JPH04353579A - シリカ系被膜形成用塗布液 - Google Patents

シリカ系被膜形成用塗布液

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JPH04353579A
JPH04353579A JP12977991A JP12977991A JPH04353579A JP H04353579 A JPH04353579 A JP H04353579A JP 12977991 A JP12977991 A JP 12977991A JP 12977991 A JP12977991 A JP 12977991A JP H04353579 A JPH04353579 A JP H04353579A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリカ系被膜形成用塗
布液に関するものであり、特に、半導体装置のパッシベ
ーション膜と封止樹脂の間に形成することにより、パッ
シベーション膜のクラックや封止樹脂とICチップ間の
剥離を防ぐためのバッファコート形成用塗布液として好
適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に関するもの
である。また、そのほか、本発明は半導体、液晶表示素
子などの不純物の拡散防止、絶縁、表面の平坦化など、
並びにシリコン、ガラス、セラミックス、金属などの固
体表面の保護などを目的として、特に、厚膜を形成した
い場合に好適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】アルコキシシランを加水分解・縮合する
ことによって得られる塗布液は、特公昭63−8186
号、特開昭58−204815号、特公昭63−460
95号公報などに示されているように従来から知られて
おり、半導体素子の不純物の拡散防止、絶縁、凹凸の平
坦化などの目的に使用されている。
【0003】一方、従来、半導体素子の表面保護膜とし
ては芳香族ポリイミドが使用されてきたが、紫外線消去
型ROMの表面保護膜としては、紫外光透過性の低さの
ために使用できないという問題がある。
【0004】そこで、紫外光透過性が良好で、かつ、厚
膜形成が可能であるシリカ系被膜形成用塗布液として、
本発明者らはアルコキシシラン中にある特定範囲量でフ
ェニル基を導入することを提案した(特願平2−205
880号)。
【0005】しかしこの従来の方法では、厚膜形成用と
してポリマー濃度をあげたために塗工性が低下し、膜に
ムラ、筋が発生するという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とす
るところは、厚膜形成が可能で、かつ、塗工性に優れた
シリカ系被膜形成用塗布液を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成により達成される。
【0008】アルコキシシランを加水分解および縮合す
ることによって得られるシリカ系被膜形成用塗布液であ
って、該塗布液が加水分解による生成アルコ−ルR′O
Hの沸点が80℃以上である一般式(1)で表されるア
ルコキシシランをアルコキシシランに対して0.5倍重
量以下の溶媒中で、加水分解および縮合させることによ
り得られることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液
【0009】     Rl Si(OR′)m (OR″)n   
                  (1)(ただし
、Rは水素、アルキル基、アルケニル基、およびアリー
ル基の群から選ばれる少なくとも1種であり、R′はア
ルキル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群
から選ばれる少なくとも1種であり、R″は水素、アル
キル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群か
ら選ばれる少なくとも1種である。また、lは1または
2、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、l+m+n
=4である。)一般式(1)で示されるアルコキシシラ
ンは加水分解することにより、下記のごとくアルコール
R′OHが生成するが、本願発明においてはアルコキシ
シランとして、加水分解によって生成するアルコ−ルR
′OHの沸点が80℃以上であるアルコキシシランを選
択することが重要である。
【0010】     Rl Si(OR′)m (OR″)n   
+  (m+n)H2 O    →  Rl Si(
OH)m (OH)n   +  mR′OH  + 
 nR″OH従来、この用途に用いられるアルコキシシ
ランとしては、加水分解によりメタノール、エタノール
といった沸点が80℃未満の低沸点アルコールを生成す
るものが使用されてきたが、これは80℃以上の沸点を
有するアルコール、すなわち高沸点アルコールを生成す
るアルコキシシランを使用した場合は炭素数の多いアル
コキシ基を有するアルコキシシランであるため、耐クラ
ック性を劣化させると考えられてきたことによる。例え
ば特公昭63−46095号公報に示されているように
、炭素数の多いアルコキシ基をもったアルコキシシラン
を用いた塗布液は、焼成時の残留アルコキシ基の脱離に
よる収縮歪が嵩高いアルコキシ基のために大きくなり、
膜にクラックが発生するとされていた。
【0011】しかしながら、本発明者らがかかる従来の
知見に基づき、厚膜形成用のためにポリマー濃度が高く
なるようにアルコキシシランの仕込量を増やしたところ
、上記のような低沸点アルコールが生成するアルコキシ
シランを用いた塗布液をスピンナー塗布して得られる膜
はムラや筋などが発生し、均一な膜を得るのは非常に困
難であるという事態に遭遇した。これは、薄膜形成用塗
布液においては、生成する低沸点アルコールは少量であ
るため問題にはならないが、厚膜形成用塗布液において
は、アルコキシシランの仕込量が多く、必然的に生成す
る低沸点アルコールが大量となるためである。すなわち
、塗布液をスピンナー塗布する際、低沸点物を多く含ん
だ塗布液はスピンナー回転中に低沸点アルコールの蒸発
が早く進み、滴下液のポリマー濃度が急激に変化し、得
られる膜にムラや筋などが発生することが判明した。
【0012】したがって、本発明は厚膜形成用塗布液に
は低沸点アルコールを生成するアルコキシシランは不適
当であり、むしろ、高沸点アルコールを生成するアルコ
キシシランが適当であるとの知見に基づくものである。
【0013】また、本発明の塗布液は上述のような加水
分解による生成アルコールの沸点が80℃以上であるア
ルコキシシランを、アルコキシシランに対して0.5倍
重量以下の溶媒中で加水分解および縮合させることによ
って形成することが重要であり、これにより厚膜形成が
可能で、かつ、塗工性に優れたシリカ系被膜形成用塗布
液を得ることができる。
【0014】次に、一般式(1)において、Rは水素、
アルキル基、アルケニル基、またはアリール基である。 具体的には水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ビニル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリ
ル基、ナフチル基などが挙げられる。比較的、薄い膜厚
の被膜形成用とするならば、従来から用いられてきたメ
チル基などのアルキル基でも構わないが、先にも述べた
ように厚膜形成用とするといういう観点からは、フェニ
ル基が好ましい。
【0015】一般式(1)において、R′はアルキル基
、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基である。 先にも述べたような、R′OHの沸点が80℃以上にな
る具体的なOR′としては、プロポキシ基、ブトキシ基
、2−メトキシエトキシ基、2−エトキシエトキシ基、
2−プロポキシエトキシ基、2−ブトキシエトキシ基、
1−メチル−2−メトキシエトキシ基、1−メチル−2
−ブトキシエトキシ基、フェノキシ基などが挙げられ、
mが2以上の場合、1種に限らず、2種以上のものを組
み合わせてもよい。
【0016】一般式(1)において、R″は、水素、ア
ルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基
である。具体的なOR″としては上記OR′はもちろん
のこと、ほかには、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキ
シ基などが挙げられる。
【0017】一般式(1)において、lは1または2で
あり、得られる膜の密着性からは1が好ましい。また、
mは1〜3の整数、nは0〜2の整数を示し、l+m+
n=4である。mは、塗工性の点から大きい程よく、好
ましくは3である。
【0018】一般式(1)で表されるアルコキシシラン
の具体例としては、メチルトリプロポキシシラン、メチ
ルトリブトキシシラン、メチルトリス(2−メトキシエ
トキシ)シラン、ジメチルジプロポキシシラン、フェニ
ルトリス(2−メトキシエトキシ)シランなどが挙げら
れるが、厚膜形成用とするという点からはフェニルトリ
ス(2−メトキシエトキシ)シランが好ましい。これら
アルコキシシランは単独で用いても良いが、2種以上を
混合して用いることもできる。実際に、耐クラック性と
紫外光透過率を両立しやするするためには、単独のアル
コキシシランを用いるよりも、2種以上のアルコキシシ
ランを混合して用いるほうが良い。
【0019】ここで耐クラツク性と紫外光透過性を両立
させるとは、具体的には、厚さ2.0μmあたりの25
4nmでの透過率が少なくとも50%以上であり、かつ
、クラックフリーで1.5μm以上の膜厚を有する被膜
を形成できることを意味し、このためには、メチルアル
コキシシランとフェニルアルコキシシランを混合して用
い、かつ、該アルコキシシラン中のメチル基の総数がフ
ェニル基の総数の2倍以上、30倍以下となるようにす
るのが良い。また、2種以上のアルコキシシランを混合
する場合に、高沸点アルコールを生成するアルコキシシ
ランのみでなく、低沸点アルコールを生成するアルコキ
シシランを、本発明の目的を損なわない範囲で加えても
差し支えない。
【0020】本発明において用いられる溶媒は、有機溶
媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノールなどのアルキルアルコール類;エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ルなどのアルキレングリコール類;テトラヒドロフラン
、石油エーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類などを用いることができる。こ
れらは単独で用いても良いし、また、2種以上を混合し
て用いても良い。しかし、塗工性の点では沸点が高いも
のから選ばれるのが好ましく、厚膜形成用とするために
は耐クラック性を向上させる効果があるアミド系溶媒が
好ましく、特に、N−メチル−2−ピロリドンが好まし
い。
【0021】溶媒を用いる量は、アルコキシシランに対
する重量比で、0.5倍以下とすることが重要である。 0.5倍より多い溶媒を用いた場合は、反応によって生
成するシリコンポリマーの濃度が低くなるため、厚膜形
成用とはならない。好ましくは、アルコキシシランに対
する重量比で、0.3倍以下、さらに好ましくは、0.
2倍以下とするのが良い。しかし、0.1倍未満では反
応が急激に進むことによって、得られるポリマー構造の
秩序性が悪化し、膜物性の低下や保存安定性の劣化を引
き起こすため、適当ではない。
【0022】加水分解反応のために添加する水の量につ
いては特に制限はないが、厚膜形成用とするためには、
アルコキシシランの0.5〜5.0倍モル量の範囲で選
択するのが好ましく、さらに好ましくは、1.0〜3.
0倍モル量の範囲で用いるのがよい。
【0023】反応を促進するために系に触媒を加えるこ
とができる。触媒としては、塩酸、リン酸、リン酸エス
テル、硫酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸、メチルスルホン酸、ホウ酸、酢酸、シュウ酸、そ
のほか、Al、Znなどの酸化物、アンバーライト(オ
ルガノ社製)、ナフィオン(デュポン社製)などの固体
触媒を用いることができる。
【0024】反応温度については、反応系の凝固点から
沸点の範囲で通常、選択されるが、沸点以上の温度で加
圧状態で反応することももちろん差し支えない。
【0025】反応の様態は、連続式、バッチ式のいずれ
でもよい。反応後、必要であれば溶媒を追加して、ある
いは除去して粘度を調整すること、さらにヒドロキシプ
ロピルセルロース、グリセリンなどの粘度調整剤を添加
することも可能である。
【0026】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
【0027】実施例1 ブタノール70gと水40gと硫酸5gの混合物に、メ
チルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン188g(
0.7mol)とフェニルトリス(2−メトキシエトキ
シ)シラン33g(0.1mol)を混合物をかくはん
しながら加えた。次に、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液の生成アルコールは2−メト
キシエタノールであり、その沸点は124℃であった。 この溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを
用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、窒素
中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で30分
間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0028】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.1μmであった。
【0029】比較例1 原料のアルコキシシランをメチルトリエトキシシラン1
25g(0.7mol)とフェニルトリエトキシシラン
24g(0.1mol)の混合物とする以外は実施例1
と同じ方法で溶液を調合した。得られた溶液の生成アル
コールはエタノールであり、その沸点は78℃であった
。この溶液を得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0030】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥が多数
見られ、実用に耐えるものではなかった。
【0031】実施例2 プロピレングリコールモノブチルエーテル50gと水6
0gと酢酸3gの混合物に、メチルトリイソプロポキシ
シラン220g(1.0mol)とフェニルトリエトキ
シシラン24g(0.1mol)の混合物をかくはんし
ながら加えた。次ぎに、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0032】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.5μmであった。
【0033】比較例2 溶媒をプロピレングリコールモノブチルエーテル150
gとする以外は実施例2と同じ方法で溶液を調合した。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0034】得られた膜は、膜厚が1.0μmと薄かっ
た。
【0035】実施例3 テトラヒドロフラン50gとジメチルアセトアミド10
0gと水100gとナフィオン5gの混合物に、メチル
トリプロポキシシラン440g(2.0mol)とジメ
チルジエトキシシラン74g(0.5mol)とジフェ
ニルジエトキシシラン27g(0.1mol)とフェニ
ルトリプロポキシシラン113g(0.4mol)の混
合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を塗布液
としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて1500r
pm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃で30
分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成してシリカ
系被膜を得た。
【0036】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.0μmであった。
【0037】実施例4 N−メチル−2−ピロリドン10gと水15gとリン酸
1gの混合物に、メチルトリエトキシシラン18g(0
.10mol)とメチルトリス(2−メトキシエトキシ
)シラン27g(0.10mol)とフェニルトリス(
2−メトキシエトキシ)シラン17g(0.05mol
)の混合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を
塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて15
00rpm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃
で30分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成して
シリカ系被膜を得た。
【0038】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.0μmであった。
【0039】実施例5 ジイソブチルケトン100gと水20gと塩酸3gの混
合物に、メチルトリス(2−メトキシエトキシシラン)
268g(1.0mol)とテトラエトキシシラン72
g(0.5mol)とジメチルジメトキシシラン12g
(0.1mol)とフェニルトリエトキシシラン48g
(0.2mol)の混合物をかくはんしながら加えた。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0040】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.2μmであった。
【0041】
【発明の効果】本発明のシリカ被膜形成用塗布液は、塗
工性に優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥
が発生しない。また、焼成後の被膜は、特に2.0μm
以上の膜厚に形成せしめた場合でもクラックはなく、か
つ、紫外光透過性に優れているため、芳香族ポリイミド
に代わる紫外線消去型ROM用バッファコートとして使
用することができる。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アルコキシシランを加水分解および縮合す
    ることによって得られるシリカ系被膜形成用塗布液であ
    って、該塗布液が加水分解による生成アルコ−ルR′O
    Hの沸点が80℃以上である一般式(1)で表されるア
    ルコキシシランをアルコキシシランに対して0.5倍重
    量以下の溶媒中で、加水分解および縮合させることによ
    り得られることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液
    。     Rl Si(OR′)m (OR″)n   
                      (1)(ただし
    、Rは水素、アルキル基、アルケニル基、およびアリー
    ル基の群から選ばれる少なくとも1種であり、R′はア
    ルキル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群
    から選ばれる少なくとも1種であり、R″は水素、アル
    キル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群か
    ら選ばれる少なくとも1種である。また、lは1または
    2、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、l+m+n
    =4である。)
  2. 【請求項2】一般式(1)で表されるアルコキシシラン
    のRがフェニル基であることを特徴とする請求項1記載
    のシリカ系被膜形成用塗布液。
  3. 【請求項3】アルコキシシランがフェニルトリス(2−
    メトキシエトキシ)シランであることを特徴とする請求
    項1記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
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