JPH0436463A - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はスパッタリングターゲット及びその製造方法に
関し、特にレーザービーム等により、情報を高密度、大
容量で記録、再生、消去できる光記録薄膜を形成するの
に用いるスパッタリングターゲット及びその製造方法に
関する。

従来の技術 近年、実時間での記録、再生が可能な情報記録媒体とし
て、高容量、高密度化が可能な光記録用ディスクが提案
されている。

上記光記録用ディスクとしては、記録、再生が可能な追
記型ディスクと、記録、再生のみならず、消去も可能な
書換型ディスクとがある。

上記追記型ディスクの記録材料としては、ＴｅとＴｅａ
、を主成分としアモルファスから結晶にのみ変化するＴ
ｅａ、（０＜ｘ＜２．０）　薄膜を用いたものがある。

一方、上記書換型ディスクの記録材料としては、希土類
と遷移元素とから成る光磁気メモリ材料が主流であるが
、近年、レーザ光により記録薄膜を加熱、溶融し、急冷
することにより非晶質化して情報を記録する一方、これ
を加熱し徐冷することにより結晶化して情報を消去する
ことができる相変化型光メモリ材料が研究されている。

上記相変化型光メモリ材料としては、Ｔｅ−Ｇｅ等のカ
ルコゲン化物やＴｅ−Ｔｅ０□のような酸化物等、各種
の材料が提案されている。これらの中でも、特に、Ｔｅ
−Ｇｅ−Ｓｂを主成分とする材料を用いた記録薄膜は、
非晶質状態から結晶状態に変態する熱転移温度が１９０
°Ｃ以上と高く、耐熱性にも優れると共に、記録と消去
とを繰り返し行った場合でも特性劣化が少ないので、非
常に有望視されている。

具体的なＴｅ−Ｇｅ−Ｓｂｌ膜の形成方法としては、真
空蒸着法と、Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂから成るスパッタリング
ターゲットを用いたスパッタリング法とが知られている
。

発明が解決しようとする課題 ところで、相変化型光メモリ材料から成る記録薄膜を用
いた光記録用ディスクは、記録、消去の繰り返し特性に
劣るという課題を有している。具体的には、以下の通り
である。

■記録、消去時に加熱、冷却を多数回の繰り返すため、
ディスク基板あるいは保護層に熱的な損傷が生じ、これ
によってノイズが増大する。

■このような損傷が無い場合であっても、加熱、冷却の
繰り返しによる保護層の脈動によって、記録薄膜材料が
ディスク回転方向の案内溝に沿って移動し、やはりノイ
ズが増大する。

そこで、本願出願人は、前記スパッタリング法で記録薄
膜を形成する際に、アルゴンと窒素との混合ガスを用い
て、記録薄膜中に窒素を含有させるような、所謂反応性
スパッタリング法を前に提案している。このようにして
作製すれば、光記録媒体の繰り返し特性を向上させるこ
とができる。

しかしながら、上記方法では、スパッタリングターゲッ
トの消耗に伴うスパッタリングレートの変化等により、
窒素との反応状態が変化するため、記録薄膜に含有され
る窒素量のコントロールが困難となり、且つスパッタリ
ング装置内に窒素を導入のための設備を新たに設ける必
要があるため、設備費用が高騰する等の課題を有してい
た。したがって、改良の余地がある。

本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、繰り
返し特性を向上させうると共にスパッタリング装置の設
備費用を低減しうるスパ・ツタリングターゲット及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、Ｔｅ−’Ｇｅ−５
ｂから成る材料に、一定量の窒素が含有されていること
を特徴とする。

また、Ｔｅ粉末とＧｅ粉末とＳｂ粉末とを、定量の窒素
ガスが存在する雰囲気中で均一に混合する第１ステップ
と、上記混合物を窒素雰囲気中でホットプレスして成型
体を作製する第２ステップとを有することを特徴とする
。

作用 上記第１発明の如く、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂから成る材料に
予め一定量の窒素が含有されたスパッタリングターゲッ
トを用いて記録薄膜を形成すれば、スパッタリングター
ゲット中の窒素量に応じて記録薄膜中の窒素量が規定さ
れることになる。したがって、記録薄膜に含有される窒
素量を所定値に設定することが可能となる。

加えて、スパッタリング装置には窒素導入のための設備
を設ける必要がないので、装置の設備費用が高騰するこ
ともない。

また、このようなスパッタリングターゲットは、第２発
明に示す方法により作製される。

実施例 本発明の一実施例を、第１図に基づいて、以下に説明す
る。

ＴｅとＧｅとＳｂとの金属粉末を目標組成となるように
秤量した後、これらの金属粉末を、所定量の窒素ガスを
有する雰囲気に設定されたライカイ機或いはボールミル
等で混合し、均一な混合物を作成する。尚、ライカイ機
或いはボールミル内に導入する窒素ガスの量は、流量計
によって調整している。次に、上記混合物を金型（直径
＝１５０肛、厚み：６圓）内に充填した後、加熱（３５
０’Ｃ）、加圧（５０〜３００ｋｇ／ａｊ）　してホッ
トプレスを行う。尚、この際、他の成分がスパッタリン
グターゲット内に進入するのを防止すべく窒素雰囲気で
行う。これにより、窒素が所定量含有されたＴｅ−Ｇｅ
−Ｓｂから成るスパッタリングターゲットが作成される
に こで、上記スパッタリングターゲットを用いて、ディス
クを作製する場合について示す。

第１図は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて
作製したディスクであり、ポリカーボネイト等の樹脂か
ら成るディスク基板１の表面には、ＺｎＳ−３ｉＯｚの
混合膜から成る第１誘電体層２（膜厚：約１５０　ｎｍ
）と、所定量の窒素を含むＴｅ−Ｃ，ｅ−Ｓｂからなる
合金薄膜から成る記録薄膜３（膜厚：約３０　ｎｍ）と
、上記第１誘電体層２と同材料で構成された第２誘電体
層４（膜厚：約２０ｎｍ）と、Ａ！金合金ら成る反射層
５（ＩＩ厚：約６０ｎｍ）とが形成されている。また、
上記反射層５の表面には、接着剤層６により固定された
保護板７が設けられている。

ここで、上記構造のディスクは、ディスク基板１をスパ
ッタリング装置のチャンバー内に配置した後、ディスク
基板１上に、第１誘電体層２と、記録薄膜３と、第２誘
電体層４と、反射層５とを形成する。この際、両誘電体
層２・４のスパッタリングターゲットとしてはＺｎＳ　
　Ｓｉｏｗを、記録薄膜３のスパッタリングターゲット
はしては上記方法で作製したものを、反射層５のスパッ
タリングターゲットとしてはＡｆｆｉ合金を、それぞれ
用い、且つチャンバー内にはアルゴンガスを導入してい
る。この後、接着剤により反射層５上に保護板７を固定
した。

［実験］ 上記ディスクのオーバーライドのサイクル特性について
は、特にピットエラーレイトの特性を測定した結果、１
０×１０ｈサイクル以上劣化が認められず、従来に比べ
て１０倍程度の寿命を有することが確認された。

また、上記ディスクを量産したところ、窒素含有量のバ
ラツキが著しく低減され、量産性の面でも向上を図りう
ることが認められた。

〔その他の事項〕

前記ディスク基板１としては、予めレーザ光案内用の溝
を形成した樹脂基板、２Ｐ法で溝を形成４゜ したガラス板、或いはガラス板に直接溝を形成した基板
等を用いることが可能である。

発明の詳細 な説明したように本発明によれば、記録薄膜中の窒素量
を一定にすることができるので、記録消去の繰り返しに
伴い保護層の脈動が発生しても、記録薄膜材料が案内溝
に沿って移動するのを飛躍的に抑制することができる。

これによって、繰り返し特性を顕著に向上することが可
能となる。

また、窒素含有量のバラツキが著しく低減されるので、
歩留りが向上し、量産性にも優れる。

加えて、窒素導入のための設備をスパッタリング装置に
設ける必要がないので、装置の設備費用を低減すること
ができる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスパッタリングターゲットを用いて作
製したディスクの構造を示す断面図である。 録薄膜、４・・・第２誘電体層、５・・・反射層、６・
・・接着剤層、７・・・保護板。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ−Ｇｅ−Ｓｂから成る材料に、一定量の窒素
   が含有されていることを特徴とするスパッタリングター
   ゲット。
2. （２）Ｔｅ粉末とＧｅ粉末とＳｂ粉末とを、一定量の窒
   素ガスが存在する雰囲気中で均一に混合する第１ステッ
   プと、 上記混合物を窒素雰囲気中でホットプレスして成型体を
   作製する第２ステップと、 を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの
   製造方法。