JPH043945A - 化合物半導体 - Google Patents
化合物半導体Info
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- JPH043945A JPH043945A JP10494490A JP10494490A JPH043945A JP H043945 A JPH043945 A JP H043945A JP 10494490 A JP10494490 A JP 10494490A JP 10494490 A JP10494490 A JP 10494490A JP H043945 A JPH043945 A JP H043945A
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- compound semiconductor
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は不純物を添加した化合物半導体に関する。
従来化合物半導体で広く用いられていた不純物添加法は
、１種類の不純物を用い化合物半導体を構成する元素の
どちらか一方のみを置換するというものであり、この半
導体層は各種のデバイスの基本的な構成要素となってい
る。
、１種類の不純物を用い化合物半導体を構成する元素の
どちらか一方のみを置換するというものであり、この半
導体層は各種のデバイスの基本的な構成要素となってい
る。
しかし、■−■族化合物半導体やＡｆＮのような禁制帯
幅の大きい■−Ｖ族化合物半導体では、イオン性結合や
格子歪などに起因する伝導特性制御の困難が存在してい
る。このためデバイス作製に必須なｐ型の半導体が得ら
れない等の欠陥を有していた（アプライド フィジック
ス レターズ［Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ］第５３巻２４０３ページ、１９８８年）
。
幅の大きい■−Ｖ族化合物半導体では、イオン性結合や
格子歪などに起因する伝導特性制御の困難が存在してい
る。このためデバイス作製に必須なｐ型の半導体が得ら
れない等の欠陥を有していた（アプライド フィジック
ス レターズ［Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ］第５３巻２４０３ページ、１９８８年）
。
前述した課題を解決するために本発明が提供する手段は
互いに族が異なる第１元素と、第２元素とから構成され
る化合物半導体に、前記第１元素と置換して一導電型を
示す第１不純物を添加するとともにと、前記第２元素と
置換して前記第１不純物と同じ導電型を示す第２不純物
を添加した事を特徴とする構成となっている。
互いに族が異なる第１元素と、第２元素とから構成され
る化合物半導体に、前記第１元素と置換して一導電型を
示す第１不純物を添加するとともにと、前記第２元素と
置換して前記第１不純物と同じ導電型を示す第２不純物
を添加した事を特徴とする構成となっている。
ＩＩ−ＶＩ化合物半導体などで有効な導電型が得られな
いのは、不純物の添加により、隣接した格子位置に原子
が入らず空格子が形成されて、これか添加した不純物と
逆の電気特性を示し、互いに補償してしまうためと考え
られている。
いのは、不純物の添加により、隣接した格子位置に原子
が入らず空格子が形成されて、これか添加した不純物と
逆の電気特性を示し、互いに補償してしまうためと考え
られている。
化合物半導体を構成するそれぞれの元素と置換する２種
類の不純物を同時に添加した場合、一方の不純物により
誘発される空格子の位置に他方の不純物が入り、２種類
の不純物が同じ電気伝導特性を示すため、有効な伝導特
性が得られる。
類の不純物を同時に添加した場合、一方の不純物により
誘発される空格子の位置に他方の不純物が入り、２種類
の不純物が同じ電気伝導特性を示すため、有効な伝導特
性が得られる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式図である。■族である
Ｚｎからなる第１元素１と、■族であるＳｅからなる第
２元素２より構成されるＺｎ５ｅ化合物半導体結晶に、
第１元素１であるＺｎと置換してｐ型を示すＬｉからな
る第１不純物３と、第２元素２であるＳｅと置換してｐ
型を示すＮからなる第２不純物４とを同時に添加した。
Ｚｎからなる第１元素１と、■族であるＳｅからなる第
２元素２より構成されるＺｎ５ｅ化合物半導体結晶に、
第１元素１であるＺｎと置換してｐ型を示すＬｉからな
る第１不純物３と、第２元素２であるＳｅと置換してｐ
型を示すＮからなる第２不純物４とを同時に添加した。
（１００）面ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法に
より結晶成長した。第１不純物３と第２不純物４とをそ
れぞれＩ Ｘ １０１７ｃｍ−３の割合で同時に成長中
に添加した。これによって得られたＺｎ５ｅ化合物半導
体層は正孔濃度か５×１０Ｉ１０ｌ６０と良好なｐ型持
性を示した。
より結晶成長した。第１不純物３と第２不純物４とをそ
れぞれＩ Ｘ １０１７ｃｍ−３の割合で同時に成長中
に添加した。これによって得られたＺｎ５ｅ化合物半導
体層は正孔濃度か５×１０Ｉ１０ｌ６０と良好なｐ型持
性を示した。
第１不純物３と第２不純物４はある割合で隣接して結晶
に取り込まれ、空格子の発生を抑制し、それぞれが良好
な伝導特性を示すなめである。
に取り込まれ、空格子の発生を抑制し、それぞれが良好
な伝導特性を示すなめである。
上述の実施例を用いｐｎ接合を形成したが良好な接合が
形成された。
形成された。
また、第１元素としてＺｎ＝第２元素としてＴｅ、第１
不純物としてＧａ、第２不純物としてＣｆｆ１を用い
Ｚ ｎ Ｔ ｅ化合物半導体層を、第１不純物及び第２
不純物をそれぞれＩ Ｘ １０１７ａｍ−３の濃度で添
加しながら分子線エピタキシー法により結晶成長したこ
るｐ型の伝導特性を示し、電子濃度はｌ Ｘ Ｉ Ｑ
”ｃｍ−３と良好であった。
不純物としてＧａ、第２不純物としてＣｆｆ１を用い
Ｚ ｎ Ｔ ｅ化合物半導体層を、第１不純物及び第２
不純物をそれぞれＩ Ｘ １０１７ａｍ−３の濃度で添
加しながら分子線エピタキシー法により結晶成長したこ
るｐ型の伝導特性を示し、電子濃度はｌ Ｘ Ｉ Ｑ
”ｃｍ−３と良好であった。
また、第１元素としてＧａ、第２元素としてＮ、第１不
純物としてＢｅ、第２不純物としてＣを用い、ＧａＮ化
合物半導体層を、第１不純物及び第２不純物をそれぞれ
Ｉ Ｘ １０１７Ｃ１ｎ−３の濃度で添加しなから有機
金属ＣＶＤ法により結晶成長したところ、ｐ型の伝導特
性を示し、正孔濃度は３×１０１７Ｃ１１１１−３であ
った。
純物としてＢｅ、第２不純物としてＣを用い、ＧａＮ化
合物半導体層を、第１不純物及び第２不純物をそれぞれ
Ｉ Ｘ １０１７Ｃ１ｎ−３の濃度で添加しなから有機
金属ＣＶＤ法により結晶成長したところ、ｐ型の伝導特
性を示し、正孔濃度は３×１０１７Ｃ１１１１−３であ
った。
上述の実施例では化合物半導体材料としてＺｎ５ｅ、Ｚ
ｎＴｅ、ＧａＮを用いたがこれに限らす他のＩＩ−ＶＩ
化合物半導体、■−■化合物半導体、■−■化合物半導
体などを用いてもよい。また不純物材料としてＬｉ、Ｎ
、Ｇａ、ＣＩ、Ｂｅ、Ｃを用いたがこれに限らず他の元
素を用いてもよい。
ｎＴｅ、ＧａＮを用いたがこれに限らす他のＩＩ−ＶＩ
化合物半導体、■−■化合物半導体、■−■化合物半導
体などを用いてもよい。また不純物材料としてＬｉ、Ｎ
、Ｇａ、ＣＩ、Ｂｅ、Ｃを用いたがこれに限らず他の元
素を用いてもよい。
以上説明したように本発明により、これまで伝導特性の
制御が不可能であった化合物半導体において、良好なｐ
型およびｐ型の伝導特性を示す半導体層を形成する事が
可能となった。これを用いる事により、青色発光半導体
レーザなどの作製が可能となった。
制御が不可能であった化合物半導体において、良好なｐ
型およびｐ型の伝導特性を示す半導体層を形成する事が
可能となった。これを用いる事により、青色発光半導体
レーザなどの作製が可能となった。
第１図は本発明の一実施例の模式図である。
１・・第１元素、２・・・第２元素、３・・・第１不純
物、４・・・第２不純物。
物、４・・・第２不純物。
Claims (1)
- 第１元素と、前記第１元素とは異なる族の第２元素と
から構成される化合物半導体に、前記第１元素と置換し
て一導電型を示す第１不純物と、前記第２元素と置換し
て前記第１不純物と同じ導電型を示す第２不純物を添加
した事を特徴とする化合物半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10494490A JPH043945A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 化合物半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10494490A JPH043945A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 化合物半導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043945A true JPH043945A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14394203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10494490A Pending JPH043945A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 化合物半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043945A (ja) |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP10494490A patent/JPH043945A/ja active Pending
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