JPH04369857A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

リードフレーム及び半導体装置

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JPH04369857A
JPH04369857A JP14722791A JP14722791A JPH04369857A JP H04369857 A JPH04369857 A JP H04369857A JP 14722791 A JP14722791 A JP 14722791A JP 14722791 A JP14722791 A JP 14722791A JP H04369857 A JPH04369857 A JP H04369857A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
mold
semiconductor device
present
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP14722791A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiko Sonoki
園木 義彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH04369857A publication Critical patent/JPH04369857A/ja
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド金型を使用し
て樹脂をモールド成形してなるプラスチックパッケージ
型の半導体装置に使用されるリードフレーム、特にモー
ルド金型のキャビティ内の空気の逃げ口であるベント部
に対応する領域に樹脂との接着力を向上する粗面化加工
が施されているリードフレーム及びこのリードフレーム
にチップを搭載して構成したプラスチックパッケージ型
の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】次に、従来のリードフレームについて図
3を参照して説明する。図3は、従来のリードフレーム
を説明するための図であって、同図(a) はリードフ
レームの要部平面図、同図(b) はモールド金型の要
部側断面図、同図(c) はベント部の内壁に被膜状で
付着した樹脂を模式的に示す要部拡大側断面図である。
【0003】プラスチックパッケージ型の半導体装置(
以下、半導体装置と呼ぶ)に使用される従来のリードフ
レーム12は、同図(b) に示すモールド金型31に
装着した際にそのベント部31d に一時的に内在する
クレードル12a の一部である領域Aに同図(a) 
に示すようなスリット孔12b が設けられていた。
【0004】このスリット孔12b は、半導体チップ
(図示せず)を搭載したリードフレーム12を一時的に
装着し、半導体チップを封止するプラスチックパッケー
ジ11を形成するためにキャビティ31c に溶融させ
た樹脂10を注入した際に、キャビティ31cから追い
出されてベント部31d を通過した空気がモールド金
型31外に逃げ出す通路の一部となるものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、昨今、半導
体装置におけるプラスチックパッケージのクラックを防
止する狙いから、プラスチックパッケージの材料となる
樹脂、例えばエポキシ系樹脂の接着力を著しく向上させ
ている。
【0006】ところが、かかる樹脂を使用してモールド
金型31によるモールド成形作業を何回も繰り返すと、
モールド金型31のベント部31d の内壁に樹脂10
が、図3の(c)図に示すように層状の被膜となって被
着し、ベント部31d の実質的な断面積を減少するこ
ととなる。
【0007】このため、溶融させた樹脂10をキャビテ
ィ31c に注入した際、キャビティ31cからの空気
の抜けが悪くなり、完成したプラスチックパッケージ1
1に気泡(ボイド)が混じる等の問題があった。
【0008】本発明は、このような問題を解消するため
になされたものであって、その目的はモールド金型に装
着した際にそのベント部に一時的に内在するクレードル
の一部の領域に樹脂との接着力を向上する加工が施され
ているリードフレームを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図1及び図
2で示す如く、搭載したチップを樹脂をモールド成形し
て封止する際にモールド金型に一時的に装着されるリー
ドフレームにおいて、モールド金型31のベント部31
d と対応する領域に樹脂10との接着力を向上する粗
面化加工が施されていることを特徴とするリードフレー
ムにより達成される。
【0010】
【作用】リードフレーム21を装着したモールド金型3
1のキャビティ31c に溶融した樹脂10を注入する
と、図2の(a) 図に示すように樹脂10はキャビテ
ィ31c 内から追い出した空気を追いかけるが如くし
てベント部31d に流れ出てここで硬化する(かかる
メカニズムは従来のリードフレームに対しても共通)。
【0011】しかし、本発明のリードフレームには、モ
ールド金型31に装着した際にベント部31d に対応
する領域Aに樹脂10との接着力を向上する粗面化加工
が施されている。
【0012】したがって、モールド成形完了後にモール
ド金型31を上型31a と下型31b とに分離した
際に、ベント部31d で硬化した樹脂10は図2の(
b) に示すようにリードフレーム21のみに付着し、
モールド金型31のベント部31d に残らないのでプ
ラスチックパッケージ11に気泡が混じることはない。
【0013】なお、本発明のリードフレームを使用して
構成した本発明の半導体装置は、完成後に図2で示すB
−B線でクレードル21a が切断されることは勿論で
ある。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例のリードフレームにつ
いて図1と図2とを参照して説明する。図1は、本発明
の実施例のリードフレームを説明するための図であって
、同図(a) は第1の実施例の平面図、同図(b) 
は第1の実施例の要部側断面図、同図(c) は第2の
実施例の平面図、同図(d) は第2の実施例の要部側
断面図、同図(e) は第3の実施例の平面図、同図(
f) は第3の実施例の要部側断図、図2は本発明の半
導体装置を説明するための図であって、同図(a) は
モールド金型内の半導体装置の要部側断面図、同図(b
) は半導体装置の要部側断面図である。
【0015】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。図1(a) 〜(f) で示す本発明の第1〜第
3の実施例のリードフレームは、図3により説明した従
来のリードフレーム12のクレードル12a の一部の
領域A、すなわち、モールド金型31に装着した際にそ
のベント部31d と対応する領域Aに樹脂との接着力
を向上する加工を施して構成したものである。
【0016】図1(a),(b) に示す第1の実施例
のリードフレーム21は、従来のリードフレーム12の
クレードル12a の如上の領域Aに多数のディンプル
21c(Dimple; 窪み) を点在して樹脂との
密着力を向上したものであり、また、図1(c),(d
) に示す第2の実施例のリードフレーム22は、領域
Aに切り株状の突起22c を点列して樹脂との密着力
を向上したものであり、そして、図1(e),(f) 
に第3の実施例のリードフレーム23は、領域Aに複数
の貫通孔23c を設けて樹脂との密着力をそれぞれ向
上したものである。
【0017】かかる本発明のリードフレーム、例えば、
図2(a) に示すように第1の実施例のリードフレー
ム21を装着したモールド金型31のキャビティ31c
 に溶融した樹脂10を注入すると、樹脂10はキャビ
ティ31c 内から追い出した空気を追いかけるが如く
してベント部31d に流れ出てここで硬化する。
【0018】しかし、リードフレーム21には、モール
ド金型31に装着した際にベント部31dに対応する領
域Aに樹脂10との接着力を向上する加工、すなわちデ
ィンプル21cが形成されている。
【0019】したがって、モールド成形完了後にモール
ド金型31を上型31a と下型31b とに分離した
際に、ベント部31d で硬化した樹脂10は図2の(
b) に示すようにリードフレーム21のみに付着し、
モールド金型31のベント部31d に残らないのでプ
ラスチックパッケージ11に気泡が混じることはない。
【0020】なお、本発明のリードフレームを使用して
構成した本発明の半導体装置は、完成後に図2で示すB
−B線でクレードル21a が切断されることは勿論で
ある。また、本発明のリードフレームを採用して構成し
た本発明の半導体装置は、プラスチックパッケージ11
に気泡が混じることがないので、その耐湿性と放熱特性
とが向上して信頼性が高まることは勿論である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、モールド
金型のベント部に対応する領域に樹脂との接着力を向上
する加工が施されているリードフレームを提供できる。
【0022】したがって、このようなリードフレームを
採用した本発明の半導体装置は、プラスチックパッケー
ジに気泡が混じることがないので耐湿性と放熱特性とが
向上して信頼性が高まることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の実施例のリードフレームを説明す
るための図、
【図2】は、本発明の半導体装置を説明するための図、
【図3】は、従来のリードフレームを説明するための図
である。
【符号の説明】
10は、樹脂、11は、プラスチックパッケージ、12
は、リードフレーム、12a は、クレードル、12b
 は、スリット孔、21,22,23は、リードフレー
ム、21c は、ディンプル、22c は、突起、23
c 、貫通孔、31は、金型、31a は、上型、31
b は、下型、31c は、キャビティ、31d はベ
ント部をそれぞれ示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  搭載したチップを樹脂をモールド成形
    して封止する際にモールド金型に一時的に装着されるリ
    ードフレームにおいて、前記モールド金型(31)のベ
    ント部(31d) と対応する領域に前記樹脂(10)
    との接着力を向上する粗面化加工が施されていることを
    特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項2】  請求項1記載のリードフレームにチッ
    プを搭載して構成したことを特徴とするプラスチックパ
    ッケージ型の半導体装置。
JP14722791A 1991-06-19 1991-06-19 リードフレーム及び半導体装置 Withdrawn JPH04369857A (ja)

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JP14722791A JPH04369857A (ja) 1991-06-19 1991-06-19 リードフレーム及び半導体装置

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JPH04369857A true JPH04369857A (ja) 1992-12-22

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JP14722791A Withdrawn JPH04369857A (ja) 1991-06-19 1991-06-19 リードフレーム及び半導体装置

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JP (1) JPH04369857A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011035142A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Effective date: 19980903