JPH0998043A - Surface acoustic wave device and its production - Google Patents
Surface acoustic wave device and its productionInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は携帯電話などに用い
られる弾性表面波デバイスおよびその製造方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device used for mobile phones and the like and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、弾性表面波デバイスの利用帯域の
高周波数化にともない、弾性表面波デバイスの金属電極
の微細化、薄膜化が著しい。そのため配線材料に求めら
れる配線抵抗、エレクトロマイグレション耐性等の条件
も厳しくなる。さらに、従来は問題とならなかった微少
な電極パターン端部の凸凹が電極ショート不良を発生さ
せたり、わずかな電極幅のばらつきが特性に影響をおよ
ぼすことがある。したがって、より高度なパターン形成
技術が要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in the frequency band of the surface acoustic wave device, the metal electrodes of the surface acoustic wave device are becoming finer and thinner. Therefore, the conditions such as the wiring resistance and electromigration resistance required for the wiring material also become strict. Furthermore, a slight unevenness at the end of the electrode pattern, which has not been a problem in the past, may cause an electrode short circuit defect, or a slight variation in the electrode width may affect the characteristics. Therefore, more advanced pattern forming technology is required.
【０００３】ここで従来の弾性表面波デバイスの構造に
ついて図４を参照し説明する。図４（ａ）は平面図を図
４（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。素子は圧電基板１と、
その上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とす
るアルミニウム合金等の金属層３ａおよびボンディング
パッドなどの外部接続部４ａから形成された電極とから
なる。The structure of a conventional surface acoustic wave device will be described with reference to FIG. 4 (a) is a plan view and FIG. 4 (b) is a sectional view taken along line AA. The element is the piezoelectric substrate 1,
An electrode is formed on the metal layer 3a such as aluminum or an aluminum alloy containing aluminum as a main component and an external connection portion 4a such as a bonding pad.
【０００４】つぎにこの従来の弾性表面波デバイスの製
造方法について図５を参照し説明する。まず圧電基板１
上にスパッタリング法等を用いてアルミニウム等の金属
層３ａを成膜する（図５（ａ））。つぎにポジ型フォト
レジスト２ａを塗布し（図５（ｂ））、露光・現象にて
パターン形成を行う（図５（ｃ））。その後ウェットま
たはドライエッチングにて金属電極パターンを形成する
（図５（ｄ））。そして不要となったレジスト２ａを剥
離する（図５（ｅ））。こうしてできたチップをパッケ
ージに実装し、弾性表面波デバイスが得られる。Next, a method of manufacturing this conventional surface acoustic wave device will be described with reference to FIG. First, the piezoelectric substrate 1
A metal layer 3a made of aluminum or the like is formed thereon by using a sputtering method or the like (FIG. 5A). Next, a positive photoresist 2a is applied (FIG. 5 (b)), and a pattern is formed by exposure / phenomenon (FIG. 5 (c)). After that, a metal electrode pattern is formed by wet or dry etching (FIG. 5D). Then, the resist 2a which has become unnecessary is peeled off (FIG. 5E). The chip thus produced is mounted in a package to obtain a surface acoustic wave device.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、弾性表面波デ
バイスの利用帯域のより高周波数化が進むとともに弾性
表面波デバイスにおける金属電極のより一層の微細化、
薄層化が要求されるようになると以下の問題が生じた。However, as the use band of the surface acoustic wave device is further increased, the metal electrodes in the surface acoustic wave device are further miniaturized.
The following problems have arisen when a thinner layer is required.
【０００６】１）微細パターン形成に関する問題 弾性表面波デバイスのくし歯状電極を形成するにあた
り、ステッパを用いる光露光法は量産性に富んでいるた
め多用されている。この中でもｉ線ステッパによる露光
は解像度が高いため 0.4μm 程度のパターニングが可能
である。弾性表面波デバイスのくし歯状電極の電極幅と
電極間隔とを 1:1とした場合、800MHz 帯では 1.3μm
、 1.5GHz 帯では 0.7μm 、 2.5GHz 帯では 0.4μm
の幅および間隔となる。このような電極幅および電極間
隔を、ｉ線ステッパを用いる光露光法を用いてパターニ
ングし、リン酸系のエッチャントを用いてウェットエッ
チングをする場合、図５（ｄ）に示すように、エッチン
グ時に電極パターンにサイドエッチングが進むため、レ
ジストパターンにこの補正を入れなければならない。こ
の補正量をＸとした場合、レジストパターン上での電極
間隔は、設計値の電極間隔から 2Ｘを差し引いた値とな
る。例えば 1.5GHz 帯の場合、この電極間隔は 0.3μm
となりｉ線ステッパの解像限界を越えてしまう。このた
め、金属電極のより一層の微細化に対応できないという
問題がある。1) Problems concerning formation of fine pattern In forming the comb-teeth-shaped electrode of the surface acoustic wave device, an optical exposure method using a stepper is widely used because of its high mass productivity. Among them, the exposure by the i-line stepper has a high resolution, so that patterning of about 0.4 μm is possible. If the electrode width and the electrode spacing of the comb-shaped electrode of the surface acoustic wave device are set to 1: 1, 1.3 μm in the 800 MHz band
, 0.7 μm in 1.5 GHz band, 0.4 μm in 2.5 GHz band
Width and spacing. When such an electrode width and an electrode interval are patterned by a light exposure method using an i-line stepper and wet etching is performed using a phosphoric acid-based etchant, as shown in FIG. Since side etching proceeds to the electrode pattern, this correction must be made in the resist pattern. When this correction amount is X, the electrode interval on the resist pattern is a value obtained by subtracting 2X from the electrode interval of the design value. For example, in the 1.5 GHz band, this electrode spacing is 0.3 μm.
Then, the resolution limit of the i-line stepper is exceeded. Therefore, there is a problem that it is not possible to cope with further miniaturization of the metal electrode.
【０００７】また、金属電極のより一層の微細化が進む
と、従来の純アルミニウム電極ではエレクトロマイグレ
ーションが生じ易く、電力印加時に耐久性不足でデバイ
スが破壊するおそれがある。エレクトロマイグレーショ
ン耐性・耐電力性を向上させるため、アルミニウムに
銅、シリコン等を加え合金配線とすると、今度は配線抵
抗が大きくなり、デバイス特性としては挿入損失が大き
くなる問題がある。Further, if the metal electrode is further miniaturized, electromigration is likely to occur in the conventional pure aluminum electrode, and the device may be broken due to insufficient durability when power is applied. If copper, silicon, or the like is added to aluminum to form an alloy wiring in order to improve electromigration resistance and power resistance, the wiring resistance will increase and the insertion loss will increase as a device characteristic.
【０００８】２）銅電極材に関する問題 電極幅が微細化すると、電極材の電気抵抗もより大きく
なる。低抵抗でかつエレクトロマイグレーション耐性の
高い電極材料として銅がある。しかし、電極材を銅にす
ると、ドライエッチング時のガスがSiCl4 、C12 、アン
モニア等の混合ガスでエッチング温度が 2500 ℃以上の
高温であること、ドライエッチング後のレジスト除去の
アッシング工程で銅が酸化されてしまうこと、銅の塩化
物の蒸気圧が高いため、残滓が残り易くアフターコロー
ジョンが発生し易いこと等の問題がある。2) Problems Concerning Copper Electrode Material As the electrode width becomes finer, the electric resistance of the electrode material also becomes larger. Copper is an electrode material having low resistance and high electromigration resistance. However, when the electrode material is copper, it gas during dry etching SiCl 4, C1 2, is a high temperature with a mixed gas etching temperature is above 2500 ° C., such as ammonia, copper ashing process of the resist removal after dry etching Are oxidized, and the vapor pressure of the chloride of copper is high, so that residue remains easily and after-corrosion easily occurs.
【０００９】３）微細加工方法に関する問題 金属電極のより一層の微細化に対処するためにＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）法とリフトオフ法とが提案さ
れている。ＲＩＥ法はSiCl4 、 BCl4 などの塩素系ガス
を用いて真空プラズマ中で電極を加工する方法である。
しかしこの方法はアフターコロージョンが発生し易い問
題がある。3) Problems related to microfabrication method In order to cope with further miniaturization of metal electrodes, RIE
(Reactive Ion Etching) method and lift-off method have been proposed. The RIE method is a method of processing an electrode in vacuum plasma using a chlorine-based gas such as SiCl 4 , BCl 4 .
However, this method has a problem that after-corrosion is likely to occur.
【００１０】また、リフトオフ法はレジストパターンを
先に形成し、アルミニウム層を蒸着した後にレジストパ
ターン上でのアルミニウム層を除去することによりアル
ミニウムパターンを形成する方法である。アルミニウム
層の成膜には真空蒸着法が通常使用されるが、この場
合、エレクトロマイグレーション対策して電極材料を銅
を含有するアルミニウムとすると銅とアルミニウムの蒸
気圧が異なるために、アルミニウム中に銅が入りにくく
かつアルミニウム層中の銅濃度が基板面と電極表面とで
異なる断面プロファイルが生じ、耐エレクトロマイグレ
ーション信頼性に劣るという問題がある。The lift-off method is a method of forming an aluminum pattern by first forming a resist pattern, depositing an aluminum layer, and then removing the aluminum layer on the resist pattern. The vacuum deposition method is usually used for forming the aluminum layer, but in this case, when the electrode material is aluminum containing copper as a countermeasure against electromigration, the vapor pressures of copper and aluminum are different. Is difficult to enter, and a cross-sectional profile in which the copper concentration in the aluminum layer differs between the substrate surface and the electrode surface, resulting in a problem of poor electromigration reliability.
【００１１】本発明はこのような問題に対処するために
なされたものである。すなわち、請求項１ないし請求項
３の発明は、微細電極パターンを有していても挿入損失
が小さく、耐電力性が高く、アフターコロージョンのな
い弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。The present invention has been made to address such a problem. That is, it is an object of the inventions of claims 1 to 3 to provide a surface acoustic wave device having a small insertion loss, a high power resistance, and no after-corrosion even if it has a fine electrode pattern.
【００１２】請求項４の発明は、微細電極パターンを容
易に形成することのできる弾性表面波デバイスの製造方
法を提供することを目的とする。It is an object of the invention of claim 4 to provide a method of manufacturing a surface acoustic wave device capable of easily forming a fine electrode pattern.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波デ
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に形成されたく
し歯状電極部および外部接続部を少なくとも具備してな
る弾性表面波デバイスにおいて、くし歯状電極部は銅ま
たは銅を主成分とする銅合金層であることを特徴とす
る。A surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate, and at least a comb-teeth-shaped electrode portion and an external connecting portion formed on the piezoelectric substrate. The comb-shaped electrode portion is characterized by being copper or a copper alloy layer containing copper as a main component.
【００１４】電極材料に銅または銅を主成分とする銅合
金層とすることで、従来のアルミニウム等に比べ配線抵
抗が小さくなる。これは、純アルミニウムの比抵抗が
2.655×10-6Ωcmであるのに対し、純銅の比抵抗が 1.67
×10-6Ωcmと約 2／3 であることによる。この結果、
デバイス特性としては挿入損失が小さくてすむ。By using copper or a copper alloy layer containing copper as the main component as the electrode material, the wiring resistance becomes smaller than that of conventional aluminum or the like. This is because the specific resistance of pure aluminum is
2.655 × 10 -6 Ωcm, while pure copper has a specific resistance of 1.67
X 10 -6 Ωcm, which is about 2/3. As a result,
As device characteristics, insertion loss is small.
【００１５】さらに、銅はアルミニウムに比ベマイグレ
ーション耐性が高い。従ってデバイスとしては電力印加
時の耐性が高くなり、電力の大きいシステム用としても
使用可能となる。用途が広がるとともに、製造工程にお
ける歩留まりやデバイスの信頼牲も向上する。Further, copper has a higher resistance to migration than aluminum. Therefore, the device has a high resistance to power application, and can be used for a system with high power. As the applications expand, the yield in the manufacturing process and device reliability will also improve.
【００１６】銅としては純銅を、銅を主成分とする銅合
金としては基板と銅薄膜との密着力を上げるためにシリ
コンを少量含有する銅合金を、耐蝕性を向上する目的で
亜鉛、錫、マンガン等を含有する銅合金を使用すること
ができる。Pure copper is used as copper, a copper alloy containing copper as a main component is used as a copper alloy containing a small amount of silicon to increase the adhesion between the substrate and the copper thin film, and zinc and tin are used for the purpose of improving corrosion resistance. A copper alloy containing manganese, manganese, or the like can be used.
【００１７】請求項２の弾性表面波デバイスは、圧電基
板と、この圧電基板上に形成されたくし歯状電極部およ
び外部接続部を少なくとも具備してなる弾性表面波デバ
イスにおいて、外部接続部は、アルミニウム、アルミニ
ウムを主成分とするアルミニウム合金、金および金を主
成分とする金合金の中から選択された少なくとも一つの
層と銅または銅を主成分とする銅合金層と、一部面また
は全面における積層体であり、かつ外部との接続部がア
ルミニウム、アルミニウムを主成分とするアルミニウム
合金、金および金を主成分とする金合金の中から選択さ
れた少なくとも一つの層面にあることを特徴とする。A surface acoustic wave device according to a second aspect of the present invention is a surface acoustic wave device comprising at least a piezoelectric substrate, a comb-teeth-shaped electrode portion formed on the piezoelectric substrate, and an external connection portion. At least one layer selected from aluminum, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, gold and a gold alloy containing gold as a main component, and copper or a copper alloy layer containing copper as a main component, a partial surface or a whole surface And a connection portion with the outside is on at least one layer surface selected from aluminum, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, gold, and a gold alloy containing gold as a main component. To do.
【００１８】ボンディングワイヤーなどとの接続部を銅
または銅を主成分とする銅合金層以外の面とすることに
より、接続強度を向上させ携帯電話などに用いられる場
合の信頼性を確保することができる。By forming the connection portion with the bonding wire or the like on the surface other than copper or the copper alloy layer containing copper as a main component, it is possible to improve the connection strength and ensure the reliability when used in a mobile phone or the like. it can.
【００１９】請求項３の弾性表面波デバイスは、請求項
１または請求項２の弾性表面波デバイスにおいて、くし
歯状電極部の電極指および電極間隔が約 1.5μm 以下で
あることを特徴とする。銅または銅を主成分とする銅合
金層を電極層として使用することにより、とくに電極間
隔が約 1.5μm 以下の微細電極パターンにおいても、マ
イグレーション耐性が高くなるので電力印加時の耐性が
高くなり、本発明は、電力の大きいシステム用としても
使用可能となる。A surface acoustic wave device according to a third aspect of the present invention is the surface acoustic wave device according to the first or second aspect, characterized in that the electrode fingers of the interdigital electrode portion and the electrode spacing are about 1.5 μm or less. . By using copper or a copper alloy layer containing copper as a main component as an electrode layer, migration resistance becomes high, especially in a fine electrode pattern with an electrode interval of about 1.5 μm or less, so resistance at the time of applying power becomes high, The invention can also be used for high power systems.
【００２０】請求項４の弾性表面波デバイスの製造方法
は、圧電基板上にレジスト層を形成する工程と、このレ
ジスト層を露光・現像することにより圧電基板上にパタ
ーンを形成する工程と、このパターン上から銅または銅
を主成分とする銅合金層を形成する工程と、レジスト層
上に形成された銅または銅を主成分とする銅合金層をレ
ジスト層とともに剥離する工程とからなることを特徴と
する。A method of manufacturing a surface acoustic wave device according to a fourth aspect of the present invention comprises a step of forming a resist layer on the piezoelectric substrate, a step of forming a pattern on the piezoelectric substrate by exposing and developing the resist layer, and A step of forming a copper or copper alloy layer containing copper as a main component from the pattern, and a step of peeling the copper or copper alloy layer containing copper as a main component formed on the resist layer together with the resist layer. Characterize.
【００２１】上述のリフトオフ法にて銅等の金属電極を
パターン形成することにより、銅のエッチング時に使用
していたSiCl4 、C12 、アンモニア等の危険なガスも不
要になる。そして 250℃以上の高温になるプロセスもな
いため、温度衝撃によるウェハ割れや焦電牲ウェハ使用
時の静電気による搬送不良，静電破壊の心配がない。そ
してドライエッチングを行わないため、レジスト剥離も
ウェット処理で容易に行うことができ、アッシングプロ
セスで配線材料が酸化してしまうおそれもない。またア
ルミニウム等のウェット、ドライエッチングの時のよう
にサイドエッチングやアフターコロージョンの心配がな
いため、線幅制御が容易であり、歩留まりや信頼牲も向
上する。By patterning the metal electrode of copper or the like by the above-mentioned lift-off method, the dangerous gas such as SiCl 4 , C1 2 and ammonia used at the time of etching copper can be eliminated. Also, since there is no process that raises the temperature to 250 ° C or higher, there is no risk of wafer cracking due to temperature shock, transport failure due to static electricity when using a pyroelectric wafer, and electrostatic breakdown. Since the dry etching is not performed, the resist can be easily removed by the wet process, and the wiring material is not likely to be oxidized in the ashing process. Further, since there is no concern about side etching or after-corrosion as in the case of wet or dry etching of aluminum or the like, line width control is easy and yield and reliability are improved.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図１ない
し図３を参照しながら説明する。図１は、本発明の弾性
表面波デバイスの構造を示す図であり、図１（ａ）は平
面図を図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図を、図１（ｃ）はＢ−
Ｂ断面図をそれぞれ示す。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1A and 1B are views showing the structure of the surface acoustic wave device of the present invention. FIG. 1A is a plan view, FIG. 1B is a sectional view taken along line AA, and FIG.
B sectional drawing is shown, respectively.
【００２３】素子は LiNbO3 等の圧電基板１と、その基
板上に純銅の薄層から形成された電極３および外部接続
部４とからなる。図１（ｂ）において、くし歯状電極３
の電極幅と電極間隔の比は 1:1であり、電極幅は 1.3μ
m とした。図１（ｃ）において、外部接続部４はボンデ
ィングワイヤー５により入出力端子に接続されている。The element comprises a piezoelectric substrate 1 made of LiNbO 3, etc., an electrode 3 and an external connection portion 4 formed on the substrate by a thin layer of pure copper. In FIG. 1B, the comb-shaped electrode 3
The ratio of the electrode width to the electrode spacing is 1: 1 and the electrode width is 1.3 μm.
m. In FIG. 1C, the external connection portion 4 is connected to the input / output terminal by the bonding wire 5.
【００２４】つぎに、図２に製造方法を示す。LiNbO3
等の圧電基板１上にネガ型フォトレジスト２を塗布乾燥
する（図２（ａ））。フォトレジスト２上に露光・現像
することにより電極パターン形成を行う（図２
（ｂ））。つぎに基板１およびフォトレジストパターン
２の上に蒸着法を用いて銅層３ｂを成膜する（図２
（ｃ））。つぎにフォトレジスト２およびレジスト上の
銅層３ｂをレジスト剥離液にてリフトオフし、銅電極３
を形成する（図２（ｄ））。Next, FIG. 2 shows a manufacturing method. LiNbO 3
The negative photoresist 2 is applied and dried on the piezoelectric substrate 1 such as (FIG. 2A). An electrode pattern is formed by exposing and developing the photoresist 2 (see FIG. 2).
(B)). Next, a copper layer 3b is formed on the substrate 1 and the photoresist pattern 2 by using a vapor deposition method (see FIG. 2).
(C)). Next, the photoresist 2 and the copper layer 3b on the resist are lifted off with a resist stripping solution to remove the copper electrode 3
Is formed (FIG. 2D).
【００２５】外部接続部の構成例を図３に示す。図３に
おいて、ボンディングワイヤー５は、アルミニウムまた
は金の細線である。図３（ａ）は、アルミニウムまたは
金層６が銅層上に一部重なる形で積層された断面形状で
あり、ボンディングワイヤー５との接続は、このアルミ
ニウムまたは金の単層上でなされる。FIG. 3 shows an example of the structure of the external connection section. In FIG. 3, the bonding wire 5 is a thin wire of aluminum or gold. FIG. 3A shows a cross-sectional shape in which an aluminum or gold layer 6 is laminated on the copper layer so as to partially overlap with each other, and the connection with the bonding wire 5 is made on this single layer of aluminum or gold.
【００２６】図３（ｂ）は、アルミニウムまたは金層を
形成した後に銅により電極層を形成した場合を示す。こ
の場合においてもボンディングワイヤー５との接続は、
このアルミニウムまたは金の単層上でなされる。FIG. 3B shows the case where the electrode layer is formed of copper after forming the aluminum or gold layer. Even in this case, the connection with the bonding wire 5 is
This is done on a single layer of aluminum or gold.
【００２７】図３（ｃ）は、銅電極層上の接続部上にア
ルミニウムまたは金層が全部重なる形で積層された断面
形状であり、ボンディングワイヤー５との接続は、積層
されたアルミニウムまたは金層上でなされる。FIG. 3C shows a cross-sectional shape in which aluminum or gold layers are laminated on the connection portion on the copper electrode layer so as to be entirely overlapped with each other. The connection with the bonding wire 5 is performed by the laminated aluminum or gold layers. Made in layers.
【００２８】上述のように、接続は必要とされる接続強
度によって適宜選択することができ、接続強度がより必
要となる場合はボンディングワイヤーと同種の金属材を
選択することが好ましい。As described above, the connection can be appropriately selected according to the required connection strength, and when the connection strength is more required, it is preferable to select the same metal material as the bonding wire.
【００２９】こうして得られたチップをパッケージに実
装し、弾性表面波デバイスが得られる。得られた弾性表
面波デバイスを 85 ℃、相対湿度 95 ％の雰囲気に 500
時間放置してもアフターコロージョンがみられなかっ
た。また、耐電力性に優れ、デバイスの挿入損失も 2.0
dBと小さかった。The surface acoustic wave device is obtained by mounting the thus obtained chip on a package. The obtained surface acoustic wave device was exposed to an atmosphere of 85 ° C and 95% relative humidity for 500 times.
No after-corrosion was observed even after left for a while. In addition, it has excellent power resistance and a device insertion loss of 2.0.
It was as small as dB.
【００３０】[0030]
【発明の効果】請求項１または請求項３の発明は、電極
部を構成する金属薄層に銅または銅を主成分とする銅合
金を用いることにより、配線抵抗が小さくなり、その結
果デバイスの挿入損失が小さくなる。またマイグレーシ
ョン耐性が高いため、デバイスの耐電力性が高くなる。
デバイス特性の向上にともない、高周波数化に対応した
携帯電話などに使用できる。According to the invention of claim 1 or 3, the wiring resistance is reduced by using copper or a copper alloy containing copper as a main component in the metal thin layer constituting the electrode portion, and as a result, the device Insertion loss is reduced. Moreover, since the migration resistance is high, the power resistance of the device is high.
With improved device characteristics, it can be used in mobile phones that support higher frequencies.
【００３１】請求項２の発明は、請求項１の効果に加え
て外部接続部がアルミニウム、アルミニウムを主成分と
するアルミニウム合金、金および金を主成分とする金合
金の中から選択された少なくとも一つの層面にあるの
で、銅層との腐食などが発生せずボンディングワイヤー
との接続強度に優れる。その結果、弾性表面波デバイス
の信頼性が向上する。According to the invention of claim 2, in addition to the effect of claim 1, at least the external connection portion is selected from aluminum, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, gold and a gold alloy containing gold as a main component. Since it is on one layer surface, it does not corrode with the copper layer and has excellent connection strength with the bonding wire. As a result, the reliability of the surface acoustic wave device is improved.
【００３２】請求項４の発明は、リフトオフにて金属電
極をパターン形成することにより、電極部を銅にしても
危険なガスや高温プロセスを用いずに容易にパターン形
成ができる。さらにサイドエッチングやアフターコロー
ジョンの心配もなく、線幅制御が容易で歩留まりや信頼
性も向上する。この結果、従来の構造、製造方法では困
難であった高性能の弾性表面波デバイスを高歩留まりで
得ることができる。According to the fourth aspect of the present invention, by patterning the metal electrode by lift-off, even if the electrode portion is made of copper, the pattern can be easily formed without using a dangerous gas or a high temperature process. Furthermore, there is no concern about side etching or after-corrosion, line width control is easy, and yield and reliability are improved. As a result, it is possible to obtain a high-performance surface acoustic wave device with high yield, which was difficult with the conventional structure and manufacturing method.
【図１】本発明の弾性表面波デバイスの構造を示す図で
ある。FIG. 1 is a diagram showing a structure of a surface acoustic wave device of the present invention.
【図２】本発明の弾性表面波デバイスの製造方法を示す
図である。FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
【図３】本発明の弾性表面波デバイスの外部接続部の構
成例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of an external connection portion of the surface acoustic wave device of the present invention.
【図４】従来の弾性表面波デバイスの構造を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a structure of a conventional surface acoustic wave device.
【図５】従来の弾性表面波デバイスの製造方法を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing a conventional surface acoustic wave device.
１……圧電基板、２……ネガ型フォトレジスト、３……
電極、３ｂ……レジスト上の銅層、４……外部接続部、
５……ボンディングワイヤー。1 ... Piezoelectric substrate, 2 ... Negative photoresist, 3 ...
Electrodes, 3b ... Copper layer on resist, 4 ... External connection,
5 ... Bonding wire.
Claims (4)
たくし歯状電極部および外部接続部を少なくとも具備し
てなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記くし歯状電極部は銅または銅を主成分とする銅合金
層であることを特徴とする弾性表面波デバイス。1. A surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate and at least a comb-teeth electrode portion formed on the piezoelectric substrate and an external connection portion, wherein the comb-teeth electrode portion is made of copper or copper as a main component. A surface acoustic wave device characterized by being a copper alloy layer.
たくし歯状電極部および外部接続部を少なくとも具備し
てなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記外部接続部は、アルミニウム、アルミニウムを主成
分とするアルミニウム合金、金および金を主成分とする
金合金の中から選択された少なくとも一つの層と前記銅
または銅を主成分とする銅合金層と、一部面または全面
における積層体であり、かつ外部との接続部がアルミニ
ウム、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金、
金および金を主成分とする金合金の中から選択された少
なくとも一つの層面にあることを特徴とする弾性表面波
デバイス。2. A surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate, and at least a comb-teeth-shaped electrode portion formed on the piezoelectric substrate and an external connection portion, wherein the external connection portion contains aluminum or aluminum as a main component. Aluminum alloy, which is at least one layer selected from gold and gold alloys containing gold as a main component and the copper or copper alloy layer containing copper as a main component, and a laminate on a partial surface or the entire surface, And the connection to the outside is aluminum, an aluminum alloy containing aluminum as the main component,
A surface acoustic wave device characterized by being on at least one layer surface selected from gold and a gold alloy containing gold as a main component.
波デバイスにおいて、前記くし歯状電極部の電極指幅お
よび電極間隔が 1.5μm 以下であることを特徴とする弾
性表面波デバイス。3. The surface acoustic wave device according to claim 1 or 2, wherein the electrode finger width and the electrode interval of the comb-shaped electrode portion are 1.5 μm or less.
と、 このレジスト層を露光・現像することにより前記圧電基
板上にパターンを形成する工程と、 このパターン上から銅または銅を主成分とする銅合金層
を形成する工程と、 前記レジスト層上に形成された銅または銅を主成分とす
る銅合金層を前記レジスト層とともに剥離する工程とか
らなる弾性表面波デバイスの製造方法。4. A step of forming a resist layer on a piezoelectric substrate, a step of forming a pattern on the piezoelectric substrate by exposing and developing the resist layer, and copper or copper as a main component from the pattern. And a step of peeling the copper or copper alloy layer containing copper as a main component formed on the resist layer together with the resist layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228995A JPH0998043A (en) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Surface acoustic wave device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25228995A JPH0998043A (en) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Surface acoustic wave device and its production |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0998043A true JPH0998043A (en) | 1997-04-08 |
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ID=17235192
Family Applications (1)
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| JP25228995A Pending JPH0998043A (en) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | Surface acoustic wave device and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0998043A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1635458A1 (en) * | 2003-06-17 | 2006-03-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7141909B2 (en) | 2003-06-17 | 2006-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7795788B2 (en) | 2004-10-26 | 2010-09-14 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave element and communication device |
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-
1995
- 1995-09-29 JP JP25228995A patent/JPH0998043A/en active Pending
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