JPH0437693A - ダイヤモンドの合成方法 - Google Patents
ダイヤモンドの合成方法Info
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- JPH0437693A JPH0437693A JP13981190A JP13981190A JPH0437693A JP H0437693 A JPH0437693 A JP H0437693A JP 13981190 A JP13981190 A JP 13981190A JP 13981190 A JP13981190 A JP 13981190A JP H0437693 A JPH0437693 A JP H0437693A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はダイヤモンドの合成方法に関し、特に、反応後
に排出されるガスを再び原料ガスとして利用するダイヤ
モンドの合成方法に関する。
に排出されるガスを再び原料ガスとして利用するダイヤ
モンドの合成方法に関する。
[従来の技術]
近年、ダイヤモンドの合成技術は著しい発展を遂げ、種
々の合成方法か開発されている。
々の合成方法か開発されている。
このうち、ダイヤモンドを高速て合成する方法としては
、DCアーク放電により発生させた熱プラズマをプラズ
マジェットとして基板に衝突させ、熱プラズマを急冷さ
せて基板上にダイヤモンドを成長させる方法かある。
、DCアーク放電により発生させた熱プラズマをプラズ
マジェットとして基板に衝突させ、熱プラズマを急冷さ
せて基板上にダイヤモンドを成長させる方法かある。
しかし、この方法は高速てダイヤモンドを合成てきる反
面、原料ガス(プラズマガスおよび反応ガス)を多量に
消費するという欠点かある。このうち、反応に寄与しな
いガスであるアルゴンガスは、水素などに比べ高価であ
り、ダイヤモンド合成時におけるコストの半分近くを占
めてしまうという問題かある。
面、原料ガス(プラズマガスおよび反応ガス)を多量に
消費するという欠点かある。このうち、反応に寄与しな
いガスであるアルゴンガスは、水素などに比べ高価であ
り、ダイヤモンド合成時におけるコストの半分近くを占
めてしまうという問題かある。
また、反応後に排出されるガスはほとんど未反応であり
、反応に寄与しないアルゴンガスはもちろんのこと1反
応ガスであるメタンガスや水素ガス等も未反応のまま、
すなわち反応に使用てきる状態て排出されてしまうため
、収率か極めて悪いという問題かある。
、反応に寄与しないアルゴンガスはもちろんのこと1反
応ガスであるメタンガスや水素ガス等も未反応のまま、
すなわち反応に使用てきる状態て排出されてしまうため
、収率か極めて悪いという問題かある。
上記問題を解決する技術として、反応後に排出されるガ
スを回収し、循環させて再び原料ガスとして用いること
により、原料ガスにかかる費用の低減を図る技術か提案
されている(特開平1−164795号、特開平2−1
24799号)。
スを回収し、循環させて再び原料ガスとして用いること
により、原料ガスにかかる費用の低減を図る技術か提案
されている(特開平1−164795号、特開平2−1
24799号)。
[発明か解決しようとする課題]
しかしながら1反応後に排出されるガスを回収し、循環
させて再び原料ガスとして再利用する従来の技術におい
ては、反応ガス(炭素源ガス)として炭化水素(アルコ
ールなども含む)を用いているため、メタン等の炭化水
素とカソード(陰極)か反応し、カソードか溶融してし
まい、長時間運転することかてきないという問題かある
。
させて再び原料ガスとして再利用する従来の技術におい
ては、反応ガス(炭素源ガス)として炭化水素(アルコ
ールなども含む)を用いているため、メタン等の炭化水
素とカソード(陰極)か反応し、カソードか溶融してし
まい、長時間運転することかてきないという問題かある
。
また、プラズマか安定しないため、得られるダイヤモン
ドの品質か安定しないという問題かある。
ドの品質か安定しないという問題かある。
上記カソードの溶融およびプラズマの不安定化という問
題を解消する技術として、第5図に示すように、メタン
等の炭化水素を放電電極間には流さず、電極と反応しな
いアルゴンと、電極とほとんど反応しない水素とて放電
を起させ、放電電極の下流から原料となるメタン等の炭
化水素を混入させて電極の保護およびプラズマの安定化
を図る技術か知られている(特開平1−179789号
)。
題を解消する技術として、第5図に示すように、メタン
等の炭化水素を放電電極間には流さず、電極と反応しな
いアルゴンと、電極とほとんど反応しない水素とて放電
を起させ、放電電極の下流から原料となるメタン等の炭
化水素を混入させて電極の保護およびプラズマの安定化
を図る技術か知られている(特開平1−179789号
)。
しかし、かかる技術を上述した原料ガスの再利用を図る
技術に適用しようとすると、反応後に排出されるガスの
中からメタン等の炭化水素を分離しなければならず、コ
ストかかかりすぎて、排出ガスを再利用する意味かなく
なってしまうという問題かある。
技術に適用しようとすると、反応後に排出されるガスの
中からメタン等の炭化水素を分離しなければならず、コ
ストかかかりすぎて、排出ガスを再利用する意味かなく
なってしまうという問題かある。
本発明は上述した問題点にかんかみてなされたもので、
長時間運転しても電極の損傷を起すことかなく、しかも
反応後の排出ガスの再利用を容易に図れるようにするこ
とによって、タイヤセント合成に賓すコストの大幅な低
減化を可能ならしめたダイヤモンドの合成方法の提供を
目的とする。
長時間運転しても電極の損傷を起すことかなく、しかも
反応後の排出ガスの再利用を容易に図れるようにするこ
とによって、タイヤセント合成に賓すコストの大幅な低
減化を可能ならしめたダイヤモンドの合成方法の提供を
目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明者等は、タイヤセン
ト合成における原料ガスと排気ガスの関係について鋭意
研究を行なった結果本発明を完成した。
ト合成における原料ガスと排気ガスの関係について鋭意
研究を行なった結果本発明を完成した。
すなわち1本発明のダイヤモンドの合成方法は、アーク
放電によって原料ガスを熱プラズマ化し、プラズマジェ
ットとして噴出させ、急冷してダイヤモンドを成長させ
るとともに、反応後に排出されるガスを回収し、循環さ
せて再び原料ガスとして利用するダイヤモンドの合成方
法において、原料ガスとして一酸化炭素と、水素あるい
は水素と不活性ガスとの混合ガスを用いた構成としてあ
り、好ましくは、前記一酸化炭素と水素の混合割合か、
一酸化炭素(Co)/水素(L) =o、o+〜5とな
るようにし、さらに、カソードの周辺にアルゴンガスを
流すようにしである。
放電によって原料ガスを熱プラズマ化し、プラズマジェ
ットとして噴出させ、急冷してダイヤモンドを成長させ
るとともに、反応後に排出されるガスを回収し、循環さ
せて再び原料ガスとして利用するダイヤモンドの合成方
法において、原料ガスとして一酸化炭素と、水素あるい
は水素と不活性ガスとの混合ガスを用いた構成としてあ
り、好ましくは、前記一酸化炭素と水素の混合割合か、
一酸化炭素(Co)/水素(L) =o、o+〜5とな
るようにし、さらに、カソードの周辺にアルゴンガスを
流すようにしである。
以下、本発明を1図面を参照しながら具体的に説明する
。
。
第1図は本発明のダイヤモンドの合成方法を実施するた
めの装置の一例を示す模式図である。
めの装置の一例を示す模式図である。
図面において、1は直流(DC)プラズマ装置本体であ
り、カソード(陰極)2、アノード(陽極)3および真
空反2容器4等て構成されている。カソード2は熱電子
放射性能の良い材料(例えば、W−Th$)て形成され
ている。アノード3はん却性能の良い材料(例えば、C
u等)て形成されている。カソード2およびアノード3
の形状等は特に制限されないか、例えば直径5■φの棒
状のカソードか用いられる。また、電極には冷却水(図
示せず)を流すようにしてもよい。
り、カソード(陰極)2、アノード(陽極)3および真
空反2容器4等て構成されている。カソード2は熱電子
放射性能の良い材料(例えば、W−Th$)て形成され
ている。アノード3はん却性能の良い材料(例えば、C
u等)て形成されている。カソード2およびアノード3
の形状等は特に制限されないか、例えば直径5■φの棒
状のカソードか用いられる。また、電極には冷却水(図
示せず)を流すようにしてもよい。
なお、第2図に示すようにカソードの周辺に純粋なA「
ガスを若干流し、シース(さや)を形成すると長時間運
転してもカソードか劣化しないので好ましい。
ガスを若干流し、シース(さや)を形成すると長時間運
転してもカソードか劣化しないので好ましい。
電極間に印加される直流の電圧(アーク電圧)および電
yt<アーク電流)値は、理論的には制限されないか、
現実的な範囲としては、電圧3o〜zoov、電流30
〜2000Aノ範囲、特に電圧70〜120v、電流5
0〜500Aの範囲とするのか好ましい。
yt<アーク電流)値は、理論的には制限されないか、
現実的な範囲としては、電圧3o〜zoov、電流30
〜2000Aノ範囲、特に電圧70〜120v、電流5
0〜500Aの範囲とするのか好ましい。
本発明においては、原料ガスとして一酸化炭素(CO)
と、水素(H2)あるいは水素(H2)とアルゴン(A
r)などの不活性ガスとの混合ガスか用いられる。
と、水素(H2)あるいは水素(H2)とアルゴン(A
r)などの不活性ガスとの混合ガスか用いられる。
水素ガスか存在すれば、ダイヤモンド合成か可能である
か、水素ガスのみの場合は、電極の消耗か激しい、した
かって、水素およびアルゴンガスの双方を用いることか
好ましい。
か、水素ガスのみの場合は、電極の消耗か激しい、した
かって、水素およびアルゴンガスの双方を用いることか
好ましい。
一酸化炭素は、炭素源ガスとして必須のものである。一
酸化炭素の混合割合は特に制限されないか、結晶性の良
いダイヤモンドを得るためには、Co/H2= 0.0
1〜5、好ましくは0.5〜2の範囲とする。また、C
o/H2か0、Olより小さいと基板上に生成したダイ
ヤモンドかエツチングにより除去されてしまうのてダイ
ヤモンドを合成することかてきなかったり、生成速度か
低く好ましくない、さらに、Co/H2>5だと基板に
グラファイトか析出してしまう。
酸化炭素の混合割合は特に制限されないか、結晶性の良
いダイヤモンドを得るためには、Co/H2= 0.0
1〜5、好ましくは0.5〜2の範囲とする。また、C
o/H2か0、Olより小さいと基板上に生成したダイ
ヤモンドかエツチングにより除去されてしまうのてダイ
ヤモンドを合成することかてきなかったり、生成速度か
低く好ましくない、さらに、Co/H2>5だと基板に
グラファイトか析出してしまう。
好ましい原料ガスの組成の一例を示せば、Ar:H2:
Co = 20:2: 2.0〜0.2である。
Co = 20:2: 2.0〜0.2である。
上記原料ガスは電極の間(カソード2とアノード3の間
)に供給され、電極(プラズマトーチ)内てDCアーク
放電によって熱プラズマ化され、プラズマジェット5と
して噴出される。プラズマジェット5は、基板ホルダー
6に載置された基板7に衝突し、急冷されて基板上にダ
イヤモンドを成長させる。この場合、原料ガスの組成、
基板の表面状態等の条件を適宜選択することにより、膜
状あるいは粒状のダイヤモンドを合成することかてきる
0例えば、ダイヤモンド粒子などの核形成粒子表面上に
ダイヤモンドを気相成長させることにより、粒状のダイ
ヤモンドを合成てきる。
)に供給され、電極(プラズマトーチ)内てDCアーク
放電によって熱プラズマ化され、プラズマジェット5と
して噴出される。プラズマジェット5は、基板ホルダー
6に載置された基板7に衝突し、急冷されて基板上にダ
イヤモンドを成長させる。この場合、原料ガスの組成、
基板の表面状態等の条件を適宜選択することにより、膜
状あるいは粒状のダイヤモンドを合成することかてきる
0例えば、ダイヤモンド粒子などの核形成粒子表面上に
ダイヤモンドを気相成長させることにより、粒状のダイ
ヤモンドを合成てきる。
反応後、真空反応容器4内に排出されたガスは、ポンプ
8によってバッファタンク9に回収される。真空反応容
器4内の圧力は0.1〜0.5 at■となるようにポ
ンプ8によって排気される。ポンプ8の排気能力か15
00M /sinであり、所望する真空到達圧力か10
−”Torrてあれば、約三本分のトーチに使用するこ
とかてきる。ポンプ8は排気側にオイルか混入するのを
防ぐためトライポンプ等のオイルフリータイプのポンプ
を使用するのか好ましい。
8によってバッファタンク9に回収される。真空反応容
器4内の圧力は0.1〜0.5 at■となるようにポ
ンプ8によって排気される。ポンプ8の排気能力か15
00M /sinであり、所望する真空到達圧力か10
−”Torrてあれば、約三本分のトーチに使用するこ
とかてきる。ポンプ8は排気側にオイルか混入するのを
防ぐためトライポンプ等のオイルフリータイプのポンプ
を使用するのか好ましい。
バッファタンク9の材質、容量、充填圧等は、特に制限
されないか、−例を示せば、5US304製の容量50
0pのタンつて充填圧1〜2kg/c■2・Gである。
されないか、−例を示せば、5US304製の容量50
0pのタンつて充填圧1〜2kg/c■2・Gである。
バッファタンク9には、タンク中のガス組成測定用のセ
ンサlOか取付けられており、バッファタンク内の圧力
、組成を常時監視てきるようになっている。
ンサlOか取付けられており、バッファタンク内の圧力
、組成を常時監視てきるようになっている。
ハソファタンク9内に回収された排出ガスは流量コント
ローラ11へ供給される。流量コントローラ11は、第
3図に示すように、ハルブエ2を有し、その−側にはA
「供給管13、H2供給管14、CO供給管15か配管
され、バルブ12の他の一側にはバッファタンクからの
排出ガス供給管16か配管されている。
ローラ11へ供給される。流量コントローラ11は、第
3図に示すように、ハルブエ2を有し、その−側にはA
「供給管13、H2供給管14、CO供給管15か配管
され、バルブ12の他の一側にはバッファタンクからの
排出ガス供給管16か配管されている。
また、各供給管13〜16にはマスフローメータ17〜
20かそれぞれ取付けられている。マスフローメータ2
0は原料ガスのガス組成で較正しである混合ガス(Ar
、H,、Co)用のものか使用される。A「供給管13
、H2供給管14、CO供給管15の他端はそれぞれガ
スボンベ(図示せず)に接続されている。ハルツ12の
残りの一側は、プラズマトーチに接続された原料ガス供
給管21に接続されている。
20かそれぞれ取付けられている。マスフローメータ2
0は原料ガスのガス組成で較正しである混合ガス(Ar
、H,、Co)用のものか使用される。A「供給管13
、H2供給管14、CO供給管15の他端はそれぞれガ
スボンベ(図示せず)に接続されている。ハルツ12の
残りの一側は、プラズマトーチに接続された原料ガス供
給管21に接続されている。
次に、上記装置の運転、すなわち1本発明のダイヤモン
ドの合成手順について説明する。
ドの合成手順について説明する。
まず、反応開始時は、Ar、H2,Coの各ボンベがら
供給される原料ガスを用いてダイヤモンド合成を行ない
、排出ガスをバッファタンク内に充填する。
供給される原料ガスを用いてダイヤモンド合成を行ない
、排出ガスをバッファタンク内に充填する。
バッファタンク内の圧力か2kg/c−2・G程度に達
したところて、バルブをAr、H,、COガス側からバ
ッファタンク側へ切換え、排出ガスを循環させてダイヤ
モンド合成を行なう、バッファタンク内のガス組成は、
常時一定となるよう不足したガスを補充するか、あるい
は、数時間単位毎に不足したガスを補充するようにする
。これは、単位時間当りのガスの消費量およびガス組成
の変化か小さく、またガス組成の多少の変化はダイヤモ
ンド合成に影響を与えないためである。
したところて、バルブをAr、H,、COガス側からバ
ッファタンク側へ切換え、排出ガスを循環させてダイヤ
モンド合成を行なう、バッファタンク内のガス組成は、
常時一定となるよう不足したガスを補充するか、あるい
は、数時間単位毎に不足したガスを補充するようにする
。これは、単位時間当りのガスの消費量およびガス組成
の変化か小さく、またガス組成の多少の変化はダイヤモ
ンド合成に影響を与えないためである。
上記ダイヤモンド合成に伴ない原料ガス中で消費される
のは一酸化炭素中の炭素原子のみであるが、グラファイ
トやダイヤモンド状カーボン(DLC:Diamond
o Like Cabon )等の副生成物か1%程度
生成し、さらに循環中に生ずるリークによっても原料ガ
スか消費されるので、COの他、 ArおよびH2につ
いても補充か必要である。
のは一酸化炭素中の炭素原子のみであるが、グラファイ
トやダイヤモンド状カーボン(DLC:Diamond
o Like Cabon )等の副生成物か1%程度
生成し、さらに循環中に生ずるリークによっても原料ガ
スか消費されるので、COの他、 ArおよびH2につ
いても補充か必要である。
[実施例]
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
第1図に示すダイヤモンド合成装置を用い、アーク電圧
50v、アーク電流120^とし、各ガスの流量をAr
20jL /win、 H,21/win、 Co 1
1/winとして圧力20GTorrで装置の運転を開
始した。30分後にバッファタンク内の圧力か1.5k
g/c■2・Gを越えたのてバルブをAr、t(z、C
Oガス側からバッファタンク側(循環側)に切換え、
6時間連続運転を行なった。その間タンク内の圧力は1
.2kg/c■2・Gまて低下したか各ガス(Go、
Ar、)Iz)の補充は行なわなかった。
50v、アーク電流120^とし、各ガスの流量をAr
20jL /win、 H,21/win、 Co 1
1/winとして圧力20GTorrで装置の運転を開
始した。30分後にバッファタンク内の圧力か1.5k
g/c■2・Gを越えたのてバルブをAr、t(z、C
Oガス側からバッファタンク側(循環側)に切換え、
6時間連続運転を行なった。その間タンク内の圧力は1
.2kg/c■2・Gまて低下したか各ガス(Go、
Ar、)Iz)の補充は行なわなかった。
また、ガス組成の分析を行なったところ、 Arのリー
ク量2041/hr 、 H2のリーク量2文/hr
、C0の消費量1文/hrであることか判った。
ク量2041/hr 、 H2のリーク量2文/hr
、C0の消費量1文/hrであることか判った。
上記合成の結果、約0.4gのダイヤモンドか得られた
。炭素源ガス(CO)に対するトータル転化率を求めた
ところ約15zてあった。得られたダイヤモンドのう7
ンスベクトルの測定結果を第4図に示す。
。炭素源ガス(CO)に対するトータル転化率を求めた
ところ約15zてあった。得られたダイヤモンドのう7
ンスベクトルの測定結果を第4図に示す。
Kム璽ス
実施例1て求めたArとH2のリーク量およびCOの消
費量と同量のガスをボンベから補給しつつ24時間連続
運転を行なった以外は、実施例1と同様にしてダイヤモ
ンドの合成を行なった。
費量と同量のガスをボンベから補給しつつ24時間連続
運転を行なった以外は、実施例1と同様にしてダイヤモ
ンドの合成を行なった。
なお、 Arガスはカソードシースのためカソード周辺
に直接供給するようにした。
に直接供給するようにした。
この結果、約1.5gの良質なダイヤモンド膜か得られ
た。
た。
実」目11
実施例1においてCOの流量を1,6文/sinとした
以外は、実施例1に準して約0.7gのダイヤモンドを
得た。得られたダイヤモンドのラマンスペクトルの測定
結果を第4図に示す。
以外は、実施例1に準して約0.7gのダイヤモンドを
得た。得られたダイヤモンドのラマンスペクトルの測定
結果を第4図に示す。
10已
実施例1においてアーク電圧80v、アーク電流120
A、各ガスの流量をH220文/sin、 Co 31
/sinとした以外は、実施例1に準じて約0.3gの
ダイヤモンドを得た。
A、各ガスの流量をH220文/sin、 Co 31
/sinとした以外は、実施例1に準じて約0.3gの
ダイヤモンドを得た。
区東1
炭素源ガスとしてCOの代わりにCH4を用い、各ガス
の流量なC)1411ea1n、 H,Is i/wi
n、Ar101 /sin とした以外は実施例1と
同様にして運転を行なった。
の流量なC)1411ea1n、 H,Is i/wi
n、Ar101 /sin とした以外は実施例1と
同様にして運転を行なった。
この結果、プラズマトーチにおける放電が不安定であり
、カソードが溶融し、ダイヤモンドの合成はできなかっ
た。
、カソードが溶融し、ダイヤモンドの合成はできなかっ
た。
[発明の効果]
以上説明したように1本発明のダイヤモンドの合成方法
によれば、原料ガスとしてCOと、H2あるいはH2と
Arとの混合ガスを用いているのて、長時間運転しても
電極の損傷を起すことかない。
によれば、原料ガスとしてCOと、H2あるいはH2と
Arとの混合ガスを用いているのて、長時間運転しても
電極の損傷を起すことかない。
また、反応後の排出ガスの再利用を図ることかてきるの
て、ダイヤモンド合成にかかる費用の大幅な低減を図る
ことかてきる。
て、ダイヤモンド合成にかかる費用の大幅な低減を図る
ことかてきる。
さらに、廃棄されるガスの量か少なくて済むのて環境汚
染の問題も生しにくい。
染の問題も生しにくい。
第1図は本発明のタイヤセントの合成方法を実施するた
めの装置の一例を示す模式図、第2図は同じくカソード
の周辺にArガスを流す状態を示す図、第3図は同しく
流量コントローラを示す模式図、第4図は本発明によっ
て得られたダイヤモンドのラマンスペクトルを示す図、
第5図は従来のDCプラズマを用いたダイヤモンド合成
装置の部分断面図である。 1:直流プラズマ装置 2.カソード3ニアノート 6:基板ホルダー 8:ポンプ lO,センサ 4:真空反応容器 7:基板 9:ハッファタンク 11、流量コントローラ
めの装置の一例を示す模式図、第2図は同じくカソード
の周辺にArガスを流す状態を示す図、第3図は同しく
流量コントローラを示す模式図、第4図は本発明によっ
て得られたダイヤモンドのラマンスペクトルを示す図、
第5図は従来のDCプラズマを用いたダイヤモンド合成
装置の部分断面図である。 1:直流プラズマ装置 2.カソード3ニアノート 6:基板ホルダー 8:ポンプ lO,センサ 4:真空反応容器 7:基板 9:ハッファタンク 11、流量コントローラ
Claims (3)
- (1)アーク放電によって原料ガスを熱プラズマ化し、
プラズマジェットとして噴出させ、急冷してダイヤモン
ドを成長させるとともに、反応後に排出されるガスを回
収し、循環させて再び原料ガスとして利用するダイヤモ
ンドの合成方法において、原料ガスとして一酸化炭素と
、水素あるいは水素と不活性ガスとの混合ガスを用いた
ことを特徴とするダイヤモンドの合成方法。 - (2)請求項1記載のダイヤモンドの合成方法において
、一酸化炭素/水素=0.01〜5であることを特徴と
するダイヤモンドの合成方法。 - (3)請求項1または2記載のダイヤモンドの合成方法
において、カソードの周辺にアルゴンガスを流すことを
特徴とするダイヤモンドの合成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13981190A JPH0437693A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ダイヤモンドの合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13981190A JPH0437693A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ダイヤモンドの合成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0437693A true JPH0437693A (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=15254000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13981190A Pending JPH0437693A (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | ダイヤモンドの合成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0437693A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6248400B1 (en) | 1993-08-12 | 2001-06-19 | Fujitsu Limited | Vapor phase diamond synthesis method |
WO2002026626A1 (fr) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Silice sphérique non poreuse et procédé de production |
JP2004250283A (ja) * | 2003-02-20 | 2004-09-09 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸素分圧制御による試料作成方法および試料作成装置 |
WO2005004215A1 (en) * | 2003-07-04 | 2005-01-13 | Ebara Corporation | Substrate processing system |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP13981190A patent/JPH0437693A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007519216A (ja) * | 2003-07-04 | 2007-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
CN100428412C (zh) * | 2003-07-04 | 2008-10-22 | 株式会社荏原制作所 | 基板处理系统 |
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