JPH04364770A - 低融点ガラス封止型半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は低融点ガラス封止型半導
体パッケージの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】サーディップあるいはサークワッドタイ
プの半導体パッケージは、低融点ガラスを用いてリード
フレームをセラミック基体に接合して形成する。これら
サーディップタイプの半導体パッケージ等で用いるリー
ドフレームにはプレス加工によるものの他、エッチング
によって形成するものも用いられている。最近の半導体
パッケージは半導体素子の高密度化にともないますます
多ピン化の傾向が進んでおり、サーディップタイプ等の
低融点ガラスを用いて形成する半導体パッケージにおい
ても同様である。そして、エッチングによって形成する
リードフレームの製造方法にも種々の工夫がなされてい
る。

【０００３】図３はエッチングによって形成した従来の
リードフレームでインナーリード部の断面図を示す。イ
ンナーリードはワイヤボンディングによって半導体チッ
プと接続するため一定のボンディング幅が要求されるが
、リードフレーム材を両面エッチングしてリードフレー
ムを形成する際、図のようにインナーリードの断面形状
が台形状になるようにエッチングして製造することがな
されている。これは、ボンディング面として一定のリー
ド幅を確保するとともに、リードの側面をエッチングし
て多ピン化によって微細化するリードのリードピッチを
有効に確保することを目的とするものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、エッチング
によって製造するリードフレームは樹脂封止タイプの半
導体装置に多用されているが、ワイヤボンディングの際
にはインナーリードの先端側をツールで挟み、リードの
ボンディング面が正しくツールに向くように支持してボ
ンディングするから、インナーリードの断面形状を矩形
形状から大きく外れた台形形状にするのは適当でない。 リード断面を台形状に形成した場合、リードの底面幅が
狭過ぎるとリードがねじれていたりした場合にリードが
位置修正されずねじれたままクランプしてしまうことが
生じるからである。したがって、インナーリードの断面
形状を台形状にする場合でもリードの底面幅は一定幅以
上を有するようにされる。

【０００５】しかしながら、サーディップタイプの半導
体パッケージでは樹脂封止タイプと異なり、低融点ガラ
スを用いてセラミック基体にリードフレームを接合して
製品とするから、リードフレームが低融点ガラスによっ
てセラミック基体に支持されることによってインナーリ
ードの支持性が良好になされるという特徴がある。その
結果、低融点ガラスを用いて形成するサーディップタイ
プの製品では樹脂封止タイプの半導体装置に用いるリー
ドフレームとは異なる形状を採用することが可能である
。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、
とくにサーディップタイプあるいはサークワッドタイプ
のように低融点ガラスを用いてセラミック基体にリード
フレームを接合して成る半導体パッケージに対して好適
に適用でき、多ピン化にも好適に対応することのできる
低融点ガラス封止型半導体パッケージの製造方法を提供
することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、リードフレーム
材の両面に設けるレジストパターンを、インナーリード
形成範囲においてリードフレーム材の一方の面ではリー
ドのワイヤボンディング幅で形成し、他方の面ではボン
ディング幅よりも細幅に形成して両面エッチングを施す
ことによりインナーリードの断面形状を三角形状にした
リードフレームを形成し、前記リードフレームの前記三
角形状に形成したインナーリードの尖端側を低融点ガラ
ス内に埋没させてセラミック基体に接合することを特徴
とする。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例を添付図面に基
づいて詳細に説明する。本発明に係る低融点ガラス封止
型半導体パッケージの製造では、エッチングによって製
造したリードフレームを用いる。図１は低融点ガラス封
止型半導体パッケージの製造に用いるリードフレームの
製造方法を示す説明図である。図１（ａ）　はリードフ
レーム材１０の上下両面にレジストパターン１２を形成
した状態を示す。レジストパターン１２は形成するリー
ドパターンにしたがってリードフレーム材１０の表面に
形成するもので、レジストパターン１２の形成方法は従
来方法による。

【０００８】図１はリードフレーム材１０のうちインナ
ーリードを形成する部分について示す。上記のように、
レジストパターン１２はリードフレーム材１０の両面に
設けるが、インナーリードを形成する部分（とくにボン
ディング範囲）についてはリードフレーム材１０の一方
の面（図の上面）についてはインナーリードのボンディ
ング面積をとるため所要のボンディング面積幅を有する
幅にレジストパターン１２を形成し、リードフレーム材
１０の他方の面（図の下面）については一方の面に形成
したレジストパターン１２よりきわめて細幅に設けるよ
うにする。

【０００９】図１（ｂ）　、（ｃ）　、（ｄ）　は上記
レジストパターン１２を形成したリードフレーム材１０
に対して両面エッチングを施して、徐々にエッチングを
進めた状態を示している。リードフレーム材１０の下面
側はレジストパターン１２の間隔が広いから、エッチン
グ液の液まわりがよく、両面エッチングを施した場合、
上面よりもエッチングが進んでくびれ部分が上面側に偏
ってエッチングが進む（図１（ｂ）　）。さらにエッチ
ングを進めると図１（ｃ）　のようにリードフレーム材
１０が上下に貫通し、レジストパターン１２にしたがい
リードフレーム材１０が分離して独立したインナーリー
ド１４が形成される。 この状態のインナーリード１４はリードフレーム材１０
が上下面からエッチングされて浸食されることにより、
インナーリード１４の側面に突起部が形成されている。 さらにエッチングを進めるとインナーリード１４側面の
この突起部がエッチングされ、図１（ｄ）　に示すよう
にインナーリード１４の断面形状は下方に尖った略三角
形状になる。なお、図１（ｃ）　の段階からエッチング
を進めるとインナーリード１４の下端部はリードフレー
ム材１０が浸食され、下側のレジストパターン１２はリ
ードフレーム材１０から剥落する。

【００１０】こうして、インナーリードの断面形状が図
１（ｄ）　に示すような略三角形状になるまでリードフ
レーム材１０をエッチングして得られたリードフレーム
を低融点ガラスを用いてセラミック基体に接合し半導体
パッケージを形成する。図２は上記エッチング方法によ
って得たリードフレームを低融点ガラス１６でセラミッ
ク基体１８に接合した状態の半導体パッケージを示す。 セラミック基体１８にリードフレームを接合する場合は
、インナーリード１４の尖端をセラミック基体１８に向
け低融点ガラス１６に埋没させて接合する。上記のよう
にエッチングしてインナーリード１４の断面形状を略三
角形状にすることにより、インナーリード１４を低融点
ガラスに埋没させる操作がしやすくなり、またインナー
リードを埋没させて接合した際にリード間で低融点ガラ
スが盛り上がったりせず好適なリードフレームの接合を
行うことができる。

【００１１】上記実施例で用いたリードフレームは前述
したようにリードフレーム材１０の下面側を大きくエッ
チングすることにより低融点ガラスに埋没する側を尖ら
せることによりセラミック基体への接合性を向上させる
ことができるとともに、従来のエッチング操作にくらべ
てエッチングを大きく進めることによってインナーリー
ドの側面部分についてもエッチングし、リード間隔を狭
く設定した場合のエッチングが可能になりリードフレー
ムの高密度化に好適に対応することができて多ピンのリ
ードフレームの製造を可能にすることができる。また、
図１（ｄ）　に示すようにインナーリード１４の側面形
状、底面形状にとらわれずにエッチングを進めることが
できることから、エッチング操作の管理を容易化するこ
とができるといった利点がある。以上、本発明について
好適な実施例を挙げて種々説明したが、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく発明の精神を逸脱しない
範囲内において多くの改変を施し得るのはいうまでもな
い。

【００１２】

【発明の効果】本発明に係る低融点ガラス封止型半導体
パッケージによれば、上述したように、多ピンのリード
フレームを容易に形成することができ、セラミック基体
へのリードフレームの接合操作が容易にできて、半導体
パッケージの製造に好適に適用することができる等の著
効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】リードフレームの製造方法を示す説明図である
。

【図２】リードフレームをセラミック基体に接合した状
態の説明図である。

【図３】エッチングによって形成したリードフレームの
断面図である。

【符号の説明】

１０　　リードフレーム材 １２　　レジストパターン １４　　インナーリード １６　　低融点ガラス １８　　セラミック基体

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　リードフレーム材の両面に設けるレジ
   ストパターンを、インナーリード形成範囲においてリー
   ドフレーム材の一方の面ではリードのワイヤボンディン
   グ幅で形成し、他方の面ではボンディング幅よりも細幅
   に形成して両面エッチングを施すことによりインナーリ
   ードの断面形状を三角形状にしたリードフレームを形成
   し、前記リードフレームの前記三角形状に形成したイン
   ナーリードの尖端側を低融点ガラス内に埋没させてセラ
   ミック基体に接合することを特徴とする低融点ガラス封
   止型半導体パッケージの製造方法。