JPH0440894B2 - - Google Patents

Description

請求の範囲 １ 入力信号を受け取り、この入力信号から１ビ
ツト遅れ、２クロツク位相周期内で２回反転して
出力信号を発生し、第１及び第２の非重複クロツ
ク位相を受け取る１ビツト遅延論理デバイスにお
いて、 (イ) 電圧供給手段と、 (ロ) この電圧供給手段に相互接続され、前記第１
のクロツク位相によりクロツクされる第１のプ
リチヤージ・トランジスタ手段３０と、 (ハ) この第１のプリチヤージ・トランジスタ手段
に相互接続されることにより、第１の接続点Ａ
を形成し、前記第２のクロツク位相によりクロ
ツクされて前記第１の接続点を条件付きで放電
するようにした第１のデイスチヤージ・トラン
ジスタ手段３２と、 (ニ) この第１のデイスチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続され、前記第１の接続点から地電
位への放電径路を形成するようにし、前記入力
信号を受け取るように接続された第１の入力ト
ランジスタ手段３４と、 (ホ) 前記第１の接続点に相互接続され、前記第２
のクロツク位相中に半ビツト遅延反転出力信号
を発生し、前記第２のクロツク位相によりクロ
ツクされる第１の出力トランジスタ手段３６
と、 (ヘ) 前記第１の接続点と、前記第１の出力トラン
ジスタ手段とに相互接続され、前記第２のクロ
ツク位相によりクロツクされ、前記第１の接続
点を所定の電圧レベルに保つための第１のコン
デンサ手段３８と、 (ト) 前記電圧供給手段に相互接続され、前記第２
のクロツク位相によりクロツクされる第２のプ
リチヤージ・トランジスタ手段３０′と、 (チ) 前記第２のプリチヤージ・トランジスタ手段
に相互接続されることにより第２の接続点
A′を形成し、前記第１のクロツク位相により
クロツクされ前記第２の接続点を条件付きで放
電するようにした第２のデイスチヤージ・トラ
ンジスタ手段３２′と、 (リ) この第２のデイスチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続され、前記第２の接続点から地電
位への放電径路を形成するようにし、前記第１
の出力トランジスタ手段から前記半ビツト遅延
出力信号を受け取るように接続された第２の入
力トランジスタ手段３４′と、 (ヌ) 前記第２の接続点に相互接続され、前記第１
のクロツク位相中に前記半ビツト遅延反転出力
信号をさらに半ビツト遅延反転した１ビツト遅
延出力信号を発生し、前記第１のクロツク位相
によりクロツクされる第２の出力トランジスタ
手段３６′と、 (ル) 前記第２の接続点と、前記第２の出力トラ
ンジスタ手段とに相互接続され、前記第１のク
ロツク位相によりクロツクされ、前記第２の接
続点を所定の電圧レベルに保つための第２のコ
ンデンサ手段３８′と を包含する１ビツト遅延論理デバイス。

２ 第１及び第２の非重複クロツク位相によりク
ロツクされ、デイバイドされた第１及び第２のク
ロツク位相を発生するための論理回路クロツク・
デイバイダにおいて、 (イ) 電圧供給手段と、 (ロ) この電圧供給手段に相互接続され、前記第１
のクロツク位相によりクロツクされる第１のプ
リチヤージ・トランジスタ手段３０と、 (ハ) この第１のプリチヤージ・トランジスタ手段
に相互接続されることにより、第１の接続点を
形成し、前記第２のクロツク位相によりクロツ
クされて前記第１の接続点を条件付きで放電す
るようにした第１のデイスチヤージ・トランジ
スタ手段３２と、 (ニ) この第１のデイスチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続され、前記第１の接続点から地電
位への放電径路を形成するようにした第１の入
力トランジスタ手段３４と、 (ホ) 前記第１の接続点に相互接続され、前記第２
のクロツク位相中に半ビツト遅延反転出力信号
を発生し、前記第２のクロツク位相によりクロ
ツクされる第１の出力トランジスタ手段３６
と、 (ヘ) 前記第１の接続点と、前記第１の出力トラン
ジスタ手段とに相互接続され、前記第２のクロ
ツク位相によりクロツクされ、前記第１の接続
点を所定の電圧レベルに保つための第１のコン
デンサ手段３８と、 (ト) 前記電圧供給手段に相互接続され、前記第２
のクロツク位相によりクロツクされる第２のプ
リチヤージ・トランジスタ手段３０′と、 (チ) 前記第２のプリチヤージ・トランジスタ手段
に相互接続されることにより第２の接続点を形
成し、前記第１のクロツク位相によりクロツク
され前記第２の接続点を条件付きで放電するよ
うにした第２のデイスチヤージ・トランジスタ
手段３２′と、 (リ) この第２のデイスチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続され、前記第２の接続点から地電
位への放電径路を形成するようにし、前記第１
の出力トランジスタ手段から前記半ビツト遅延
出力信号を受け取るように接続された第２の入
力トランジスタ手段３４′と、 (ヌ) 前記第２の接続点に相互接続され、前記第１
のクロツク位相中に前記半ビツト遅延反転出力
信号をさらに半ビツト遅延反転した１ビツト遅
延出力信号を発生し、前記第１のクロツク位相
によりクロツクされる第２の出力トランジスタ
手段３６′と (ル) 前記第２の接続点と、前記第２の出力トラ
ンジスタ手段とに相互接続され、前記第１のク
ロツク位相によりクロツクされ、前記第２の接
続点を所定の電圧レベルに保つための第２のコ
ンデンサ手段３８′と、 (ヲ) 前記電圧供給手段に相互接続され、前記第
１のクロツク位相によりクロツクされる第３の
プリチヤージ・トランジスタ手段３０と、 (ワ) この第３のプリチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続されることにより、第３の接続点
を形成し、前記第２のクロツク位相によりクロ
ツクされて前記第３の接続点を条件付きで放電
するようにした第３のデイスチヤージ・トラン
ジスタ手段３２と、 (カ) この第３のデイスチヤージ・トランジスタ手
段に相互接続された抵抗器手段９２と、 (ヨ) この抵抗器手段に相互接続されることによ
り、前記第１の入力トランジスタ手段への帰還
径路を形成するように相互接続された第４の接
続点を形成し、前記第３の接続点から上記抵抗
器手段を介して地電位への放電径路を形成し、
前記第２の出力トランジスタ手段の出力を受け
取るように接続された第３の入力トランジスタ
手段３４と、 (タ) 前記第３の接続点に相互接続され、前記第
２のクロツク位相中に半ビツト遅延反転出力信
号を発生し、前記第２のクロツク位相によりク
ロツクされる第３の出力トランジスタ手段３６
と、 (レ) 前記第３の接続点と前記第３の出力トラン
ジスタ手段とに相互接続され、前記第２のクロ
ツク位相によりクロツクされて前記第３の接続
点を所定の電圧レベルに保つための第３のコン
デンサ手段３８と、 (ソ) 前記第３の出力トランジスタ手段の出力信
号と、前記第１のクロツク位相とを受け取る第
４の入力トランジスタ手段１３４と、 (ツ) この第４の入力トランジスタ手段に相互接
続されることにより、第５の接続点を形成し、
前記第２のクロツク位相を受け取るように接続
され、前記第２のクロツク位相を受け取るとき
に、前記第５の接続点において後続の論理ブロ
ツクにデイバイドされた出力クロツク信号を供
給し、前記第５の接続点に所定の電荷を保つよ
うにしたトランジスタ手段１３６と、 を備えた論理回路クロツク・デイバイダ。

技術分野 本発明は、デイジタル論理回路、ことにMOS
技術を使つて作られる低電力、低電圧、ランダム
論理回路適用のための動的レイシヨレス・サーキ
ツトリーに関する。

背景技術 デイジタル論理回路のデザインにおいては、低
電力性能及び寸法最小化が必要である。モス
（MOS）技術の開発に伴い、低電力性能が実現さ
れている。デイジタル論理MOS回路における低
電力性能は、２つの研究方法によつて得られてい
る。第１の研究方法によれば、CMOSデザイン
を利用している。CMOSデザインは、静電流漏
れを零にできたが固有の大きい型面積と多数の処
理工程とを必要とする。デイジタル論理MOS回
路の低電力性能を得るための第２の研究方法によ
れば、エンハンスメント・ドライバーデプレツシ
ヨン・ロード・インバータにおいて利用されてい
るように各抵抗の比率に論理回路が依存しない信
号チヤネル「レイシヨレス（ratioless）」デザイ
ンを使用する。よく知られているように、レイシ
ヨレス・デザインは論理回路における地電位への
DC径路を許容しない。レイシヨレス論理設計に
よれば、電力損失が低く又デバイス寸法が小さい
利点がありデバイス配置が一層小さく単一チヤネ
ル製造工程が簡単になる。

レイシヨレス論理で単一チヤネルの製法は、若
干のレイシヨレス論理構成に利用されている。１
つのMOS大規模集積（LSI）回路機能は、デイ
ジタル遅延線又はシフトレジスタである。MOS
シフトレジスタ設計は、MOSデバイスゲートの
高いインピーダンスにより寄生キヤパシタンス内
に電荷の形で一時的なデータ記憶のできる点で有
利なことが分つている。MOS技術により、デバ
イス両端間の電圧オフセツトを零にして二方向伝
送ができ、そして所望により多重クロツクにより
負荷デバイスをターンオフして電力損失を減らす
ことができる。MOSシフトレジスタはチツプ寸
法が一層小さくなる付加的利点がある。MOSシ
フトレジスタは、計算機表示端末装置と電子計算
機と記憶回路のような計算機周辺装置とに応用さ
れている。このような用途は、入力が特定の時間
にロードされなければならなくて出力が妥当であ
り所定の時限に出力を受け取ることのできるよう
に、クロツク論理回路を利用する動的なものであ
る。動的シフトレジスタに組込んだデイジタル論
理MOS回路の用途は、ウイリアム・エヌ・カー
（William N.Carr）及びジヤツク・ピー・マイズ
（Jack P.Mize）を著者とする出版物〓MOS／
LSIの設計及び応用〓（版権1972年マグロー・ヒ
ル・ブツク・カムパニ）の第150ないし167頁と、
ウイリアム・エム・ペニー（William M.Penny）
及びリリアン・ロウ（Lillian Lau）を著者とす
る出版物〓MOS集積回路〓（版権1972年バン・ノ
スランド・リインホールド・カンパニ）の第260
ないし288頁とに記載してある。

レイシヨレス論理回路及び単一チヤネルの製法
は、動的レジスタ用に広い用途をもつことが分つ
たが、このような用途は、ランダム論理回路の設
計では制限を受ける。この制限は主として、多く
のレイシヨレス論理設計計画に伴う多くの問題か
ら明らかである。既存のレイシヨレス論理計画の
１つの欠点は、論理出力キヤパシタンスと、駆動
しようとする段の入力キヤパシタンスとの間の電
荷分割により出力論理レベルの低下することであ
る。この低下した出力論理レベルにより、デバイ
スの雑音余裕が減り低電圧の操作がむずかしくな
る。従来開発されたレイシヨレス論理回路の他の
欠点は、電荷分割だけでなく又ゲート対ソース及
びゲート対ドレインの重複キヤパシタンスにも基
づく論理レベルの低下である。論理レベルの低下
は、クロツク信号伝送線路及び論理節点間の望ま
しくない結合によつて生ずる。従来開発されてい
るレイシヨレス論理回路の付加的な欠点は、２相
クロツクパルスによる手法を利用しなければ、多
くの互に異るクロツク位相を生ずることである。
しかし多くの２相クロツクパルスによる手法は、
奇数の反転段を持つ帰還ループを利用できない。
このような帰還ループは、トグル・フリツプ・フ
ロツプのような最も簡単なランダム論理回路を構
成するのにも必要である。さらに従来開発された
レイシヨレス論理装置は、電荷分割の作用により
生ずる前記した欠点は無視してもしきい値電圧損
失によつて論理出力から十分な給電電圧を受ける
ことができない。この欠点により回路の１つの論
理ブロツクを後続の論理ブロツクのクロツクパル
ス源として使用する上で問題が生ずる。なお従来
開発されたレイシヨレス論理装置は、クロツクロ
ーデイングが、クロツク伝送線路に結合した多数
のゲート、ドレイン及びソースによつて望ましく
ないほど高くなる。

このようにして、レイシヨレス論理装置に従来
認められる利点、すなわち電力損失が低くデバイ
ス寸法の小さい利点があると共にランダム論理用
に従来伴う問題をなくしたレイシヨレス動的論理
デザインが必要になつている。１つの段の論理出
力キヤパシタンス及び論理入力キヤパシタンス間
の電荷分割の影響を最少にして、もとの全論理レ
ベル電圧を保つ論理デバイスが必要である。さら
にクロツクパルス発生を簡単にするのに２相クロ
ツクパルス手法を利用する帰還ループに奇数の位
相反転段を協働させることのできる論理デバイス
が必要である。なお論理出力により全供給電圧ク
ロツクパルスをゲートし、多重クロツク位相方式
の使用を最少にする論理回路が必要である。さら
にクロツク・ローデイングにより操作に必要な電
荷をクロツク位相自体でなくて給電圧源から直接
加えることのできる論理デバイスが必要である。

発明の開示 本発明によれば、ランダム論理適用のためのレ
イシヨレス論理設計に従来伴う問題を実質的にな
くすと共に低電力低電圧で寸法の小さいデバイス
の得られるようにMOS技術を使いランダム論理
適用のための動的レイシヨレス回路が得られる。

本発明によれば入力信号を受け第１及び第２の
非重複クロツク位相によりクロツクされる遅延出
力信号を生ずる論理回路が得られる。この論理回
路は電圧供給源を備えている。この電圧供給源に
プリチヤージ・トランジスタを接続し、この供給
源を第１のクロツク位相によりクロツクする。プ
リチヤージ・トランジスタにデイスチヤージ・ト
ランジスタを接続することにより第１の接続点を
形成し、又このデイスチヤージ・トランジスタ
は、第２のクロツク位相によりクロツクされ、第
１の接続点を条件づきで放電する。プリチヤー
ジ・トランジスタは、第１の接続点をプリチヤー
ジする。入力論理デバイスは、デイスチヤージ・
トランジスタに接続することにより第２の接続点
を形成し、第１の接続点から地電位への放電径路
を形成する。入力論理デバイスは、入力信号を受
け取るように接続される。出力トランジスタは、
第１の接続点に接続され、遅延出力信号を生ず
る。この出力トランジスタは、第２クロツク位相
によりクロツクされる。第１の接続点及び出力ト
ランジスタにコンデンサを接続してある。このコ
ンデンサは、第２クロツク位相によりクロツクさ
れ、第１の接続点をブートストラツプ作用により
所定の電圧レベルに保つ。

なお本発明によれば、入力信号を受け取り、こ
の入力信号から１ビツトだけ遅れ２クロツク位相
時限内で２回位相反転する出力信号を生ずる１ビ
ツト遅延論理デバイスが得られる。この１ビツト
遅延デバイスは、第１及び第２の非重複クロツク
位相を受ける。この１ビツト遅延デバイスは、電
圧供給源を備えている。第１のプリチヤージ・ト
ランジスタは、電圧供給源に接続され、第１クロ
ツク位相によりクロツクされる。第１のデイスチ
ヤージ・トランジスタは、第１のプリチヤージ・
トランジスタに接続されることにより、第１の接
続点を形成し、第２クロツク位相によりクロツク
され、第１の接続点を条件づきで放電する。第１
の入力トランジスタは、第１のデイスチヤージ・
トランジスタに接続され、第１の接続点から地電
位への放電径路を形成する。第１の入力トランジ
スタは、入力信号を受け取るように接続してあ
る。第１出力トランジスタは、第１の接続点に接
続され、第２のクロツク位相中に半ビツト遅延し
位相反転した出力信号を生ずる。第１のコンデン
サは、第１の接続点及び第１の出力トランジスタ
に接続され、第２のクロツク位相によりクロツク
され、第１の接続点を所定の電圧レベルに保つ。
第２プリチヤージ・トランジスタは、電圧供給源
に接続され、第２クロツク位相によりクロツクさ
れる。第２のデイスチヤージ・トランジスタは、
第２のプリチヤージ・トランジスタに接続するこ
とにより第２の接続点を形成し、第１のクロツク
位相によりクロツクされ第２の接続点を条件づき
で放電する。第第２の入力トランジスタは第２の
デイスチヤージ・トランジスタに接続され、第２
の接続点から地電位への放電径路を形成する。第
２の入力トランジスタは第１の出力トランジスタ
から半ビツト遅延出力信号を受けるように接続し
てある。第２の出力トランジスタは、第２の接続
点に接続され第１のクロツク位相中に１ビツト遅
延出力信号を生じ、半ビツト遅延反転出力信号に
より反転され、第１のクロツク位相によりクロツ
クされる。第２のコンデンサは、２の接続点及び
第２の出力トランジスタに接続され、第１のクロ
ツク位相によりクロツクされて第２の接続点を所
定の電圧レベルに保つ。

なお本発明によれば、入力信号を受け取り、こ
の入力信号から半ビツトだけ遅延し、１つのクロ
ツク位相時限内で２回反転される出力信号を生ず
る半ビツト遅延論理デバイスが得られる。この半
ビツト遅延論理デバイスは、第１及び第２の非重
複クロツク位相を受け、電圧供給源を備えてい
る。第１のプリチヤージ・トランジスタは、電圧
供給源に接続され、第１のクロツク位相によりク
ロツクされる。第１のデイスチヤージ・トランジ
スタは、第１のプリチヤージ・トランジスタに接
続されることにより、第１の接続点を形成し、第
２クロツク位相によりクロツクされ、第１の接続
点を条件づきで放電する。第１のデイスチヤー
ジ・トランジスタには、抵抗体を接続してある。
第１の入力トランジスタは、この抵抗体に接続さ
れることにより第２の接続点を形成し、第１の接
続点から地電位への放電径路を形成する。第１の
入力トランジスタは、入力信号を受け取るように
接続してある。第１の出力トランジスタは、第１
の接続点に接続され、第２クロツク位相中に半ビ
ツト遅延し、反転された出力信号を生じ、第２ク
ロツク位相によりクロツクされる。第１コンデン
サは、第１の接続点及び第１の出力トランジスタ
に接続され第２クロツク位相によりクロツクさ
れ、第１の接続点を所定の電圧レベルに保つ。第
２のデイスチヤージ・トランジスタは、第２のプ
リチヤージ・トランジスタに接続することにより
第３の接続点を形成し、第２クロツク位相により
クロツクされ第３の接続点を条件づきで放電す
る。

第２の入力トランジスタは、第２のデイスチヤ
ージ・トランジスタに接続され、第３の接続点か
ら地電位への放電径路を形成する。第２の入力ト
ランジスタは第２の接続点に接続してある。第２
の出力トランジスタは、第３の接続点に接続さ
れ、第２のクロツク位相中半ビツト遅延し、反転
された出力信号を生じ、第２のクロツク位相によ
りクロツクされる。第２のコンデンサは、第３の
接続点及び第２の出力トランジスタに接続され、
第２のクロツク位相によりクロツクされて第３の
接続点を所定の電圧レベルに保つ。

なお本発明によれば複数個の論理デバイスを逐
次の論理ブロツク内に接続し論理回路において、
先行論理ブロツクの出力に応答して後続の論理ブ
ロツクに使うクロツク信号を生ずるクロツク信号
発生回路を設けてある。このクロツク信号発生回
路は、入力信号を受け取り、又第１及び第２の非
重複クロツク位相を受け取り、そして入力信号及
び第１クロツク位相を受け取る第１のトランジス
タを備えている。この第１トランジスタに第２ト
ランジスタを接続することにより、第１の接続点
を形成する。第２のトランジスタは第２のクロツ
ク位相を受け取るように接続され、第２のクロツ
ク位相を受け取ると後続の論理ブロツクに出力ク
ロツク信号を送る。第２トランジスタは第１の接
続点の所定の電荷を保持する。

さらに本発明によれば、入力信号を受け取り、
遅延出力信号を生じ、後続の相互に接続した論理
回路に送る緩衝インバータ論理回路が得られる。
この緩衝インバータ論理回路は、第１及び第２の
非重複クロツク位相によりクロツクされ、電圧供
給源を備えている。プリチヤージ・トランジスタ
は、電圧供給源に接続され、第１のクロツク位相
によりクロツクされる。第１デイスチヤージ・ト
ランジスタは、プリチヤージ・トランジスタに接
続されることにより、第１の接続点を形成し、第
２のクロツク位相によりクロツクされて第１の接
続点を条件づきで放電する。入力トランジスタ
を、デイスチヤージ・トランジスタに接続し、１
の接続点から地電位への放電径路を形成する。入
力トランジスタは、入力信号を受け取るように接
続してある。第１の接続点にトランジスタを接続
し、第１の接続点を緩衝インバータ論理回路の出
力から有効に隔離する。このトランジスタは第２
のクロツク位相によりクロツクされる。出力トラ
ンジスタは、前記トランジスタに接続され、遅延
出力信号を生じ、第２のクロツク位相によりクロ
ツクされる。

【図面の簡単な説明】

本発明とその別の目的及び利点とをさらに十分
に理解するように添付図面について詳細に説明す
る。

第１図は本発明の１ビツト信号遅延論理デバイ
スを示す論理回路図である。

第２図は第１図に示した１ビツト信号遅延論理
デバイスの動作を示す信号波形である。

第３図は第１図に示した第１の半ビツトの信号
遅延を利用するNANDゲート論理デバイスを示
す論理回路図である。

第４図は第１図に示した第１の半ビツト信号遅
延を利用するNORゲート論理デバイスを示す論
理回路図である。

第５図は第１図に示した第１の半ビツト信号遅
延を利用する複合型ゲート論理デバイスを示す論
理回路図である。

第６図は本発明の半ビツト信号遅延論理デバイ
スを示す論理回路図である。

第７図は第６図に示した本発明の半ビツト信号
遅延論理デバイスの動作を示す信号波形である。

第８図は本発明のゲートクロツク論理装置を示
す論理回路図である。

第９図は第８図のゲートクロツク論理デバイス
を利用する本発明の緩衝インバータ論理デバイス
を示す論理回路図である。

第１０図は本発明の１ビツト信号遅延、半ビツ
ト信号遅延及びゲートクロツクの各論理デバイス
を利用する２分周（デイバイド−バイ−２）論理
デバイスを示す論理回路図である。

第１１図は本発明論理デバイスを利用する２進
（デイバイド−バイ−８）論理デバイスを示す論
理回路図である。

第１２図は本発明論理デバイスを利用するプロ
グラマブル・クロツク・デイバイダのブロツク線
図である。

詳細な説明 本発明による論理デバイスが、ランダム論理回
路に使うのに広範な用途あるのはもちろんであ
る。このような用途にはたとえば、電気通信
CODECデバイス、クロツク・デイバイダ、プロ
グラマブル・クロツク・デイバイダ、ランダム論
理回路、逐次比較回路、入出力レジスタ、シフト
レジスタ、保持レジスタ及び２進計数器等があ
る。本発明の各実施例はこの論理デバイスの使用
例を示すが決してこれに限定するものではない。

第１図には本発明の１ビツト信号遅延論理デバ
イス２０を例示してある。１ビツト信号遅延デバ
イス２０は互に同じ半ビツト信号遅延論理デバイ
ス２４，２６から成つている。各半ビツト信号遅
延デバイス２４，２６は、入力信号の反転を行
い、入力信号が論理１すなわち高レベルの場合に
半ビツト信号遅延デバイス２６の出力が高くなる
ようにする。同様に半ビツト信号遅延デバイス２
４への入力が論理０すなわち低レベルの場合には
半ビツト信号遅延デバイス２６の出力は低くな
る。

半ビツト信号遅延論理デバイス２４は、端子３
０ａ，３０ｂ及び制御端子３０ｃを持つトランジ
スタ３０を備えている。この説明で使う場合にと
くに断らなければ各トランジスタ・デバイスは、
エンハンスメント・モード・トランジスタであ
り、トランジスタの参照数字の次に添字ａ又はｂ
を付けた２個の端子とトランジスタの参照数字の
次に添字ｃを付けた制御端子とを持つものとして
表わしてある。トランジスタ３０はトランジスタ
３２に接続され、トランジスタ３２の端子３２ａ
によりトランジスタ３０の端子３０ｂとの接続部
に接続点Ａを形成する。トランジスタ３４は、そ
の端子３４ａをトランジスタ３０の端子３２ｂに
接続し、接続点Ｂを形成する。トランジスタ３４
の端子３４ｂは地電位に接続してある。

半ビツト信号遅延デバイス２４の出力は、接続
点Ａに接続した端子３６ａと、接続点Ｃで半ビツ
ト信号遅延デバイス２６の入力端子に接続した端
子３６ｂとを持つ出力トランジスタ３６を経て加
える。本発明による１ビツト信号遅延デバイス２
０の重要な部分は、各端子３０ｂ，３２ａ，３６
ａの接合部として形成した接続点Ａと端子３６ｃ
との間に接続したコンデンサ３８とである。

１ビツト信号遅延デバイス２０への入力は、非
重複クロツク位相C1，C2から成る。クロツク位
相C1は、トランジスタ３０の制御端子３０ｃに
加えられる。クロツク位相C2は、トランジスタ
３２の端子３２ｃとトランジスタ３６の端子３６
ｃとに加えられる。１ビツト信号遅延デバイス２
０の入力は、C1クロツク位相によりクロツクさ
れる１ビツト信号遅延デバイス２０の外部のトラ
ンジスタ４０を経てトランジスタ３４に加える。
入力正電圧源は、１ビツト信号遅延デバイス２０
に、トランジスタ３０の端子３０ａにおいて入力
を加える。或は正電圧源は、C1クロツク位相自
体として給電されるようにしてもよい。この説明
で使う際にクロツク位相は、半ビツト時間として
定義され、２つのクロツク位相が１ビツト時間を
表わす。

半ビツト信号遅延デバイス２６の各構成部品
は、半ビツト信号遅延デバイス２４の各部品を表
わすのに使つた参照数字に対応する参照数字で表
わしてあるが、これ等の部品に対してはプライム
符号を使う。クロツク位相C2は、トランジスタ
３０′に加えられ、クロツク位相C1は、トランジ
スタ３２′，３６′に加えられるのは明らかであ
る。半ビツト信号遅延デバイス２４の出力は、半
ビツト信号遅延デバイス２６への入力としてトラ
ンジスタ３４′に加えられる。半ビツト信号遅延
デバイス２６の出力は、トランジスタ３６′によ
り生ずる。給電源は、トランジスタ３０′に給電
する。或はクロツク位相C2は、半ビツト信号遅
延デバイス２６に対する電圧源になる。

各トランジスタ３０，３０′を駆動するのに正
電圧供給源の代りにクロツク位相C1，C2を使う
と、クロツク位相が接続点Ａ，A′のキヤパシタ
ンスに給電するのに電荷を生じなければならない
ので、付加的なクロツク・ローデイングを生ず
る。しかし給電源としてクロツク位相を利用する
利点は、本発明デバイスを作るのに必要な面積を
保持するのに１ビツト信号遅延デバイス２０を通
じて正の供給電圧信号線の必要がなくなることで
ある。

１ビツト信号遅延デバイス２０は、シフトレジ
スタ又はその他のランダム論理デバイスを形成す
るのに、出力端子C′を入力端子３４ｃに接続する
ことにより、カスケード形にすることができる。
次の説明では部品について述べるときにプライム
符号を付けた参照数字により表わした対応部品は
同様に機能する。

動作時にトランジスタ３０は、供給電圧からト
ランジスタの１しきい値電圧を差引いた値に等し
い電圧に、接続点Ａにプリチヤージするプリチヤ
ージ・デバイスとして機能する。トランジスタ３
０は、接続点Ａにおける分路キヤパシタンスを含
み、接続点Ａに存在する全部のキヤパシタンスを
地電位に充電し又コンデンサ３８を充電する。ト
ランジスタ３２は、放電デバイスとして機能しト
ランジスタ３４により地電位への選択的放電径路
を形成し、接続点Ａのキヤパシタンスを放電する
ことができる。トランジスタ３２は、クロツク位
相C2の存在するときに、接続点Ａのキヤパシタ
ンスを条件つきで放電する。各トランジスタ３
０，３２，３４は、各トランジスタ３０，３２，
３４がクロツクパルスC1，C2の非重複クロツク
パルス構成によつて決して同時には導通しないか
ら、電圧供給源から接地することがないのは明ら
かである。従つて地電位への直流径路が生じな
い。このことは本発明のレイシヨレス論理構成に
必要なことである。トランジスタ３６は出力デバ
イスとして機能し、接続点Ａにおける論理出力を
トランジスタ３４′の入力端子における接続点Ｃ
のような別の段の入力端子に結合する目的を果
す。

本発明の重要な点は、ブートストラツプ作用に
より１ビツト信号遅延デバイス２０内のチヤー
ジ・シエアリング（charge sharing）処理の影
響に打勝つことのできるコンデンサ３８，３８′
の動作である。この説明で使うブートストラツプ
作用とは、或る接続点に存在する電圧が供給電圧
以上に上昇する作用のことである。チヤージ・シ
エアリングは、第１のプリチヤージされたコンデ
ンサが、第２の充電されてないコンデンサに放電
するときに、２個のコンデンサ内に貯えられた電
圧の均等化することを指している。動作時にクロ
ツク位相C1中に接続点Ａは、供給電圧の＋Ｖ以
下のしきい値電圧にプリチヤージされる。クロツ
ク位相C2中にクロツク位相C2が上昇し、接続点
Ａに正の供給電圧以上にブートストラツプ作用を
行う。次で接続点Ａは、入力電圧が低いレベルに
ある場合に接続点Ｃとチヤージ・シエアリングを
行なう。コンデンサ３８が、接続点Ｃに存在する
分路キヤパシタンスとほぼ同じか、又はこれより
大きい場合には、接続点Ｃは正の供給電圧以下の
全しきい値電圧に上昇し、本発明のコンデンサ３
８を利用しない従来開発された回路に存在するよ
うな伝送電圧の損失がなくなる。コンデンサ３８
を設けてないと、接続点Ａ，Ｃ間にチヤージ・シ
エアリングが生じて、両接続点Ａ，Ｃは正の供給
電圧マイナスのしきい値より低い電圧に低下す
る。

第１図及び第２図について本発明による１ビツ
ト信号遅延デバイス２０の動作のさらに詳しい説
明を述べる。第２ａ図及び第２ｂ図はクロツク位
相C1，C2を示す。各クロツク位相C1，C2が非重
複であり、＋Ｖの電圧レベルを持つパルスである
のは明らかである。C1クロツク位相５０で入力
は低くなり、C1クロツク位相５０（第２ａ図）
に先だつて或る不定の値になるものとする。C1
クロツク位相５０（第２ａ図）中に接続点Ａにお
ける電圧は、１しきい値電圧だけ低い供給電圧値
にプリチヤージされる（第２ｃ図）。接続点Ｃ（第
２ｄ図）、接続点C′（第２ｅ図）及び接続点A′（第
２ｇ図）における電圧は、クロツク位相５０の間
には不定である。C2クロツク位相５２（第２ｂ
図）ではクロツク位相５２が上昇すると、接続点
Ａにおける電圧（第２ｃ図）は放電しなくて、第
２ｃ図に点５４で示した正の給電圧以上にブート
ストラツプ作用を生ずるでけであり、次で接続点
Ｃに存在するキヤパシタンスにより点５６でチヤ
ージ・シエアリングが行なわれる。接続点Ａにお
ける電圧が幾分低下すると、接続点Ｃの電圧が上
昇する。第２ｄ図に示すように接続点Ｃはこの場
合論理１である。接続点Ｃは第２ｅ図に破線によ
り示した前回のデータをなお表わす。次のC1ク
ロツク位相５８で半ビツト信号遅延デバイス２６
は、その反転機能を果し、接続点C′の電圧（第２
ｅ図）が降下する。従つて０すなわち低レベル
（第２ｆ図）であるトランジスタ３４（第１図）
に加わる入力に対し、接続点Ｃにおける電圧は論
理１に等しく、接続点C′は０になる。第２ｇ図に
示すようにクロツク位相５２では接続点A′は１
しきい値だけ低い供給電圧に充電する。

入力電圧（第２ｆ図）がクロツク位相５８中に
低い値から高い値に変わるものとする。次に続く
C2クロツク位相６０で接続点Ａ（第２ｃ図）は放
電する。接続点Ａは、これがクロツク位相５８の
初めに高かつたので高い状態を続けることを意味
するクロツク位相５８中にプリチヤージされる。
C2クロツク位相６０では接続点Ａの電圧は、入
力（第２ｆ図）がこの場合１であるから降下し、
C2クロツク位相６０が上昇するときにトランジ
スタ３２がターン・オンし、接続点Ａのチヤージ
はトランジスタ３２，３４を通り接続点Ａを地電
位に放電する。接続点Ａの電圧（第２ｃ図）が降
下すると、接続点Ｃの電圧（第２ｄ図）も又、ト
ランジスタ３６が導通しているので降下する。次
に続くC1クロツク位相６２中には、接続点Ｃが
低いから、接続点C′，A′が地電位に放電する放
電径路がなくて、接続点C′（第２ｅ図）及び接続
点A′（第２ｇ図）が高くなる。接続点A′は、クロ
ツク位相６０中にプリチヤージし、C1クロツク
位相６２の立上がり縁の点６４でブートストラツ
プ作用を生じ、点６６にチヤージ・シエアリング
を行なう。１すなわち高レベルである入力に対し
接続点Ｃ（第２ｄ図）が低くなり、接続点C′（第２
ｅ図）が高くなり、半ビツト信号遅延デバイス２
４，２６の動作によつて２回の反転が起ることを
示すのは明らかである。これ等の２回の反転を生
ずるのに全１ビツト時間が必要である。第１の反
転は、C2クロツク時間中に起るが、第２の反転
はC1クロツク時間中に起る。２ｄ図及び第２ｅ
図に示すように接続点Ｃ，C′は、これ等が正の供
給電圧以下のしきい値に達すると、すぐにトラン
ジスタ３６（第１図）が非導通になり、出力がも
はや上昇できないから正の供給電圧以下のしきい
値以上にはならない。しかしコンデンサ３８のブ
ートストラツプコンデンサ作用が生ずる間は、接
続点Ａ，A′はブートストラツプ作用により高い
値になり出力Ｃ，C′を供給電圧以下のしきい値に
引上げ本発明の利点が得られる。

第３図、第４図及び第５図には、一層複雑なゲ
ート機能を果す半ビツト信号遅延デバイス２４を
示してある。この場合前記した同様な対応部品に
対し同様な参照数字を使つてある。地電位への放
電デバイスとして作用するトランジスタ３４の代
りにトランジスタ７０，７２（第３図）を使つて
ある。トランジスタ７０，７２はNANDゲート
として作用するように直列に位置させてある。第
４図はNORゲートとし作用するようにトランジ
スタ３４（第１図）とは異つて並列に接続したト
ランジスタ７４，７６を示す。第５図には別の複
合ゲートを例示してある。この場合トランジスタ
７０，７２は直列に接続され、そし複合ゲートを
形成するようにトランジスタ７６に並列に接続し
てある。トランジスタ３４の代りにトランジスタ
７０，７２，７４，７６を設けると半ビツト信号
遅延デバイス２４の反転機能を変え、これ等のト
ランジスタへの入力の論理組合わせに従つて論理
機能を果す。トランジスタ７０，７２，７４，７
６はその各入力の組合わせに従つて接続点Ａにお
けるキヤパシタンスに対し、地電位への放電径路
を形成するから、その放電は半ビツト信号遅延デ
バイス２４のトランジスタ３４（第１図）により
生ずる反転放電よりむしろ論理的に従属的であ
る。第３図、第４図及び第５図の一層複雑なゲー
トは、半ビツト信号遅延デバイス２４（第１図）
につい例示しただけであるが、又トランジスタ３
４′の代りに一層高度の複合ゲートデバイスを形
成するように付加的なトランジスタを設けること
ができる。

前記したように１ビツト信号遅延論理デバイス
２０は、２つのクロツク位相又は１ビツト時間の
間に入力信号に２段の反転を行つた。ランダム論
理回路用では、又１クロツク位相すなわち半ビツ
ト時間で２段の反転を行うことが望ましい。第６
図は本発明による半ビツト信号遅延論理デバイス
９０を示す。半ビツト信号遅延論理デバイス９０
の各部品を表わすのに第１図に使つたのと同様な
対応する部品に同様な参照数字を使つてある。

C1クロツク位相は、トランジスタ３０，３
０′に加えられ、C2クロツク位相はトランジスタ
３２，３２′，３６，３６′及びコンデンサ３８，
３８′に加えられる。各出力トランジスタ３６，
３６′は、接続点Ｃ，C′に出力を生ずる。前記し
たようにトランジスタ３０は接続点Ａに存在する
キヤパシタンスに正の供給電圧以下のしきい値に
プリチヤージする作用をする。トランジスタ３２
は又、接続点Ａをトランジスタ３４を経て論理放
電径路を選択的に接地することのできる放電機能
を果す。単一のデバイスであるトランジスタ３４
は、半ビツト信号遅延論理デバイス９０を、第３
図、第４図及び第５図について述べたように放電
径路を接地するように接続した付加的な論理デバ
イスの使用とは異つて、インバータ・ペアにす
る。コンデンサ３８は、クロツク位相C2の上昇
に伴つて接続点Ａの電圧に対しブートストラツプ
作用をする容量性デバイスである。トランジスタ
３６は、接続点Ａを半ビツト信号遅延論理デバイ
ス９０の次の段又は各後続段に接続する出力デバ
イスである。各トランジスタ３２，３４間にはデ
プレツシヨン・トランジスタ９２を接続して、端
子９２ａをトランジスタ３２に接続し、端子９２
ｂ及び制御端子９２ｃを接続点Ｂに接続するよう
にしてある。接続点Ｂは又トランジスタ３４′の
制御端子３４c′に接続してある。デプレツシヨ
ン・トランジスタ９２は、クロツク位相C2の上
昇の際に生ずる電流を制限するために抵抗器とし
て作用するように接続してある。

半ビツト信号遅延論理デバイス９０は、クロツ
ク位相C2の上昇の際に接続点Ａがブートストラ
ツプ作用を受け高レベルになるように動作する。
トランジスタ３４が導通していると、そのトラン
ジスタ４０による入力が高いレベルになるので、
接続点Ａからの電流はコンデンサ３８からトラン
ジスタ３２，９２，３４を経て地中に流れる。こ
の電流は、デプレツシヨン・トランジスタ９２に
より、接続点Ｂの電圧地電位以上に著しくは上昇
しないように制限しなければならない。半ビツト
信号遅延論理デバイス９０の動作では、クロツク
位相C2の立上り縁で電流スパイク生じるときに、
トランジスタ３４が導通するので、接続点Ｂの電
圧は、地電位以上に著しくは上昇しないことが必
要である。接続点Ａのキヤパシタンスの放電によ
るトランジスタ３４′の導通は、このようにして
トランジスタ３４′の導通が入力論理信号により
この導通が制御されないでクロツク位相C2によ
り制御されるから、望ましくない。要するにデプ
レツシヨン・トランジスタ９２は、クロツク位相
C2の立上がり縁に協働する電流を接続点Ｂがト
ランジスタ３４′のしきい値電圧以上に上昇する
ことができないように制限して、半ビツト信号遅
延論理デバイス９０の第２のインバータ段が適正
に動作し、接続点A′がトランジスタ３４′を実際
に導通させる前に放電しないようにする。従つて
半ビツト信号遅延論理デバイス９０の段９０ａが
段９０ｂを駆動し、単一の半ビツト時間内に２段
の反転を行うが、１ビツト信号遅延論理デバイス
２０は、２つのクロツク位相の全１ビツト時間内
に２回の反転を行う。

次に第６図及び第７図について半ビツト信号遅
延論理デバイス９０の動作をさらに詳しく述べ
る。第７ｇ図に示すように、第１に半ビツト信号
遅延論理デバイス９０の入力電圧が低いものとす
る。C1クロツク位相１００が上昇すると、接続
点Ａ，A′は、第７図ｃ図及び第７ｄ図に示すよ
うに、正の供給電圧Ｖのしきい値内でプリチヤー
ジされる。第７ｅ図、第７ｆ図及び第７ｈ図の接
続点Ｃ，C′，Ｂは、破線で示した前回の未知のデ
ータを持つ。次いでC2クロツク位相１０２が上
昇し、ブートストラツプ作用により両接続点Ａ，
A′に点１０４，１０６（第７ｃ図及び第７ｄ図）
により示した正の供給電圧以上になるようにす
る。入力電圧が低いと（第７ｇ図）、接続点Ａが
ブートストラツプ作用で正の給電圧以上にならな
いようにすることができない。そしてコンデンサ
３８（第６図）は、第７ｅ図及び７ｈ図に示すよ
うにチヤージ・シエアリングを行なつて接続点
Ｃ，Ｂの電圧を上昇させる。接続点Ｂの電圧が高
くなると、トランジスタ３４′が導通する。C2ク
ロツク位相１０２は、この時間で高く、トランジ
スタ３４，３２′は導通しているから、接続点
A′は、点１０８（第７ｄ図）で放電し、接続点
C′は点１１０（第７ｆ図）で放電する。その理由
はトランジスタ３６′も又C2クロツク位相１０２
（第７ｂ図）中に導通しているからである。従つ
て低入力（第７ｇ図）に対して接続点Ｂ，Ｃは高
いレベルになり１回の反転を表わし、接続点C′は
低レベルになり入力信号の第２の反転を示す。こ
れ等の２つの反転は、単一のC2クロツク位相又
は半ビツト時間内に生じた。

入力論理信号（第７ｇ図）が高いものとする
と、接続点Ｂは地電位になる。C1クロツク位相
１１２（第７ａ図）中に接続点Ａ，A′（第７ｃ図
及び第７ｄ図）は、前記したように正の供給電圧
以下のしきい値にプリチヤージされる。C2クロ
ツク位相１１４（第７ｂ図）が上昇すると、両接
続点Ａ，A′は、点１１６，１１８（第７ｃ図及
び第７ｄ図）で正の供給電圧以上にブートストラ
ツプ作用を受けるようになる。入力レベルが高い
から（第７ｇ図）、トランジスタ３４が導通し、
電流がトランジスタ３２，９２，３４を経て流
れ、接続点Ａでコンデンサ３８のキヤパシタンス
を地電位に放電する。従つて接続点Ｂ（第７ｈ
図）、接続点Ａ（第７ｃ図）及び接続点Ｃ（第７ｅ
図）はすべて地電位に放電する。接続点Ｂはトラ
ンジスタ１４の高い入力レベルにより地電位に絶
えずクランプされているから、制御端子３４c′の
電圧が電流を制限するトランジスタ３２の作用に
より、トランジスタ３４′のしきい値電圧以上に
上昇できないのでトランジスタ３４′は非導通に
なる。トランジスタ３４′が非導通であるから、
接続点A′は放電しなくて、点１１８で正の供給
電圧以上にブートストラツプ作用を生じ次で接続
点C′（第７ｄ図）により点１２０でチヤージ・シ
エアリングを行なう。従つて２つの反転段は、高
レベルの入力で生ずるのは明らかである（第７ｇ
図）。その理由はこの場合接続点Ｃ，Ａ，Ｂに低
いレベルが存在し、接続点C′に高いレベルが存在
するからである。両反転は共に単一のC2クロツ
ク位相中に行われる。

第８図はゲートされたクロツクパルスを生ずる
本発明の論理デバイス１３０を示す。ゲートクロ
ツク論理デバイス１３０は、クロツク位相により
駆動され、後続の論理デバイスをクロツクするの
に使うゲートされたクロツク位相を生ずる。ゲー
トクロツク論理デバイス１３０は、トランジスタ
１３２，１３４，１３６を備えている。入力論理
信号は、トランジスタ１３２の端子１３２ａに加
える。トランジスタ１３２の端子１３２ｂは、ト
ランジスタ１３４の制御端子１３４ｃに接続さ
れ、接続点Ａを形成する。トランジスタ１３２の
制御端子１３２ｃはC1クロツク位相を受ける。
C1クロツク位相は、又トランジスタ１３６の制
御端子１３６ｃに加える。トランジスタ１３４の
端子１３４ａはC2クロツク位相を受け取る。ト
ランジスタ１３６の端子１３４ｂ，１３４ａは、
ゲートされるC2クロツク位相を生ずる接続点Ｂ
を形成するように接続してある。トランジスタ１
３６の端子１３６ｂは接地してある。

動作時には、トランジスタ１３２の導通してい
るC1クロツク位相中に、接続点Ａに入力論理信
号を送る。接続点Ａの論理レベルは、正の供給電
圧からトランジスタ１３２のしきい値電圧を差引
いたものである。クロツク位相C1中にクロツク
位相C2は低くなり、トランジスタ１３４は導通
し、接続点Ｂは地電位になる。クロツク位相C1
が低下しクロツク位相C2が上昇すると、トラン
ジスタ１３４のチヤネルキヤパシタンスは、接続
点Ａが高い論理レベル入力受け取るので充電され
る。クロツク位相C2が上昇すると、接続点Ｂの
電圧が上昇し、接続点Ａの電圧がブートストラツ
プ作用により正の供給電圧以上になる。このブー
トストラツプ作用により接続点Ｂを全電力供給電
圧であるC2の電圧レベルにほぼ引上げることが
できる。高レベル論理入力によりこのようにして
そのソースから接続点Ｂにクロツク位相C2をゲ
ートするのは明らかである。

トランジスタ１３２への論理入力が０であれ
ば、接続点Ａはプリチヤージされ、すなわち０を
ロードされる。クロツク位相C2が上昇すると、
トランジスタ１３４は非導通になり、接続点Ｂは
地電位のままになり、クロツク位相C2は接続点
Ｂにゲートされない。従つてゲートクロツク論理
デバイス１３０は、クロツクパルスが接続点Ｂに
ゲートされるかどうかを制御する。全電力供給電
圧レベルクロツクC2は、全電力供給電圧以下の
しきい値である論理信号によりゲートされる。従
つてゲートC2クロツクは他の論理ブロツクをゲ
ートするのに使う。ゲートクロツク論理デバイス
１３０の用途は第１１図の２進デイバイド−バイ
−８回路の動作により述べる。

前記したようにトランジスタ１３４のチヤネル
キヤパシタンスは、接続点Ａにブートストラツプ
作用を及ぼす。バラクタ・コンデンサ・ブートス
トラツプ作用（varactor copacitor bootstrap
action）として知られているこのブートストラツ
プ作用は、1972年６月刊行のIEEEジヤーナル・
オブ・ソリツド−ステート・サークイツツ
（Journal of Solid・State Circuits）SC−７巻
第３号第217ないし224頁のジヨインスン
（Joynson）等を著者とす論文〓バラクタ結合を
使いブートストラツプ作用によりMOS回路のし
きい値損失をなくする方法〓に記載されている。

トランジスタ１３６の作用は、クロツク位相
C1が始まると、接続点Ｂを地電位に確実に全放
電させることである。クロツク位相C1，C2間の
非重複時間が短いと、接続点Ｂの電圧は、クロツ
ク位相C1の始まる際に放電するには時間が不十
分である。接続点Ｂの電圧は、C2クロツク位相
中は高いままになつているだけで、C1クロツク
位相中は低いから、トランジスタ１３６はクロツ
ク位相C1，C2間の時間が短いこのような用途に
必要である。

第９図には半ビツト信号遅延デバイス２４（第
１図）と同様な半ビツト信号遅延デバイスを持つ
ゲートクロツク論理デバイス１３０（第８図）を
利用する緩衝インバータ論理デバイス１５０を例
示してある。緩衝インバータ論理デバイス１５０
は、半ビツト信号遅延部分１５０ａと、ゲートク
ロツク部分１５０ｂとを持つ。半ビツト信号遅延
部分１５０ａは、トランジスタ１５２，１５４，
１５６を備えている。C1クロツク位相は、トラ
ンジスタ１５２の端子１５２ｃに加えられる。供
給電圧すなわちクロツク位相C1は、トランジス
タ１５２の端子１５２ａに加えられる。C2クロ
ツク位相は、各トランジスタ１５４，１５８の制
御端子に加えられる。入力論理レベルは、トラン
ジスタ１５６の制御端子に加えられる。トランジ
スタ１６０の制御端子１６０ｃは、トランジスタ
１５２，１５４，１５８に接続され、接続点Ａを
形成する。トランジスタ１６０は、端子１６０ａ
でC2クロツク位相を受け取る。このC2クロツク
位相は、又トランジスタ１６２の制御端子１６２
ｃに加えられる。トランジスタ１６０は、トラン
ジスタ１３４（第８図）と同様に作用する。トラ
ンジスタ１５８，１６０，１６２は、接続点Ｂを
形成するように相互に接続してある。トランジス
タ１５４，１５６は、トランジスタＣを形成する
ように相互に接続してある。緩衝インバータ論理
デバイス１５０の出力は、トランジスタ１６２の
端子１６２ｂで生ずる。トランジスタ１６２は、
その出力をC2クロツクパルスで次の論理段に送
る。

緩衝インバータ論理デバイス１５０は、半ビツ
ト信号遅延論理デバイス２４（第１図）とほぼ同
じ機能を持つ。しかし論理デバイス１５０は、出
力キヤパシタンスを充電するのに必要な電荷は、
C2クロツク位相により供給されるので、クロツ
ク・パルス・ローデイングを増しているが、半ビ
ツト信号遅延論理デバイス２４においては、トラ
ンジスタ３０を正の電圧供給源に接続すると、接
続点Ｃの電圧を引上げるのに必要な電荷は正の供
給源自体により得られる。しかし緩衝インバータ
論理デバイス１５０は、クロツク位相C2の駆動
能力により制限されるだけで、接続点Ａ，Ｃ（第
１図）間のチヤージ・シエアリングが緩衝インバ
ータ論理デバイス１５０では行われないので一層
大きい容量性負荷を駆動することができる。

緩衝インバータ論理デバイス１５０の動作時に
は、入力論理信号がC1クロツク位相中に低いと、
接続点Ａは正の供給電圧Ｖ以下のしきい値にプリ
チヤージされる。クロツク位相C2中に、トラン
ジスタ１６０は、第８図に例示したようなゲート
クロツクデバイスとして作用する。トランジスタ
１６０の全チヤネルキヤパシタンスは、接続点Ａ
のブートストラツプに役立つ。接続点Ｂは、高く
なる際にクロツク位相C2に追従し、トランジス
タ１６２は、接続点Ｂの論理レベルを、その出力
端子１６２ｂを経て次に続く論理段に送る。緩衝
インバータ論理デバイス１５０では、全部の電荷
が接続点Ａ（第１図）のチヤージ・シエアリング
によらないでクロツク位相C2から加えられる。
論理入力が低い場合は、出力はクロツク位相C1
と共に高いレベルに上昇することにより、緩衝イ
ンバータ論理デバイス１５０の反転機能を生ず
る。又クロツク位相C2中に論理入力が高いレベ
ルにあると、クロツク位相C1中に前もつてプリ
チヤージした接続点Ａは放電する。次で接続点Ｂ
は、クロツク位相C2中にトランジスタ１５８が
導通するから、放電する。又クロツク位相C2中
にトランジスタ１６２が導通し、低い論理出力を
生ずる。

要するに緩衝インバータ論理デバイス１５０
は、半ビツト信号遅延デバイス２４（第１図）の
反転機能を果すが、信号遅延論理デバイス２０
（第１図）より大きい容量性負荷を駆動すること
ができる。その理由は、論理デバイス１５０が、
その動作のためのチヤージ・シエアリングに依存
しないからである。緩衝インバータ論理デバイス
１５０は、クロツク位相C2のインバータとして
示したが、クロツク位相C1及びクロツク位相C2
の接続を取換えることにより、クロツク位相C1
の動作に対し同じ緩衝インバータを設けることが
できる。緩衝インバータ論理デバイス１５０は
又、第３図、第４図及び第５図に例示したような
接続点Ｃ及び地電位間のトランジスタ１５６の代
りに付加的なトランジスタを設けて、直列トラン
ジスタ又は並列トランジスタを相互に接続するこ
とにより、複雑な論理機能を果すように構成する
こともできる。

第１０図には、本発明による１ビツト信号遅延
論理デバイス２０（第１図）、半ビツト信号遅延
デバイス９０ａ（第６図）及びゲートクロツク論
理デバイス１３０（第８図）を利用するデイバイ
ド−バイ−２論理デバイスを例示してある。１ビ
ツト信号遅延論理デバイス２０及び半ビツト信号
遅延論理デバイス９０ａは、Ｄフリツプ−フロツ
プに類似な３インバータ段帰還ループ内に接続し
てある。この場合デプレツシヨン・トランジスタ
９２の接続点Ｂの出力はデイバイド−バイ−２
フリツプ−フロツプのＤ入力としてトランジスタ
３４の入力端子に加えられる。この帰還ループ
は、２つのレベルの反転を、単一の半ビツト時間
内に生じさせるのに、半ビツト信号遅延デバイス
９０ａを利用する本発明による２相レイシヨレス
構成を使うことによつてできる。又ゲートクロツ
ク論理デバイス１３０は、３つのインバータ段の
任意の段に接続され、デイバイド−バイ−２論理
デバイス１８０により、他の各クロツク位相をゲ
ートし、引続く論理デバイスを駆動することので
きる同じ結果が得られる。

第１１図は３段のデイバイド−バイ−２論理デ
バイス１８０（第１０図）を協働させた２進デイ
バイド−バイ−８論理デバイス１９０を示す。各
デイバイド−バイ−２論理デバイス１８０は、
出力端子をＤ入力端子に接続したＤフリツプ−フ
ロツプとして線図的に示してある。各デイバイド
−バイ−２論理デバイス１８０は、デイバイド−
バイ−８機能を果すようにカスケード型に接続し
てある。各段は次に続く段に対し全電力供給レベ
ルクロツクパルスを生ずる。クロツク位相C2は、
３段全部でシエアされるが、クロツク位相C1は
逐次にゲートされる。第１の段は、他の各クロツ
ク位相C1をゲートし、第２の段は４番目ごとの
クロツク位相C1をゲートするが、最終段は、８
番目ごとのクロツク位相C1をゲートする。３つ
の位相は、トランジスタ１９２，１９４を使つて
相互に結合され、トランジスタ１９６でデイバイ
ド−バイ−８されたC1クロツク位相の出力を生
ずる。２進デイバイド−バイ−８論理デバイス１
９０はクロツク位相C1，C2だけにより駆動する。

第１２図はプログラマブル・クロツク・デイバ
イダを構成するように多くのデイバイド論理デバ
イスを組合わせる本発明の別の用例を示す。この
ようなプログラマブル・クロツク・デイバイダ
は、パルス・コード変調電気通信装置に利用され
フイルタ回路網の操作のために必要なクロツク信
号を生ずる。第１２図に示すようにプログラマブ
ル・デイバイダ２００は、主クロツク入力により
駆動される。プログラマブル・デイバイダ２００
は、プログラマブル・デイバイダ２０２に出力を
加えるデイバイド−バイ−２論理デバイス１８０
を備えている。プログラマブル・デイバイダ２０
２は、デイバイド−バイ−３又はデイバイド−バ
イ−４又はデイバイド−バイ−５又はデイバイド
−バイ−８のデイバイド比を生じ多数の論理デバ
イス２０，９０，１３０を備えている。プログラ
マブル・デイバイダ２０２の出力は、ブートスト
ラツプクロツク緩衝装置２０４を使つて緩衝し、
他の機能のためにクロツク出力を生ずる。クロツ
ク・デイバイド比を制御するように、直流入力電
圧源により駆動されるクロツク周波数選択回路２
０６は、信号線路２０８，２１０に沿いプログラ
マブル・デイバイダ２００，２０２に出力を送り
デイバイド比の長さを制御する。

従つて本発明により多くのランダム論理回路用
に使う動的レイシヨレフ回路が得られるのは明ら
かである。本発明の論理デバイスは、寸法の小さ
いデバイスを利用して、しかも電力損失が低い。
論理出入力キヤパシタンス間にチヤージ・シエア
リングが存在するが、この影響は本発明により論
理レベル電圧を保持するブートストラツプ作用に
より極めてわずかである。本発明の１例ではチヤ
ージ・シエアリングがなくなる。本発明によれば
さらに、ランダム論理回路の帰還ループ内に奇数
の反転段を協働させるのに半ビツト信号遅延論理
デバイスを利用する論理回路が得られる。さらに
本発明によりブートストラツプ作用を加えたゲー
ト駆動装置を使い、全供給電圧クロツクとして論
理出力を使うことができる。

以上本発明をその特定の実施例について述べた
が当業者には明らかなように種類の変化変型を行
うことができ、このような変化変型は以下の請求
の範囲を逸脱するものでないのはもちろんであ
る。