JPH04362105A - 金属間化合物微粉末の製造方法 - Google Patents
金属間化合物微粉末の製造方法Info
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- JPH04362105A JPH04362105A JP3162021A JP16202191A JPH04362105A JP H04362105 A JPH04362105 A JP H04362105A JP 3162021 A JP3162021 A JP 3162021A JP 16202191 A JP16202191 A JP 16202191A JP H04362105 A JPH04362105 A JP H04362105A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
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- B22F9/023—Hydrogen absorption
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- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/047—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy comprising intermetallic compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特定の金属元素が水素
を吸収して崩壊する現象を利用し、数μm〜十数μm程
度の微細な粒径をもった金属間化合物微粉末を製造する
方法に関する。
を吸収して崩壊する現象を利用し、数μm〜十数μm程
度の微細な粒径をもった金属間化合物微粉末を製造する
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】粉末冶金等で所定形状の製品を製造する
際、金属を粉末状にした原料が使用される。或いは、所
定形状に焼結した焼結体に対して適宜の加工を施し、最
終製品にされる。また、導電性ペイント,磁気ベルト等
の製品を製造する場合にも、樹脂組成物,ゴム等に対す
る添加剤として金属粉末が使用される。このとき使用さ
れる金属粉末原料は、機械的な粉砕,酸化−還元,アト
マイジング等の種々の方法によって調製している。
際、金属を粉末状にした原料が使用される。或いは、所
定形状に焼結した焼結体に対して適宜の加工を施し、最
終製品にされる。また、導電性ペイント,磁気ベルト等
の製品を製造する場合にも、樹脂組成物,ゴム等に対す
る添加剤として金属粉末が使用される。このとき使用さ
れる金属粉末原料は、機械的な粉砕,酸化−還元,アト
マイジング等の種々の方法によって調製している。
【0003】たとえば、超電導材料として使用されるN
b3 Al金属間化合物材料にあっては、得ようとする
組成と同じ組成をもつ合金バルクからプラズマ回転電極
法,水素による還元反応を利用したHDHP法等で合金
粉末を製造している。また、機械的な撹拌により純Nb
粉末と純Al粉末とを合金化させるメカニカルアロイン
グ法が採用される場合もある。
b3 Al金属間化合物材料にあっては、得ようとする
組成と同じ組成をもつ合金バルクからプラズマ回転電極
法,水素による還元反応を利用したHDHP法等で合金
粉末を製造している。また、機械的な撹拌により純Nb
粉末と純Al粉末とを合金化させるメカニカルアロイン
グ法が採用される場合もある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般的に言って、高融
点金属間化合物からなる製品の製造には、溶製よりも粉
末冶金が適した製造法である。そのため、微細な粉末原
料を効率よく且つ安価に提供することが要求される。し
かし、従来の方法では、生産性,組成安定性,粒度分布
,設備負担等に問題があり、何れも要求を十分に満足し
ていないのが現状である。
点金属間化合物からなる製品の製造には、溶製よりも粉
末冶金が適した製造法である。そのため、微細な粉末原
料を効率よく且つ安価に提供することが要求される。し
かし、従来の方法では、生産性,組成安定性,粒度分布
,設備負担等に問題があり、何れも要求を十分に満足し
ていないのが現状である。
【0005】プラズマ回転電極法で金属間化合物微粉末
を製造する方法では、材料の脆さが影響して金属間化合
物の回転電極を成形することが困難である。このことは
、粉末の量産性の点で問題となる。また、広範囲にわた
る粒度分布は、得られた金属間化合物微粉末を圧粉成形
するときの成形性を低下させ、密度の高い圧粉成形体或
いは焼結体の製造を困難にする。
を製造する方法では、材料の脆さが影響して金属間化合
物の回転電極を成形することが困難である。このことは
、粉末の量産性の点で問題となる。また、広範囲にわた
る粒度分布は、得られた金属間化合物微粉末を圧粉成形
するときの成形性を低下させ、密度の高い圧粉成形体或
いは焼結体の製造を困難にする。
【0006】また、一部には、合金粒子に水素を吸収さ
せた後で、機械的な衝撃力を加えて合金バルクを粉砕す
ることによってNb3 Al金属間化合物を得ることも
知られている(たとえば、Journal of th
e Less−Common Metals, 158
(1990) 71−79及び同139(1988)
97−106)。水素吸収した金属間化合物粒子は、水
素化物となって脆化する。この脆化した金属間化合物粒
子は、機械的な衝撃力で微粉状に粉砕される。しかし、
水素吸収による脆化を前提としているため、使用する金
属間化合物は、極めて粒径の小さなものである。そのた
め、生産性が悪く、また製造技術にも特殊な熟練を必要
とする。
せた後で、機械的な衝撃力を加えて合金バルクを粉砕す
ることによってNb3 Al金属間化合物を得ることも
知られている(たとえば、Journal of th
e Less−Common Metals, 158
(1990) 71−79及び同139(1988)
97−106)。水素吸収した金属間化合物粒子は、水
素化物となって脆化する。この脆化した金属間化合物粒
子は、機械的な衝撃力で微粉状に粉砕される。しかし、
水素吸収による脆化を前提としているため、使用する金
属間化合物は、極めて粒径の小さなものである。そのた
め、生産性が悪く、また製造技術にも特殊な熟練を必要
とする。
【0007】本発明は、このような問題を解消すべく案
出されたものであり、特定元素を含む合金が水素吸収に
伴って自己崩壊する現象を発見した。この現象を利用し
、基本的には雰囲気調整だけの簡単な操作により、特別
な機械的エネルギー又は熱的エネルギーを必要とするこ
となく数μmから十数μmまでの粒径が揃った金属間化
合物微粉末を得ることを目的とする。
出されたものであり、特定元素を含む合金が水素吸収に
伴って自己崩壊する現象を発見した。この現象を利用し
、基本的には雰囲気調整だけの簡単な操作により、特別
な機械的エネルギー又は熱的エネルギーを必要とするこ
となく数μmから十数μmまでの粒径が揃った金属間化
合物微粉末を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の金属間化合物微
粉末の製造方法は、その目的を達成するため、周期律表
で第3族a,第4族a又は第5族aの金属を主成分とす
る金属間化合物原料の表面を酸化皮膜のない活性状態に
した後、水素雰囲気又は水素含有雰囲気と接触させるこ
とを特徴とする。
粉末の製造方法は、その目的を達成するため、周期律表
で第3族a,第4族a又は第5族aの金属を主成分とす
る金属間化合物原料の表面を酸化皮膜のない活性状態に
した後、水素雰囲気又は水素含有雰囲気と接触させるこ
とを特徴とする。
【0009】金属間化合物原料の表面を酸化皮膜のない
活性状態にする手段としては、非酸化性雰囲気中で溶解
し固化する方法、或いは酸化皮膜が形成している金属間
化合物原料を分塊したり亀裂を入れることによって活性
な金属表面を露出させる方法等がある。
活性状態にする手段としては、非酸化性雰囲気中で溶解
し固化する方法、或いは酸化皮膜が形成している金属間
化合物原料を分塊したり亀裂を入れることによって活性
な金属表面を露出させる方法等がある。
【0010】水素吸収により微粉化される金属間化合物
原料は、La,Nd,Zr,Nb,Ta等の第3族a,
第4族a又は第5族aの金属を主成分として含有する。 また、第二成分としては、本発明を拘束するものではな
いが、Ge,Sn,Fe,Ni,Al,Si等がある。
原料は、La,Nd,Zr,Nb,Ta等の第3族a,
第4族a又は第5族aの金属を主成分として含有する。 また、第二成分としては、本発明を拘束するものではな
いが、Ge,Sn,Fe,Ni,Al,Si等がある。
【0011】
【作 用】前掲のJournal of the L
ess−Common Metals, 158(19
90) 71−79及び同139(1988) 97−
106で紹介されているように、Nb3 Al金属間化
合物は、水素を吸収して脆化する。しかし、水素の吸収
には限界があり、脆化した金属間化合物粒子は、機械的
な衝撃力を加えない限り元の形態を保持している。本発
明は、この機械的衝撃によって粉砕するものとは基本的
に異なり、Nb3 Al金属間化合物の調査・研究の過
程で偶然に見出された水素雰囲気或いは水素含有雰囲気
中における自己崩壊現象を利用するものである。
ess−Common Metals, 158(19
90) 71−79及び同139(1988) 97−
106で紹介されているように、Nb3 Al金属間化
合物は、水素を吸収して脆化する。しかし、水素の吸収
には限界があり、脆化した金属間化合物粒子は、機械的
な衝撃力を加えない限り元の形態を保持している。本発
明は、この機械的衝撃によって粉砕するものとは基本的
に異なり、Nb3 Al金属間化合物の調査・研究の過
程で偶然に見出された水素雰囲気或いは水素含有雰囲気
中における自己崩壊現象を利用するものである。
【0012】Nb3 Al金属間化合物は、金属間化合
物表面に強力な酸化皮膜が形成されている。そのため、
従来の水素吸収は、この酸化皮膜に生じているピンホー
ル等の欠陥を介して行われる。そして、酸化皮膜の程度
によっては、水素吸収現象を呈さない場合もある。これ
に対し、酸化皮膜のないNb3 Al金属間化合物を水
素雰囲気或いは水素含有雰囲気と接触させるとき、水素
吸収は著しく早い速度で進行する。また、水素吸収に伴
って、金属間化合物バルク表面で微細な粒子が飛散する
現象が見られる。
物表面に強力な酸化皮膜が形成されている。そのため、
従来の水素吸収は、この酸化皮膜に生じているピンホー
ル等の欠陥を介して行われる。そして、酸化皮膜の程度
によっては、水素吸収現象を呈さない場合もある。これ
に対し、酸化皮膜のないNb3 Al金属間化合物を水
素雰囲気或いは水素含有雰囲気と接触させるとき、水素
吸収は著しく早い速度で進行する。また、水素吸収に伴
って、金属間化合物バルク表面で微細な粒子が飛散する
現象が見られる。
【0013】活性金属面と水素吸収との関係は、水素雰
囲気或いは水素含有雰囲気において金属間化合物バルク
を機械的な力で分塊するとき、急激な水素吸収反応が破
断面で検出されることからも確認される。すなわち、N
b3 Al金属間化合物が雰囲気中に僅かに含まれる酸
素と反応して表面酸化膜を形成すると、水素の吸収反応
が停止する。このような金属間化合物バルクを分塊する
と活性な金属表面が現れ、その金属表面で水素吸収が再
開する。また、表面に亀裂を入れ活性な表面を露出させ
ることによっても、水素吸収が再開する。
囲気或いは水素含有雰囲気において金属間化合物バルク
を機械的な力で分塊するとき、急激な水素吸収反応が破
断面で検出されることからも確認される。すなわち、N
b3 Al金属間化合物が雰囲気中に僅かに含まれる酸
素と反応して表面酸化膜を形成すると、水素の吸収反応
が停止する。このような金属間化合物バルクを分塊する
と活性な金属表面が現れ、その金属表面で水素吸収が再
開する。また、表面に亀裂を入れ活性な表面を露出させ
ることによっても、水素吸収が再開する。
【0014】活性金属面に対する水素の吸収は、Nb3
Al金属間化合物に限ったものではなく、La,Nd
,Zr,Ta等の他の第3族a,第4族a及び第5族a
の元素を主成分とする金属間化合物においても同様に検
出された。また、第2成分としてAlの外にGe,Sn
,In,Ga等を含む金属間化合物系においても、同様
に水素吸収による自己崩壊現象がみられた。また、主成
分の種類によっては、自己崩壊を起こす水素吸収反応が
緩慢なものもある。このような場合には、雰囲気温度及
び雰囲気水素圧を変化させ、水素と活性金属面との界面
反応を促進させることが有利である。
Al金属間化合物に限ったものではなく、La,Nd
,Zr,Ta等の他の第3族a,第4族a及び第5族a
の元素を主成分とする金属間化合物においても同様に検
出された。また、第2成分としてAlの外にGe,Sn
,In,Ga等を含む金属間化合物系においても、同様
に水素吸収による自己崩壊現象がみられた。また、主成
分の種類によっては、自己崩壊を起こす水素吸収反応が
緩慢なものもある。このような場合には、雰囲気温度及
び雰囲気水素圧を変化させ、水素と活性金属面との界面
反応を促進させることが有利である。
【0015】ただし、水素吸収による自己崩壊を効率よ
く進行させる上で、金属間化合物系に応じて第3族a,
第4族a及び第5族aの元素の含有量に最適範囲がある
。たとえば、Nb−Al系では、Nb3 Al,Nb2
Al,NbAl3 の3種類の金属間化合物があるが
、Nb含有量が多いものほど自己崩壊が活発であった。 Nb−Ge系ではNb3 Geが、Nb−Sn系ではN
b3 Snが、Nb−Ga系ではNb3 Gaが、Nb
−Si系ではNb3 Siの組成で、工業的に採用可能
な自己崩壊作用が実験的に確認された。Nb含有量がこ
の範囲にあるとき自己崩壊作用が活発に行われる詳細な
理由は不明であるが、水素化物を形成した際の結晶構造
の変化によるものと推察される。
く進行させる上で、金属間化合物系に応じて第3族a,
第4族a及び第5族aの元素の含有量に最適範囲がある
。たとえば、Nb−Al系では、Nb3 Al,Nb2
Al,NbAl3 の3種類の金属間化合物があるが
、Nb含有量が多いものほど自己崩壊が活発であった。 Nb−Ge系ではNb3 Geが、Nb−Sn系ではN
b3 Snが、Nb−Ga系ではNb3 Gaが、Nb
−Si系ではNb3 Siの組成で、工業的に採用可能
な自己崩壊作用が実験的に確認された。Nb含有量がこ
の範囲にあるとき自己崩壊作用が活発に行われる詳細な
理由は不明であるが、水素化物を形成した際の結晶構造
の変化によるものと推察される。
【0016】なお、自己崩壊現象は、金属間化合物系に
よっては比較的弱い場合がある。このような場合には、
水素雰囲気又は水素含有雰囲気或いは金属間化合物原料
の温度を変化させることによって、水素吸収を活発に行
わせ、自己崩壊を促進させることができる。たとえば、
Nb3 Alでは、室温より温度が低いほど、自己崩壊
が活発になる。
よっては比較的弱い場合がある。このような場合には、
水素雰囲気又は水素含有雰囲気或いは金属間化合物原料
の温度を変化させることによって、水素吸収を活発に行
わせ、自己崩壊を促進させることができる。たとえば、
Nb3 Alでは、室温より温度が低いほど、自己崩壊
が活発になる。
【0017】水素吸収によって微細化した粉末は、水素
化物となっている。そこで、真空雰囲気で高温加熱する
と、脱水素処理された微細な金属間化合物粉末となる。 また、得られた金属間化合物粉末に対し水素吸収及び脱
水素処理を繰り返すと、粒径が更に小さくなった超微粉
が得られる。
化物となっている。そこで、真空雰囲気で高温加熱する
と、脱水素処理された微細な金属間化合物粉末となる。 また、得られた金属間化合物粉末に対し水素吸収及び脱
水素処理を繰り返すと、粒径が更に小さくなった超微粉
が得られる。
【0018】活性金属面をもつ金属間化合物原料を調製
する方法としては、非酸化性雰囲気中で所定組成の金属
間化合物原料成分を溶解させる方法がある。たとえば、
Ar雰囲気が保持されたアーク炉の内部に水冷機構を備
えた銅ルツボを配置し、金属間化合物原料をアーク溶解
する。このときの雰囲気は、溶解中の原料の酸化を防止
すると共に金属間化合物原料中の酸化物を除去するため
に、水素を含有することができる。
する方法としては、非酸化性雰囲気中で所定組成の金属
間化合物原料成分を溶解させる方法がある。たとえば、
Ar雰囲気が保持されたアーク炉の内部に水冷機構を備
えた銅ルツボを配置し、金属間化合物原料をアーク溶解
する。このときの雰囲気は、溶解中の原料の酸化を防止
すると共に金属間化合物原料中の酸化物を除去するため
に、水素を含有することができる。
【0019】溶解によりNb3 Al金属間化合物が均
一組成となったときアーク放電を停止すると、溶融Nb
3 Al金属間化合物は、銅ルツボを介した抜熱により
急冷・凝固する。
一組成となったときアーク放電を停止すると、溶融Nb
3 Al金属間化合物は、銅ルツボを介した抜熱により
急冷・凝固する。
【0020】室温まで冷却されたNb3 Al金属間化
合物は、優れた水素吸収性を呈する。そこで、銅ルツボ
が配置されたチャンバーを真空排気した後、大気圧まで
水素をチャンバーに充満させる。その結果、Nb3 A
l金属間化合物は、水素吸収反応を開始し、自己崩壊的
に微細化する。水素吸収反応は、雰囲気中の水素含有量
の増加に応じて活発になる。
合物は、優れた水素吸収性を呈する。そこで、銅ルツボ
が配置されたチャンバーを真空排気した後、大気圧まで
水素をチャンバーに充満させる。その結果、Nb3 A
l金属間化合物は、水素吸収反応を開始し、自己崩壊的
に微細化する。水素吸収反応は、雰囲気中の水素含有量
の増加に応じて活発になる。
【0021】微細化された粉末は、水素化物となってい
るので、真空雰囲気で高温に加熱することにより脱水素
処理される。この真空加熱により吸収されている水素が
粉末から放出され、金属間化合物微粉末が得られる。真
空加熱の温度は、合金の種類に応じて異なるものである
が、たとえば水素吸収後のNb3 Al金属間化合物に
あっては800℃程度に加熱することにより十分な脱水
素が行われる。
るので、真空雰囲気で高温に加熱することにより脱水素
処理される。この真空加熱により吸収されている水素が
粉末から放出され、金属間化合物微粉末が得られる。真
空加熱の温度は、合金の種類に応じて異なるものである
が、たとえば水素吸収後のNb3 Al金属間化合物に
あっては800℃程度に加熱することにより十分な脱水
素が行われる。
【0022】この方法によるとき、アーク溶解した試料
をアーク炉に装入したままで、雰囲気を不活性雰囲気か
ら水素雰囲気又は水素含有雰囲気に変えるだけで、微細
化された金属間化合物微粉末が得られる。更に、粉末粒
子は、自己崩壊的に微細化されたものであるため、不規
則な表面形状を持ち比表面積の大きなものである。この
形態的な特徴のため、活性度が高く、圧粉性も優れてい
る。このようにして得られた金属間化合物微粉末は、そ
の物性を利用して、たとえば超電導材料,耐熱材料,磁
性材料,水素吸収材料等の種々の分野で使用される。
をアーク炉に装入したままで、雰囲気を不活性雰囲気か
ら水素雰囲気又は水素含有雰囲気に変えるだけで、微細
化された金属間化合物微粉末が得られる。更に、粉末粒
子は、自己崩壊的に微細化されたものであるため、不規
則な表面形状を持ち比表面積の大きなものである。この
形態的な特徴のため、活性度が高く、圧粉性も優れてい
る。このようにして得られた金属間化合物微粉末は、そ
の物性を利用して、たとえば超電導材料,耐熱材料,磁
性材料,水素吸収材料等の種々の分野で使用される。
【0023】
【実施例】以下、実施例により、本発明を具体的に説明
する。なお、実施例においては、本発明をNb3 Al
金属間化合物微粉末の製造に適用した例を説明している
が、本発明はこれに拘束されるものではなく、その他の
金属間化合物系に対しても同様に適用されることは勿論
である。
する。なお、実施例においては、本発明をNb3 Al
金属間化合物微粉末の製造に適用した例を説明している
が、本発明はこれに拘束されるものではなく、その他の
金属間化合物系に対しても同様に適用されることは勿論
である。
【0024】実施例1:本実施例では、図1に示した設
備構成をもつアーク溶解炉を使用した。溶解される合金
原料1は、水冷機構を内蔵した銅ルツボ2に装入された
状態でアーク溶解炉の内部に配置される。アーク溶解炉
としては、水冷機構を備えた二重構造の回収部3aを分
離可能に底部に取り付けた炉体3をもつものを使用した
。アーク溶解炉の内部には、ガスボンベ4から不活性ガ
ス,水素ガス等が導入される。炉内は、真空ポンプ5に
よって排気した後、適宜の不活性ガス或いは水素ガスを
導入することにより、非酸化性雰囲気又は水素雰囲気等
に維持される。
備構成をもつアーク溶解炉を使用した。溶解される合金
原料1は、水冷機構を内蔵した銅ルツボ2に装入された
状態でアーク溶解炉の内部に配置される。アーク溶解炉
としては、水冷機構を備えた二重構造の回収部3aを分
離可能に底部に取り付けた炉体3をもつものを使用した
。アーク溶解炉の内部には、ガスボンベ4から不活性ガ
ス,水素ガス等が導入される。炉内は、真空ポンプ5に
よって排気した後、適宜の不活性ガス或いは水素ガスを
導入することにより、非酸化性雰囲気又は水素雰囲気等
に維持される。
【0025】銅ルツボ2に対向して、タングステン電極
6が配置されている。このタングステン電極6と銅ルツ
ボ2との間に直流電源7から所定の電圧を印加し、発生
したアークを金属間化合物原料1に照射させる。金属間
化合物原料1は、銅ルツボ2内で溶解する。
6が配置されている。このタングステン電極6と銅ルツ
ボ2との間に直流電源7から所定の電圧を印加し、発生
したアークを金属間化合物原料1に照射させる。金属間
化合物原料1は、銅ルツボ2内で溶解する。
【0026】金属間化合物原料1として、Nb粉末18
g及びAl粉末2gを混合したものを用意した。この金
属間化合物原料1を銅ルツボ2に入れて、5%H2 −
Ar雰囲気に保持されたアーク炉に装入した。そして、
銅ルツボ2とタングステン電極6との間に20Vの電圧
を印加して300Aの通電を行い、金属間化合物原料1
をアーク溶解した。
g及びAl粉末2gを混合したものを用意した。この金
属間化合物原料1を銅ルツボ2に入れて、5%H2 −
Ar雰囲気に保持されたアーク炉に装入した。そして、
銅ルツボ2とタングステン電極6との間に20Vの電圧
を印加して300Aの通電を行い、金属間化合物原料1
をアーク溶解した。
【0027】金属間化合物原料1の溶解が完了した時点
で炉内を真空排気し、雰囲気圧が大気圧になるまで10
0%水素を導入した。凝固した塊状金属間化合物は、水
素導入と同時に激しく粉化し始めた。そして、約60分
間で塊状金属間化合物の全量が粉化した。得られた金属
間化合物微粉末を走査型電子顕微鏡で観察した結果を、
図2に示す。図2から明らかなように、不規則形状の粉
末粒子となっており、比表面積が極めて大きいことが判
る。また、粒度分布を示した図3から、平均粒径が13
.1μmの微細な金属間化合物粉末が得られていること
が判る。
で炉内を真空排気し、雰囲気圧が大気圧になるまで10
0%水素を導入した。凝固した塊状金属間化合物は、水
素導入と同時に激しく粉化し始めた。そして、約60分
間で塊状金属間化合物の全量が粉化した。得られた金属
間化合物微粉末を走査型電子顕微鏡で観察した結果を、
図2に示す。図2から明らかなように、不規則形状の粉
末粒子となっており、比表面積が極めて大きいことが判
る。また、粒度分布を示した図3から、平均粒径が13
.1μmの微細な金属間化合物粉末が得られていること
が判る。
【0028】次いで、炉内を真空排気し、炉壁を介した
伝熱によって昇温速度20℃/分で800℃まで粒状金
属間化合物を加熱した。図4は、このときの示差熱曲線
を示す。図4から明らかなように、500〜600℃の
範囲で激しい吸熱反応みられる。これは、金属間化合物
粉末が脱水素されていることを示すものである。
伝熱によって昇温速度20℃/分で800℃まで粒状金
属間化合物を加熱した。図4は、このときの示差熱曲線
を示す。図4から明らかなように、500〜600℃の
範囲で激しい吸熱反応みられる。これは、金属間化合物
粉末が脱水素されていることを示すものである。
【0029】また、これら各工程の金属間化合物原料或
いは金属間化合物粉末をX線回折したところ、図5に示
す回折パターンが得られた。図5(a)は、Nb粉末及
びAl粉末をアーク溶解した後の金属間化合物バルクの
回折パターンであり、Nb3Alを表す回折角にピーク
がみられた。この回折パターンは、金属間化合物バルク
に水素を吸収させた後で、図5(b)に示すように変化
した。すなわち、水素の吸収によって生成したNb3
AlHx を表す回折角にピークがずれている。そして
、脱水素処理後の材料では、図5(c)に示す回折パタ
ーンとなった。図5の(a)と(c)とを比較すると、
実質的に同じ傾向の回折パターンとなっており、脱水素
処理後の金属間化合物微粉末が溶解直後の金属間化合物
バルクと同じ組成をもっていることが判る。
いは金属間化合物粉末をX線回折したところ、図5に示
す回折パターンが得られた。図5(a)は、Nb粉末及
びAl粉末をアーク溶解した後の金属間化合物バルクの
回折パターンであり、Nb3Alを表す回折角にピーク
がみられた。この回折パターンは、金属間化合物バルク
に水素を吸収させた後で、図5(b)に示すように変化
した。すなわち、水素の吸収によって生成したNb3
AlHx を表す回折角にピークがずれている。そして
、脱水素処理後の材料では、図5(c)に示す回折パタ
ーンとなった。図5の(a)と(c)とを比較すると、
実質的に同じ傾向の回折パターンとなっており、脱水素
処理後の金属間化合物微粉末が溶解直後の金属間化合物
バルクと同じ組成をもっていることが判る。
【0030】実施例2:実施例1と同様のアーク溶解に
よって得られたNb3 Al金属間化合物バルクを、大
気中に取り出し1週間放置した。次いで、密閉チャンバ
ーに装入した後、チャンバー内を真空排気し、大気圧に
なるまで100%の水素ガスを導入した。この状態では
、金属間化合物バルクに何らの変化もみられなかった。
よって得られたNb3 Al金属間化合物バルクを、大
気中に取り出し1週間放置した。次いで、密閉チャンバ
ーに装入した後、チャンバー内を真空排気し、大気圧に
なるまで100%の水素ガスを導入した。この状態では
、金属間化合物バルクに何らの変化もみられなかった。
【0031】ところが、金属間化合物バルクの表面に疵
をつけ清浄な金属表面を露出させたところ、疵のある表
面部分から金属間化合物バルクの粉化が開始した。粉化
の進行に伴って金属間化合物バルクにクラックが入り、
より多くの活性金属面が露出するため、粉化現象が加速
度的に活発になった。そして、約60分後に粉化が完了
した。また、得られた微粉末を脱水素処理した後では、
実施例1と同じ粒度分布で平均粒径13.0μmの金属
間化合物微粉末で、当初の金属間化合物バルクと同じ組
成をもっていた。
をつけ清浄な金属表面を露出させたところ、疵のある表
面部分から金属間化合物バルクの粉化が開始した。粉化
の進行に伴って金属間化合物バルクにクラックが入り、
より多くの活性金属面が露出するため、粉化現象が加速
度的に活発になった。そして、約60分後に粉化が完了
した。また、得られた微粉末を脱水素処理した後では、
実施例1と同じ粒度分布で平均粒径13.0μmの金属
間化合物微粉末で、当初の金属間化合物バルクと同じ組
成をもっていた。
【0032】このことから、大気中に放置されたNb3
Al金属間化合物の表面には酸化皮膜が形成されてお
り、この酸化皮膜により水素吸収反応が阻害されている
ことが判る。そして、この酸化皮膜を破壊し活性な金属
表面を露出させるとき、雰囲気中の水素とNb3 Al
金属間化合物が反応し、水素吸収に起因する自己崩壊現
象が生起される。
Al金属間化合物の表面には酸化皮膜が形成されてお
り、この酸化皮膜により水素吸収反応が阻害されている
ことが判る。そして、この酸化皮膜を破壊し活性な金属
表面を露出させるとき、雰囲気中の水素とNb3 Al
金属間化合物が反応し、水素吸収に起因する自己崩壊現
象が生起される。
【0033】実施例3:金属間化合物バルクを水素吸収
させるときの雰囲気中に含まれる水素量を種々変化させ
て、微粉化が開始する水素濃度及び微粉化の程度を調査
した。金属間化合物バルクとしては、実施例1で調製し
たものと同じNb3 Al金属間化合物原料を使用した
。 その結果、水素濃度が高くなるに従って、Nb3 Al
金属間化合物の自己崩壊作用も活発となった。
させるときの雰囲気中に含まれる水素量を種々変化させ
て、微粉化が開始する水素濃度及び微粉化の程度を調査
した。金属間化合物バルクとしては、実施例1で調製し
たものと同じNb3 Al金属間化合物原料を使用した
。 その結果、水素濃度が高くなるに従って、Nb3 Al
金属間化合物の自己崩壊作用も活発となった。
【0034】実施例4:Nb,Al,Feの各種組成の
金属間化合物原料を、実施例1と同様のアーク溶解によ
って作製した。このNb−Al−Fe三元系において、
1気圧で100%の水素雰囲気と接触させることによる
金属間化合物の自己崩壊粉化組成範囲を図6に示した。 自己崩壊微粉化現象は、高濃度でNbを含有する組成範
囲に集約されていることが判る。
金属間化合物原料を、実施例1と同様のアーク溶解によ
って作製した。このNb−Al−Fe三元系において、
1気圧で100%の水素雰囲気と接触させることによる
金属間化合物の自己崩壊粉化組成範囲を図6に示した。 自己崩壊微粉化現象は、高濃度でNbを含有する組成範
囲に集約されていることが判る。
【0035】実施例5:Nb3 Si金属間化合物はN
b粉末22.8gとSi粉末2.2gとを、Nb3 G
e金属間化合物はNb粉末20.4gとGe粉末5.1
gとを、Zr3 Si金属間化合物はZr粉末22.6
8gとSi粉末2.3gとを、Ta5 Si金属間化合
物はTa粉末24.2gとSi粉末0.75gとを、N
d2 Fe14B金属間化合物はNd粉末6.5gとF
e粉末18gとB粉末0.2gとを、LaNi5 金属
間化合物はLa粉末8.17gとNi粉末17.5gと
を、それぞれ実施例1と同様のアーク溶解によって作製
した。
b粉末22.8gとSi粉末2.2gとを、Nb3 G
e金属間化合物はNb粉末20.4gとGe粉末5.1
gとを、Zr3 Si金属間化合物はZr粉末22.6
8gとSi粉末2.3gとを、Ta5 Si金属間化合
物はTa粉末24.2gとSi粉末0.75gとを、N
d2 Fe14B金属間化合物はNd粉末6.5gとF
e粉末18gとB粉末0.2gとを、LaNi5 金属
間化合物はLa粉末8.17gとNi粉末17.5gと
を、それぞれ実施例1と同様のアーク溶解によって作製
した。
【0036】得られた各種金属間化合物について、1気
圧で100%水素雰囲気と接触させることにより、自己
崩壊微粉化を行わせた。微粉化終了までの時間及び微粉
化終了時点における一次粒子径は、金属間化合物の種類
に応じてそれぞれ異なることが判明した。微粉化の難易
度は、おおよそ表1に示す通りである。
圧で100%水素雰囲気と接触させることにより、自己
崩壊微粉化を行わせた。微粉化終了までの時間及び微粉
化終了時点における一次粒子径は、金属間化合物の種類
に応じてそれぞれ異なることが判明した。微粉化の難易
度は、おおよそ表1に示す通りである。
【0037】
【表1】
【0038】なお、表1における微粉化難易度は、激し
く微粉化したものを◎,容易に微粉化したものを○,微
粉化に時間がかかったものを△で表示した。また、処理
方法Aは、1気圧,室温の100%水素雰囲気中で微粉
化させた後、100μm以上の粗粉(数%程度)をフル
イにより除去した場合である。他方、処理方法Bは、1
気圧,室温の100%水素雰囲気中で微粉化させたとき
、50%を超える多量の粗粉を含んでいたため、水素雰
囲気中で軽く摩砕することによって微粉化させた場合を
示す。処理方法Bでも、摩砕により微粉化は容易に進行
した。
く微粉化したものを◎,容易に微粉化したものを○,微
粉化に時間がかかったものを△で表示した。また、処理
方法Aは、1気圧,室温の100%水素雰囲気中で微粉
化させた後、100μm以上の粗粉(数%程度)をフル
イにより除去した場合である。他方、処理方法Bは、1
気圧,室温の100%水素雰囲気中で微粉化させたとき
、50%を超える多量の粗粉を含んでいたため、水素雰
囲気中で軽く摩砕することによって微粉化させた場合を
示す。処理方法Bでも、摩砕により微粉化は容易に進行
した。
【0039】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、Nbを始めとする第3族a,第4族a及び第5族a
の元素を主成分とする金属間化合物が水素吸収によって
自己崩壊する性質を利用し、基本的には雰囲気調整のみ
の簡単な操作で微細な金属間化合物粉末を製造している
。この方法は、金属元素と水素原子との間の反応に基づ
くものであるため、機械的な撹拌等と異なり、シャープ
な粒度分布をもった微粉末が得られる。しかも、設備的
にも大掛かりなものが必要とされず、生産性に優れた方
法である。
は、Nbを始めとする第3族a,第4族a及び第5族a
の元素を主成分とする金属間化合物が水素吸収によって
自己崩壊する性質を利用し、基本的には雰囲気調整のみ
の簡単な操作で微細な金属間化合物粉末を製造している
。この方法は、金属元素と水素原子との間の反応に基づ
くものであるため、機械的な撹拌等と異なり、シャープ
な粒度分布をもった微粉末が得られる。しかも、設備的
にも大掛かりなものが必要とされず、生産性に優れた方
法である。
【図1】 本発明実施例で採用したアーク溶解炉の概
略断面図
略断面図
【図2】 実施例1で製造したNb3 Al金属間化
合物微粉末を示す写真
合物微粉末を示す写真
【図3】 同じくNb3 Al金属間化合物微粉末の
粒度分布を示すグラフ
粒度分布を示すグラフ
【図4】 同じくNb3 Al金属間化合物微粉末の
示差熱曲線
示差熱曲線
【図5】 金属間化合物バルク,水素化処理後の微粉
末及び脱水素処理後の金属間化合物微粉末のX線回折パ
ターンを示す。
末及び脱水素処理後の金属間化合物微粉末のX線回折パ
ターンを示す。
【図6】 Nb−Al−Fe三元系の微粉化組成範囲
を示す。
を示す。
1 金属間化合物原料 2 水冷銅ルツボ
3 炉体 3a 回収部 4 ガスボンベ 5 真空ポン
プ 6 タングステン電極 7 直流電源
3 炉体 3a 回収部 4 ガスボンベ 5 真空ポン
プ 6 タングステン電極 7 直流電源
Claims (5)
- 【請求項1】 周期律表で第3族a,第4族a又は第
5族aの金属を主成分とする合金原料の表面を酸化皮膜
のない活性状態にした後、水素雰囲気又は水素含有雰囲
気と接触させることを特徴とする金属間化合物微粉末の
製造方法。 - 【請求項2】 非酸化性雰囲気中で溶解し固化した請
求項1記載の合金原料を、非酸化性の水素含有雰囲気と
接触させることを特徴とする金属間化合物微粉末の製造
方法。 - 【請求項3】 分塊又は亀裂を入れることにより請求
項1記載の合金原料の活性な金属表面を露出させ、水素
雰囲気又は水素含有雰囲気と接触させることを特徴とす
る金属間化合物微粉末の製造方法。 - 【請求項4】 請求項1〜3の何れかに記載の第3族
a,第4族a又は第5族aの金属は、La,Nd,Zr
,Nb,Taから選ばれた元素であることを特徴とする
金属間化合物微粉末の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1〜3の何れかに記載の金属間
化合物が、Ge,Sn,Fe,Ni,Ga,Al,Si
の1種又は2種以上を第2成分として含有していること
を特徴とする金属間化合物微粉末の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3162021A JPH04362105A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 金属間化合物微粉末の製造方法 |
US07/941,278 US5338333A (en) | 1991-06-06 | 1992-09-04 | Production of powdery intermetallic compound having very fine particle size |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3162021A JPH04362105A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 金属間化合物微粉末の製造方法 |
US07/941,278 US5338333A (en) | 1991-06-06 | 1992-09-04 | Production of powdery intermetallic compound having very fine particle size |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04362105A true JPH04362105A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=26487953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3162021A Withdrawn JPH04362105A (ja) | 1991-06-06 | 1991-06-06 | 金属間化合物微粉末の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5338333A (ja) |
JP (1) | JPH04362105A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5605585A (en) * | 1993-07-15 | 1997-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing hydrogen storage alloy particles and sealed-type nickel-metal hydride storage battery using the same |
EP0843371B1 (en) * | 1996-11-18 | 2000-10-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Hydrogen storage alloy powder and an electrode comprising the same |
US6247660B1 (en) * | 1998-10-07 | 2001-06-19 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Process for hydrogen-pulverizing a rare earth metal-based magnetic material, and hydrogen-pulverizing case |
US6699821B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-03-02 | Composite Materials Technology, Inc. | Nb3Al superconductor and method of manufacture |
DE102006015167B3 (de) * | 2006-03-30 | 2007-07-19 | W.C. Heraeus Gmbh | Verbund aus intermetallischen Phasen und Metall |
CN115213417B (zh) * | 2022-07-25 | 2023-09-05 | 北京航空航天大学 | 一种采用氢化脱氢制备Nb-Si基合金粉末的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4565686A (en) * | 1981-01-21 | 1986-01-21 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method of storing hydrogen using nonequilibrium materials and system |
JPS6169932A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Univ Osaka | 格子欠陥を用いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス化促進方法 |
JPS6169931A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Univ Osaka | 化学反応による金属間化合物のアモルフアス化方法 |
-
1991
- 1991-06-06 JP JP3162021A patent/JPH04362105A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-09-04 US US07/941,278 patent/US5338333A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5338333A (en) | 1994-08-16 |
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