JPH04367227A - ウェハの裏面研削処理方法及びこの方法に用いるウェハチャック - Google Patents

ウェハの裏面研削処理方法及びこの方法に用いるウェハチャック

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Publication number
JPH04367227A
JPH04367227A JP3169100A JP16910091A JPH04367227A JP H04367227 A JPH04367227 A JP H04367227A JP 3169100 A JP3169100 A JP 3169100A JP 16910091 A JP16910091 A JP 16910091A JP H04367227 A JPH04367227 A JP H04367227A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
pattern
chuck
grinding
forming surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3169100A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuzo Yoshimoto
吉本 勇三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Original Assignee
Kawasaki Steel Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Kawasaki Steel Corp filed Critical Kawasaki Steel Corp
Priority to JP3169100A priority Critical patent/JPH04367227A/ja
Publication of JPH04367227A publication Critical patent/JPH04367227A/ja
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】半導体製造の前工程であるウェハ
プロセスを経たウェハは、ダイシングから下流の組立工
程に移る前に、そのパターン形成面の裏面を研削するの
が、通例である。このウェハ裏面の研削処理は、ウエハ
裏面の酸化膜除去あるいはウエハ薄肉化によるパッケー
ジへの実装の要請から、必要な処理である。この発明は
上記ウェハ裏面の研削処理に関し、特に工程の簡略化を
達成しようとするものである。
【0002】
【従来の技術】ウェハ裏面の研削処理は、プローブ試験
前のウェハのパターン形成面に、まず保護テープを貼付
け、この保護テープを介してパターン形成面をウェハチ
ャックのチャックテーブルに吸引力にて固定し、表とな
ったウェハの裏面を回転砥石で所望の厚みになるまで研
削し、次いで保護テープを剥離テープで剥した後、パタ
ーン形成面に付着したテープ糊等を除去する洗浄を施し
て乾燥するのが、一般的かつ最短の方法である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の研
削処理方法は、工程数が多いため、長い処理時間、多く
の作業者、広い設置スペース及び高い設備投資を必要と
し、また保護及び剥離テープという消耗品も必要である
ところから、工程数の減少が望まれている。そこでこの
発明は、工程数の少ない簡略化されたウェハ裏面の研削
処理方法とこの方法に用いて好適のウェハチャックを提
供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明は、ウェハのパ
ターン形成面側をウェハチャックのチャックテーブルに
固定し、このパターン形成面の裏面を研削するに当たり
、上記パターン形成面の側縁のみをチャックテーブルで
吸着支持し、さらにこの側縁を除くパターン形成面に向
けて流体を供給し、研削時のウェハの撓みを防止するこ
とを特徴とするウェハの裏面研削処理方法である。また
この発明の方法には、ウェハのパターン形成面の側縁に
当接する支持部及びこの支持部で囲まれた凹部からなる
チャックテーブルを有するウェハチャックであって、支
持部はパターン形成面の側縁を吸着する吸引手段をそな
える一方、凹部は流体の供給手段をそなえてなるウェハ
チャックを用いることが有利である。
【0005】さて図1に、この発明の方法に直接使用す
る回転型のウェハチャックを示す。図において、符号1
はチャックテーブルであり、このチャックテーブル1は
有底円筒状で、その周壁端面がウェハ2のパターン形成
面2a側縁と当接する環状の支持部3を構成する一方、
支持部3の半径方向内側には凹部4を形成してなる。こ
の支持部3には軸方向に開口した多数の吸引孔5が周方
向に等間隔で並び、さらに周壁端面から軸方向に起立し
た壁が吸引孔5を囲むように周方向へ平行に延びてなる
シール機構6をそなえる。また凹部4は、軸方向に開口
した流体の供給孔7を多数そなえる。
【0006】上記ウェハチャックは、支持部3の吸引孔
5からの空気吸引とシール機構6の気密構造によって、
支持部3上に載置したウェハ2のパターン形成面2a側
縁を吸着し、チャックテーブル1にウェハ2を固定する
。 次いで表となったウェハ2の裏面2bを回転砥石8によ
って研削するが、ここで研削時の圧力がウェハ2に加わ
ってパターン形成面2aの側縁を除く部分に撓みが生じ
ウェハの破損に到ることがあるため、凹部4の供給孔7
から凹部4内にN2や純水などの流体を供給し、この流
体で凹部4内を満たすことによって、ウェハの撓み発生
を回避することが肝要である。
【0007】なお図示例では、ウェハチャック及び回転
砥石がともに回転する構成としたが、ウェハチャックの
軸心上に回転砥石の軸心を配置する構成であれば、ウェ
ハチャックを自転させる必要はない。
【0008】また吸引孔5に連続する吸引手段は、真空
ポンプやコンバムなどを用いるとよい。さらに噴出孔7
に連続する流体の供給手段は、ポンプ、コンプレッサー
及び圧力容器などを用いるとよい。
【0009】
【作用】従来、ウェハをチャックテーブルに固定するに
先立ってウェハのパターン形成面に保護テープを貼付け
るのは、パターン形成面全面をチャックテーブルに接触
させて真空吸引を行う際に、パターン面の保護が必要で
あることによる。この発明の方法は、通常は製品化され
ないウェハの側縁をチャックテーブルに当接させ、この
側縁を真空吸引することによって、ウェハをチャックテ
ーブルに固定するようにした。すなわち製品となるパタ
ーン面が非接触で固定できるため、パターン面へのダメ
ージが無くり、さらにパターン面の保護が不要になり、
従って保護テープの貼付けを省略できる。
【0010】一方ウェハ裏面に研削を施すとウェハに圧
力(以下研削圧力という)が加わるが、このとき特に非
接触下にあるパターン面に撓みが生じ、ウェハの破損に
到るおそれがある。そこでこの研削圧力に拮抗する圧力
をパターン面に付与することが肝要である。具体的には
、チャックテーブルの凹部内にN2ガスや純水等の流体
を供給し、ウェハに撓みを生じさせない圧力を凹部内に
付与する。なお凹部内の圧力は、例えば図1に符号9で
示す非接触センサーをチャックテーブル1の凹部4の中
心に設置し、この非接触センサー9によってウェハパタ
ーン面までの距離を検知し、この測定値に基づいてウェ
ハに撓みを生じさせない範囲に調節するとよい。
【0011】
【実施例】図1に示したウェハチャックを用いて、径:
6インチ及び厚さ:625 μm のウェハの裏面研削
を行った。すなわちチャックテーブル1の支持部3で、
ウェハ2のパターン形成面2a側縁(ウェハ周縁から径
方向へ3mmの部分)を、−600mmHgの吸引力で
吸着支持し、一方凹部4内に純水を供給し、凹部4とパ
ターン形成面2aとで囲まれた空間を純水で充満させて
研削処理を施したところ、ウェハの厚みが400 μm
 となるまでの研削処理を支障なく行うことができた。
【0012】
【発明の効果】この発明の方法によれば、ウェハの裏面
研削に当たり従来は不可欠であったパターン面の保護を
必要としないため、保護テープの貼付け、保護テープの
剥離及びテープ糊等の洗浄除去の各工程を省略でき、ウ
ェハ裏面の研削処理工程の大幅な簡略化を達成し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明で用いるウェハチャックを示す模式図
である。
【符号の説明】
1  チャックテーブル 2  ウェハ 2a  パターン形成面 2b  裏面 3  支持部 4  凹部 5  吸引孔 6  シール機構 7  供給孔 8  回転砥石 9  非接触センサー

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ウェハのパターン形成面側をウェハチ
    ャックのチャックテーブルに固定し、このパターン形成
    面の裏面を研削するに当たり、上記パターン形成面の側
    縁のみをチャックテーブルで吸着支持し、さらにこの側
    縁を除くパターン形成面に向けて流体を供給し、研削時
    のウェハの撓みを防止することを特徴とするウェハの裏
    面研削処理方法。
  2. 【請求項2】  ウェハのパターン形成面の側縁に当接
    する支持部及びこの支持部で囲まれた凹部からなるチャ
    ックテーブルを有するウェハチャックであって、支持部
    はパターン形成面の側縁を吸着する吸引手段をそなえる
    一方、凹部は流体の供給手段をそなえてなるウェハチャ
    ック。
JP3169100A 1991-06-14 1991-06-14 ウェハの裏面研削処理方法及びこの方法に用いるウェハチャック Pending JPH04367227A (ja)

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JP3169100A JPH04367227A (ja) 1991-06-14 1991-06-14 ウェハの裏面研削処理方法及びこの方法に用いるウェハチャック

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JPH04367227A true JPH04367227A (ja) 1992-12-18

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ID=15880313

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6757964B2 (en) 1998-05-06 2004-07-06 Tdk Corporation Apparatus for manufacturing sliders
JP2013202703A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Disco Corp 搬送装置
JP2017013139A (ja) * 2015-06-26 2017-01-19 株式会社ディスコ Cmp研磨装置及びcmp研磨方法
JP2017024150A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 株式会社ディスコ 基板の加工方法及び加工装置

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