JPH0444408A - Manufacture of surface acoustic wave device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、圧電基板の一主面上に、電気・音響トランス
デユーサと引出し線およびボンディング用パッドとを備
えた弾性表面波装置の製造方法に関する。Detailed Description of the Invention [Purpose of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention provides an elastic device having an electrical/acoustic transducer, a lead wire, and a bonding pad on one principal surface of a piezoelectric substrate. The present invention relates to a method of manufacturing a surface wave device.
（従来の技術）
弾性表面波装置の構造を弾性表面波フィルタを例にとっ
て説明する。第４図および第５図に示すように、弾性表
面波フィルタの外囲器１内には、圧電基板２が配置され
ており、この圧電基板２の−主面には、金属薄膜により
形成された複数（この例の場合２つ）の電気・音響トラ
ンスデユーサ３が配置されている。(Prior Art) The structure of a surface acoustic wave device will be explained using a surface acoustic wave filter as an example. As shown in FIGS. 4 and 5, a piezoelectric substrate 2 is disposed inside the envelope 1 of the surface acoustic wave filter, and a metal thin film is formed on the main surface of the piezoelectric substrate 2. A plurality of (two in this example) electric/acoustic transducers 3 are arranged.
これらの電気・音響トランスデユーサ３は、櫛歯状電極
指対から構成されており、一方が電源に接続される入力
トランスデユーサ、他方が負荷に接続される出カドラン
スデューサとされている。These electric/acoustic transducers 3 are composed of a pair of comb-shaped electrode fingers, one of which is an input transducer connected to a power source, and the other is an output transducer connected to a load. .
そして、これらの電気・音響トランスデユーサ３の電極
指の本数、形状、あるいは電極指間隔（周期）を変化さ
せることにより、所望の周波数選択特性を持つ、バンド
パスフィルタが実現される。By changing the number, shape, or spacing (period) of the electrode fingers of these electric/acoustic transducers 3, a bandpass filter having desired frequency selection characteristics can be realized.
また、上記電気・音響トランスデユーサ３を図示しない
電源および負荷に接続するため、圧電基板２の一主面上
には、金属薄膜により形成された引出し線５およびボン
デングパッド６が、電気・音響トランスデユーサ３に接
続されて配設されている。そして、ボンデングワイヤー
７によってこのボンデングパッド６と外部引出し用リー
ド端子８を接続して電気的な引出しを行っている。Further, in order to connect the electric/acoustic transducer 3 to a power source and a load (not shown), a lead wire 5 and a bonding pad 6 formed of a metal thin film are provided on one main surface of the piezoelectric substrate 2. It is connected to the acoustic transducer 3 and arranged. Then, this bonding pad 6 and an external lead terminal 8 are connected by a bonding wire 7 to perform electrical lead-out.
ところで、このような弾性表面波フィルタにおいては、
低損失を要求される場合が多く、従来から損失の要因を
できる限り取り除く努力がなされている。By the way, in such a surface acoustic wave filter,
Low loss is often required, and efforts have been made to eliminate the causes of loss as much as possible.
損失を増加させる要因の一つに、引出し線５の電気的抵
抗損が挙げられる。この引出し線５の抵抗を減少させる
ためには、引出し線５を構成する金属薄膜の膜厚を増加
させることが考えられる。One of the factors that increases the loss is the electrical resistance loss of the lead wire 5. In order to reduce the resistance of the lead wire 5, it is conceivable to increase the thickness of the metal thin film forming the lead wire 5.
ところが、電気・音響トランスデユーサ３の膜厚は、設
計上一定の厚さに設定されていることから、電気・音響
トランスデユーサ３を除く引出し線５およびボンデング
パッド６の部分の膜厚のみを厚くする必要がある。これ
を実現させる方法として、従来から電気・音響トランス
デユーサ３を除いた金属薄膜部分を２層化する技術が提
案されている。However, since the film thickness of the electrical/acoustic transducer 3 is set to a constant thickness in design, the film thickness of the lead wire 5 and bonding pad 6 excluding the electrical/acoustic transducer 3 is It is necessary to thicken the chisel. As a method for realizing this, a technique has been proposed in which the metal thin film portion excluding the electric/acoustic transducer 3 is made into two layers.
以下、このように２層化によって引出し線５およびボン
デングパッド６の金属薄膜の膜厚を増加させる従来の方
法を第６図を参照して説明する。Hereinafter, a conventional method of increasing the thickness of the metal thin film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 by forming two layers as described above will be explained with reference to FIG.
まず、通常の場合と同様に、圧電基板２上に所定膜厚の
電気・音響トランスデユーサ３と、引出し線５（および
ボンデングパッド６）を形成する（ａ）。First, as in the usual case, an electric/acoustic transducer 3 having a predetermined thickness and a lead wire 5 (and bonding pad 6) are formed on a piezoelectric substrate 2 (a).
この後、上面にレジスト膜１０を形成し、２層化する部
分のパターンに対応した所定パターンのマスク（図示せ
ず）を介して光２１を照射し、露光を行う（ｂ）。Thereafter, a resist film 10 is formed on the upper surface, and exposure is performed by irradiating light 21 through a mask (not shown) with a predetermined pattern corresponding to the pattern of the portion to be made into two layers (b).
次に、レジスト膜１０に現像液２２を接触させて現像を
行い、露光部分（あるいは非露光部分）のレジスト膜１
０を除去して開口部３１を形成する。通常、このような
リフトオフ法では、レジストパターン３２は逆台形状に
形成される（Ｃ）。Next, a developing solution 22 is brought into contact with the resist film 10 to perform development, and the resist film 10 in the exposed portion (or non-exposed portion) is
0 is removed to form an opening 31. Usually, in such a lift-off method, the resist pattern 32 is formed into an inverted trapezoidal shape (C).
しかる後、第２層目を形成するための金属膜１１を蒸着
する（ｄ）。Thereafter, a metal film 11 for forming a second layer is deposited (d).
そして、レジスト膜１０を溶解除去し、所望部位のみの
第２層目の金属膜１１を残して他の部位の金属膜１１を
レジスト膜１０とともに除去する（ｅ）。Then, the resist film 10 is dissolved and removed, and the second layer metal film 11 is left only in a desired region, and the metal film 11 in other regions is removed together with the resist film 10 (e).
上記方法によれば、電気・音響トランスデユーサ３の金
属膜厚を変化させることなく、引出し線５およびボンデ
ングパッド６の金属膜のみを２層化し、この部分の膜厚
のみを厚くすることができる。According to the above method, without changing the metal film thickness of the electric/acoustic transducer 3, only the metal film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 is made into two layers, and only the film thickness of this portion is increased. I can do it.
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置の製造方
法では、第４図に示した弾性表面波装置のように、引出
し線の配線パターンが比較的簡単な場合は対処できるが
、第２図に示すように、複数の引出し線５が隣接してい
る複雑なパターンの弾性表面波装置の場合、第１層目の
パターン上に、第２層目の金属膜を形成するための位置
合せの精度が問題となる。(Problem to be Solved by the Invention) However, in the above-mentioned conventional surface acoustic wave device manufacturing method, when the wiring pattern of the lead wire is relatively simple as in the surface acoustic wave device shown in FIG. However, as shown in FIG. 2, in the case of a surface acoustic wave device with a complicated pattern in which multiple lead lines 5 are adjacent to each other, it is necessary to place a second layer of metal film on the first layer pattern. The problem is the accuracy of alignment for formation.
たとえば、第７図に示すように、引出し線５が隣接し、
感覚が狭い配線パターンの場合、マスクの位置合せ精度
か悪いと、レジストパターン３２が図中点線で示す所定
位置からずれて形成されてしまい（ａ）、この結果、２
層目の金属膜１１が所定位置からずれて形成され、この
２層目の金属膜１１により、引出し線５間で電気的な短
絡が発生する場合がある（ｂ）。For example, as shown in FIG. 7, the leader lines 5 are adjacent to each other,
In the case of a wiring pattern with a narrow sense, if the mask alignment accuracy is poor, the resist pattern 32 will be formed deviating from the predetermined position shown by the dotted line in the figure (a), and as a result, 2
The second layer of metal film 11 is formed deviating from the predetermined position, and this second layer of metal film 11 may cause an electrical short circuit between the lead wires 5 (b).
このため、量産時においては歩留りを低下させ、また、
高精度の位置合せを行う必要性から、生産性が低下する
等の問題があった。For this reason, the yield rate decreases during mass production, and
Because of the need for highly accurate alignment, there have been problems such as reduced productivity.
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、圧電基板上の引出し線パターンが細かい弾性表面波装
置であっても、歩留りの低下や生産性の低下を招くこと
なく、低損失で高性能な弾性表面波装置を効率良く製造
することのできる弾性表面波装置の製造方法を提供しよ
うとするものである。The present invention has been made in response to such conventional circumstances, and even if the surface acoustic wave device has a fine lead line pattern on a piezoelectric substrate, it can be used to reduce loss without causing a decrease in yield or productivity. The present invention aims to provide a method for manufacturing a surface acoustic wave device that can efficiently manufacture a high-performance surface acoustic wave device.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、圧電基板の一主面上に形成され、櫛
歯状電極指対からなる複数の電気・音響トランスデユー
サと、前記圧電基板の一主面上に形成され、前記電気・
音響トランスデユーサと接続される引出し線およびボン
ディング用パッドとを備えた弾性表面波装置の製造方法
において、前記圧電基板の一主面上に金属膜からなる前
記電気・音響トランスデユーサを形成する電気・音響ト
ランスデユーサ形成工程と、前記電気・音響トランスデ
ユーサ形成工程とは別工程であって、前記圧電基板の一
主面上に前記電気・音響トランスデユーサより膜厚の厚
い金属膜からなる前記引出し線およびボンディング用パ
ッドを形成する引出し線およびボンディング用パッド形
成工程とを具備したことを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the present invention includes a plurality of electric/acoustic transducers formed on one principal surface of a piezoelectric substrate and each consisting of a pair of comb-like electrode fingers, and the piezoelectric transducer. Formed on one main surface of the substrate, the electrical
In a method of manufacturing a surface acoustic wave device including a lead wire and a bonding pad connected to an acoustic transducer, the electric/acoustic transducer made of a metal film is formed on one main surface of the piezoelectric substrate. The electric/acoustic transducer forming step is a separate process from the electric/acoustic transducer forming step, and a metal film thicker than the electric/acoustic transducer is formed on one main surface of the piezoelectric substrate. The present invention is characterized by comprising a step of forming the lead line and bonding pad formed by forming the lead line and bonding pad.
（作 用）
上記構成の本発明の弾性表面波装置の製造方法では、圧
電基板上に、電気・音響トランスデユーサと引出し線お
よびボンディング用パッドとを別工程によって形成する
。(Function) In the method for manufacturing a surface acoustic wave device of the present invention having the above configuration, the electric/acoustic transducer, the lead wire, and the bonding pad are formed on the piezoelectric substrate in separate steps.
すなわち、たとえば、電気・音響トランスデユーサ形成
工程によって電気・音響トランスデユーサのみを形成し
、この後、膜厚の厚い金属膜からなる引出し線およびボ
ンディング用パッドを、引出し線およびボンディング用
パッド形成工程によって形成する。That is, for example, only the electrical/acoustic transducer is formed in the electrical/acoustic transducer forming process, and then the lead wire and bonding pad made of a thick metal film are formed by the lead wire and bonding pad forming process. Formed by process.
なお、電気・音響トランスデユーサと、引出し線および
ボンディング用パッドとの電気的な接続は、たとえばこ
れらの一部を重ね合せるように形成することによって行
う。The electric/acoustic transducer is electrically connected to the lead wire and the bonding pad by, for example, forming a portion of these to overlap.
したがって、２層化する従来の方法のように、マスクの
高精度な位置合せが必要なく、また、１層目と２層目の
金属膜のずれも生じることがない。Therefore, unlike the conventional method of forming two layers, there is no need for highly accurate alignment of the mask, and there is no misalignment between the first and second metal films.
このため、圧電基板上の引出し線パターンが細かい弾性
表面波装置であっても、歩留りの低下や生産性の低下を
招くことなく、低損失の弾性表面波装置を効率良く製造
することができる。Therefore, even if the surface acoustic wave device has a fine leader line pattern on the piezoelectric substrate, it is possible to efficiently manufacture a surface acoustic wave device with low loss without causing a decrease in yield or productivity.
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。な
お、第１図は本発明の一実施例の工程を示す図、第２図
は本実施例における弾性表面波フィルタの電極パターン
レイアウトを示す図、第３図は電気・音響トランスデユ
ーサ３と引出し線５との接続部を示す図である。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, FIG. 1 is a diagram showing the process of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the electrode pattern layout of the surface acoustic wave filter in this embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing the electrical/acoustic transducer 3 and 5 is a diagram showing a connection part with a lead wire 5. FIG.
本実施例において製造した弾性表面波フィルタは、第２
図に示すような電極パターンレイアウトを有し、圧電基
板２の一生面には、複数の電気・音響トランスデユーサ
３と、各電気・音響トランスデユーサ３に接続された引
出し線５およびポンディングパッド６が形成されている
。なお、電気・音響トランスデユーサ３と、引出し線５
およびポンディングパッド６は以下に示す方法により全
て単層の金属薄膜で形成されており、引出し線５および
ポンディングパッド６の金属膜は、電気・音響トランス
デユーサ３の金属膜よりも膜厚が厚く設定されている。The surface acoustic wave filter manufactured in this example has a second
The piezoelectric substrate 2 has an electrode pattern layout as shown in the figure, and has a plurality of electrical/acoustic transducers 3, lead wires 5 connected to each electrical/acoustic transducer 3, and bonding wires on the whole surface of the piezoelectric substrate 2. A pad 6 is formed. In addition, the electric/acoustic transducer 3 and the lead wire 5
and the bonding pad 6 are all formed of a single layer metal thin film by the method shown below, and the metal film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 is thicker than the metal film of the electric/acoustic transducer 3. is set thickly.
次に、第１図を参照して本実施例方法の工程を説明する
。Next, the steps of the method of this embodiment will be explained with reference to FIG.
この実施例では、まず、圧電基板２の一主面上に、所定
膜厚（本例では３６０ｔ＋＋ｓ ）の金属薄膜からなる
電気・音響トランスデユーサ３を形成する。In this embodiment, first, on one main surface of the piezoelectric substrate 2, an electric/acoustic transducer 3 made of a metal thin film having a predetermined thickness (360t++s in this example) is formed.
なお、引出し線５およびポンディングパッド６は、この
工程では形成しない（Ａ）。Note that the lead line 5 and the bonding pad 6 are not formed in this step (A).
次に、圧電基板２の一主面上に、レジストを塗布してレ
ジスト膜１０を形成し、引出し線５およびポンディング
パッド６のパターンに対応した所定パターンのマスク（
図示せず）を介して光２１を照射して露光を行う（Ｂ）
。Next, on one main surface of the piezoelectric substrate 2, a resist is applied to form a resist film 10, and a mask (
Exposure is performed by irradiating the light 21 through the
.
この後、レジスト膜１０に現像液２２を接触させて現像
を行い、露光部分（あるいは非露光部分）のレジスト膜
１０を除去して開口部３１を形成する。通常、この様な
リフトオフ法では、レジストパターン３２は逆台形状に
形成される（Ｃ）。Thereafter, the resist film 10 is brought into contact with a developer 22 for development, and exposed portions (or non-exposed portions) of the resist film 10 are removed to form openings 31. Usually, in such a lift-off method, the resist pattern 32 is formed into an inverted trapezoidal shape (C).
しかる後、上記電気・音響トランスデユーサ３より膜厚
の厚い、引出し線５およびポンディングパッド６を形成
するための金属膜１１（本例では９００ｎｓ ）を蒸着
する（Ｄ）。Thereafter, a metal film 11 (900 ns in this example) for forming the lead wire 5 and the bonding pad 6, which is thicker than the electrical/acoustic transducer 3, is deposited (D).
そして、レジスト膜１０および不所望部位に被着した金
属膜１１を除去する（Ｅ）。Then, the resist film 10 and the metal film 11 deposited on undesired portions are removed (E).
以上の工程から、単層の金属薄膜で、電気・音響トラン
スデユーサ３、引出し線５およびポンディングパッド６
を形成することができ、かつ、引出し線５およびポンデ
ィングパッド６の金属薄膜を電気・音響トランスデユー
サ３の金属薄膜よりも厚く設定することができる。From the above process, a single layer metal thin film is used to form the electric/acoustic transducer 3, the lead wire 5, and the bonding pad 6.
In addition, the metal thin film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 can be set to be thicker than the metal thin film of the electric/acoustic transducer 3.
なお、上記パターン形成において、電気・音響トランス
デユーサ３と引出し線５との接続部は、これらを重ね合
せるように形成することによって行う。In the pattern formation described above, the connection portion between the electric/acoustic transducer 3 and the lead wire 5 is formed by overlapping them.
第３図は、このような電気・音響トランスデユーサ３と
引出し線５との接続の様子を示したものである。第３図
において、９はトランスデユーサ３に接続されているブ
スバーであり、トランスデューサ３形成時に同時に形成
される。そして、引出し線５は、その端部をこのブスバ
ー９に重ね合せるようにして形成される。FIG. 3 shows how the electrical/acoustic transducer 3 and the lead wire 5 are connected. In FIG. 3, 9 is a bus bar connected to the transducer 3, which is formed at the same time as the transducer 3 is formed. The lead line 5 is formed so that its end portion overlaps the bus bar 9.
ここで、第３図に示すように、引出し線５を設ける際の
露光位置合せのずれをβとすれば、引出し線５とブスバ
ー９の重なり合う長さａ、ｂを少なくともβ以上設け、
また、ブスバー９の長さＷ１幅Ｈはｗ＞ｂ＋！、Ｈ＞ａ
十℃に設定する。実際に実験を行った結果、位置のずれ
は、５０μｍ以内程度であり、ブスバー９の大きさはＷ
、Ｈともに１００μｍ以上設けてあれば、引出し線５と
トランスデユーサ３がオープン状態、あるいは引出し線
５が電極指と重なり、トランスデユーサ３がショートの
状態になることを防ぐことが可能であった。Here, as shown in FIG. 3, if the deviation in exposure alignment when providing the leader line 5 is β, then the overlapping lengths a and b of the leader line 5 and the bus bar 9 are set to be at least β or more,
Also, the length W1 width H of the bus bar 9 is w>b+! , H>a
Set to 10℃. As a result of actual experiments, the positional deviation was within about 50 μm, and the size of the bus bar 9 was W.
, H are both 100 μm or more, it is possible to prevent the lead wire 5 and the transducer 3 from being in an open state or from overlapping the lead wire 5 with the electrode finger and causing the transducer 3 to become short-circuited. Ta.
また、第２図に示した本実施例の電極パターンレイアウ
トにおいて、圧電基板２としてＬｉＮｂＯ３を用い、ト
ランスデユーサ３は７対正規形と２６対アポダイス重み
付け（ブラックマン関数）を交互に配置した５電極構成
、開口長ＩＩＩ 、電極材料にＡＪ２を用い、Ａぶ膜厚
はトランスデユーサ３部分を３６０ｎｍ 、引出し線５
およびポンディングパッド６を９００ｎｍとして抵抗損
の減少が見られるがを確認したところ、周波数振幅特性
による挿入損失は、引出し線５およびポンディングパッ
ド６部分のＡ、ｆｆの膜厚を厚くしない場合（３６０ｎ
ｍの場合）に比べ、０．７ｄＢの改善した。これは、抵
抗損が減少したことを意味している。さらに、ポンディ
ングパッド６も同様に膜厚を厚くしているため、ボンデ
ィング性（ボンディング強度）を良くする効果も同時に
得られた。In addition, in the electrode pattern layout of this embodiment shown in FIG. 2, LiNbO3 is used as the piezoelectric substrate 2, and the transducer 3 has a 5-wire structure in which 7-pair normal type and 26-pair apodice weighting (Blackman function) are alternately arranged. Electrode configuration, aperture length III, AJ2 is used as the electrode material, A film thickness is 360 nm at the transducer 3 part, and the lead line is 5.
It was confirmed that the resistance loss decreases when the bonding pad 6 is set to 900 nm, but the insertion loss due to frequency amplitude characteristics is lower when the film thickness of A and ff in the lead wire 5 and the bonding pad 6 is not increased ( 360n
m case), this was an improvement of 0.7 dB. This means that resistance loss has decreased. Furthermore, since the thickness of the bonding pad 6 was similarly increased, the effect of improving bonding properties (bonding strength) was also obtained.
以上のようにこの実施例では、２層蒸着法にみられるよ
うな １層目と ２層目の精度の高い位置合せを必要と
することなく、また、 １層目と ２層目の金属膜のず
れによる電気的な短絡も生じることなく、抵抗損を改善
することができる。このため、圧電基板上２の引出し線
パターン５が細かい弾性表面波装置であっても、歩留り
の低下や生産性の低下を招くことなく、低損失の弾性表
面波装置を効率良く製造することができる。さらに、ボ
ンディングワイヤーのボンディング性も改善することが
できる。As described above, in this example, there is no need for highly accurate alignment of the first and second layers as seen in the two-layer vapor deposition method, and the metal films of the first and second layers can be easily aligned. Resistance loss can be improved without causing electrical short circuits due to misalignment. Therefore, even if the surface acoustic wave device has a fine lead line pattern 5 on the piezoelectric substrate 2, it is possible to efficiently manufacture a surface acoustic wave device with low loss without causing a decrease in yield or productivity. can. Furthermore, the bonding properties of the bonding wire can also be improved.
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、圧電基板上の引
出し線パターンが細かい弾性表面波装置てあっても、歩
留りの低下や生産性の低下を招くことなく、低損失で高
性能な弾性表面波装置を効率良く製造することができる
。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, even if a surface acoustic wave device has a fine lead line pattern on a piezoelectric substrate, it can be achieved with low loss without causing a decrease in yield or productivity. It is possible to efficiently manufacture high-performance surface acoustic wave devices.
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示す図、第２図
は一実施例における弾性表面波フィルタの電極パターン
レイアウトを示す図、第３図は電気・音響トランスデユ
ーサと引出し線との接続部を示す図、第４図および第５
図は一般的な弾性表面波フィルタの構成を示す図、第６
図は従来方法における製造工程を示す図、第７図は従来
方法の問題点を説明するための図である。
２・・・・・・・・・圧電基板
３・・・・・・・・・電気・音響トランスデユーサ５・
・・・・・・・・引出し線
６・・・・・・・・・ポンディングパッド田願人
株式会社 東芝
出願人 東芝電子デバイス
エンジニアリング株式会社Fig. 1 is a diagram showing the manufacturing process of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a diagram showing the electrode pattern layout of a surface acoustic wave filter in one embodiment, and Fig. 3 is an electrical/acoustic transducer and a lead wire. Figures 4 and 5 showing the connection with
Figure 6 shows the configuration of a general surface acoustic wave filter.
The figure shows the manufacturing process in the conventional method, and FIG. 7 is a diagram for explaining the problems of the conventional method. 2...Piezoelectric substrate 3...Electric/acoustic transducer 5.
・・・・・・Leader line 6・・・・・・Pounding pad Taganto
Toshiba Corporation Applicant Toshiba Electronic Device Engineering Corporation
Claims (1)
なる複数の電気・音響トランスデューサと、前記圧電基
板の一主面上に形成され、前記電気・音響トランスデュ
ーサと接続される引出し線およびボンディング用パッド
とを備えた弾性表面波装置の製造方法において、前記圧
電基板の一主面上に金属膜からなる前記電気・音響トラ
ンスデューサを形成する電気・音響トランスデューサ形
成工程と、前記電気・音響トランスデューサ形成工程と
は別工程であって、前記圧電基板の一主面上に前記電気
・音響トランスデューサより膜厚の厚い金属膜からなる
前記引出し線およびボンディング用パッドを形成する引
出し線およびボンディング用パッド形成工程とを具備し
たことを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。A plurality of electrical/acoustic transducers formed on one principal surface of the piezoelectric substrate and each consisting of a pair of comb-like electrode fingers; and a leader wire formed on one principal surface of the piezoelectric substrate and connected to the electrical/acoustic transducers. and a bonding pad, the electric/acoustic transducer forming step of forming the electric/acoustic transducer made of a metal film on one main surface of the piezoelectric substrate; A step separate from the transducer forming step, and forming the lead wire and bonding pad made of a metal film thicker than the electric/acoustic transducer on one main surface of the piezoelectric substrate. 1. A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising a forming step.
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|---|---|---|---|
| JP15342990A JP3172165B2 (en) | 1990-06-12 | 1990-06-12 | Manufacturing method of surface acoustic wave device |
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|---|---|
| JP (1) | JP3172165B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999005788A1 (en) * | 1997-07-28 | 1999-02-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device and method of producing the same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1990-06-12 JP JP15342990A patent/JP3172165B2/en not_active Expired - Lifetime
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| US6377138B1 (en) | 1997-07-28 | 2002-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Surface acoustic wave device with a layered conductive film and method of producing the same |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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