JPH04357156A - セラミックス複合粉末及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス複合粉末及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04357156A JPH04357156A JP3038887A JP3888791A JPH04357156A JP H04357156 A JPH04357156 A JP H04357156A JP 3038887 A JP3038887 A JP 3038887A JP 3888791 A JP3888791 A JP 3888791A JP H04357156 A JPH04357156 A JP H04357156A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- powder
- dispersed
- composite powder
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 25
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;titanium Chemical compound [Ti].CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- -1 titanium alkoxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、粉末内にマトリックス
とは異なったセラミックス又は金属の微細粒子を分散し
たセラミックス複合粉末及びその製造方法に関するもの
である。
とは異なったセラミックス又は金属の微細粒子を分散し
たセラミックス複合粉末及びその製造方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】セラミックス材料はセラミックスが本来
もつ優れた特性(耐熱性、強度、耐摩耗性、耐食性等)
を充分に発揮させ、広範囲の実用化がすすめられている
。さらに高性能の材料とするために複合化がすすめられ
、例えば、ニューセラミックス(1989、No.5、
p65〜)に示されているようにミクロ複合材料(ウィ
スカー複合、長繊維複合等)あるいはナノ複合材料(ナ
ノメートルオーダーの粒子を複合)等が行われている。 又、本発明者らは、すでに窒化アルミニウム中に微細化
合物を分散させた焼結体を提案している。特に複合化に
おいては複合化要素の微細化が試みられている。
もつ優れた特性(耐熱性、強度、耐摩耗性、耐食性等)
を充分に発揮させ、広範囲の実用化がすすめられている
。さらに高性能の材料とするために複合化がすすめられ
、例えば、ニューセラミックス(1989、No.5、
p65〜)に示されているようにミクロ複合材料(ウィ
スカー複合、長繊維複合等)あるいはナノ複合材料(ナ
ノメートルオーダーの粒子を複合)等が行われている。 又、本発明者らは、すでに窒化アルミニウム中に微細化
合物を分散させた焼結体を提案している。特に複合化に
おいては複合化要素の微細化が試みられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のナノメートルオ
ーダーでの複合化においては、セラミックス粉と微細分
散粒子を混合し、焼結するか、あるいはCVD法(化学
的蒸着法)、プリカーサーを合成焼結する方法が行われ
ているが、焼結法では焼結途中での粒成長等からの不均
一性、CVD法では生産性が小さい、プリカーサー法で
はプリカーサーの取り扱いが困難あるいは組合わせの限
界があるといった問題が発生する。
ーダーでの複合化においては、セラミックス粉と微細分
散粒子を混合し、焼結するか、あるいはCVD法(化学
的蒸着法)、プリカーサーを合成焼結する方法が行われ
ているが、焼結法では焼結途中での粒成長等からの不均
一性、CVD法では生産性が小さい、プリカーサー法で
はプリカーサーの取り扱いが困難あるいは組合わせの限
界があるといった問題が発生する。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決せんとするもので、セラミックス粉末の内部にセラミ
ックス又は金属の微細粒子が分散してなることを特徴と
するセラミックス複合粉末と、加熱によりセラミックス
粉末に変化するセラミックス前駆体と加熱により微細分
散粒子に変化する分散粒子前駆体とを混合したのち、加
熱することを特徴とするセラミックス複合粉末の製造方
法である。
決せんとするもので、セラミックス粉末の内部にセラミ
ックス又は金属の微細粒子が分散してなることを特徴と
するセラミックス複合粉末と、加熱によりセラミックス
粉末に変化するセラミックス前駆体と加熱により微細分
散粒子に変化する分散粒子前駆体とを混合したのち、加
熱することを特徴とするセラミックス複合粉末の製造方
法である。
【0005】本発明におけるセラミックス粉末の種類に
は特に限定を受けないが、特にSi、Al、Bの窒化物
、炭化物、酸化物からなる場合に工業的価値が大きい。 また、分散粒子のセラミックス又は金属の微細粒子につ
いても特に限定を受けないが、粉末の組成とは異なった
セラミックス微細粒子、例えばSi3N4、SiC、T
iC、TiN等に非酸化性あるいはAl2O3、BaT
iO3等の酸化物や、W、Mo、Ti、V、Fe、Mn
等遷移金属に代表される高融点金属微細粒子が好ましい
。
は特に限定を受けないが、特にSi、Al、Bの窒化物
、炭化物、酸化物からなる場合に工業的価値が大きい。 また、分散粒子のセラミックス又は金属の微細粒子につ
いても特に限定を受けないが、粉末の組成とは異なった
セラミックス微細粒子、例えばSi3N4、SiC、T
iC、TiN等に非酸化性あるいはAl2O3、BaT
iO3等の酸化物や、W、Mo、Ti、V、Fe、Mn
等遷移金属に代表される高融点金属微細粒子が好ましい
。
【0006】
【作用】本発明の複合粉末は、主として焼結によってセ
ラミックス焼結体を得るためのもので、焼結性に優れて
いることが望ましい。そのため平均粒径2μm以下とす
ることが望ましい。又、分散粒子は微細であることが必
要であるが、一般に1μm以下さらに好ましくは100
μm以下がよい。
ラミックス焼結体を得るためのもので、焼結性に優れて
いることが望ましい。そのため平均粒径2μm以下とす
ることが望ましい。又、分散粒子は微細であることが必
要であるが、一般に1μm以下さらに好ましくは100
μm以下がよい。
【0007】本発明の粉末は、加熱によりセラミックス
に変換する前駆体と分散粒子に変換する前駆体を均一に
混合したのち、加熱合成することによってセラミックス
粉末内部に粒子が分散した構造の複合粉末が得られる。 例えば、SiN4前駆体としてアモルファス状態のSi
−N−O−C化合物あるいはAlN前駆体としてアモル
ファス状態のAl−N−O−C化合物、Ti化合物分散
粒子の前駆体としてチタンアルコキシド、ステアリン酸
チタニウム等が用いられる。これら前駆体はボールミル
、超音波等で十分に混合され、例えば窒素中1300〜
1700℃で加熱することによって、AlN−TiNあ
るいはSi3N4−TiN複合粉末を得ることができる
。以上はAlNあるいはSi3N4とTiNとの組合わ
せについて述べているが、他の組合わせも可能であり、
なんら制限するものではない。
に変換する前駆体と分散粒子に変換する前駆体を均一に
混合したのち、加熱合成することによってセラミックス
粉末内部に粒子が分散した構造の複合粉末が得られる。 例えば、SiN4前駆体としてアモルファス状態のSi
−N−O−C化合物あるいはAlN前駆体としてアモル
ファス状態のAl−N−O−C化合物、Ti化合物分散
粒子の前駆体としてチタンアルコキシド、ステアリン酸
チタニウム等が用いられる。これら前駆体はボールミル
、超音波等で十分に混合され、例えば窒素中1300〜
1700℃で加熱することによって、AlN−TiNあ
るいはSi3N4−TiN複合粉末を得ることができる
。以上はAlNあるいはSi3N4とTiNとの組合わ
せについて述べているが、他の組合わせも可能であり、
なんら制限するものではない。
【0008】得られた複合粉末は公知の方法により成形
、焼結によって緻密化し、複合焼結体が得られる。こう
して得た焼結体は、従来の単味焼結体に比べ、機械的強
度、靭性が著しく大きく、又、絶縁性セラミックスに導
電性粒子を複合した場合でもその絶縁性は広い添加量に
よって維持することができる。そのため、絶縁性を維持
し、かつ、高強度のセラミックスを得ることができる。
、焼結によって緻密化し、複合焼結体が得られる。こう
して得た焼結体は、従来の単味焼結体に比べ、機械的強
度、靭性が著しく大きく、又、絶縁性セラミックスに導
電性粒子を複合した場合でもその絶縁性は広い添加量に
よって維持することができる。そのため、絶縁性を維持
し、かつ、高強度のセラミックスを得ることができる。
【0009】
【実施例】以下実施例を挙げて説明する。
実施例1
SiCl4を窒素中で900℃に加熱し、BETが10
0m2/gのSi3N4粉を得た。得られた粉末は酸素
が3%含まれた。Si3N4粉にステアリン酸チタニウ
ムを50%加え、ヘキサン中で十分混合した。乾燥後、
窒素気流中1500℃で1時間加熱したところ、平均粒
径0.6μmで粒内に平均粒径50nmのTiN粒子が
分散した構造の粉末が得られた。Tiの含有量は0.7
%であった。又、酸素量は0.8%、陽イオン不純物は
Tiを除いて100ppmを越えるものはなかった。得
られた粉末に成形バインダーと焼結助剤としてY2O3
を1.0wt%添加し、60×60×0.7mmのシー
トを成形し、1800℃×2時間N2気流中で焼結した
。焼結体は熱伝導率80w/mk、抗析力120kg/
mm2で、破壊靭性(KIC)は8MN/m3/2であ
った。
0m2/gのSi3N4粉を得た。得られた粉末は酸素
が3%含まれた。Si3N4粉にステアリン酸チタニウ
ムを50%加え、ヘキサン中で十分混合した。乾燥後、
窒素気流中1500℃で1時間加熱したところ、平均粒
径0.6μmで粒内に平均粒径50nmのTiN粒子が
分散した構造の粉末が得られた。Tiの含有量は0.7
%であった。又、酸素量は0.8%、陽イオン不純物は
Tiを除いて100ppmを越えるものはなかった。得
られた粉末に成形バインダーと焼結助剤としてY2O3
を1.0wt%添加し、60×60×0.7mmのシー
トを成形し、1800℃×2時間N2気流中で焼結した
。焼結体は熱伝導率80w/mk、抗析力120kg/
mm2で、破壊靭性(KIC)は8MN/m3/2であ
った。
【0010】実施例2
AlCl3を窒素気流中850℃に加熱し、BETが1
50m2/gのAIN粉を得た。得られた粉末中には酸
素が5%含まれた。AIN粉にステアリン酸チタニウム
を50%加え、グローボックス中でヘキサン溶媒を用い
て十分混合した。乾燥後、窒素気流中1500℃で1時
間加熱し、平均粒径0.5μmで粒内に80nmのTi
N粒子が分散した構造の粉末が得られた。Tiの含有量
は3.5%であった。 又、酸素量は0.7%、陽イオン不純物はTiを除いて
100ppmを越えるものはなかった。得られた粉末に
成形バインダーと焼結助剤としてY2O3を1.0wt
%添加し、60×60× 0.7mmのシートを成形
し、1800℃×2時間N2気流中で焼結した。焼結体
は熱伝導率190w/mk、抗析力100kg/mm2
で、破壊靭性(KIC)は6MN/m3/2であった。 従来のAIN焼結体に比べ、極めて抗析力が高く、又、
可視光の透過性もなかった。
50m2/gのAIN粉を得た。得られた粉末中には酸
素が5%含まれた。AIN粉にステアリン酸チタニウム
を50%加え、グローボックス中でヘキサン溶媒を用い
て十分混合した。乾燥後、窒素気流中1500℃で1時
間加熱し、平均粒径0.5μmで粒内に80nmのTi
N粒子が分散した構造の粉末が得られた。Tiの含有量
は3.5%であった。 又、酸素量は0.7%、陽イオン不純物はTiを除いて
100ppmを越えるものはなかった。得られた粉末に
成形バインダーと焼結助剤としてY2O3を1.0wt
%添加し、60×60× 0.7mmのシートを成形
し、1800℃×2時間N2気流中で焼結した。焼結体
は熱伝導率190w/mk、抗析力100kg/mm2
で、破壊靭性(KIC)は6MN/m3/2であった。 従来のAIN焼結体に比べ、極めて抗析力が高く、又、
可視光の透過性もなかった。
【0011】実施例3
BCl4をCH4と同時に900℃に加熱し、BETが
80m2/gのB4C微粒子を得た。得られたB4C粉
にステアリン酸チタニウムを50%加え、ヘキサン中で
十分混合した。乾燥後、窒素気流中1500℃で1時間
加熱したところ、平均粒径0.6μmで粒内に平均粒径
50nmのTiN粒子が分散した構造の粉末が得られた
。Tiの含有量は0.7%であった。又、酸素量は0.
8%、陽イオン不純物はTiを除いて100ppmを越
えるものはなかった。得られた粉末を2000℃×1時
間、加圧力200kg/cm2で、40×40×5mm
にArガス中でホットプレスした。焼結体は緻密質で、
抗折力は100kg/mm2であった。
80m2/gのB4C微粒子を得た。得られたB4C粉
にステアリン酸チタニウムを50%加え、ヘキサン中で
十分混合した。乾燥後、窒素気流中1500℃で1時間
加熱したところ、平均粒径0.6μmで粒内に平均粒径
50nmのTiN粒子が分散した構造の粉末が得られた
。Tiの含有量は0.7%であった。又、酸素量は0.
8%、陽イオン不純物はTiを除いて100ppmを越
えるものはなかった。得られた粉末を2000℃×1時
間、加圧力200kg/cm2で、40×40×5mm
にArガス中でホットプレスした。焼結体は緻密質で、
抗折力は100kg/mm2であった。
【0012】
【発明の効果】本発明は、セラミックス粉と微細分散粒
子との焼結体を製造するのに適した複合粉末材料であっ
て、焼結法では焼結途中での粒成長等に基づく不均一性
を解除し、又、プリカーサー法におけるプリカーサーの
取り扱いの困難さを除き、常法のセラミックス製造方法
によって安定して優れた特性のセラミックス複合焼結体
が得られるものである。
子との焼結体を製造するのに適した複合粉末材料であっ
て、焼結法では焼結途中での粒成長等に基づく不均一性
を解除し、又、プリカーサー法におけるプリカーサーの
取り扱いの困難さを除き、常法のセラミックス製造方法
によって安定して優れた特性のセラミックス複合焼結体
が得られるものである。
Claims (4)
- 【請求項1】 セラミックス粉末の内部にセラミック
ス又は金属の微細粒子が分散してなることを特徴とする
セラミックス複合粉末。 - 【請求項2】 セラミックス粉末がSi、Al、Bの
窒化物、炭化物、酸化物の1種又は2種以上であり、該
セラミックス粉末の内部に分散したセラミックスの微細
粒子が窒化物、炭化物、酸化物の1種又は2種以上であ
る請求項1記載のセラミックス複合粉末。 - 【請求項3】 加熱によりセラミックス粉末に変化す
るセラミック前駆体と加熱により微細分散粒子に変化す
る分散粒子前駆体とを混合したのち加熱することを特徴
とするセラミックス複合粉末の製造方法。 - 【請求項4】 セラミックス粉末がSi、Al、Bの
窒化物、炭化物、酸化物の1種または2種以上であり、
該セラミックス粉末の内部に分散したセラミックスの微
細粒子が窒化物、炭化物、酸化物の1種または2種以上
である請求項3記載のセラミックス複合粉末の製造方法
。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3038887A JP3030888B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | セラミックス複合粉末及びその製造方法 |
CA002058075A CA2058075C (en) | 1990-12-26 | 1991-12-19 | Composite ceramic powder and production process thereof |
EP19910122075 EP0492563A3 (en) | 1990-12-26 | 1991-12-21 | Composite ceramic powder and production process thereof |
US08/033,960 US5356842A (en) | 1990-12-26 | 1993-03-19 | Composite ceramic powder and production process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3038887A JP3030888B2 (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | セラミックス複合粉末及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04357156A true JPH04357156A (ja) | 1992-12-10 |
JP3030888B2 JP3030888B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=12537724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3038887A Expired - Fee Related JP3030888B2 (ja) | 1990-12-26 | 1991-02-12 | セラミックス複合粉末及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3030888B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3038887A patent/JP3030888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3030888B2 (ja) | 2000-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5356842A (en) | Composite ceramic powder and production process thereof | |
JPH02160669A (ja) | 窒化ケイ素―炭化ケイ素複合焼結体およびその製造法 | |
JP4348429B2 (ja) | 窒化ケイ素多孔体及びその製造方法 | |
JPH0212893B2 (ja) | ||
JPH04357156A (ja) | セラミックス複合粉末及びその製造方法 | |
JPH07172921A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
JP2000272968A (ja) | 窒化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
JPH03261611A (ja) | 窒化けい素複合粉末の製造方法 | |
JPS6212663A (ja) | B4c質複合体およびその製造方法 | |
JP4493738B2 (ja) | 複合セラミックスおよびその製造方法 | |
JPH0826815A (ja) | 希土類複合酸化物系焼結体及びその製造方法 | |
JPH06263544A (ja) | サイアロン質複合焼結体及びその製造方法 | |
JP2855460B2 (ja) | 窒化けい素系複合粉末の製造方法 | |
JPS6034515B2 (ja) | 炭化珪素質セラミックス焼結体の製造法 | |
Chen et al. | Preparation and pressureless sintering of chemical vapour deposited SiC-B composite powder | |
JPH06116045A (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
JPH013075A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 | |
JP2691283B2 (ja) | 炭化珪素ウイスカー及びその製造方法 | |
JPH0218311A (ja) | 六方晶系炭化珪素プレートレットおよびプレフォーム並びにその製造および利用法 | |
JPH0316983A (ja) | セラミックス製断熱部材及びその製造方法 | |
JPS63117966A (ja) | 窒化ボロン系焼結体の製造方法 | |
JPH04130063A (ja) | セラミック複合材料の製造方法 | |
JPS6344713B2 (ja) | ||
JPH02199066A (ja) | 導電性炭化珪素焼結体及びその製造方法 | |
JPH06247771A (ja) | 窒化ほう素複合材料およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |