JPH04353579A - シリカ系被膜形成用塗布液 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液Info
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- JPH04353579A JPH04353579A JP12977991A JP12977991A JPH04353579A JP H04353579 A JPH04353579 A JP H04353579A JP 12977991 A JP12977991 A JP 12977991A JP 12977991 A JP12977991 A JP 12977991A JP H04353579 A JPH04353579 A JP H04353579A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリカ系被膜形成用塗
布液に関するものであり、特に、半導体装置のパッシベ
ーション膜と封止樹脂の間に形成することにより、パッ
シベーション膜のクラックや封止樹脂とICチップ間の
剥離を防ぐためのバッファコート形成用塗布液として好
適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に関するもの
である。また、そのほか、本発明は半導体、液晶表示素
子などの不純物の拡散防止、絶縁、表面の平坦化など、
並びにシリコン、ガラス、セラミックス、金属などの固
体表面の保護などを目的として、特に、厚膜を形成した
い場合に好適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に
関するものである。
布液に関するものであり、特に、半導体装置のパッシベ
ーション膜と封止樹脂の間に形成することにより、パッ
シベーション膜のクラックや封止樹脂とICチップ間の
剥離を防ぐためのバッファコート形成用塗布液として好
適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に関するもの
である。また、そのほか、本発明は半導体、液晶表示素
子などの不純物の拡散防止、絶縁、表面の平坦化など、
並びにシリコン、ガラス、セラミックス、金属などの固
体表面の保護などを目的として、特に、厚膜を形成した
い場合に好適に用いられるシリカ系被膜形成用塗布液に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】アルコキシシランを加水分解・縮合する
ことによって得られる塗布液は、特公昭63−8186
号、特開昭58−204815号、特公昭63−460
95号公報などに示されているように従来から知られて
おり、半導体素子の不純物の拡散防止、絶縁、凹凸の平
坦化などの目的に使用されている。
ことによって得られる塗布液は、特公昭63−8186
号、特開昭58−204815号、特公昭63−460
95号公報などに示されているように従来から知られて
おり、半導体素子の不純物の拡散防止、絶縁、凹凸の平
坦化などの目的に使用されている。
【0003】一方、従来、半導体素子の表面保護膜とし
ては芳香族ポリイミドが使用されてきたが、紫外線消去
型ROMの表面保護膜としては、紫外光透過性の低さの
ために使用できないという問題がある。
ては芳香族ポリイミドが使用されてきたが、紫外線消去
型ROMの表面保護膜としては、紫外光透過性の低さの
ために使用できないという問題がある。
【0004】そこで、紫外光透過性が良好で、かつ、厚
膜形成が可能であるシリカ系被膜形成用塗布液として、
本発明者らはアルコキシシラン中にある特定範囲量でフ
ェニル基を導入することを提案した(特願平2−205
880号)。
膜形成が可能であるシリカ系被膜形成用塗布液として、
本発明者らはアルコキシシラン中にある特定範囲量でフ
ェニル基を導入することを提案した(特願平2−205
880号)。
【0005】しかしこの従来の方法では、厚膜形成用と
してポリマー濃度をあげたために塗工性が低下し、膜に
ムラ、筋が発生するという問題があった。
してポリマー濃度をあげたために塗工性が低下し、膜に
ムラ、筋が発生するという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とす
るところは、厚膜形成が可能で、かつ、塗工性に優れた
シリカ系被膜形成用塗布液を提供することにある。
の技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的とす
るところは、厚膜形成が可能で、かつ、塗工性に優れた
シリカ系被膜形成用塗布液を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
以下の構成により達成される。
以下の構成により達成される。
【0008】アルコキシシランを加水分解および縮合す
ることによって得られるシリカ系被膜形成用塗布液であ
って、該塗布液が加水分解による生成アルコ−ルR′O
Hの沸点が80℃以上である一般式(1)で表されるア
ルコキシシランをアルコキシシランに対して0.5倍重
量以下の溶媒中で、加水分解および縮合させることによ
り得られることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液
。
ることによって得られるシリカ系被膜形成用塗布液であ
って、該塗布液が加水分解による生成アルコ−ルR′O
Hの沸点が80℃以上である一般式(1)で表されるア
ルコキシシランをアルコキシシランに対して0.5倍重
量以下の溶媒中で、加水分解および縮合させることによ
り得られることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液
。
【0009】
Rl Si(OR′)m (OR″)n
(1)(ただし
、Rは水素、アルキル基、アルケニル基、およびアリー
ル基の群から選ばれる少なくとも1種であり、R′はア
ルキル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群
から選ばれる少なくとも1種であり、R″は水素、アル
キル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群か
ら選ばれる少なくとも1種である。また、lは1または
2、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、l+m+n
=4である。)一般式(1)で示されるアルコキシシラ
ンは加水分解することにより、下記のごとくアルコール
R′OHが生成するが、本願発明においてはアルコキシ
シランとして、加水分解によって生成するアルコ−ルR
′OHの沸点が80℃以上であるアルコキシシランを選
択することが重要である。
(1)(ただし
、Rは水素、アルキル基、アルケニル基、およびアリー
ル基の群から選ばれる少なくとも1種であり、R′はア
ルキル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群
から選ばれる少なくとも1種であり、R″は水素、アル
キル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群か
ら選ばれる少なくとも1種である。また、lは1または
2、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、l+m+n
=4である。)一般式(1)で示されるアルコキシシラ
ンは加水分解することにより、下記のごとくアルコール
R′OHが生成するが、本願発明においてはアルコキシ
シランとして、加水分解によって生成するアルコ−ルR
′OHの沸点が80℃以上であるアルコキシシランを選
択することが重要である。
【0010】
Rl Si(OR′)m (OR″)n
+ (m+n)H2 O → Rl Si(
OH)m (OH)n + mR′OH +
nR″OH従来、この用途に用いられるアルコキシシ
ランとしては、加水分解によりメタノール、エタノール
といった沸点が80℃未満の低沸点アルコールを生成す
るものが使用されてきたが、これは80℃以上の沸点を
有するアルコール、すなわち高沸点アルコールを生成す
るアルコキシシランを使用した場合は炭素数の多いアル
コキシ基を有するアルコキシシランであるため、耐クラ
ック性を劣化させると考えられてきたことによる。例え
ば特公昭63−46095号公報に示されているように
、炭素数の多いアルコキシ基をもったアルコキシシラン
を用いた塗布液は、焼成時の残留アルコキシ基の脱離に
よる収縮歪が嵩高いアルコキシ基のために大きくなり、
膜にクラックが発生するとされていた。
+ (m+n)H2 O → Rl Si(
OH)m (OH)n + mR′OH +
nR″OH従来、この用途に用いられるアルコキシシ
ランとしては、加水分解によりメタノール、エタノール
といった沸点が80℃未満の低沸点アルコールを生成す
るものが使用されてきたが、これは80℃以上の沸点を
有するアルコール、すなわち高沸点アルコールを生成す
るアルコキシシランを使用した場合は炭素数の多いアル
コキシ基を有するアルコキシシランであるため、耐クラ
ック性を劣化させると考えられてきたことによる。例え
ば特公昭63−46095号公報に示されているように
、炭素数の多いアルコキシ基をもったアルコキシシラン
を用いた塗布液は、焼成時の残留アルコキシ基の脱離に
よる収縮歪が嵩高いアルコキシ基のために大きくなり、
膜にクラックが発生するとされていた。
【0011】しかしながら、本発明者らがかかる従来の
知見に基づき、厚膜形成用のためにポリマー濃度が高く
なるようにアルコキシシランの仕込量を増やしたところ
、上記のような低沸点アルコールが生成するアルコキシ
シランを用いた塗布液をスピンナー塗布して得られる膜
はムラや筋などが発生し、均一な膜を得るのは非常に困
難であるという事態に遭遇した。これは、薄膜形成用塗
布液においては、生成する低沸点アルコールは少量であ
るため問題にはならないが、厚膜形成用塗布液において
は、アルコキシシランの仕込量が多く、必然的に生成す
る低沸点アルコールが大量となるためである。すなわち
、塗布液をスピンナー塗布する際、低沸点物を多く含ん
だ塗布液はスピンナー回転中に低沸点アルコールの蒸発
が早く進み、滴下液のポリマー濃度が急激に変化し、得
られる膜にムラや筋などが発生することが判明した。
知見に基づき、厚膜形成用のためにポリマー濃度が高く
なるようにアルコキシシランの仕込量を増やしたところ
、上記のような低沸点アルコールが生成するアルコキシ
シランを用いた塗布液をスピンナー塗布して得られる膜
はムラや筋などが発生し、均一な膜を得るのは非常に困
難であるという事態に遭遇した。これは、薄膜形成用塗
布液においては、生成する低沸点アルコールは少量であ
るため問題にはならないが、厚膜形成用塗布液において
は、アルコキシシランの仕込量が多く、必然的に生成す
る低沸点アルコールが大量となるためである。すなわち
、塗布液をスピンナー塗布する際、低沸点物を多く含ん
だ塗布液はスピンナー回転中に低沸点アルコールの蒸発
が早く進み、滴下液のポリマー濃度が急激に変化し、得
られる膜にムラや筋などが発生することが判明した。
【0012】したがって、本発明は厚膜形成用塗布液に
は低沸点アルコールを生成するアルコキシシランは不適
当であり、むしろ、高沸点アルコールを生成するアルコ
キシシランが適当であるとの知見に基づくものである。
は低沸点アルコールを生成するアルコキシシランは不適
当であり、むしろ、高沸点アルコールを生成するアルコ
キシシランが適当であるとの知見に基づくものである。
【0013】また、本発明の塗布液は上述のような加水
分解による生成アルコールの沸点が80℃以上であるア
ルコキシシランを、アルコキシシランに対して0.5倍
重量以下の溶媒中で加水分解および縮合させることによ
って形成することが重要であり、これにより厚膜形成が
可能で、かつ、塗工性に優れたシリカ系被膜形成用塗布
液を得ることができる。
分解による生成アルコールの沸点が80℃以上であるア
ルコキシシランを、アルコキシシランに対して0.5倍
重量以下の溶媒中で加水分解および縮合させることによ
って形成することが重要であり、これにより厚膜形成が
可能で、かつ、塗工性に優れたシリカ系被膜形成用塗布
液を得ることができる。
【0014】次に、一般式(1)において、Rは水素、
アルキル基、アルケニル基、またはアリール基である。 具体的には水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ビニル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリ
ル基、ナフチル基などが挙げられる。比較的、薄い膜厚
の被膜形成用とするならば、従来から用いられてきたメ
チル基などのアルキル基でも構わないが、先にも述べた
ように厚膜形成用とするといういう観点からは、フェニ
ル基が好ましい。
アルキル基、アルケニル基、またはアリール基である。 具体的には水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブ
チル基、ビニル基、フェニル基、トリル基、ビフェニリ
ル基、ナフチル基などが挙げられる。比較的、薄い膜厚
の被膜形成用とするならば、従来から用いられてきたメ
チル基などのアルキル基でも構わないが、先にも述べた
ように厚膜形成用とするといういう観点からは、フェニ
ル基が好ましい。
【0015】一般式(1)において、R′はアルキル基
、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基である。 先にも述べたような、R′OHの沸点が80℃以上にな
る具体的なOR′としては、プロポキシ基、ブトキシ基
、2−メトキシエトキシ基、2−エトキシエトキシ基、
2−プロポキシエトキシ基、2−ブトキシエトキシ基、
1−メチル−2−メトキシエトキシ基、1−メチル−2
−ブトキシエトキシ基、フェノキシ基などが挙げられ、
mが2以上の場合、1種に限らず、2種以上のものを組
み合わせてもよい。
、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基である。 先にも述べたような、R′OHの沸点が80℃以上にな
る具体的なOR′としては、プロポキシ基、ブトキシ基
、2−メトキシエトキシ基、2−エトキシエトキシ基、
2−プロポキシエトキシ基、2−ブトキシエトキシ基、
1−メチル−2−メトキシエトキシ基、1−メチル−2
−ブトキシエトキシ基、フェノキシ基などが挙げられ、
mが2以上の場合、1種に限らず、2種以上のものを組
み合わせてもよい。
【0016】一般式(1)において、R″は、水素、ア
ルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基
である。具体的なOR″としては上記OR′はもちろん
のこと、ほかには、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキ
シ基などが挙げられる。
ルキル基、アルコキシアルキル基、あるいはアリール基
である。具体的なOR″としては上記OR′はもちろん
のこと、ほかには、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキ
シ基などが挙げられる。
【0017】一般式(1)において、lは1または2で
あり、得られる膜の密着性からは1が好ましい。また、
mは1〜3の整数、nは0〜2の整数を示し、l+m+
n=4である。mは、塗工性の点から大きい程よく、好
ましくは3である。
あり、得られる膜の密着性からは1が好ましい。また、
mは1〜3の整数、nは0〜2の整数を示し、l+m+
n=4である。mは、塗工性の点から大きい程よく、好
ましくは3である。
【0018】一般式(1)で表されるアルコキシシラン
の具体例としては、メチルトリプロポキシシラン、メチ
ルトリブトキシシラン、メチルトリス(2−メトキシエ
トキシ)シラン、ジメチルジプロポキシシラン、フェニ
ルトリス(2−メトキシエトキシ)シランなどが挙げら
れるが、厚膜形成用とするという点からはフェニルトリ
ス(2−メトキシエトキシ)シランが好ましい。これら
アルコキシシランは単独で用いても良いが、2種以上を
混合して用いることもできる。実際に、耐クラック性と
紫外光透過率を両立しやするするためには、単独のアル
コキシシランを用いるよりも、2種以上のアルコキシシ
ランを混合して用いるほうが良い。
の具体例としては、メチルトリプロポキシシラン、メチ
ルトリブトキシシラン、メチルトリス(2−メトキシエ
トキシ)シラン、ジメチルジプロポキシシラン、フェニ
ルトリス(2−メトキシエトキシ)シランなどが挙げら
れるが、厚膜形成用とするという点からはフェニルトリ
ス(2−メトキシエトキシ)シランが好ましい。これら
アルコキシシランは単独で用いても良いが、2種以上を
混合して用いることもできる。実際に、耐クラック性と
紫外光透過率を両立しやするするためには、単独のアル
コキシシランを用いるよりも、2種以上のアルコキシシ
ランを混合して用いるほうが良い。
【0019】ここで耐クラツク性と紫外光透過性を両立
させるとは、具体的には、厚さ2.0μmあたりの25
4nmでの透過率が少なくとも50%以上であり、かつ
、クラックフリーで1.5μm以上の膜厚を有する被膜
を形成できることを意味し、このためには、メチルアル
コキシシランとフェニルアルコキシシランを混合して用
い、かつ、該アルコキシシラン中のメチル基の総数がフ
ェニル基の総数の2倍以上、30倍以下となるようにす
るのが良い。また、2種以上のアルコキシシランを混合
する場合に、高沸点アルコールを生成するアルコキシシ
ランのみでなく、低沸点アルコールを生成するアルコキ
シシランを、本発明の目的を損なわない範囲で加えても
差し支えない。
させるとは、具体的には、厚さ2.0μmあたりの25
4nmでの透過率が少なくとも50%以上であり、かつ
、クラックフリーで1.5μm以上の膜厚を有する被膜
を形成できることを意味し、このためには、メチルアル
コキシシランとフェニルアルコキシシランを混合して用
い、かつ、該アルコキシシラン中のメチル基の総数がフ
ェニル基の総数の2倍以上、30倍以下となるようにす
るのが良い。また、2種以上のアルコキシシランを混合
する場合に、高沸点アルコールを生成するアルコキシシ
ランのみでなく、低沸点アルコールを生成するアルコキ
シシランを、本発明の目的を損なわない範囲で加えても
差し支えない。
【0020】本発明において用いられる溶媒は、有機溶
媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノールなどのアルキルアルコール類;エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ルなどのアルキレングリコール類;テトラヒドロフラン
、石油エーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類などを用いることができる。こ
れらは単独で用いても良いし、また、2種以上を混合し
て用いても良い。しかし、塗工性の点では沸点が高いも
のから選ばれるのが好ましく、厚膜形成用とするために
は耐クラック性を向上させる効果があるアミド系溶媒が
好ましく、特に、N−メチル−2−ピロリドンが好まし
い。
媒が好ましく、例えば、メタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノールなどのアルキルアルコール類;エ
チレングリコール、ジエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール、プロピレングリコール、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ルなどのアルキレングリコール類;テトラヒドロフラン
、石油エーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル類;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;N−メチル−
2−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類などを用いることができる。こ
れらは単独で用いても良いし、また、2種以上を混合し
て用いても良い。しかし、塗工性の点では沸点が高いも
のから選ばれるのが好ましく、厚膜形成用とするために
は耐クラック性を向上させる効果があるアミド系溶媒が
好ましく、特に、N−メチル−2−ピロリドンが好まし
い。
【0021】溶媒を用いる量は、アルコキシシランに対
する重量比で、0.5倍以下とすることが重要である。 0.5倍より多い溶媒を用いた場合は、反応によって生
成するシリコンポリマーの濃度が低くなるため、厚膜形
成用とはならない。好ましくは、アルコキシシランに対
する重量比で、0.3倍以下、さらに好ましくは、0.
2倍以下とするのが良い。しかし、0.1倍未満では反
応が急激に進むことによって、得られるポリマー構造の
秩序性が悪化し、膜物性の低下や保存安定性の劣化を引
き起こすため、適当ではない。
する重量比で、0.5倍以下とすることが重要である。 0.5倍より多い溶媒を用いた場合は、反応によって生
成するシリコンポリマーの濃度が低くなるため、厚膜形
成用とはならない。好ましくは、アルコキシシランに対
する重量比で、0.3倍以下、さらに好ましくは、0.
2倍以下とするのが良い。しかし、0.1倍未満では反
応が急激に進むことによって、得られるポリマー構造の
秩序性が悪化し、膜物性の低下や保存安定性の劣化を引
き起こすため、適当ではない。
【0022】加水分解反応のために添加する水の量につ
いては特に制限はないが、厚膜形成用とするためには、
アルコキシシランの0.5〜5.0倍モル量の範囲で選
択するのが好ましく、さらに好ましくは、1.0〜3.
0倍モル量の範囲で用いるのがよい。
いては特に制限はないが、厚膜形成用とするためには、
アルコキシシランの0.5〜5.0倍モル量の範囲で選
択するのが好ましく、さらに好ましくは、1.0〜3.
0倍モル量の範囲で用いるのがよい。
【0023】反応を促進するために系に触媒を加えるこ
とができる。触媒としては、塩酸、リン酸、リン酸エス
テル、硫酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸、メチルスルホン酸、ホウ酸、酢酸、シュウ酸、そ
のほか、Al、Znなどの酸化物、アンバーライト(オ
ルガノ社製)、ナフィオン(デュポン社製)などの固体
触媒を用いることができる。
とができる。触媒としては、塩酸、リン酸、リン酸エス
テル、硫酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエンスルホ
ン酸、メチルスルホン酸、ホウ酸、酢酸、シュウ酸、そ
のほか、Al、Znなどの酸化物、アンバーライト(オ
ルガノ社製)、ナフィオン(デュポン社製)などの固体
触媒を用いることができる。
【0024】反応温度については、反応系の凝固点から
沸点の範囲で通常、選択されるが、沸点以上の温度で加
圧状態で反応することももちろん差し支えない。
沸点の範囲で通常、選択されるが、沸点以上の温度で加
圧状態で反応することももちろん差し支えない。
【0025】反応の様態は、連続式、バッチ式のいずれ
でもよい。反応後、必要であれば溶媒を追加して、ある
いは除去して粘度を調整すること、さらにヒドロキシプ
ロピルセルロース、グリセリンなどの粘度調整剤を添加
することも可能である。
でもよい。反応後、必要であれば溶媒を追加して、ある
いは除去して粘度を調整すること、さらにヒドロキシプ
ロピルセルロース、グリセリンなどの粘度調整剤を添加
することも可能である。
【0026】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【0027】実施例1
ブタノール70gと水40gと硫酸5gの混合物に、メ
チルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン188g(
0.7mol)とフェニルトリス(2−メトキシエトキ
シ)シラン33g(0.1mol)を混合物をかくはん
しながら加えた。次に、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液の生成アルコールは2−メト
キシエタノールであり、その沸点は124℃であった。 この溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを
用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、窒素
中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で30分
間焼成してシリカ系被膜を得た。
チルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン188g(
0.7mol)とフェニルトリス(2−メトキシエトキ
シ)シラン33g(0.1mol)を混合物をかくはん
しながら加えた。次に、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液の生成アルコールは2−メト
キシエタノールであり、その沸点は124℃であった。 この溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを
用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、窒素
中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で30分
間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0028】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.1μmであった。
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.1μmであった。
【0029】比較例1
原料のアルコキシシランをメチルトリエトキシシラン1
25g(0.7mol)とフェニルトリエトキシシラン
24g(0.1mol)の混合物とする以外は実施例1
と同じ方法で溶液を調合した。得られた溶液の生成アル
コールはエタノールであり、その沸点は78℃であった
。この溶液を得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
25g(0.7mol)とフェニルトリエトキシシラン
24g(0.1mol)の混合物とする以外は実施例1
と同じ方法で溶液を調合した。得られた溶液の生成アル
コールはエタノールであり、その沸点は78℃であった
。この溶液を得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0030】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥が多数
見られ、実用に耐えるものではなかった。
見られ、実用に耐えるものではなかった。
【0031】実施例2
プロピレングリコールモノブチルエーテル50gと水6
0gと酢酸3gの混合物に、メチルトリイソプロポキシ
シラン220g(1.0mol)とフェニルトリエトキ
シシラン24g(0.1mol)の混合物をかくはんし
ながら加えた。次ぎに、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
0gと酢酸3gの混合物に、メチルトリイソプロポキシ
シラン220g(1.0mol)とフェニルトリエトキ
シシラン24g(0.1mol)の混合物をかくはんし
ながら加えた。次ぎに、溶液を50℃で3時間加熱し、
熟成させた。得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ
上にスピンナーを用いて1500rpm、15秒の条件
でコートし、窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに
300℃で30分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0032】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.5μmであった。
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.5μmであった。
【0033】比較例2
溶媒をプロピレングリコールモノブチルエーテル150
gとする以外は実施例2と同じ方法で溶液を調合した。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
gとする以外は実施例2と同じ方法で溶液を調合した。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0034】得られた膜は、膜厚が1.0μmと薄かっ
た。
た。
【0035】実施例3
テトラヒドロフラン50gとジメチルアセトアミド10
0gと水100gとナフィオン5gの混合物に、メチル
トリプロポキシシラン440g(2.0mol)とジメ
チルジエトキシシラン74g(0.5mol)とジフェ
ニルジエトキシシラン27g(0.1mol)とフェニ
ルトリプロポキシシラン113g(0.4mol)の混
合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を塗布液
としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて1500r
pm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃で30
分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成してシリカ
系被膜を得た。
0gと水100gとナフィオン5gの混合物に、メチル
トリプロポキシシラン440g(2.0mol)とジメ
チルジエトキシシラン74g(0.5mol)とジフェ
ニルジエトキシシラン27g(0.1mol)とフェニ
ルトリプロポキシシラン113g(0.4mol)の混
合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を塗布液
としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて1500r
pm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃で30
分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成してシリカ
系被膜を得た。
【0036】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.0μmであった。
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、3.0μmであった。
【0037】実施例4
N−メチル−2−ピロリドン10gと水15gとリン酸
1gの混合物に、メチルトリエトキシシラン18g(0
.10mol)とメチルトリス(2−メトキシエトキシ
)シラン27g(0.10mol)とフェニルトリス(
2−メトキシエトキシ)シラン17g(0.05mol
)の混合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を
塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて15
00rpm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃
で30分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成して
シリカ系被膜を得た。
1gの混合物に、メチルトリエトキシシラン18g(0
.10mol)とメチルトリス(2−メトキシエトキシ
)シラン27g(0.10mol)とフェニルトリス(
2−メトキシエトキシ)シラン17g(0.05mol
)の混合物をかくはんしながら加えた。得られた溶液を
塗布液としてシリコウェハ上にスピンナーを用いて15
00rpm、15秒の条件でコートし、窒素中で80℃
で30分間乾燥し、さらに300℃で30分間焼成して
シリカ系被膜を得た。
【0038】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.0μmであった。
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.0μmであった。
【0039】実施例5
ジイソブチルケトン100gと水20gと塩酸3gの混
合物に、メチルトリス(2−メトキシエトキシシラン)
268g(1.0mol)とテトラエトキシシラン72
g(0.5mol)とジメチルジメトキシシラン12g
(0.1mol)とフェニルトリエトキシシラン48g
(0.2mol)の混合物をかくはんしながら加えた。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
合物に、メチルトリス(2−メトキシエトキシシラン)
268g(1.0mol)とテトラエトキシシラン72
g(0.5mol)とジメチルジメトキシシラン12g
(0.1mol)とフェニルトリエトキシシラン48g
(0.2mol)の混合物をかくはんしながら加えた。 得られた溶液を塗布液としてシリコウェハ上にスピンナ
ーを用いて1500rpm、15秒の条件でコートし、
窒素中で80℃で30分間乾燥し、さらに300℃で3
0分間焼成してシリカ系被膜を得た。
【0040】得られた膜にはムラ、筋などの欠陥は見ら
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.2μmであった。
れず、顕微鏡観察の結果、クラックはなかった。また、
膜厚は、2.2μmであった。
【0041】
【発明の効果】本発明のシリカ被膜形成用塗布液は、塗
工性に優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥
が発生しない。また、焼成後の被膜は、特に2.0μm
以上の膜厚に形成せしめた場合でもクラックはなく、か
つ、紫外光透過性に優れているため、芳香族ポリイミド
に代わる紫外線消去型ROM用バッファコートとして使
用することができる。
工性に優れており、塗布後の被膜にムラ、筋などの欠陥
が発生しない。また、焼成後の被膜は、特に2.0μm
以上の膜厚に形成せしめた場合でもクラックはなく、か
つ、紫外光透過性に優れているため、芳香族ポリイミド
に代わる紫外線消去型ROM用バッファコートとして使
用することができる。
Claims (3)
- 【請求項1】アルコキシシランを加水分解および縮合す
ることによって得られるシリカ系被膜形成用塗布液であ
って、該塗布液が加水分解による生成アルコ−ルR′O
Hの沸点が80℃以上である一般式(1)で表されるア
ルコキシシランをアルコキシシランに対して0.5倍重
量以下の溶媒中で、加水分解および縮合させることによ
り得られることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液
。 Rl Si(OR′)m (OR″)n
(1)(ただし
、Rは水素、アルキル基、アルケニル基、およびアリー
ル基の群から選ばれる少なくとも1種であり、R′はア
ルキル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群
から選ばれる少なくとも1種であり、R″は水素、アル
キル基、アルコキシアルキル基およびアリール基の群か
ら選ばれる少なくとも1種である。また、lは1または
2、mは1〜3の整数、nは0〜2の整数、l+m+n
=4である。) - 【請求項2】一般式(1)で表されるアルコキシシラン
のRがフェニル基であることを特徴とする請求項1記載
のシリカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項3】アルコキシシランがフェニルトリス(2−
メトキシエトキシ)シランであることを特徴とする請求
項1記載のシリカ系被膜形成用塗布液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12977991A JP2890893B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12977991A JP2890893B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04353579A true JPH04353579A (ja) | 1992-12-08 |
JP2890893B2 JP2890893B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=15018016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12977991A Expired - Fee Related JP2890893B2 (ja) | 1991-05-31 | 1991-05-31 | シリカ系被膜形成用塗布液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2890893B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006045370A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Pialex Technologies Corp | 超親水性塗料組成物、同塗料および超親水性カラー鋼板 |
JP2013008871A (ja) * | 2011-05-26 | 2013-01-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
JP2014072243A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-21 | Asahi Kasei E-Materials Corp | シリカ系被膜の製造方法 |
CN106750307A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 常州市尚科新材料有限公司 | 甲基苯基硅树脂的制备方法 |
-
1991
- 1991-05-31 JP JP12977991A patent/JP2890893B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006045370A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Pialex Technologies Corp | 超親水性塗料組成物、同塗料および超親水性カラー鋼板 |
JP4522784B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2010-08-11 | 株式会社ピアレックス・テクノロジーズ | 建造物外壁塗布用超親水性塗料組成物および建造物外壁塗布用超親水性塗料並びに建造物外壁塗布用超親水性カラー鋼板 |
JP2013008871A (ja) * | 2011-05-26 | 2013-01-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体基板用パッシベーション膜形成用材料、半導体基板用パッシベーション膜及びその製造方法、並びに太陽電池素子及びその製造方法 |
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CN106750307A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 常州市尚科新材料有限公司 | 甲基苯基硅树脂的制备方法 |
CN106750307B (zh) * | 2016-12-29 | 2020-12-25 | 常州市尚科新材料有限公司 | 甲基苯基硅树脂的制备方法 |
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