JPH04354363A - 半導体装置ユニット - Google Patents

半導体装置ユニット

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JPH04354363A
JPH04354363A JP3129776A JP12977691A JPH04354363A JP H04354363 A JPH04354363 A JP H04354363A JP 3129776 A JP3129776 A JP 3129776A JP 12977691 A JP12977691 A JP 12977691A JP H04354363 A JPH04354363 A JP H04354363A
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JP
Japan
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semiconductor device
holder
package
device unit
semiconductor
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JP3129776A
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Tetsuo Taniguchi
谷口　哲生
Junichi Kasai
純一 河西
Kazuto Tsuji
和人 辻
Rikuro Sono
薗　陸郎
Masanori Yoshimoto
吉本　正則
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置ユニットに係
り、特に高密度実装を行うのに適した半導体装置ユニッ
トに関する。
【０００２】近年、コンピュータシステムの小型化に伴
い、実装の高密度化が要求されている。また、ＤＲＡＭ
（Ｄｙｎａｍｉｃ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　ｒｅ
ａｄ　ｗｒｉｔｅ　Ｍｅｍｏｒｙ）等のメモリ装置では
、１枚の回路基板に対して、同一構成を有する複数の半
導体装置を搭載実装することが行われている。
【０００３】よって、同一構成とされた複数の半導体装
置を実装効率よく実装する方法が望まれている。
【０００４】
【従来の技術】実装密度を高密度化するためには、パッ
ケージ構造が重要な要素となる。従来、高密度実装を行
いうるパッケージ構造としては、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　
Ｏｕｔｌｉｎｅ　Ｐａｃｋ−ａｇｅ）等の小型薄型パッ
ケージや、またＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｉｎ　Ｌｉｎｅ
　Ｐａｃｋａｇｅ），ＺＩＰ（Ｚｉｇｚａｇ　Ｉｎ　Ｌ
ｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の縦型パッケージが知られ
ている。
【０００５】ＳＯＰはサーフェスマウント（Ｓｕｒｆａ
ｃｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）の一種であり、回路基板の上に
形成された半田パンプ上にＳＯＰ型の半導体装置を配置
し、その後この半田を溶かし半導体装置を固定する構成
とされている。
【０００６】また、ＳＩＰ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｉｎ　Ｌｉ
ｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＺＩＰ（Ｚｉｇｚａｇ　Ｉｎ
　Ｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等の縦型パッケージは、
リードをパッケージの一側面に一列に配置した構造を有
し、従ってこの構造を有する半導体装置は回路基板に垂
直に立った状態で搭載される。このように半導体装置が
垂直に搭載されることにより、実装密度を向上できると
共に半導体装置の冷却効率を向上させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、ＳＯＰの場
合は、平板状の薄型パッケージであるためパッケージク
ラックに弱く、また熱抵抗が高いという問題点があった
。また、平面実装するため、実装面積がＳＩＰ等に比べ
て大きくなるという問題点があった。
【０００８】一方、ＳＩＰ，ＺＩＰ等の縦型パッケージ
は、リードがパッケージの一側面より延出した構造であ
ったため、自立させることが困難であり実装作業が面倒
であるという問題点があった。このため、縦型パッケー
ジを自立させる構造として、パッケージに突起部を形成
すると共に、半導体装置が搭載される回路基板にこの突
起部を嵌入する嵌入孔を設け、突起部を嵌入孔に嵌入さ
せることにより半導体装置を自立させる構造が知られて
いる。しかるにこの構造の場合、回路基板に嵌入孔を形
成せねばならず、製造効率が悪く汎用性がないという問
題点があった。またＳＩＰ，ＺＩＰ等の縦型パッケージ
においてパッケージの薄型化を図ると、やはりパッケー
ジクラックが発生し、また熱抵抗が高くなるという問題
点が生じる。
【０００９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、実装効率，製造効率及び冷却効率の向上を図りう
る半導体装置ユニットを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、縦型パッケージの一側面からリードが
延出すると共に、回路基板表面にリードが接続される構
成とされた半導体装置と、この半導体装置が挿入されこ
れを保持する複数の装着部を有するホルダとにより半導
体装置ユニットを構成したことを特徴とするものである
。
【００１１】また、上記ホルダを筺体形状の樹脂成形品
とすると共に、ホルダに上記縦型パッケージが嵌入する
ことにより上記半導体装置を保持する複数の装着部を形
成した構成としてもよい。
【００１２】
【作用】半導体装置ユニットを上記構成とすることによ
り、ホルダには複数個の半導体装置が装着されるため、
パッケージの一側面からリードが延出した構成の縦型パ
ッケージであっても回路基板上に自立させることができ
る。また、複数の半導体装置はホルダに保持されるため
、各半導体装置の配設ピッチを小さくすることができ、
高密度実装を実現できる。更に、薄型化されたパッケー
ジであっても、パッケージは装着部に挿入された状態で
保持されるため、半導体装置で発生した熱はパッケージ
よりホルダに熱伝導されてゆく。このため、半導体装置
ユニット全体としての熱抵抗を低下させることができる
。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。図１は本発明の第１実施例である半導体装置ユニ
ット１の外観図である。本発明に係る半導体装置ユニッ
ト１は、半導体装置２と、ホルダ３とにより構成されて
いる。
【００１４】半導体装置２は、例えばＤＲＡＭ等のメモ
リ装置であり、１枚の回路基板に同一構成のものが複数
個実装されるものである。この半導体装置２は縦型パッ
ケージ構造を有しており、図２に拡大して示すように、
樹脂製パッケージ４の一側面から複数のリード５が延出
した構成を有している。この樹脂製パッケージ４の内部
には例えばメモリ装置等の半導体素子（図示せず）が封
止されている。また、樹脂製パッケージ４は薄型化が図
られており、半導体装置２自体では機械的強度は弱く、
また熱抵抗は高い構造となっている。一方、リード５は
同図に示すように樹脂製パッケージ４から延出した位置
で折り曲げられ、Ｌ字形状とされている。
【００１５】上記構造を有する半導体装置２を回路基板
上に自立させようとしても、縦型パッケージではこれを
自立させるのは困難であり、仮に自立させることができ
たとしても不安定な状態となり、リード５と回路基板と
の半田付け作業を良好に行うことができない。
【００１６】本発明では、このような個々では自立する
ことができない半導体装置２を、ホルダ３に装着するこ
とにより、自立可能な構成とすることを特徴とするもの
である。
【００１７】ホルダ３は樹脂成形品であり、筺体状の形
状を有している。このホルダ３には、図３に示すように
、複数（本実施例では５個）の装着部６が形成されてい
る。この装着部６はホルダ３の短辺方向に貫通した溝形
状を有しており、内部に半導体装置２の樹脂製パッケー
ジ４が嵌入しうる構成となっている。尚、装着部６は、
ホルダ３の成形時に一括的に形成されるものであり、こ
れを形成するのに困難を要するものではない。
【００１８】半導体装置ユニット１を組み立てるには、
ホルダ３に形成された各装着部６に半導体装置２を嵌入
させればよい。これだけの簡単な作業で半導体装置ユニ
ット１は組み立てられる。よって、本願構成とすること
により、半導体装置２の実装作業工程が複雑となったり
工数の増加が生じるようなことはない。
【００１９】図１は組立てられた状態の半導体装置ユニ
ット１を示しているが、組立て状態において複数の半導
体素子２はホルダ３に装着保持されている。そしてその
底部からは各半導体素子２のリード５が延出した構成と
なっている。従って、個々の状態では自立できない半導
体素子２も、複数個集合しホルダ３に保持されることに
より、協働して回路基板７上に自立することが可能とな
る。このように、各半導体素子２がホルダ３に保持され
自立することにより、回路基板７に従来のように嵌入孔
等を形成する必要はなくなり、半導体装置２の実装効率
を向上させることができる。また、複数の半導体装置２
はホルダ３に保持されるため各半導体装置間の配設ピッ
チを小さくすることができ、高密度実装を実現できる。
【００２０】また、前記したように樹脂製パッケージ４
は薄型化が図られており、半導体装置２自体では機械的
強度は弱くまた熱抵抗は高い構造となっているが、半導
体装置２はホルダ３に装着された状態で樹脂製パッケー
ジ４はホルダ３に形成された装着部と密着している。従
って、ホルダ３は半導体装置２の機械的強度を高めるサ
ポート部材としても機能し、上記のように薄型の樹脂製
パッケージ４であってもパッケージクラックが発生する
ようなことはない。また、これに加えて半導体装置２で
発生した熱はホルダ３に熱伝導していく。従って、半導
体装置２と樹脂製パッケージ４を一体化した半導体装置
ユニット１の熱抵抗は低下し、放熱効果も良好となり半
導体装置２に対する熱を影響を低減することができる。
【００２１】図４は本発明の第２実施例である半導体装
置ユニット１０を示している。図１に示す半導体装置ユ
ニット１では、装着部６がホルダ３の短辺方向に貫通し
た溝形状とされており、装着状態において半導体装置２
の側面２ａは外部に露出し、この部分における機械的強
度が低く、また熱抵抗も大きかった。
【００２２】しかるに、図４に示す半導体装置ユニット
１０は、装着部１１がホルダ１２の短辺方向に貫通して
はおらず、有底矩形状の溝部となっている。従って、半
導体装置２を装着した状態で、半導体装置２はホルダ１
２に埋設された構造となり、半導体装置２はリード５の
延出した面を除き全て装着部１１と密接した状態となる
。この構造とすることにより、図１に示した半導体装置
ユニット１に比べて半導体装置２に対する機械的強度を
向上させることができると共に、冷却効率を向上させる
ことができる。
【００２３】また、図５に示す半導体装置ユニット２０
及び図６に示す半導体装置ユニット２１は、共に冷却効
率を向上させるためにホルダ２２，２３に冷却フィン２
４，２５を配設したことを特徴とするものである。図５
に示す半導体装置ユニット２０では、金属製の板状冷却
フィン２４をホルダ２２の外周に配設した構造とされて
いる。また、図６に示す半導体装置ユニット２１は、複
数のピン状冷却フィン２５をホルダ２３の上面に配設し
た構造とされている。上記のように、冷却フィン２４，
２５を配設することにより、より冷却効率を向上させる
ことができる。
【００２４】尚、上記した各実施例では、半導体装置２
のリード形状が図２に示す如くＬ字状に折曲された構造
のものについてのみ説明したが、本発明はＬ字状に折曲
されたリードのみに適用を限られるものではない。例え
ば図７に示す半導体装置３１のように、樹脂製パッケー
ジ３２に対してリード３３が千鳥状に延出した構成のも
のや、また図８に示す半導体装置４１のように、樹脂製
パッケージ４２に対してループ状のリード４３が延出し
た構成のものに対しても適用することが可能である。
【００２５】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、ホルダには
複数個の半導体装置が装着されるため、パッケージの一
側面からリードが延出した構成の縦型パッケージであっ
ても回路基板上に自立させることができ、また複数の半
導体装置はホルダに保持されるため各半導体装置の配設
ピッチを小さくすることができ、高密度実装を実現でき
、更に薄型化されたパッケージであってもパッケージは
装着部に挿入された状態で保持されるため、半導体装置
で発生した熱はパッケージよりホルダに熱伝導されてゆ
き、このため半導体装置ユニット全体としての熱抵抗は
低下し放熱効率を向上させることができる等の特長を有
する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置ユニット
の斜視図である。
【図２】図１に示される半導体装置を拡大して示す斜視
図である。
【図３】図１に示される半導体装置の組立て方法を説明
するための図である。
【図４】本発明の第２実施例である半導体装置ユニット
を説明するための図である。
【図５】図１に示される半導体装置に冷却フィンを配設
した構成を示す斜視図である。
【図６】図１に示される半導体装置に冷却フィンを配設
した構成を示す斜視図である。
【図７】本発明を適用しうる半導体装置の一例を示す斜
視図である。
【図８】本発明を適用しうる半導体装置の一例を示す斜
視図である。
【符号の説明】
１，１０，２０，２１　　半導体装置ユニット２，３１
，４１　　半導体装置 ３，１２，２２，２３　　ホルダ ４，３２，４２　　樹脂製パッケージ ５，３３，４３　　リード ６，１１　　装着部 ７　　回路基板 ２４，２５　　冷却フィン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　縦型パッケージ（４，３２，４２）の
    一側面からリード（５，３３，４３）が延出すると共に
    、回路基板（７）表面に該リード（５，３３，４３）が
    接続される構成とされた半導体装置（２，３１，４１）
    と、該半導体装置（２，３１，４１）が挿入されること
    によりこれを保持する複数の装着部（６，１１）を有す
    るホルダ（３，１２，２２，２３）とにより構成される
    ことを特徴とする半導体装置ユニット。
  2. 【請求項２】　　該ホルダ（３，１２，２２，２３）は
    筺体形状を有する樹脂成形品であり、該縦型パッケージ
    （４，３２，４２）が嵌入することにより該半導体装置
    （２，３１，４１）を保持する複数の装着部（６，１１
    ）を形成してなることを特徴とする請求項１の半導体装
    置ユニット。
  3. 【請求項３】　　該ホルダ（２２，２３）に、該半導体
    装置（３１，４１）から発生する熱を放熱する放熱部（
    ２４，２５）を設けたことを特徴とする請求項１または
    ２の半導体装置ユニット。
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