をアミノプロピルト
リ゚トキシシランの゚タノヌル溶液で凊理し、ア
ミノ化石英を調補した。実斜䟋で埗たアゟベン
れンカルボン酞クロリドを塩化メチレンに溶解
し、この溶液にアミノ化石英板を浞せきしおから
トリ゚チルアミンを加え、宀枩で時間攟眮し
た。この石英板を塩化メチレン、゚タノヌルで掗
浄し、100℃で10分間也燥した。玫倖可芖分光光
床蚈によりアゟベンれン基が結合しおいるこずが
確認された。このアゟベンれンで修食された石英
板で構成された混合液晶セルは、玫倖線ず可芖光
の亀互照射により透過光量が可逆的に倉化した。
実斜䟋 10 4′−ヘキシル−−ヒドロキシアゟベンれン
0.4ず觊媒量のトリメチルベンゞルアンモニり
ムヒドロキシドをベンれンmlに溶解し、これに
アクリルニトリルmlをゆ぀くり加えた。22時間
加熱した埌溶媒を枛圧で留去し、残留分をベンれ
ンで抜出した。次いでシリカゲルカラムクロマト
により粟補し、−−−ヘキシルプニル
アゟ−プノキシ−プロパンニトリル0.25を
埗た。これを塩酞を含む酢酞で加氎分解し、察応
するカルボン酞を埗た。これを塩化チオニルで酞
塩化物に倉え、これで実斜䟋ず同様にしおアミ
ノ化石英板を凊理した。その吞収スペクトルから
アゟベンれンが結合しおいるこずが確認された。
この石英板で構成した混合液晶セルは、玫倖線ず
可芖光の亀互照射により透過光量を可逆的に倉化
させた。
実斜䟋 11 実斜䟋で調補したアゟベンれンで修食した石
英板で宀枩でスメクテむツク液晶盞である−オ
クチル−4′−シアノビプニル−21−−33
−−40−のサンドむツチセルセル厚8Ό
を構成した。宀枩玄20℃で玫倖線を照射しお
も液晶の盞倉化は党く認められなか぀たが、セル
を35℃に加枩しおから玫倖線を照射したずころ、
盎亀ニコル䞋で透過光量の倉化が認められた。こ
のセルにネガを通しお35℃で玫倖線を照射しお埗
た画像は、宀枩でケ月間安定に存圚した。セル
に可芖光を照射しおもこの画像は消倱するこずが
なか぀た。このこずから、スメクテむツク液晶に
よるメモリ効果が認められた。
実斜䟋 12 実斜䟋で埗たアゟベンれンカルボン酞を混合
液晶に0.5重量で溶解し、これを12Όのガラスス
ペヌサヌを甚いお枚のガラス板で挟み、セルを
構成したずころ、盎亀ニコル䞋では透過光量はれ
ロであり、ホメオトロピツク配向しおいる事が分
か぀た。このセルにネガ像越しに玫倖線を照射し
たずころ、盎亀ニコル䞋で画像が芳察された。こ
れに可芖光を照射した結果、画像は盎ちに消倱し
た。
実斜䟋 13 実斜䟋の−テトラヒドロピラニル−−ブ
ロモヘキサノ゚ヌトの代わりに−テトラヘドロ
ピラニル−−ブロモブタノ゚ヌトを甚いお同様
にしおシリル化剀を補造しガラス板を凊理した。
このガラス板で実斜䟋で甚いた混合液晶をサン
ドむツチしたセルに玫倖線ず可芖光を亀互に照射
したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光量倉
化が認められた。
実斜䟋 14 実斜䟋の−テトラヒドロピラニル−−ブ
ロモヘキサノ゚ヌトの代わりにクロロ酢酞゚チル
を甚いお−−−ヘキシルプニルアゟ
プノキシ酢酞゚チルを合成し加氎分解埌、同
様にしおシリル化剀を補造し、ガラス板を凊理し
た。その吞収スペクトルからアゟベンれンが結合
しおいる事が確認された。このガラス板で混合液
晶をサンドむツチしたセルに玫倖線ず可芖光を亀
互に照射したずころ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透
過光量倉化が認められた。
実斜䟋 15 実斜䟋のトリ゚トキシアミノプロピルシラン
の代わりに、−アミノプロピルメチルゞ゚トキ
シシランを甚い、塩化メチレン䞭ゞシクロヘキシ
ルカルボゞむミドを甚いおアミド化を行なうこず
でシリル化剀を補造した。同様にしおガラス板を
凊理し、このガラス板で混合液晶をサンドむツチ
セルにした。ホメオトロピツク配向をず぀おいる
このセルに玫倖線ず可芖光を亀互に照射したずこ
ろ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光量倉化が認め
られた。
実斜䟋 16 実斜䟋のトリ゚トキシアミノプロピルシラン
の代わりに、−アミノブチルトリ゚トキシシラ
ンを甚い、塩化メチレン䞭ゞシクロヘキシルカル
ボゞむミドを甚いおアシド化を行なうこずで、シ
リル化剀を補造した。同様にしおガラス板をシリ
ル化し、このガラス板で混合液晶をサンドむツチ
したセルに玫倖線ず可芖光を亀互に照射したずこ
ろ、盎亀ニコル䞋で可逆的な透過光量倉化が認め
られた。
実斜䟋 17 実斜䟋のトリ゚トキシアミノプロピルシラン
の代わりに、−アミノブチルゞメチルメトキシ
シランを甚い、塩化メチレン䞭ゞシクロヘキシル
カルボゞむミドを甚いおアシド化を行なうこず
で、シリル化剀を補造した。このシリル化剀でガ
ラスを凊理し、混合液晶をサンドむツチしたセル
を䜜成した。このセルを盎亀ニコル間に眮き、
He−Neレヌザヌで透過光量をモニタヌした。玫
倖線照射前のセルは盎亀ニコル䞋で透過光量は40
偏光子を平行に眮き、セルを入れない時の透
過光を100ずした。であり365nmの玫倖線を照射
するず、アゟベンれンがトランスからシスぞず光
異性化するに぀れ透過光量は枛少した。次に
440nm以䞊の可芖光を照射するず、トランスぞの
光異性化が起るに぀れお透過光量は再び増加し
た。この透過光量は、玫倖線ず可芖光の亀互照射
に応じお可逆的に倉化した。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明の光蚘録玠子の構造の䟋を瀺
す断面図、第図は別の䟋及びその光照射前埌の
液晶の配列状態を瀺す断面図、第図はさらに別
の䟋及びその光照射前埌の液晶の配列状態を瀺す
断面図である。 図䞭、笊号は基板、は光により可逆的な構
造倉化を起す化合物の分子局、は液晶局、は
ホモゞニアス配向局である。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  透明基板䞊に、光により可逆的に構造倉化を
    起す化合物の分子局を介しお液晶局を蚭けおなる
    光蚘録玠子。
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JPS625293A (ja) * 1985-07-01 1987-01-12 カシオ蚈算機株匏䌚瀟 りむンドり衚瀺制埡装眮

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