JPH0441680A - セラミックス基板の銅めっき方法 - Google Patents
セラミックス基板の銅めっき方法Info
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- JPH0441680A JPH0441680A JP14704990A JP14704990A JPH0441680A JP H0441680 A JPH0441680 A JP H0441680A JP 14704990 A JP14704990 A JP 14704990A JP 14704990 A JP14704990 A JP 14704990A JP H0441680 A JPH0441680 A JP H0441680A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はセラミックス基板の銅めっき方法に関し、−層
詳細には、セラミックス基板上にスパッタリング処理に
よりクロム薄膜層またはチタン薄膜層を得た後、無電解
銅めつき法により銅めっき層を得るセラミックス基板の
銅めっき方法に関する。
詳細には、セラミックス基板上にスパッタリング処理に
よりクロム薄膜層またはチタン薄膜層を得た後、無電解
銅めつき法により銅めっき層を得るセラミックス基板の
銅めっき方法に関する。
［従来の技術］
従来より、電子回路等の作成に際し、下地基板であるセ
ラミックス基板上に銅を積層し、その後、エツチング等
の工程を経て導体としての機能を発揮させるべく銅めっ
き方法が用いられている。その−例として、セラミック
ス基板上にセラミックスと密着性の高いクロム薄膜層ま
たはチタン薄膜層（以後、薄膜層と呼称する）を予めス
パッタリング処理により形成し、この薄膜層を接着層と
してセラミックスとの密着性が低い銅導体層をスパッタ
リング処理により形成する方法が用いられている。
ラミックス基板上に銅を積層し、その後、エツチング等
の工程を経て導体としての機能を発揮させるべく銅めっ
き方法が用いられている。その−例として、セラミック
ス基板上にセラミックスと密着性の高いクロム薄膜層ま
たはチタン薄膜層（以後、薄膜層と呼称する）を予めス
パッタリング処理により形成し、この薄膜層を接着層と
してセラミックスとの密着性が低い銅導体層をスパッタ
リング処理により形成する方法が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、前記のように、銅導体をスパッタリング
処理により形成する方法は銅導体層をめっき処理によっ
て得る場合に比較してその製造コストが高騰するという
不都合がある。この不都合を克服すべく、銅導体層を無
電解めっき法あるいは電気ｔつき法により形成すること
が試みられた。
処理により形成する方法は銅導体層をめっき処理によっ
て得る場合に比較してその製造コストが高騰するという
不都合がある。この不都合を克服すべく、銅導体層を無
電解めっき法あるいは電気ｔつき法により形成すること
が試みられた。
しかし、無電解めっき法を用いた場合において、銅めっ
き層とセラミック基板との中間の薄膜層に用いられるク
ロムおよびチタンは不活性な金属であるため、ｔつきを
施すたｂに必要不可欠な表面の活性状態を得ることがで
きず、薄膜層上に銅めつきを析ａすることはできなかっ
た。
き層とセラミック基板との中間の薄膜層に用いられるク
ロムおよびチタンは不活性な金属であるため、ｔつきを
施すたｂに必要不可欠な表面の活性状態を得ることがで
きず、薄膜層上に銅めつきを析ａすることはできなかっ
た。
また、電気めっき法を用いた場合においては、スパッタ
リングによって形成可能な薄膜層は薄く、電気抵抗が大
となるため、銅めっきを析出させるに必要な電流を流す
ことができず、銅めっきを析出することは相当に困難で
ある。
リングによって形成可能な薄膜層は薄く、電気抵抗が大
となるため、銅めっきを析出させるに必要な電流を流す
ことができず、銅めっきを析出することは相当に困難で
ある。
また、スパッタリング処理により膜厚を厚くするために
は製造コストの高騰を招（不都合が顕在化している。
は製造コストの高騰を招（不都合が顕在化している。
従って、本発明の目的は、前記不都合を克服すべく、ス
パッタリング処理によって得た薄膜層上に無電解めっき
法を用い、銅めっきを施しすことにより簡易に銅導体層
を得るセラミックス基板の銅めっき方法を提供すること
にある。
パッタリング処理によって得た薄膜層上に無電解めっき
法を用い、銅めっきを施しすことにより簡易に銅導体層
を得るセラミックス基板の銅めっき方法を提供すること
にある。
口課題を解決するための手段］
前記の課題を解決するために、本発明はセラミックス基
板にスパッタリング処理によりクロム薄膜層またはチタ
ン薄膜層を形成する第１の工程と、 前記第１工程でクロム薄膜層またはチタン薄膜層を形成
したセラミックス基板を異種の金属からなるラックに固
定し、クロム薄膜層またはチタン薄膜層と前記異種金属
製ラックの電気的接触を保持しつつ無電解めっき法によ
り前記セラミックス基板に銅めっき層を形成する第２の
工程と、 を有することを特徴とする。
板にスパッタリング処理によりクロム薄膜層またはチタ
ン薄膜層を形成する第１の工程と、 前記第１工程でクロム薄膜層またはチタン薄膜層を形成
したセラミックス基板を異種の金属からなるラックに固
定し、クロム薄膜層またはチタン薄膜層と前記異種金属
製ラックの電気的接触を保持しつつ無電解めっき法によ
り前記セラミックス基板に銅めっき層を形成する第２の
工程と、 を有することを特徴とする。
［作用］
本発明に係るセラミックス基板の銅めつき方法において
、予めクロムまたはチタンからなる薄膜層を形成したセ
ラミックス基板をステンレス等の異種金属製のラックに
固定し、薄膜層と異種金属製ラックの相互の電気的接触
を保持しつつ無電解めっき槽に浸漬することにより薄膜
層表面においても活性化が促される。従って、薄膜層近
傍のめっき液中の銅イオンを還元し、薄膜層表面に銅め
っき層を析出することができる。
、予めクロムまたはチタンからなる薄膜層を形成したセ
ラミックス基板をステンレス等の異種金属製のラックに
固定し、薄膜層と異種金属製ラックの相互の電気的接触
を保持しつつ無電解めっき槽に浸漬することにより薄膜
層表面においても活性化が促される。従って、薄膜層近
傍のめっき液中の銅イオンを還元し、薄膜層表面に銅め
っき層を析出することができる。
［実施例］
次に、本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法に
ついて好適な実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら
以下詳細に説明する。
ついて好適な実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら
以下詳細に説明する。
実験例１．２．３．４
下地基板として９６％のアルミナを含有するセラミック
ス基板１２を用い、前記セラミックス基板１２上にスパ
ッタリング処理により厚さが０．１μｍのクロム薄膜層
１４を形成した。次に、クロム薄膜層表面を塩酸水溶液
により活性化させた。
ス基板１２を用い、前記セラミックス基板１２上にスパ
ッタリング処理により厚さが０．１μｍのクロム薄膜層
１４を形成した。次に、クロム薄膜層表面を塩酸水溶液
により活性化させた。
続いて、第２図に示すように、クロム薄膜層１４を形成
したセラミックス基板１２とステンレス製ラック２０と
をステンレス製接続ピン２２ａ乃至２２ｄを用い固定し
た。また、このとき、セラミックス基板１２上に形成さ
れたクロム薄膜層１４とステンレス製ラック２０との間
には電気的接触を保持した。なお、このとき、固定され
るラックはステンレスを用いる他、銅、ニッケル等を用
いることも可能である。
したセラミックス基板１２とステンレス製ラック２０と
をステンレス製接続ピン２２ａ乃至２２ｄを用い固定し
た。また、このとき、セラミックス基板１２上に形成さ
れたクロム薄膜層１４とステンレス製ラック２０との間
には電気的接触を保持した。なお、このとき、固定され
るラックはステンレスを用いる他、銅、ニッケル等を用
いることも可能である。
そして、前記の工程によって作成したクロム薄膜層１４
を形成したセラミックス基板１２を塩化パラジュームか
らなる触媒液に浸漬した。
を形成したセラミックス基板１２を塩化パラジュームか
らなる触媒液に浸漬した。
次に、無電解約つき液を用い、被めっき物ｌＯをめっぎ
液に浸漬して３０分間無電解めっきを行い、第１図に示
す０．５μｍ厚の銅めっき層１６の析出を得た。
液に浸漬して３０分間無電解めっきを行い、第１図に示
す０．５μｍ厚の銅めっき層１６の析出を得た。
さらに、前記無電解銅めっきによって得た０、５μｍ厚
さの銅めっき層１６を導電層として用いて硫酸銅よりな
る電気銅めっき液を使用し、電気銅めっきを行い、１０
μｍ厚の銅めっき層１８の析出を得た。
さの銅めっき層１６を導電層として用いて硫酸銅よりな
る電気銅めっき液を使用し、電気銅めっきを行い、１０
μｍ厚の銅めっき層１８の析出を得た。
またさらに、密着強度の向上を目的として、前記鋼めっ
き層１６を有するセラミックス基板１２を窒素雰囲気下
２００℃で熱処理を行い、実験例１とした。前記実験例
１と同条件において４００℃で熱処理を行った場合を実
験例２とし、さらに６００℃で熱処理を行った場合を実
験例３．８００℃で熱処理を行った場合を実験例４、さ
らに熱処理を行わなかった場合を比較例１とした。
き層１６を有するセラミックス基板１２を窒素雰囲気下
２００℃で熱処理を行い、実験例１とした。前記実験例
１と同条件において４００℃で熱処理を行った場合を実
験例２とし、さらに６００℃で熱処理を行った場合を実
験例３．８００℃で熱処理を行った場合を実験例４、さ
らに熱処理を行わなかった場合を比較例１とした。
続いて、前記方法によって得た実験例１乃至実験例４お
よび比較例１の銅めっき層に対し錫６０％、鉛４０％の
合金材料として使用した直径が０．８Ｍの錫めっきが施
された導線を用い、ビール強度を測定し、第３図の表に
示す結果を得た。この結果より、本発明に係るセラミッ
クス基板の銅めっき方法によってクロム薄膜層上にいず
れの場合においても銅めっきを施すことが可能である。
よび比較例１の銅めっき層に対し錫６０％、鉛４０％の
合金材料として使用した直径が０．８Ｍの錫めっきが施
された導線を用い、ビール強度を測定し、第３図の表に
示す結果を得た。この結果より、本発明に係るセラミッ
クス基板の銅めっき方法によってクロム薄膜層上にいず
れの場合においても銅めっきを施すことが可能である。
また、実験１乃至４において、熱処理を施した場合はい
ずれも１．０ ｋｇ／−ｍｍ２以上のビール強度を得る
ことができ、銅導体層として実用に供することが十分可
能であることが諒解できる。
ずれも１．０ ｋｇ／−ｍｍ２以上のビール強度を得る
ことができ、銅導体層として実用に供することが十分可
能であることが諒解できる。
実験例５．６．７．８
下地基板として９６％のアルミナを含有するセラミック
ス基板を用い、前記基板上にスパッタリング処理法によ
り厚さ０．１μｍのチタン薄膜層を形成した。
ス基板を用い、前記基板上にスパッタリング処理法によ
り厚さ０．１μｍのチタン薄膜層を形成した。
次に、チタン薄膜層上をフッ化水素酸水溶液を用い、酸
化等によって汚れを生じているクロム薄膜層表面を清浄
した。
化等によって汚れを生じているクロム薄膜層表面を清浄
した。
続いて、第１図に示すように、実験例１乃至４において
形成したクロム薄膜層１４に代えてチタン薄膜層３４を
形成したセラミックス基板３２と、ステンレス製ラック
４０とをステンレス製接続ビン４２ａ乃至４２ｄを用い
て固定した。また、このとき、セラミックス基板３２上
に形成されたチタン薄膜層３４とステンレス製ラック４
０との間に電気的接触を保持した。
形成したクロム薄膜層１４に代えてチタン薄膜層３４を
形成したセラミックス基板３２と、ステンレス製ラック
４０とをステンレス製接続ビン４２ａ乃至４２ｄを用い
て固定した。また、このとき、セラミックス基板３２上
に形成されたチタン薄膜層３４とステンレス製ラック４
０との間に電気的接触を保持した。
そして、前記処理工程によって作成したチタン薄膜層２
８を形成したセラミックス基板２２を塩化パラジウムか
らなる触媒液に浸漬した。
８を形成したセラミックス基板２２を塩化パラジウムか
らなる触媒液に浸漬した。
次に、無電解めっき液を用い、被めっき物１０をめっき
液に浸漬し３０分間無電解めっきを行い、第１図に示す
０．５μｍ厚の銅めっき層３６の析出を得た。
液に浸漬し３０分間無電解めっきを行い、第１図に示す
０．５μｍ厚の銅めっき層３６の析出を得た。
さらに、前記無電解銅めっきによって得た０、５μｍ厚
の銅めっき層３６を導電層として用いて硫酸銅よりなる
電気銅めっき液を使用し、電気銅めっきを行い、１０μ
ｍ厚の銅めっき層３８の析出を得た。
の銅めっき層３６を導電層として用いて硫酸銅よりなる
電気銅めっき液を使用し、電気銅めっきを行い、１０μ
ｍ厚の銅めっき層３８の析出を得た。
またさらに、密着強度の向上を目的として、窒素雰囲気
下２００℃で熱処理を行い、実験例５とした。前記実験
例５と同様の方法によって得た銅めっきに４００℃で熱
処理を行ったものを実験例６．６００℃で熱処理を行っ
たものを実験例７．８００℃で熱処理を行ったものを実
験例８、熱処理を行わなかったものを比較例２とした。
下２００℃で熱処理を行い、実験例５とした。前記実験
例５と同様の方法によって得た銅めっきに４００℃で熱
処理を行ったものを実験例６．６００℃で熱処理を行っ
たものを実験例７．８００℃で熱処理を行ったものを実
験例８、熱処理を行わなかったものを比較例２とした。
続いて、前記方法によって得た各々の銅めっき層に対し
錫６０％、鉛４０％を原料として使用した直径が０．８
ｍｍの錫めっきが施された導線を用いてビール強度を
測定し、その結果を第３図の表に示す。この結果より、
本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法によって
チタン薄膜層上にいずれの場合においても銅めつきを施
すことが可能であることが判明した。また、熱処理を施
した場合、いずれも１．０ｋｇ／ｍｍ２以上のビール強
度を得ることができ、銅導体層として実用に供すること
が十分可能であることが諒解できる。
錫６０％、鉛４０％を原料として使用した直径が０．８
ｍｍの錫めっきが施された導線を用いてビール強度を
測定し、その結果を第３図の表に示す。この結果より、
本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法によって
チタン薄膜層上にいずれの場合においても銅めつきを施
すことが可能であることが判明した。また、熱処理を施
した場合、いずれも１．０ｋｇ／ｍｍ２以上のビール強
度を得ることができ、銅導体層として実用に供すること
が十分可能であることが諒解できる。
［発明の効果］
以上のよ−うに、本発明に係るセラミックス基板の銅め
っき方法によれば、セラミックス基板上に予め形成した
クロムまたはチタン薄膜層上にステンレス等の異種金属
と電気的接触を保持し、無電解めっきを行うことにより
銅めっき層を得ることができる。従って、スパッタリン
グ処理により銅めっき層を得る方法に比べて安価にセラ
ミックス基板に銅めっき層を形成することができ、経済
性の高い電子回路等を得る効果を奏する。
っき方法によれば、セラミックス基板上に予め形成した
クロムまたはチタン薄膜層上にステンレス等の異種金属
と電気的接触を保持し、無電解めっきを行うことにより
銅めっき層を得ることができる。従って、スパッタリン
グ処理により銅めっき層を得る方法に比べて安価にセラ
ミックス基板に銅めっき層を形成することができ、経済
性の高い電子回路等を得る効果を奏する。
第１図は本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法
によって得た銅導体層を有するセラミックス基板の縦断
面図、 第２図は本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法
を示す概略図、 第３図は実験例１乃至８および比較例１．２のビール強
度に関する実験結果を示す表である。 ２２ａ〜２２ ・・・薄膜層 ・・・無電解めっきによる銅めっき層 ・・・電気めっきによる銅めっき層 ・・・ラック ｄ （４２ａ 〜４２ ｄ） −ピン １２（３２）・・・セラミックス基板
によって得た銅導体層を有するセラミックス基板の縦断
面図、 第２図は本発明に係るセラミックス基板の銅めっき方法
を示す概略図、 第３図は実験例１乃至８および比較例１．２のビール強
度に関する実験結果を示す表である。 ２２ａ〜２２ ・・・薄膜層 ・・・無電解めっきによる銅めっき層 ・・・電気めっきによる銅めっき層 ・・・ラック ｄ （４２ａ 〜４２ ｄ） −ピン １２（３２）・・・セラミックス基板
Claims (1)
- （１）セラミックス基板にスパッタリング処理によりク
ロム薄膜層またはチタン薄膜層を形成する第１の工程と
、 前記第１工程でクロム薄膜層またはチタン薄膜層を形成
したセラミックス基板を異種の金属からなるラックに固
定し、クロム薄膜層またはチタン薄膜層と前記異種金属
製ラックの電気的接触を保持しつつ無電解めっき法によ
り前記セラミックス基板に銅めっき層を形成する第２の
工程と、 を有することを特徴とするセラミックス基板の銅めっき
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147049A JP2828321B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | セラミックス基板の銅めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147049A JP2828321B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | セラミックス基板の銅めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0441680A true JPH0441680A (ja) | 1992-02-12 |
| JP2828321B2 JP2828321B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=15421346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147049A Expired - Lifetime JP2828321B2 (ja) | 1990-06-05 | 1990-06-05 | セラミックス基板の銅めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828321B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108950496A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-07 | 广州鸿葳科技股份有限公司 | 一种基于5g通信技术用陶瓷谐振体的表面处理方法及其应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926756A (ja) * | 1972-07-06 | 1974-03-09 |
-
1990
- 1990-06-05 JP JP2147049A patent/JP2828321B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926756A (ja) * | 1972-07-06 | 1974-03-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108950496A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-12-07 | 广州鸿葳科技股份有限公司 | 一种基于5g通信技术用陶瓷谐振体的表面处理方法及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2828321B2 (ja) | 1998-11-25 |
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