JPH04364027A - ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法 - Google Patents
ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法Info
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- JPH04364027A JPH04364027A JP16511391A JP16511391A JPH04364027A JP H04364027 A JPH04364027 A JP H04364027A JP 16511391 A JP16511391 A JP 16511391A JP 16511391 A JP16511391 A JP 16511391A JP H04364027 A JPH04364027 A JP H04364027A
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＧａＡｓへのＺｎの拡散
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体を用いた高速動作デバイス
や光デバイス等の製作に当っては熱拡散技術が重要な技
術として用いられている。例えば化合物半導体を用いた
Ｊ−ＦＥＴ（接合型の電界効果トランジスタ）は、一般
に、図４に示されているような構造のもの、すなわち半
絶縁性ＧａＡｓ基板１と、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層
２と、ｎ−ＧａＡｓ活性層３との積層構成のものにおけ
るｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ型不純物を熱拡散させるこ
とによりＰ型のＧａＡｓ層５を作り、前記のＰ型のＧａ
Ａｓ層５にゲート電極６を設けるとともに、前記したｎ
−ＧａＡｓ活性層３にソース電極７とドレイン電極８と
を設けた構造に最終的には仕上げられるのであるが、前
記した図４に示されている構造のＪ−ＦＥＴにおけるＰ
型のＧａＡｓ層を作る際には、ＧａＡｓの層にＰ型の不
純物としてＺｎ原子を熱拡散させてＰ型のＧａＡｓ層を
作ることが有効であるとされている。なお、Ｊ−ＦＥＴ
においてｎ−ＧａＡｓ活性層にＰ型の不純物を拡散させ
てＰ型のＧａＡｓ層を構成させるのはチャンネル電流を
適当な値に制御するために行なうのである。
や光デバイス等の製作に当っては熱拡散技術が重要な技
術として用いられている。例えば化合物半導体を用いた
Ｊ−ＦＥＴ（接合型の電界効果トランジスタ）は、一般
に、図４に示されているような構造のもの、すなわち半
絶縁性ＧａＡｓ基板１と、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層
２と、ｎ−ＧａＡｓ活性層３との積層構成のものにおけ
るｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ型不純物を熱拡散させるこ
とによりＰ型のＧａＡｓ層５を作り、前記のＰ型のＧａ
Ａｓ層５にゲート電極６を設けるとともに、前記したｎ
−ＧａＡｓ活性層３にソース電極７とドレイン電極８と
を設けた構造に最終的には仕上げられるのであるが、前
記した図４に示されている構造のＪ−ＦＥＴにおけるＰ
型のＧａＡｓ層を作る際には、ＧａＡｓの層にＰ型の不
純物としてＺｎ原子を熱拡散させてＰ型のＧａＡｓ層を
作ることが有効であるとされている。なお、Ｊ−ＦＥＴ
においてｎ−ＧａＡｓ活性層にＰ型の不純物を拡散させ
てＰ型のＧａＡｓ層を構成させるのはチャンネル電流を
適当な値に制御するために行なうのである。
【０００３】ここで、ＧａＡｓの層にＰ型の不純物であ
るＺｎ原子を熱拡散させて、Ｐ型のＧａＡｓ層を作る場
合の具体的なプロセスを図２及び図３を参照して説明す
ると次のとおりである。まず図３の（ａ）に示されてい
るように、ウエハ９の素材となされる半絶縁性ＧａＡｓ
基板１上に、例えばＬＰＥ法、またはＭＯＣＶＤ法、も
しくはＭＢＥ法等の結晶成長法を適用して、半絶縁性Ｇ
ａＡｓバッファ層２と、ｎ−ＧａＡｓ活性層３との積層
構成のものを作り、前記したｎ−ＧａＡｓ活性層３上に
拡散阻止膜としてＳｉＮｘ膜（窒化硅素膜）４を例えば
プラズマＣＶＤ法を用いて構成させる。次に、前記した
ｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ型不純物としてのＺｎを熱拡
散させたい部分と対応している窒化硅素膜４の部分に、
例えばドライエッチングによって図３の（ｂ）に示すよ
うな孔４ａをあける。次いで、前記のような加工が施さ
れた状態のウエハ９と、拡散源１１としてのＺｎＡｓ２
を収納させてある石英容器１０とを図２の（ａ）に示す
ように石英アンプル１２中に入れて、前記した石英アン
プル１２中の空気を真空ポンプで吸引し、石英アンプル
１２内が所定の真空度（例えば〜Ｅ−５Ｔｏｒｒ）にな
ったら石英アンプル１２をバーナで溶融して封止してか
ら、前記の石英アンプル１２を摂氏５００度〜摂氏７０
０度の炉１３｛図２の（ｂ）参照｝に入れる。
るＺｎ原子を熱拡散させて、Ｐ型のＧａＡｓ層を作る場
合の具体的なプロセスを図２及び図３を参照して説明す
ると次のとおりである。まず図３の（ａ）に示されてい
るように、ウエハ９の素材となされる半絶縁性ＧａＡｓ
基板１上に、例えばＬＰＥ法、またはＭＯＣＶＤ法、も
しくはＭＢＥ法等の結晶成長法を適用して、半絶縁性Ｇ
ａＡｓバッファ層２と、ｎ−ＧａＡｓ活性層３との積層
構成のものを作り、前記したｎ−ＧａＡｓ活性層３上に
拡散阻止膜としてＳｉＮｘ膜（窒化硅素膜）４を例えば
プラズマＣＶＤ法を用いて構成させる。次に、前記した
ｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ型不純物としてのＺｎを熱拡
散させたい部分と対応している窒化硅素膜４の部分に、
例えばドライエッチングによって図３の（ｂ）に示すよ
うな孔４ａをあける。次いで、前記のような加工が施さ
れた状態のウエハ９と、拡散源１１としてのＺｎＡｓ２
を収納させてある石英容器１０とを図２の（ａ）に示す
ように石英アンプル１２中に入れて、前記した石英アン
プル１２中の空気を真空ポンプで吸引し、石英アンプル
１２内が所定の真空度（例えば〜Ｅ−５Ｔｏｒｒ）にな
ったら石英アンプル１２をバーナで溶融して封止してか
ら、前記の石英アンプル１２を摂氏５００度〜摂氏７０
０度の炉１３｛図２の（ｂ）参照｝に入れる。
【０００４】炉１３に入れられた石英アンプル１２内で
摂氏５００度〜摂氏７００度に加熱された拡散源１１と
してのＺｎＡｓ２は、図２の（ｂ）に示されているよう
に石英容器１０中で気化して熱分解し、ウエハ９のＧａ
Ａｓの表面に到着したＺｎ原子がＧａＡｓ中に入って拡
散する。前記のようにＧａＡｓにＺｎを拡散させるのに
拡散源としてＺｎではなくＺｎＡｓ２を使用する理由は
、ＧａＡｓにおけるＶ族元素であるＡｓの蒸気圧が高い
ために、Ｚｎを拡散させるべきＧａＡｓの表面をＡｓの
蒸気で被覆してやらないとＧａＡｓ中のＡｓが蒸発して
結晶表面が荒れるからである。図３の（ｂ）に示されて
いる窒化硅素膜４の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性
層３に拡散したＺｎはアクセプタとして働くから、前記
したＺｎが充分な濃度になった前記したｎ−ＧａＡｓ活
性層３の部分は反転して、図３の（ｃ）に示されている
Ｐ−ＧａＡｓ層５となされる。このようにしてｎ−Ｇａ
Ａｓ活性層３にＺｎの拡散により形成されるＰ−ＧａＡ
ｓ層５の深さは、炉１３の温度と炉１３中で加熱する時
間の長さとによって定まる。図３の（ｃ）のように窒化
硅素膜４の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺ
ｎを拡散させてＰ−ＧａＡｓ層５が形成されたものは、
窒化硅素膜４を除去した後に、ゲート電極６、ソース電
極７、ドレイン電極８等を付けることにより、図４に示
されているような接合型の電界効果トランジスタとなさ
れる。
摂氏５００度〜摂氏７００度に加熱された拡散源１１と
してのＺｎＡｓ２は、図２の（ｂ）に示されているよう
に石英容器１０中で気化して熱分解し、ウエハ９のＧａ
Ａｓの表面に到着したＺｎ原子がＧａＡｓ中に入って拡
散する。前記のようにＧａＡｓにＺｎを拡散させるのに
拡散源としてＺｎではなくＺｎＡｓ２を使用する理由は
、ＧａＡｓにおけるＶ族元素であるＡｓの蒸気圧が高い
ために、Ｚｎを拡散させるべきＧａＡｓの表面をＡｓの
蒸気で被覆してやらないとＧａＡｓ中のＡｓが蒸発して
結晶表面が荒れるからである。図３の（ｂ）に示されて
いる窒化硅素膜４の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性
層３に拡散したＺｎはアクセプタとして働くから、前記
したＺｎが充分な濃度になった前記したｎ−ＧａＡｓ活
性層３の部分は反転して、図３の（ｃ）に示されている
Ｐ−ＧａＡｓ層５となされる。このようにしてｎ−Ｇａ
Ａｓ活性層３にＺｎの拡散により形成されるＰ−ＧａＡ
ｓ層５の深さは、炉１３の温度と炉１３中で加熱する時
間の長さとによって定まる。図３の（ｃ）のように窒化
硅素膜４の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺ
ｎを拡散させてＰ−ＧａＡｓ層５が形成されたものは、
窒化硅素膜４を除去した後に、ゲート電極６、ソース電
極７、ドレイン電極８等を付けることにより、図４に示
されているような接合型の電界効果トランジスタとなさ
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述のようにｎ−Ｇａ
Ａｓ活性層３にＺｎの拡散によりＰ−ＧａＡｓ層５を形
成させる場合には拡散源１１としてＺｎＡｓ２が用いら
れるが、ＺｎＡｓ２を製造する際にはＺｎＡｓ２ととも
に微量なＺｎ３Ａｓ２も同時に作られてしまう。前記し
たＺｎＡｓ２の製造に当ってＺｎ３Ａｓ２が生じないよ
うにすることは現在のところ非常に困難なために、前記
したｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ−ＧａＡｓ層５を形成さ
せる場合に拡散源１１として純粋なＺｎＡｓ２を使用さ
れることはなく、常に微量なＺｎ３Ａｓ２を含んでいる
状態のＺｎＡｓ２が拡散源１１として使用されることに
なる。ところで、ｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺｎの拡散に
よりＰ−ＧａＡｓ層５を形成させる場合に、微量なＺｎ
３Ａｓ２を含んでいる状態のＺｎＡｓ２が拡散源１１と
して使用された場合には、熱拡散時にＧａＡｓの表面が
図５に例示されているように荒れたり、拡散形状が乱れ
たりすることが問題になった。前記したような現象の生
じる理由は明らかでないが、Ｇａ−Ａｓ−Ｚｎが作る相
律上で、液相、気相の生じる条件が成立するためであろ
うと考えられる。しかし、前記のように熱拡散時にＧａ
Ａｓの表面が荒れたり、拡散形状が乱れたりすることは
、半導体素子の製作の歩留りを悪化させることになり、
またＪ−ＦＥＴの製作の際にはチャンネル電流の制御が
できないことになるために、解決策が求められた。
Ａｓ活性層３にＺｎの拡散によりＰ−ＧａＡｓ層５を形
成させる場合には拡散源１１としてＺｎＡｓ２が用いら
れるが、ＺｎＡｓ２を製造する際にはＺｎＡｓ２ととも
に微量なＺｎ３Ａｓ２も同時に作られてしまう。前記し
たＺｎＡｓ２の製造に当ってＺｎ３Ａｓ２が生じないよ
うにすることは現在のところ非常に困難なために、前記
したｎ−ＧａＡｓ活性層３にＰ−ＧａＡｓ層５を形成さ
せる場合に拡散源１１として純粋なＺｎＡｓ２を使用さ
れることはなく、常に微量なＺｎ３Ａｓ２を含んでいる
状態のＺｎＡｓ２が拡散源１１として使用されることに
なる。ところで、ｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺｎの拡散に
よりＰ−ＧａＡｓ層５を形成させる場合に、微量なＺｎ
３Ａｓ２を含んでいる状態のＺｎＡｓ２が拡散源１１と
して使用された場合には、熱拡散時にＧａＡｓの表面が
図５に例示されているように荒れたり、拡散形状が乱れ
たりすることが問題になった。前記したような現象の生
じる理由は明らかでないが、Ｇａ−Ａｓ−Ｚｎが作る相
律上で、液相、気相の生じる条件が成立するためであろ
うと考えられる。しかし、前記のように熱拡散時にＧａ
Ａｓの表面が荒れたり、拡散形状が乱れたりすることは
、半導体素子の製作の歩留りを悪化させることになり、
またＪ−ＦＥＴの製作の際にはチャンネル電流の制御が
できないことになるために、解決策が求められた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は含まれるＺｎ３
Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺｎＡｓ２を
拡散源として、ＧａＡｓの基板にＺｎを拡散させるよう
にしたＧａＡｓへのＺｎの拡散方法、及びＧａＡｓの基
板またはその上に結晶成長させたＧａＡｓ層を有するウ
エハを、含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％
以下であるＺｎＡｓ２を拡散源として石英アンプル内に
２．０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下で封入し、摂氏５００度乃至
摂氏７００度の温度範囲の炉中に入れてＧａＡｓにＺｎ
を拡散させるようにしたＧａＡｓへのＺｎの拡散方法を
提供する。
Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺｎＡｓ２を
拡散源として、ＧａＡｓの基板にＺｎを拡散させるよう
にしたＧａＡｓへのＺｎの拡散方法、及びＧａＡｓの基
板またはその上に結晶成長させたＧａＡｓ層を有するウ
エハを、含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％
以下であるＺｎＡｓ２を拡散源として石英アンプル内に
２．０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以下で封入し、摂氏５００度乃至
摂氏７００度の温度範囲の炉中に入れてＧａＡｓにＺｎ
を拡散させるようにしたＧａＡｓへのＺｎの拡散方法を
提供する。
【０００７】
【作用】含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％
以下であるＺｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板
にＺｎを拡散させることにより、ＧａＡｓの表面の状態
が良好で、拡散形状も良好な半導体素子が製作でき、ま
たＪ−ＦＥＴの製作の際にはチャンネル電流の制御が良
好に行なうことができる。
以下であるＺｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板
にＺｎを拡散させることにより、ＧａＡｓの表面の状態
が良好で、拡散形状も良好な半導体素子が製作でき、ま
たＪ−ＦＥＴの製作の際にはチャンネル電流の制御が良
好に行なうことができる。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明のＧａＡｓ
へのＺｎの拡散方法の具体的な内容を詳細に説明する。 図３の（ａ）に示されているように、ウエハ９の素材と
なされる半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えばＬＰＥ法、
あるいはＭＯＣＶＤ法、もしくはＭＢＥ法等の結晶成長
法を適用して、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層２と、ｎ−
ＧａＡｓ活性層３との積層構成のものを作る。次に、前
記したｎ−ＧａＡｓ活性層３上に拡散阻止膜としてＳｉ
Ｎｘ膜（窒化硅素膜）４を例えばプラズマＣＶＤ法を用
いて構成させる。次に、前記したｎ−ＧａＡｓ活性層３
にＰ型不純物としてのＺｎを熱拡散させたい部分と対応
している窒化硅素膜４の部分に、例えばドライエッチン
グによって図３の（ｂ）に示すような孔４ａをあけ、次
いで、前記のような加工が施された状態のウエハ９と、
含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であ
るＺｎＡｓ２の１００ｍｇを拡散源１１として石英容器
１０に入れて、石英アンプル１２内に２．０Ｅ−４Ｔｏ
ｒｒ以下で封入し、表１に示されているように摂氏５０
０度乃至摂氏７００度の温度範囲の炉１３中に入れ｛図
２の（ｂ）参照｝てＧａＡｓにＺｎを拡散させる。炉１
３に入れられた石英アンプル１２内で摂氏５００度〜摂
氏７００度に加熱された拡散源１１としてのＺｎＡｓ２
は、図２の（ｂ）に示されているように石英容器１０中
で気化して熱分解し、ウエハ９のＧａＡｓの表面に到着
したＺｎ原子がＧａＡｓ中に入って拡散する。所定の時
間の経過時に石英アンプル１２を炉１３から取出し、す
ばやく水で冷却してから石英アンプル１２を開管してウ
エハ９を取出す。図３の（ｃ）のようにる窒化硅素膜４
の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺｎを拡散
させてＰ−ＧａＡｓ層５が形成されたものは、窒化硅素
膜４を除去した後に、ゲート電極６、ソース電極７、ド
レイン電極８等を付けることにより、図４に示されてい
るような接合型の電界効果トランジスタとなされる。本
発明方法の実施に当って拡散源１１として用いられるＺ
ｎＡｓ２（含まれるＺｎ３Ａｓ２の割合別）と、拡散温
度と、拡散時間と、Ｊ−ＦＥＴとした場合のＩｄｓｓ（
ゲートに加えるバイアス電圧を０とし、ドレインとソー
ス間に３ボルトの電圧を加えた場合に、Ｐ−ＧａＡｓ拡
散層の下方のチャンネルに流れる電流値Ｉｄｓｓ）との
関係は表１に示すとおりである。
へのＺｎの拡散方法の具体的な内容を詳細に説明する。 図３の（ａ）に示されているように、ウエハ９の素材と
なされる半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に例えばＬＰＥ法、
あるいはＭＯＣＶＤ法、もしくはＭＢＥ法等の結晶成長
法を適用して、半絶縁性ＧａＡｓバッファ層２と、ｎ−
ＧａＡｓ活性層３との積層構成のものを作る。次に、前
記したｎ−ＧａＡｓ活性層３上に拡散阻止膜としてＳｉ
Ｎｘ膜（窒化硅素膜）４を例えばプラズマＣＶＤ法を用
いて構成させる。次に、前記したｎ−ＧａＡｓ活性層３
にＰ型不純物としてのＺｎを熱拡散させたい部分と対応
している窒化硅素膜４の部分に、例えばドライエッチン
グによって図３の（ｂ）に示すような孔４ａをあけ、次
いで、前記のような加工が施された状態のウエハ９と、
含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であ
るＺｎＡｓ２の１００ｍｇを拡散源１１として石英容器
１０に入れて、石英アンプル１２内に２．０Ｅ−４Ｔｏ
ｒｒ以下で封入し、表１に示されているように摂氏５０
０度乃至摂氏７００度の温度範囲の炉１３中に入れ｛図
２の（ｂ）参照｝てＧａＡｓにＺｎを拡散させる。炉１
３に入れられた石英アンプル１２内で摂氏５００度〜摂
氏７００度に加熱された拡散源１１としてのＺｎＡｓ２
は、図２の（ｂ）に示されているように石英容器１０中
で気化して熱分解し、ウエハ９のＧａＡｓの表面に到着
したＺｎ原子がＧａＡｓ中に入って拡散する。所定の時
間の経過時に石英アンプル１２を炉１３から取出し、す
ばやく水で冷却してから石英アンプル１２を開管してウ
エハ９を取出す。図３の（ｃ）のようにる窒化硅素膜４
の孔４ａの部分からｎ−ＧａＡｓ活性層３にＺｎを拡散
させてＰ−ＧａＡｓ層５が形成されたものは、窒化硅素
膜４を除去した後に、ゲート電極６、ソース電極７、ド
レイン電極８等を付けることにより、図４に示されてい
るような接合型の電界効果トランジスタとなされる。本
発明方法の実施に当って拡散源１１として用いられるＺ
ｎＡｓ２（含まれるＺｎ３Ａｓ２の割合別）と、拡散温
度と、拡散時間と、Ｊ−ＦＥＴとした場合のＩｄｓｓ（
ゲートに加えるバイアス電圧を０とし、ドレインとソー
ス間に３ボルトの電圧を加えた場合に、Ｐ−ＧａＡｓ拡
散層の下方のチャンネルに流れる電流値Ｉｄｓｓ）との
関係は表１に示すとおりである。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１に示されているように、含まれるＺｎ
３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺｎＡｓ２
を拡散源１１に使用して、ＧａＡｓにＺｎを熱拡散させ
た場合には、ＧａＡｓの表面の状態と拡散形状とは、図
１において拡散源１１としてそれに含まれるＺｎ３Ａｓ
２のモル数の割合いが３％以下であるようなＺｎＡｓ２
を用いた場合のＰ−ＧａＡｓ層の状態を示している図の
場合のように、Ｐ−ＧａＡｓ層には表面荒れや形状の乱
れ等は生じない。拡散源１１として用いられるＺｎＡｓ
２に含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが、Ｘ線回
折、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって１％，２
％，３％…というように同定できたＺｎＡｓ２を拡散源
１１に使用して、それぞれ既述のような工程によって拡
散を行なった場合に得られるＰ−ＧａＡｓ層を、走査型
電子顕微鏡によって断面を観察した結果を図示したもの
が図１であり、図１において含まれるＺｎ３Ａｓ２のモ
ル数の割合いが４％以上であるＺｎＡｓ２を拡散源１１
に使用して、ＧａＡｓにＺｎを熱拡散させた場合には、
Ｐ−ＧａＡｓ層の表面が荒れるとともにＰ−ＧａＡｓ層
は拡散形状が乱れたものになっていることが判かる。
３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺｎＡｓ２
を拡散源１１に使用して、ＧａＡｓにＺｎを熱拡散させ
た場合には、ＧａＡｓの表面の状態と拡散形状とは、図
１において拡散源１１としてそれに含まれるＺｎ３Ａｓ
２のモル数の割合いが３％以下であるようなＺｎＡｓ２
を用いた場合のＰ−ＧａＡｓ層の状態を示している図の
場合のように、Ｐ−ＧａＡｓ層には表面荒れや形状の乱
れ等は生じない。拡散源１１として用いられるＺｎＡｓ
２に含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが、Ｘ線回
折、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）によって１％，２
％，３％…というように同定できたＺｎＡｓ２を拡散源
１１に使用して、それぞれ既述のような工程によって拡
散を行なった場合に得られるＰ−ＧａＡｓ層を、走査型
電子顕微鏡によって断面を観察した結果を図示したもの
が図１であり、図１において含まれるＺｎ３Ａｓ２のモ
ル数の割合いが４％以上であるＺｎＡｓ２を拡散源１１
に使用して、ＧａＡｓにＺｎを熱拡散させた場合には、
Ｐ−ＧａＡｓ層の表面が荒れるとともにＰ−ＧａＡｓ層
は拡散形状が乱れたものになっていることが判かる。
【００１１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明のＧａＡｓへのＺｎの拡散方法は、含ま
れるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺ
ｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板にＺｎを拡散
させることにより、ＧａＡｓの表面の状態が良好で、拡
散形状も良好な半導体素子が製作でき、またＪ−ＦＥＴ
の製作の際にはチャンネル電流の制御が良好に行なうこ
とができるのであり、本発明によれば既述した従来の問
題点は良好に解決でき、半導体素子を高い歩留りで低コ
ストで製作できる。
なように本発明のＧａＡｓへのＺｎの拡散方法は、含ま
れるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺ
ｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板にＺｎを拡散
させることにより、ＧａＡｓの表面の状態が良好で、拡
散形状も良好な半導体素子が製作でき、またＪ−ＦＥＴ
の製作の際にはチャンネル電流の制御が良好に行なうこ
とができるのであり、本発明によれば既述した従来の問
題点は良好に解決でき、半導体素子を高い歩留りで低コ
ストで製作できる。
【図１】含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合いがそれ
ぞれ異なるＺｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板
にＺｎを拡散させた場合のＧａＡｓの表面の状態と拡散
形状を例示した図である。
ぞれ異なるＺｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡｓの基板
にＺｎを拡散させた場合のＧａＡｓの表面の状態と拡散
形状を例示した図である。
【図２】ＺｎＡｓ２を拡散源として封管法によりＧａＡ
ｓの基板にＺｎを拡散させる場合の説明図である。
ｓの基板にＺｎを拡散させる場合の説明図である。
【図３】接合型電界効果トランジスタの製作工程の一部
の説明図である。
の説明図である。
【図４】接合型電界効果トランジスタの構成例を示す図
である。である。
である。である。
【図５】ＺｎＡｓ２を拡散源としてＧａＡｓの基板にＺ
ｎを拡散させた場合の問題点の説明に用いる図である。
ｎを拡散させた場合の問題点の説明に用いる図である。
１…半絶縁性ＧａＡｓ基板、２…半絶縁性ＧａＡｓバッ
ファ層、３…ｎ−ＧａＡｓ活性層、４…拡散阻止膜（Ｓ
ｉＮｘ膜）、５…Ｐ型のＧａＡｓ層、６…ゲート電極、
７…ソース電極、８…ドレイン電極、９…ウエハ、１０
…石英容器、１１…拡散源、１２…石英アンプル、１３
…炉、
ファ層、３…ｎ−ＧａＡｓ活性層、４…拡散阻止膜（Ｓ
ｉＮｘ膜）、５…Ｐ型のＧａＡｓ層、６…ゲート電極、
７…ソース電極、８…ドレイン電極、９…ウエハ、１０
…石英容器、１１…拡散源、１２…石英アンプル、１３
…炉、
Claims (2)
- 【請求項１】 含まれるＺｎ３Ａｓ２のモル数の割合
いが３％以下であるＺｎＡｓ２を拡散源として、ＧａＡ
ｓの基板にＺｎを拡散させるようにしたＧａＡｓへのＺ
ｎの拡散方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓの基板またはその上に結晶成
長させたＧａＡｓ層を有するウエハを、含まれるＺｎ３
Ａｓ２のモル数の割合いが３％以下であるＺｎＡｓ２を
拡散源として石英アンプル内に２．０Ｅ−４Ｔｏｒｒ以
下で封入し、摂氏５００度乃至摂氏７００度の温度範囲
の炉中に入れてＧａＡｓにＺｎを拡散させるようにした
ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16511391A JPH04364027A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16511391A JPH04364027A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04364027A true JPH04364027A (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15806158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16511391A Pending JPH04364027A (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | ＧａＡｓへのＺｎの拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04364027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109100B2 (en) * | 2002-09-05 | 2006-09-19 | Sony Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642335A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Zinc diffusion to 3-5 group compound semiconductor |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP16511391A patent/JPH04364027A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642335A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Fujitsu Ltd | Zinc diffusion to 3-5 group compound semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109100B2 (en) * | 2002-09-05 | 2006-09-19 | Sony Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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