JP3172165B2 - Manufacturing method of surface acoustic wave device - Google Patents

Manufacturing method of surface acoustic wave device

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JP3172165B2 JP15342990A JP15342990A JP3172165B2 JP 3172165 B2 JP3172165 B2 JP 3172165B2 JP 15342990 A JP15342990 A JP 15342990A JP 15342990 A JP15342990 A JP 15342990A JP 3172165 B2 JP3172165 B2 JP 3172165B2
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Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、圧電基板の一主面上に、電気・音響トラン
スデューサと引出し線およびボンディング用パッドとを
備えた弾性表面波装置の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial application field) The present invention relates to a surface acoustic wave having an electric / acoustic transducer, a lead wire, and a bonding pad on one main surface of a piezoelectric substrate. The present invention relates to a device manufacturing method.

(従来の技術) 弾性表面波装置の構造を弾性表面波フィルタを例にと
って説明する。第4図および第5図に示すように、弾性
表面波フィルタの外囲器1内には、圧電基板2が配置さ
れており、この圧電基板2の一主面には、金属薄膜によ
り形成された複数(この例の場合2つ)の電気・音響ト
ランスデューサ3が配置されている。
(Prior Art) The structure of a surface acoustic wave device will be described using a surface acoustic wave filter as an example. As shown in FIGS. 4 and 5, a piezoelectric substrate 2 is disposed in an envelope 1 of the surface acoustic wave filter, and one main surface of the piezoelectric substrate 2 is formed of a metal thin film. In addition, a plurality of (two in this example) electric / acoustic transducers 3 are arranged.

これらの電気・音響トランスデューサ3は、櫛歯状電
極指対から構成されており、一方が電源に接続される入
力トランスデューサ、他方が負荷に接続される出力トラ
ンスデューサとされている。そして、これらの電気・音
響トランスデューサ3の電極指の本数、形状、あるいは
電極指間隔(周期)を変化させることにより、所望の周
波数選択特性を持つ、バンドパスフィルタが実現され
る。
These electric / acoustic transducers 3 are composed of comb-teeth-shaped electrode finger pairs, one of which is an input transducer connected to a power supply, and the other is an output transducer connected to a load. By changing the number and shape of the electrode fingers of the electric / acoustic transducer 3 or the interval (period) of the electrode fingers, a bandpass filter having a desired frequency selection characteristic is realized.

また、上記電気・音響トランスデューサ3を図示しな
い電源および負荷に接続するため、圧電基板2の一主面
上には、金属薄膜により形成された引出し線5およびボ
ンデングパッド6が、電気・音響トランスデューサ3に
接続されて配設されている。そして、ボンデングワイヤ
ー7によってこのボンデングパッド6と外部引出し用リ
ード端子8を接続して電気的に引出しを行っている。
In order to connect the electric / acoustic transducer 3 to a power supply and a load (not shown), a lead wire 5 and a bonding pad 6 formed of a metal thin film are provided on one main surface of the piezoelectric substrate 2. 3 and are arranged. Then, the bonding pad 6 is connected to the external lead lead terminal 8 by a bonding wire 7 so as to be electrically pulled out.

ところで、このような弾性表面波フィルタにおいて
は、低損失を要求される場合が多く、従来から損失の要
因をできる限り取り除く努力がなされている。
By the way, in such a surface acoustic wave filter, low loss is often required, and efforts have conventionally been made to eliminate the cause of the loss as much as possible.

損失を増加させる要因の一つに、引出し線5の電気的
抵抗損が挙げられる。この引出し線5の抵抗を減少させ
るためには、引出し線5を構成する金属薄膜の膜厚を増
加させることが考えられる。
One of the factors that increase the loss is the electrical resistance loss of the lead wire 5. In order to reduce the resistance of the lead 5, it is conceivable to increase the thickness of the metal thin film forming the lead 5.

ところが、電気・音響トランスデューサ3の膜厚は、
設計上一定の厚さに設定されていることから、電気・音
響トランスデューサ3を除く引出し線5およびボンデン
グパッド6の部分の膜厚のみを厚くする必要がある。こ
れを実現させる方法として、従来から電気・音響トラン
スデューサ3を除いた金属薄膜部分を2層化する技術が
提案されている。
However, the thickness of the electric / acoustic transducer 3 is
Since the thickness is set to be constant in design, it is necessary to increase only the film thickness of the portion of the lead wire 5 and the bonding pad 6 excluding the electric / acoustic transducer 3. As a method for realizing this, a technique has been proposed in which a metal thin film portion excluding the electric / acoustic transducer 3 is formed into two layers.

以下、このように2層化によって引出し線5およびボ
ンデングパッド6の金属薄膜の膜厚を増加させる従来の
方法を第6図を参照して説明する。
Hereinafter, a conventional method for increasing the thickness of the metal thin film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 by the two-layer structure will be described with reference to FIG.

まず、通常の場合と同様に、圧電基板2上に所定膜厚
の電気・音響トランスデューサ3と、引出し線5(およ
びボンデングパッド6)を形成する(a)。
First, an electric / acoustic transducer 3 having a predetermined thickness and a lead wire 5 (and a bonding pad 6) are formed on a piezoelectric substrate 2 in the same manner as in a normal case (a).

この後、上面にレジスト膜10を形成し、2層化する部
分のパターンに対応した所定パターンのマスク(図示せ
ず)を介して光21を照射し、露光を行う(b)。
Thereafter, a resist film 10 is formed on the upper surface, and light 21 is irradiated through a mask (not shown) having a predetermined pattern corresponding to the pattern of the part to be formed into two layers, thereby performing exposure (b).

次に、レジスト膜10に現像液22を接触させて現像を行
い、露光部分(あるいは非露光部分)のレジスト膜10を
除去して開口部31を形成する。通常、このようなリフト
オフ法では、レジストパターン32は逆台形状に形成され
る(c)。
Next, a developing solution 22 is brought into contact with the resist film 10 to perform development, and the resist film 10 in an exposed portion (or a non-exposed portion) is removed to form an opening 31. Usually, in such a lift-off method, the resist pattern 32 is formed in an inverted trapezoidal shape (c).

しかる後、第2層目を形成するための金属膜11を蒸着
する(d)。
Thereafter, a metal film 11 for forming a second layer is deposited (d).

そして、レジスト膜10を溶解除去し、所望部位のみの
第2層目の金属膜11を残して他の部位の金属膜11をレジ
スト膜10とともに除去する(e)。
Then, the resist film 10 is dissolved and removed, and the metal film 11 in other portions is removed together with the resist film 10 while leaving the second-layer metal film 11 only in a desired portion (e).

上記方法によれば、電気・音響トランスデューサ3の
金属膜厚を変化させることなく、引出し線5およびボン
デングパッド6の金属膜のみを2層化し、この部分の膜
厚のみを厚くすることができる。
According to the above method, only the metal film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 can be made into two layers without changing the metal film thickness of the electric / acoustic transducer 3, and only the film thickness of this portion can be increased. .

(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上述した従来の弾性表面波装置の製造
方法では、第4図に示した弾性表面波装置のように、引
出し線の配線パターンが比較的簡単な場合は対処できる
が、第2図に示すように、複数の引出し線5が隣接して
いる複雑なパターンの弾性表面波装置の場合、第1層目
のパターン上に、第2層目の金属膜を形成するための位
置合せの精度が問題となる。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the above-described conventional method of manufacturing a surface acoustic wave device, as in the case of the surface acoustic wave device shown in FIG. As shown in FIG. 2, in the case of a surface acoustic wave device having a complicated pattern in which a plurality of lead lines 5 are adjacent to each other, a second-layer metal film is formed on the first-layer pattern. The accuracy of the alignment for forming is a problem.

たとえば、第7図に示すように、引出し線5が隣接
し、間隔が狭い配線パターンの場合、マスクの位置合せ
精度が悪いと、レジストパターン32が図中点線で示す所
定位置からずれて形成されてしまい(a)、この結果、
2層目の金属膜11が所定位置からずれて形成され、この
2層目の金属膜11により、引出し線5間で電気的な短絡
が発生する場合がある(b)。
For example, as shown in FIG. 7, in the case of a wiring pattern in which the lead-out lines 5 are adjacent to each other and have a small interval, if the mask positioning accuracy is poor, the resist pattern 32 is formed so as to be shifted from a predetermined position indicated by a dotted line in the figure. (A), and as a result,
The second metal film 11 is formed so as to be shifted from a predetermined position, and this second metal film 11 may cause an electrical short circuit between the lead wires 5 (b).

このため、量産時においては歩留りを低下させ、ま
た、高精度の位置合せを行う必要性から、生産性が低下
する等の問題があった。
For this reason, there are problems such as a decrease in yield during mass production and a decrease in productivity due to the necessity of performing high-accuracy alignment.

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、圧電基板上の引出し線パターンが細かい弾性表面波
装置であっても、歩留りの低下や生産性の低下を招くこ
となく、低損失で高性能な弾性表面波装置を効率良く製
造することのできる弾性表面波装置の製造方法を提供し
ようとするものである。
The present invention has been made in view of such a conventional situation, and even if the surface acoustic wave device has a fine lead line pattern on the piezoelectric substrate, it does not cause a decrease in yield or a decrease in productivity and a low loss. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device capable of efficiently manufacturing a high-performance surface acoustic wave device.

[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、圧電基板の一主面上に形成され、
櫛歯状電極指対からなる複数の電気・音響トランスデュ
ーサと、前記圧電基板の一主面上に形成され、前記電気
・音響トランスデューサと接続される引出し線およびボ
ンディング用パッドとを備えた弾性表面波装置の製造方
法において、前記圧電基板の一主面上の所定領域に金属
膜からなる前記電気・音響トランスデューサを形成する
電気・音響トランスデューサ形成工程と、前記圧電基板
の一主面上の前記所定領域以外の領域に前記電気・音響
トランスデューサより膜厚の厚い金属膜からなる前記引
出し線およびボンデイング用パッドを形成する引出し線
およびボンディング用パッド形成工程とを具備し、前記
電気・音響トランスデューサと前記引出し線との接続
は、これらの一方の一部を他方に重ね合わせることによ
って行うことを特徴とする。
[Configuration of the Invention] (Means for Solving the Problems) That is, the present invention is formed on one main surface of a piezoelectric substrate,
A surface acoustic wave comprising: a plurality of electric / acoustic transducers each including a pair of comb-shaped electrode fingers; and a lead wire and a bonding pad formed on one main surface of the piezoelectric substrate and connected to the electric / acoustic transducers. A method for manufacturing the device, wherein an electro-acoustic transducer forming step of forming the electro-acoustic transducer made of a metal film on a predetermined area on one main surface of the piezoelectric substrate; and the predetermined area on one main surface of the piezoelectric substrate. A lead wire and a bonding pad forming step for forming the lead wire and the bonding pad formed of a metal film thicker than the electro-acoustic transducer in a region other than the electro-acoustic transducer and the lead wire The connection is made by overlapping one part of these with the other To.

(作 用) 上記構成の本発明の弾性表面波装置の製造方法では、
圧電基板上に、電気・音響トランスデューサと引出し線
およびボンデング用パッドとを別工程によって形成する
ことができる。
(Operation) In the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention having the above configuration,
On the piezoelectric substrate, the electric / acoustic transducer, the lead wire, and the bonding pad can be formed by different processes.

すなわち、たとえば、電気・音響トランスデューサ形
成工程によって電気・音響トランスデューサのみを形成
し、この後、膜厚の厚い金属膜からなる引出し線および
ボンディング用パッドを、引出し線およびボンディング
用パッド形成工程によって形成することができる。
That is, for example, only the electric / acoustic transducer is formed by the electric / acoustic transducer forming step, and thereafter, the lead line and the bonding pad formed of the thick metal film are formed by the lead line and the bonding pad forming step. be able to.

なお、電気・音響トランスデューサと、引出し線およ
びボンディング用パッドとの電気的な接続は、たとえば
これらの一部を重ね合せるように形成することによって
行う。
The electrical connection between the electric / acoustic transducer and the lead wire and the bonding pad is made by, for example, forming a part of these parts so as to overlap each other.

したがって、2層化する従来の方法のように、マスク
の高精度な位置合せが必要なく、また、1層目と2層目
の金属膜のずれも生じることがない。このため、圧電基
板上の引出し線パターンが細かい弾性表面波装置であっ
ても、歩留りの低下や生産性の低下を招くことなく、低
損失の弾性表面波装置を効率良く製造することができ
る。
Therefore, unlike the conventional method of forming two layers, it is not necessary to perform high-precision alignment of the mask, and there is no shift between the first and second metal films. Therefore, even if the surface acoustic wave device has a fine lead line pattern on the piezoelectric substrate, it is possible to efficiently manufacture a low-loss surface acoustic wave device without lowering the yield or lowering the productivity.

(実施例) 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
なお、第1図は本発明の一実施例の工程を示す図、第2
図は本実施例における弾性表面波フィルタの電極パター
ンレイアウトを示す図、第3図は電気・音響トランスデ
ューサ3と引出し線5との接続部を示す図である。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing the steps of one embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3 is a diagram showing an electrode pattern layout of the surface acoustic wave filter in the present embodiment, and FIG. 3 is a diagram showing a connection portion between the electric / acoustic transducer 3 and the lead wire 5.

本実施例において製造した弾性表面波フィルタは、第
2図に示すように電極パターンレイアウトを有し、圧電
基板2の一主面には、複数の電気・音響トランスデュー
サ3と、各電気・音響トランスデューサ3に接続された
引出し線5およびボンディングパッド6が形成されてい
る。なお、電気・音響トランスデューサ3と、引出し線
5およびボンディングパッド6は以下に示す方法により
全て単層の金属薄膜で形成されており、引出し線5およ
びボンディングパッド6の金属膜は、電気・音響トラン
スデューサ3の金属膜よりも膜厚が厚く設定されてい
る。
The surface acoustic wave filter manufactured in this embodiment has an electrode pattern layout as shown in FIG. 2, and a plurality of electric / acoustic transducers 3 and electric / acoustic transducers are provided on one main surface of the piezoelectric substrate 2. A lead wire 5 and a bonding pad 6 connected to 3 are formed. The electric / acoustic transducer 3, the lead wire 5 and the bonding pad 6 are all formed of a single-layer metal thin film by the following method. 3 is set to be thicker than the metal film.

次に、第1図を参照して本実施例方法の工程を説明す
る。
Next, the steps of the method of this embodiment will be described with reference to FIG.

この実施例では、まず、圧電基板2の一主面上に、所
定膜厚(本例では360nm)の金属薄膜からなる電気・音
響トランスデューサ3を形成する。なお、引出し線5お
よびボンディングパッド6は、この工程では形成しない
(A)。
In this embodiment, first, an electro-acoustic transducer 3 made of a metal thin film having a predetermined thickness (360 nm in this example) is formed on one main surface of a piezoelectric substrate 2. Note that the lead wire 5 and the bonding pad 6 are not formed in this step (A).

次に、圧電基板2の一主面上に、レジストを塗布して
レジスト膜10を形成し、引出し線5およびボンディング
パッド6のパターンに対応した所定パターンのマスク
(図示せず)を介して光21を照射して露光を行う
(B)。
Next, a resist is coated on one main surface of the piezoelectric substrate 2 to form a resist film 10, and light is applied thereto through a mask (not shown) having a predetermined pattern corresponding to the pattern of the lead wire 5 and the bonding pad 6. Exposure is performed by irradiating 21 (B).

この後、レジスト膜10に現像液22を接触させて現像を
行い、露光部分(あるいは非露光部分)のレジスト膜10
を除去して開口部31を形成する。通常、この様なリフト
オフ法では、レジストパターン32は逆台形状に形成され
る(C)。
Thereafter, development is performed by bringing the developing solution 22 into contact with the resist film 10, and the exposed portion (or unexposed portion) of the resist film 10 is developed.
Is removed to form an opening 31. Usually, in such a lift-off method, the resist pattern 32 is formed in an inverted trapezoidal shape (C).

しかる後、上記電気・音響トランスデューサ3より膜
厚の厚い、引出し線5およびボンディングパッド6を形
成するための金属膜11(本例では900nm)を蒸着する
(D)。
Thereafter, a metal film 11 (900 nm in this example) for forming the lead wire 5 and the bonding pad 6 which is thicker than the electric / acoustic transducer 3 is deposited (D).

そして、レジスト膜10および不所望部位に被着した金
属膜11を除去する(E)。
Then, the resist film 10 and the metal film 11 deposited on the undesired portions are removed (E).

以上の工程から、単層の金属薄膜で、電気・音響トラ
ンスデューサ3、引出し線5およびボンディングパッド
6を形成することができ、かつ、引出し線5およびボン
ディングパッド6の金属薄膜を電気・音響トランスデュ
ーサ3の金属薄膜よりも厚く設定することができる。
From the above steps, the electric / acoustic transducer 3, the lead wire 5, and the bonding pad 6 can be formed of a single-layer metal thin film, and the metal thin film of the lead wire 5 and the bonding pad 6 can be used as the electric / acoustic transducer 3. Thicker than the metal thin film.

第3図は、このような電気・音響トランスデューサ3
と引出し線5との接続の様子を示したものである。第3
図において、9はトランスデューサ3に接続されている
ブスバーであり、トランスデューサ3形成時に同時に形
成される。そして、引出し線5は、その端部をこのブス
バー9に重ね合せるようにして形成される。
FIG. 3 shows such an electric / acoustic transducer 3
FIG. 5 shows a state of connection between the lead wire 5 and the lead wire 5. Third
In the figure, reference numeral 9 denotes a bus bar connected to the transducer 3, which is formed simultaneously with the formation of the transducer 3. The lead wire 5 is formed such that its end is overlapped with the bus bar 9.

ここで、第3図に示すように、引出し線5を設ける際
の露光位置合せのずれをlとすれば、引出し線5とブス
バー9の重なり合う長さa、bを少なくともl以上設
け、また、ブスバー9の長さW、幅HはW>b+l、H
>a+lに設定する。実際に実験を行った結果、位置の
ずれは、50μm以内程度であり、ブスバー9の大きさは
W、Hともに100μm以上設けてあれば、引出し線5と
トランスデューサ3がオープン状態、あるいは引出し線
5が電極指と重なり、トランスデューサ3がショートの
状態になることを防ぐことが可能であった。
Here, as shown in FIG. 3, if the deviation of the exposure position when providing the lead line 5 is l, at least l or more lengths a and b where the lead line 5 and the bus bar 9 overlap are provided. The length W and the width H of the bus bar 9 are W> b + 1, H
> A + 1. As a result of an actual experiment, the displacement is within about 50 μm, and if the size of the bus bar 9 is 100 μm or more for both W and H, the lead wire 5 and the transducer 3 are in the open state or the lead wire 5 Overlapped with the electrode finger, and it was possible to prevent the transducer 3 from becoming short-circuited.

また、第2図に示した本実施例の電極パターンレイア
ウトにおいて、圧電基板2としてLiNbO3を用い、トラン
スデューサ3は7対正規形と26対アボダイス重み付け
(ブラックマン関数)を交互に配置した5電極構成、開
口長1mm、電極材料にAlを用い、Al膜厚はトランスデュ
ーサ3部分を360nm、引出し線5およびボンディングパ
ッド6を900nmとして抵抗損の減少が見られるかを確認
したところ、周波数振幅特性による挿入損失は、引出し
線5およびボンディングパッド6部分のAlの膜厚を厚く
しない場合(360nmの場合)に比べ、0.7dBの改善した。
これは、抵抗損が減少したことを意味している。さら
に、ボンディングパッド6も同様に膜厚を厚くしている
ため、ボンディング性(ボンディング強度)を良くする
効果も同時に得られた。
In the electrode pattern layout of the present embodiment shown in FIG. 2, LiNbO 3 is used as the piezoelectric substrate 2, and the transducer 3 has five electrodes in which 7-pair normal type and 26-pair avodic weighting (Blackman function) are alternately arranged. The structure, the opening length was 1 mm, and Al was used for the electrode material. The Al film thickness was 360 nm for the transducer 3 and the lead wire 5 and the bonding pad 6 were 900 nm. The insertion loss was improved by 0.7 dB as compared with the case where the thickness of Al in the portion of the lead wire 5 and the bonding pad 6 was not increased (in the case of 360 nm).
This means that the resistance loss has been reduced. Further, since the thickness of the bonding pad 6 is similarly increased, the effect of improving the bonding property (bonding strength) was also obtained.

以上のようにこの実施例では、2層蒸着法にみられる
ような1層目と2層目の精度の高い位置合せを必要とす
ることなく、また、1層目と2層目の金属膜のずれによ
る電気的な短絡も生じることなく、抵抗損を改善するこ
とができる。このため、圧電基板上2の引出し線パター
ン5が細かい弾性表面波装置であっても、歩留りの低下
や生産性の低下を招くことなく、低損失の弾性表面波装
置を効率良く製造することができる。さらに、ボンディ
ングワイヤーのボンディング性も改善することができ
る。
As described above, in this embodiment, the first and second metal films do not need to be positioned with high accuracy as in the case of the two-layer deposition method. The resistance loss can be improved without causing an electric short circuit due to the displacement. For this reason, even if the lead-out line pattern 5 on the piezoelectric substrate 2 is a fine surface acoustic wave device, it is possible to efficiently manufacture a low-loss surface acoustic wave device without reducing the yield or the productivity. it can. Further, the bonding property of the bonding wire can be improved.

[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、圧電基板上の
引出し線パターンが細かい弾性表面波装置であっても、
歩留りの低下や生産性の低下を招くことなく、低損失で
高性能な弾性表面波装置を効率良く製造することができ
る。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, even if the lead line pattern on the piezoelectric substrate is a fine surface acoustic wave device,
A low-loss, high-performance surface acoustic wave device can be efficiently manufactured without lowering the yield or lowering the productivity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の一実施例の製造工程を示す図、第2図
は一実施例における弾性表面波フィルタの電極パターン
レイアウトを示す図、第3図は電気・音響トランスデュ
ーサと引出し線との接続部を示す図、第4図および第5
図は一般的な弾性表面波フィルタの構成を示す図、第6
図は従来方法における製造工程を示す図、第7図は従来
方法の問題点を説明するための図である。 2……圧電基板 3……電気・音響トランスデューサ 5……引出し線 6……ボンディングパッド
FIG. 1 is a view showing a manufacturing process of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view showing an electrode pattern layout of a surface acoustic wave filter in one embodiment, and FIG. FIG. 4 and FIG.
The figure shows the configuration of a general surface acoustic wave filter.
FIG. 7 is a view showing a manufacturing process in the conventional method, and FIG. 7 is a view for explaining a problem of the conventional method. 2. Piezoelectric substrate 3. Electric / acoustic transducer 5. Lead wire 6. Bonding pad

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き 合議体 審判長 川名 幹夫 審判官 吉見 信明 審判官 橋本 正弘 (56)参考文献 特開 平4−21205(JP,A) 特開 平1−103011(JP,A) 実開 昭64−16729(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page Referee Mikio Kawana Judge Nobuaki Yoshimi Judge Masahiro Hashimoto (56) References JP-A-4-21205 (JP, A) JP-A-1-103011 (JP, A) 1964-16729 (JP, U)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】圧電基板の一主面上に形成され、櫛歯状電
極指対からなる複数の電気・音響トランスデューサと、
前記圧電基板の一主面上に形成され、前記電気・音響ト
ランスデューサと接続される引出し線およびボンディン
グ用パッドとを備えた弾性表面波装置の製造方法におい
て、 前記圧電基板の一主面上の所定領域に金属膜からなる前
記電気・音響トランスデューサを形成する電気・音響ト
ランスデューサ形成工程と、 前記圧電基板の一主面上の前記所定領域以外の領域に前
記電気・音響トランスデューサより膜厚の厚い金属膜か
らなる前記引出し線およびボンデイング用パッドを形成
する引出し線およびボンディング用パッド形成工程とを
具備し、 前記電気・音響トランスデューサと前記引出し線との接
続は、これらの一方の一部を他方に重ね合わせることに
よって行うことを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。
1. A plurality of electric / acoustic transducers formed on one main surface of a piezoelectric substrate and comprising a pair of comb-shaped electrode fingers;
A method of manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: a lead wire and a bonding pad formed on one main surface of the piezoelectric substrate and connected to the electric / acoustic transducer; An electro-acoustic transducer forming step of forming the electro-acoustic transducer made of a metal film in a region; and a metal film thicker than the electro-acoustic transducer in a region other than the predetermined region on one main surface of the piezoelectric substrate. Forming a lead line and a bonding pad for forming the lead line and the bonding pad, wherein the connection between the electric / acoustic transducer and the lead line overlaps a part of one of them with the other. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
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