JPH0436152B2 - - Google Patents

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JPH0436152B2
JPH0436152B2 JP23182784A JP23182784A JPH0436152B2 JP H0436152 B2 JPH0436152 B2 JP H0436152B2 JP 23182784 A JP23182784 A JP 23182784A JP 23182784 A JP23182784 A JP 23182784A JP H0436152 B2 JPH0436152 B2 JP H0436152B2
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JP
Japan
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lower alkyl
alkyl group
formula
alkyl
derivative
Prior art date
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JP23182784A
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JPS61109771A (ja
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Susumu Yamamoto
Eiichi Ooya
Toshiaki Sato
Katsuyuki Morimoto
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Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は1−アルキル−4−カルボキシ−5−
アルキルチオピラゾール誘導体および1−アルキ
ル−4−カルボキシ−5−ベンジルチオピラゾー
ル誘導体およびそれらの製法に関する。
1−アルキル−4−カルボキシ−5−アルキル
チオピラゾール誘導体および1−アルキル−4−
カルボキシ−5−ベンジルチオピラゾール誘導体
は医薬、農薬等の中間体として有用である。例え
ば特開昭59−122488号公報、ヨーロツパ特許公開
87780号公報等に記載の除草剤の中間体として有
用である。
すなわち、以下の反応に従つて1−アルキル−
4−カルボキシピラゾール−5−スルホンアミド
誘導体に導き、さらに前記特許出願公開明細書に
記載された方法に従つて目的とする除草剤を得る
ことができる。
〔式中Aは低級アルキル基を、R1は水素原子
または低級アルキル基を、R2は低級アルキル基
またはベンジル基を示す。〕 従来の技術 1−アルキル−4−カルボキシピラゾール−5
−スルホンアミド誘導体を得るには従来以下のよ
うな方法が知られている。
(1) 1−アルキル−4−カルボキシ−5−ヒドロ
キシピラゾール誘導体をオキシ塩化燐等と加熱
反応させることによりハロゲン化して1−アル
キル−4−カルボキシ−5−ハロゲノピラゾー
ル誘導体を得、これに硫化ソーダを作用させ1
−アルキル−4−カルボキシ−5−メルカプト
ピラゾール誘導体を得、更に塩素で酸化した後
アンモニア水を作用させて1−アルキル−4−
カルボキシピラゾール−5−スルホンアミド誘
導体を得る。
〔式中Aは低級アルキル基を、R1は水素原
子または低級アルキル基を、Xはハロゲン原子
を示す。〕 (2) 1−H−4−カルボキシピラゾール−5−ス
ルホンアミド誘導体をアルキル化して1−アル
キル−4−カルボキシピラゾール−5−スルホ
ンアミド誘導体を得る。
〔式中Aは低級アルキル基を、R1は水素原
子または低級アルキル基を、Yはハロゲン原子
または硫酸エステル残基を示す。〕 (3) 1−アルキル−4−カルボキシ−5−アミノ
ピラゾール誘導体を亜硝酸ソーダ等でジアゾニ
ウム塩とし、塩酸、銅系触媒、過剰の二酸化イ
オウで酢酸溶媒下分解し、対応する1−アルキ
ル−4−カルボキシピラゾール−5−スルホニ
ルクロライド誘導体を得る。これに、アンモニ
ア水を処理し目的の1−アルキル−4−カルボ
キシピラゾール−5−スルホンアミド誘導体を
得る。
発明が解決しようとする問題点 前記方法(1)を用いる場合、5位のヒドロキシ基
をハロゲン化する工程の問題点として以下のよう
な点があげられる。
原料に4位にカルボン酸エステルをもつピラ
ゾールを用じた場合、エステルの加水分解に由
来する4−カルボン酸ピラゾールが副生する。
4位−カルボン酸エステルを目的物とする場合
にはさらにエステル化工程を必要とする。
反応試剤として多量のオキシ塩化燐またはオ
キシ臭化燐を使用するため、反応終了後過剰の
オキシ塩化燐またはオキシ臭化燐を除去処理す
る必要がある。経済的に不利なだけでなく、廃
液中の燐分処理が必要となり必ずしも工業的に
は有利といえない。
長時間、高温の反応条件を必要とする。エネ
ルギーコストの面から、工業的に不利である。
収率が低い。
前記方法(2)の問題点として以下のような点があ
げられる。
アルキル化に位置選択性がないので、生成物
が1−アルキル−4−カルボキシピラゾール−
5−スルホンアミド誘導体と1−アルキル−4
−カルボキシピラゾール−3−スルホンアミド
誘導体の混合物として得られる。目的物の収率
が低下するだけでなく、分離が困難である。
〔式中Aは低級アルキル基を、R1は水素原子
または低級アルキル基を、Yはハロゲン原子ま
たは硫酸エステル残基を示す。〕 前記方法(3)の問題点として以下のような点があ
げられる。
触媒に環境衛生上問題を有する銅のような重
金属を用いる必要がある。
スルホニルクロライドを得る、ジアゾニウム
塩の分解工程が必ずしも高収率でない。
分解工程で多量の酢酸、二酸化イオウを用い
る。
問題点を解決するための手段及び発明の態様 本発明者らは、一般式(): 〔式中R1は水素原子または低級アルキル基を
示す。〕 で表されるホルミル酢酸誘導体と次式(): 〔式中Aは低級アルキル基を、R2は低級アル
キル基またはベンジル基を示す。〕 で表されるジチオカルバジン酸誘導体とを不活性
溶媒中で反応させることで一般式(): を得、塩素で酸化した後アンモニウム水を作用さ
せて1−アルキル−4−カルボキシピラゾール−
5−スルホンアミド誘導体が得られる事を見出し
た。ここで一般式()で表される化合物は新規
化合物であり、またこの化合物を用いることによ
つて除草剤として有用であることが知られている
特開昭59−122488号公報、ヨーロツパ特許公開
87780号公報等に記載の除草剤が短工程、高収率
にしかも高品質で得られることを見出し本発明を
完成させた。
一般式()および()を反応させるには、
反応溶媒としてはエーテル、テトラヒドロフラン
等のエーテル誘導体、ベンゼン、トルエン等のベ
ンゼン誘導体、メタノール、エタノール等のアル
コール誘導体、ジクロルエタン、四塩化炭素等の
ハロゲン化アルキル誘導体等が用いられる。反応
は室温でも進行し、通常−20〜80℃程度の温度で
行われる。生成するイオウは反応後濾過すること
によつて取り除くことができる。
発明の効果 本発明の利点として以下のような点が列挙でき
る。
(1) 工程が短く、工業的に平易なプロセスであ
る。
(2) 異性体の副性がない。
(3) 環境衛生上問題となる重金属等を使用せず、
廃棄物処理の問題がない。
実施例及び参考例 以下に本発明の具体的実施例を示すが、本発明
の要旨を越えない限り本発明は以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例 1 5−ベンジルチオ−1−メチルピラゾール−4
−カルボン酸エチル テトラヒドロフラン10ml中にα−クロルホルミ
ル酢酸エチル1.51gを加え攪拌下0℃に冷却した
中へ2−メチルジチオカルバジン酸ベンジル1.51
gを少しずつ加えた。その後室温にて一夜攪拌し
た。析出固体を濾過後、濾液の溶媒を留去した。
次いでベンゼン20mlを加え、炭酸カリウム水溶液
で洗浄後、溶媒を留去し粗物の5−ベンジルチオ
−1−メチルピラゾール−4−カルボン酸エチル
を得た。収率85.5% 融点54〜55℃ 実施例 2 5−メチルチオ−1−メチルピラゾール−4−
カルボン酸エチル 上記実施例1に準じて2−メチルジチオカルバ
ジン酸メチル1.36gとα−クロルホルミル酢酸エ
チル1.51gより得た。
収率82.8% 沸点165〜170℃/25mmHg 実施例 3 5−エチルチオ−1−メチルピラゾール−4−
カルボン酸エチル 上記実施例1に準じて2−メチルジチオカルバ
ジン酸エチル1.5gとα−クロルホルミル酢酸エ
チル1.51gより得た。
収率83.8% 沸点 83℃/0.07mmHg 実施例 4 5−t−ブチルチオ−1−メチルピラゾール−
4−カルボン酸エチル 上記実施例1に準じて2−メチルジチオカルバ
ジン酸−t−ブチル(融点60〜61℃)1.87gとα
−クロルホルミル酢酸エチル1.51gより得た。
収率82.3% 沸点 97℃/0.07mmHg ここで得られた1−アルキル−4−カルボキシ
−5−アルキルチオピラゾール誘導体および1−
アルキル−4−カルボキシ−5−ベンジルチオピ
ラゾール誘導体は以下の参考例に準じて、1−ア
ルキル−4−カルボキシピラゾール−5−スルホ
ンアミド誘導体に導くことができる。
参考例 1 1−メチル−4−エトキシカルボニルピラゾー
ル−5−スルホンアミドの合成 5−ベンジルチオ−1−メチルピラゾール−4
−カルボン酸エチル3.6gを80%酢酸水溶液40ml
に溶解し10℃以下の温度で塩素を飽和になるまで
吹き込んだ。飽和後30分間攪拌した。次ぎに水50
ml、ベンゼン50mlを加え攪拌した後有機層を分離
した。水層からベンゼン50mlで抽出した後、抽出
液を先の有機層と合わせ、水洗後、無水硫酸ナト
リウムで脱水、溶媒留去して粗製の1−メチル−
4−エトキシカルボニルピラゾール−5−スルホ
ニルクロライド(沸点130℃/2mmHg)5.4gを
得た。次ぎに得られたスルホニルクロライドにジ
クロルエタン20ml、炭酸アンモニウム2.4gを加
え、一夜攪拌した後、不溶物を濾過し、濾液の溶
媒を留去することによつて粗製の目的物を得た。
放置後析出した結晶2.6gを得た。
収率85.6% 融点 102〜104℃ 参考例 2 1−メチル−4−エトキシカルボニルピラゾー
ル−5−スルホンアミドの合成(別法)5−t−
ブチルチオ−1−メチルピラゾール−4−カルボ
ン酸エチル4.8gを用い参考例1に準じて目的物
4.1gを得た。収率88.7%

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式(): 〔式中Aは低級アルキル基を、R1が水素原子
    または低級アルキル基を、R2は低級アルキル基
    またはベンジル基を示す。〕 で表されるピラゾール誘導体。 2 一般式(): 〔式中R1は水素原子または低級アルキル基を
    示す。〕 で表わされるホルミル酢酸誘導体と次式(): 〔式中Aは低級アルキル基を、R2は低級アル
    キル基またはベンジル基を示す。〕 で表されるジチオカルバジン酸誘導体とを不活性
    溶媒中で反応させることを特徴とする一般式
    (): 〔式中Aは低級アルキル基を、R1は水素原子
    または低級アルキル基を、R2は低級アルキル基
    またはベンジル基を示す。〕 で表されるピラゾール誘導体の製法。
JP23182784A 1984-11-02 1984-11-02 ピラゾ−ル誘導体およびその製法 Granted JPS61109771A (ja)

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EP0602589B1 (en) * 1992-12-17 1996-06-26 Lucky Ltd. Processes for preparation of 5-pyrazolemercaptan derivatives and intermediates thereof

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